2.2.2價(jià)層電子對(duì)數(shù)互斥模型 課件高二下學(xué)期化學(xué)人教版選擇性必修2_第1頁(yè)
2.2.2價(jià)層電子對(duì)數(shù)互斥模型 課件高二下學(xué)期化學(xué)人教版選擇性必修2_第2頁(yè)
2.2.2價(jià)層電子對(duì)數(shù)互斥模型 課件高二下學(xué)期化學(xué)人教版選擇性必修2_第3頁(yè)
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新人教版化學(xué)選擇性必修一第二章分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第二節(jié)分子的空間結(jié)構(gòu)第二課時(shí)價(jià)層電子對(duì)互斥模型上課時(shí)間:2025年2月20日上課班級(jí):10、30、53教學(xué)目標(biāo)本節(jié)重點(diǎn)應(yīng)用價(jià)層電子對(duì)互斥模型預(yù)測(cè)簡(jiǎn)單分子的空間結(jié)構(gòu)本節(jié)難點(diǎn)中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)的計(jì)算1.能運(yùn)用價(jià)層電子對(duì)互斥模型預(yù)測(cè)簡(jiǎn)單分子的空間結(jié)構(gòu),發(fā)展學(xué)生的模型認(rèn)知能力。2.通過實(shí)物模型向理論模型的轉(zhuǎn)化,體會(huì)價(jià)層電子對(duì)互斥模型的價(jià)值與局限

價(jià)層電子對(duì)互斥模型【思考交流】通過電子式分析為什么CH4是正四面體,NH3是三角錐形?:::HNH:H:::HCH:HH成鍵電子對(duì)數(shù):孤電子對(duì):4301【結(jié)論】成鍵電子對(duì)、孤對(duì)電子對(duì)相互排斥,斥力最小,能量最低的,分子穩(wěn)定?!締栴}1】CH4和NH3的成鍵電子對(duì)數(shù)有幾個(gè)?【問題2】CH4和NH3的孤電子對(duì)數(shù)有幾個(gè)?孤電子對(duì):指未形成共價(jià)鍵的成對(duì)價(jià)電子難道分子空間結(jié)構(gòu)除了與成鍵原子數(shù)有關(guān),還與孤電子對(duì)有關(guān)?

價(jià)層電子對(duì)互斥模型1、內(nèi)容:分子的空間結(jié)構(gòu)是中心原子周圍的“價(jià)層電子對(duì)”相互排斥的結(jié)果。ABn型分子:價(jià)層電子對(duì)互相排斥盡可能遠(yuǎn)離能量最低最穩(wěn)定注意:多重鍵只計(jì)其中σ鍵的電子對(duì),不計(jì)π鍵電子對(duì)?!净貧w教材】閱讀教材P44,交流討論價(jià)層電子對(duì)互斥模型是什么?

價(jià)層電子對(duì)互斥模型2、價(jià)層電子對(duì)數(shù)的確定:價(jià)層電子對(duì)數(shù)=σ鍵電子對(duì)+中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)①σ鍵電子對(duì)數(shù)由化學(xué)式確定σ鍵電子對(duì)數(shù)=中心原子結(jié)合的原子數(shù)分子中心原子共價(jià)鍵鍵數(shù)鍵電子對(duì)數(shù)H2OOO-H2NH3NN-H3SO3S3SO42-S42334

價(jià)層電子對(duì)互斥模型②中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)教材P45第1自然段方法一:根據(jù)電子式直接確定方法二:公式計(jì)算21中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)=(a-xb)主族元素,a=價(jià)電子數(shù)=最外層電子數(shù)陽(yáng)離子,a=價(jià)電子數(shù)-離子電荷數(shù)陰離子,a=價(jià)電子數(shù)+|離子電荷數(shù)|

NH4+SO42-

價(jià)層電子對(duì)互斥模型分子或離子中心原子axb孤電子對(duì)數(shù)SO2SNH3N

HCHOCNC【典例剖析】分析幾種常見分子或離子的中心原子上的孤電子對(duì)數(shù),并填寫下表。622153115-1=44104+2=632042+1=31、20對(duì)ABn型的分子或離子,中心原子A價(jià)層電子對(duì)(包括成鍵σ鍵電子對(duì)和未成鍵的孤電子對(duì))之間由于存在排斥力,將使分子的幾何構(gòu)型總是采取電子對(duì)相互排斥最小的那種構(gòu)型,以使彼此之間斥力最小,分子體系能量最低,最穩(wěn)定。排斥力最小A

價(jià)層電子對(duì)互斥模型3、確定VSEPR模型價(jià)層電子對(duì)數(shù)n=2n=3n=4n=5n=6VSEPR模型VSEPR模型名稱直線形平面三角形四面體形三角雙錐八面體形

