半導(dǎo)體行業(yè)專題研究（普通）：SEMICON+China+2025：國產(chǎn)設(shè)備密集發(fā)布替代邁向新臺(tái)階

信達(dá)證券CINASECURITIES請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露http://www.cSEMICONChina2025：國產(chǎn)設(shè)備密集發(fā)布，替本期內(nèi)容提要:本期內(nèi)容提要:大廈B座設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、EDA/IP、半導(dǎo)體設(shè)備及材料等全產(chǎn)業(yè)鏈。其中，半導(dǎo)體設(shè)備與材料領(lǐng)域表現(xiàn)活躍，廠商齊聚，集中展示了前沿成果與創(chuàng)新方案。同時(shí)，AI與新能源浪潮下，先進(jìn)封裝與第三代半導(dǎo)體熱度居高不下，在今年展會(huì)上備受矚目。1）北Halona，關(guān)鍵工藝全面覆蓋再進(jìn)一步，公司在等離子體刻蝕技術(shù)大廈B座力于先進(jìn)半導(dǎo)體工藝裝備、量檢測裝備的開發(fā)與制造，打造可靠續(xù)產(chǎn)品量產(chǎn)或?qū)鴥?nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場格局產(chǎn)生一定影響，但在半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代大背景下，關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域仍有較大替代空間，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商或都將受益于下游Fab擴(kuò)產(chǎn)投資拉動(dòng)的需求增長，且新參與者的競爭有利于國內(nèi)設(shè)備廠商進(jìn)一步的技術(shù)突國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備不斷突破帶來新品，國產(chǎn)替代進(jìn)程有望提速。我和材料供應(yīng)商百花齊放，眾多參展公司產(chǎn)品不斷拓展，這一趨勢(shì)迎合了國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)所帶來的需求，同時(shí)在美國半導(dǎo)體制裁不斷趨嚴(yán)的大環(huán)境中，國產(chǎn)設(shè)備的突破有望加速替代，建議關(guān)注半微公司、拓荊科技、精測電子等；【零部件】茂萊光學(xué)、福晶科技、富創(chuàng)精密等；【材料】鼎龍股份、安集科技、興森科技等；風(fēng)險(xiǎn)提示：半導(dǎo)體國產(chǎn)替代進(jìn)程不及預(yù)期，下游需求發(fā)展不及預(yù)請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露http://www 4 8投資建議 4 4 5 5 6 6 6 8 9 9 請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露http:/企業(yè)參展，涵蓋芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、EDA/IP、半導(dǎo)體設(shè)備及材料等全產(chǎn)業(yè)鏈。其中，半導(dǎo)體設(shè)備與材料領(lǐng)域表現(xiàn)活躍，廠商齊聚，集中展示了前沿成果與創(chuàng)新方案。同時(shí)，AI與新能源浪潮下，先進(jìn)封裝與第三代半導(dǎo)體熱度據(jù)，2024年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模強(qiáng)勁反彈增長19%，達(dá)到6280億美元，SDeepSeek等生成式人工智能工具的發(fā)布，AI熱潮似乎已經(jīng)進(jìn)China2025大會(huì)上，北方華創(chuàng)正式宣布進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場，并發(fā)布首款離子注入機(jī)SiriusMC313。離子注入設(shè)備能夠以極高的精度和效率，將體材料，從而精準(zhǔn)改變材料的電性能，為芯片制造提供不可或缺的技術(shù)支撐。其工作原理是先通過離子源產(chǎn)生所需離子，在電場作用下加速至預(yù)定能量，再精確注入半導(dǎo)體材料，實(shí)現(xiàn)原子的替換或添加，進(jìn)而調(diào)控材料性能。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2024年全球離子注入設(shè)備市場規(guī)模達(dá)276億元，至2030年有望攀備領(lǐng)域，或?qū)⑶藙?dòng)國內(nèi)160億元的市場空間，有力推動(dòng)中國半導(dǎo)體裝備在高端市場實(shí)現(xiàn)進(jìn)階發(fā)展。請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露http://www.c英寸電鍍?cè)O(shè)備（ECP）AusipT830。該設(shè)備專為硅通孔（TSV）銅填充設(shè)計(jì)，主要應(yīng)用于2.5D/3D先進(jìn)封裝領(lǐng)域。電鍍作為物理氣相沉積協(xié)同工作，廣泛應(yīng)用于邏輯、存儲(chǔ)、功率器件、先進(jìn)封裝等芯片制造工藝。在工藝流程中，PVD設(shè)備首先在槽/孔內(nèi)形成籽晶層，隨后電鍍?cè)O(shè)備將槽/孔填充至無空隙。根據(jù)公司數(shù)據(jù)，隨著先進(jìn)封裝和三維集成技術(shù)的快速發(fā)展，電鍍?cè)O(shè)備的全球市場規(guī)模已達(dá)每年80-90億元人民幣，且仍在加速擴(kuò)張，預(yù)計(jì)未來幾年將突破百億大關(guān)。請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露http://www.c發(fā)布。此款設(shè)備采用中微公司特色的雙反應(yīng)臺(tái)設(shè)計(jì)，可靈活配置最多三個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)的反應(yīng)腔，且每個(gè)反應(yīng)腔均能同時(shí)加工兩片晶圓，在保證較低生產(chǎn)成本的同時(shí)，滿足晶圓邊緣刻蝕的量產(chǎn)需求，從而實(shí)現(xiàn)更高的產(chǎn)出密度，提升生產(chǎn)效率。此設(shè)備的發(fā)布標(biāo)志著公司向關(guān)鍵工藝全面覆蓋的目標(biāo)再進(jìn)一步，也為公司的高質(zhì)量發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)能。中微公司在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域再次實(shí)現(xiàn)重大突破刻蝕精度已達(dá)到0.2A（亞埃級(jí)）。這一刻蝕精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的工藝上，均得到了驗(yàn)證。這是等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域的又一次創(chuàng)新突破，彰顯了中微公司在技術(shù)研發(fā)上的深厚積累，進(jìn)一步鞏固了公司在高端微觀加工設(shè)備市場的領(lǐng)先地位。圖6：氧化硅、氮化硅和多晶硅晶圓在雙反應(yīng)臺(tái)上刻蝕速度的請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露http://www.積設(shè)備VS-300T在坪效比、擁有成本(CoO)、薄膜封裝設(shè)備包括低應(yīng)力熔融鍵合設(shè)備Dione300F、芯請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露http://www.工藝裝備、量檢測裝備的開發(fā)與制造，打造可靠的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和平臺(tái)。在本次SEMICON備(包括岳麓山系列、丹霞山系列、蓬萊山系列、莫干山系列、天門山系列、沂蒙山系列和儲(chǔ)外延等應(yīng)用場景，支持向未來先進(jìn)節(jié)點(diǎn)演進(jìn)。此次帶來的該系列前三款產(chǎn)品分別是針對(duì)鍺硅外延、磷硅外延以及溝道&超晶格&埋層外延，能為相應(yīng)的客戶提供更好的支持。英寸單片柵極氧化/氮化設(shè)備，覆蓋氧化/氮化/退火等邏輯及存儲(chǔ)應(yīng)用場景；三清山2號(hào)則請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露http://www.設(shè)備，能夠?yàn)檠趸?、氮化硅、氮氧化硅等材料提供接觸孔刻蝕、硬掩膜刻蝕和雙大馬士革工藝等支持。武夷山3號(hào)為電感耦合等離子體（I化鈦等材料提供柵極刻蝕、多重圖形和鰭刻蝕等工藝支持。武夷山5號(hào)則為自由基干法刻蝕設(shè)備，氧化硅及硅選擇性刻蝕組合解決方案，能夠?yàn)楣?、鍺硅、氧化硅和氮化硅等材料提供偽柵去除、無定形硅去除以及源漏極回刻等工藝支持，滿足先進(jìn)節(jié)點(diǎn)高選擇性刻蝕場景需求。薄膜產(chǎn)品：PVD設(shè)備命名為普陀山系列，ALD命名為阿里山系列，CVD命名為長白山系輯、存儲(chǔ)等主流半導(dǎo)體中道金屬接觸層及硬掩膜等應(yīng)用場景。