價(jià)層電子對(duì)互斥模型4、確定分子空間結(jié)構(gòu)去掉VSEPR模型中的孤對(duì)電子,得到分子的真實(shí)構(gòu)型。含孤電子對(duì)的VSEPR模型分子空結(jié)構(gòu)模型H2ONH3四面體形V形三角錐形

價(jià)層電子對(duì)互斥模型分子或離子孤電子對(duì)數(shù)價(jià)層電子對(duì)數(shù)VSEPR模型VSEPR模型名稱分子或離子的空間結(jié)構(gòu)分子或離子的空間結(jié)構(gòu)名稱CO2SO2CO32-CH4表2-4根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型對(duì)幾種分子或離子的空間結(jié)構(gòu)的推測(cè)01002334直線形平面三角形平面三角形正四面體形直線形V形平面三角形正四面體形(1)確定σ鍵電子對(duì)數(shù)(2)確定中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)(3)得到中心原子上的價(jià)層電子對(duì)數(shù)

價(jià)層電子對(duì)數(shù)=σ鍵電子對(duì)數(shù)+孤電子對(duì)數(shù)(4)畫出分子的VSEPR模型(5)略去孤電子對(duì),得到分子的立體構(gòu)型小結(jié):確定分子的空間結(jié)構(gòu)的步驟:

價(jià)層電子對(duì)互斥模型分子或離子σ鍵電子對(duì)數(shù)孤電子對(duì)數(shù)價(jià)層電子對(duì)數(shù)VSEPR模型空間結(jié)構(gòu)HCNNO2NH2-NO3-H3O+SiCl4CHCl3NH4+PO43-0120100023434444直線形V形V型平面三角形三角錐形四面體正四面體正四面體04正四面體222334444直線形平面三角形四面體正四面體正四面體正四面體平面三角形四面體四面體評(píng)價(jià)訓(xùn)練1:預(yù)測(cè)下列微粒的空間結(jié)構(gòu)。

價(jià)層電子對(duì)互斥模型分子或離子σ鍵電子對(duì)數(shù)孤電子對(duì)數(shù)價(jià)層電子對(duì)數(shù)VSEPR模型空間結(jié)構(gòu)I3+BF3SO3AsCl3OF2XeF2SF6評(píng)價(jià)訓(xùn)練2:預(yù)測(cè)下列微粒的空間結(jié)構(gòu)。

價(jià)層電子對(duì)互斥模型教材P47第1自然段【問題1】H2O、NH3的鍵角分別是105°、107°,請(qǐng)解釋原因。

分子中鍵角的比較孤電子對(duì)越多,與成鍵電子對(duì)之間的排斥力越大,鍵角越小。CH4H2ONH3

分子中鍵角的比較評(píng)價(jià)訓(xùn)練3:NO2與SO2空間構(gòu)型均為V形,NO2鍵角大于120°,分析原因。NO2與SO2的價(jià)層電子對(duì)均為3,VSEPR模型均為平面三角形,但NO2中孤電子是一個(gè)單電子,NO2鍵角大于120°,SO2鍵角小于120°說明斥力:電子對(duì)-電子對(duì)>電子對(duì)-單電子。價(jià)層電子對(duì)之間相互排斥作用大小的一般規(guī)律:孤電子對(duì)-孤電子對(duì)>孤電子對(duì)-成鍵電子對(duì)>成鍵電子對(duì)-成鍵電子對(duì)>成鍵電子對(duì)-單電子。評(píng)價(jià)訓(xùn)練4:預(yù)測(cè)NO2、NO2-、NO2+的結(jié)構(gòu)并比較鍵角大小A的價(jià)層電子對(duì)數(shù)成鍵電子對(duì)數(shù)孤電子對(duì)數(shù)VSEPR模型分子空間構(gòu)型分子類型

實(shí)例22033021

直線形AB2CO2、BeCl2平面三角形AB3SO3、NO3-

、BF3V形AB2O3、NO2-

、PbCl2

共價(jià)分子的構(gòu)型A的價(jià)層電子對(duì)數(shù)成鍵電子對(duì)數(shù)孤電子對(duì)數(shù)A的價(jià)層電子對(duì)排布方式分子空間構(gòu)型分子類型

實(shí)例4403122

正四面體AB4CH4、SO42-、PO43-三角錐形AB3NH3、ClO3-

、NF3AB2H2O、SCl2

V形

共價(jià)分子的構(gòu)型1.預(yù)測(cè)分子的空間結(jié)構(gòu)方法:σ鍵電子對(duì)數(shù)孤電子對(duì)數(shù)價(jià)層電子對(duì)數(shù)

VSEPR模型空間結(jié)構(gòu)2.比較鍵角的大?。孩俑鶕?jù)VSEPR模型,直線型鍵角>

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