12英寸后道金屬互連沉積設(shè)請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露http://ww具備單腔4-Station領(lǐng)先架構(gòu)，全面覆蓋邏輯及存儲(chǔ)介質(zhì)薄膜多種工藝，支持向未來先進(jìn)節(jié)點(diǎn)演進(jìn)；長白山三號(hào)是12英寸高保形性&金屬化學(xué)氣相沉積應(yīng)用場景，具備創(chuàng)新架構(gòu)和領(lǐng)先性能，多種工藝高度集成，支持向未來此次新凱來首次亮相備受矚目，發(fā)布30我們認(rèn)為，新凱來的參會(huì)及后續(xù)產(chǎn)品量產(chǎn)或?qū)鴥?nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場格局產(chǎn)生一定影響，但在半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代大背景下，關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域仍有較大替代空間，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商或都將受益于下游Fab擴(kuò)產(chǎn)投資拉動(dòng)的需求增長，且新參與者請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露http://ww國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備不斷突破帶來新品，國產(chǎn)替代進(jìn)程有望提速。我們看到在SEMICONChina2025展會(huì)上國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備、零部件和材料供應(yīng)商百花齊放，眾多參展公司產(chǎn)品不斷拓展，這一趨勢(shì)迎合了國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)所帶來的需求，同時(shí)在美國半導(dǎo)體制裁不斷趨嚴(yán)的大環(huán)境中，國產(chǎn)設(shè)備的突破有望加速替代，建議關(guān)注半導(dǎo)體設(shè)備、零部件和材料產(chǎn)業(yè)鏈請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露http://ww楊宇軒：電子組分析師，華北電力大學(xué)本科，清華大學(xué)碩士，曾券電子組，研究方向?yàn)榉?wù)器、PCB、消請(qǐng)閱讀最后一頁免責(zé)聲明及信息披露13負(fù)責(zé)本報(bào)告全部或部分內(nèi)容的每一位分析師在此申明，本人析師,以勤勉的職業(yè)態(tài)度,獨(dú)立、客觀地出具本報(bào)告；本報(bào)告所表述的所有觀點(diǎn)準(zhǔn)組成部分不曾與，不與，也將不會(huì)與本報(bào)告中的具體分析意見或觀點(diǎn)直接或間本報(bào)告是針對(duì)與信達(dá)證券簽署服務(wù)協(xié)議的簽約客戶的專屬研究產(chǎn)品，為該類客戶進(jìn)行投資決策義務(wù)均有嚴(yán)格約定。本報(bào)告僅提供給上述特定客戶，并不面向公眾發(fā)布。信達(dá)證券不會(huì)因接收人收到本報(bào)告而視其為本然客戶。客戶應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到有關(guān)本報(bào)告的電話、短信、郵件提示僅為研究觀點(diǎn)的簡要溝通，對(duì)本報(bào)告的參考使用須以本報(bào)本報(bào)告是基于信達(dá)證券認(rèn)為可靠的已公開信息編制，但信達(dá)證券不保證所載信息的準(zhǔn)確性和完預(yù)測僅為本報(bào)告最初出具日的觀點(diǎn)和判斷，本報(bào)告所指的證券或投資標(biāo)的的價(jià)格、價(jià)值及投資收入可涉及證券或投資標(biāo)的的歷史表現(xiàn)不應(yīng)作為日后表現(xiàn)的保證。在不同時(shí)期，或因使用不同假設(shè)和標(biāo)準(zhǔn)，致使信達(dá)證券發(fā)出與本報(bào)告所載意見、評(píng)估及預(yù)測不一致的研究報(bào)告，對(duì)此信在任何情況下，本報(bào)告中的信息或所表述的意見并不構(gòu)成對(duì)任何人的投資建議，也沒有考慮到客戶特殊的投資目標(biāo)、需求?？蛻魬?yīng)考慮本報(bào)告中的任何意見或建議是否符合其特定狀況，若有必要應(yīng)尋求專家意見。本報(bào)告所載的在法律允許的情況下，信達(dá)證券或其關(guān)聯(lián)機(jī)構(gòu)可能會(huì)持有報(bào)告中涉及的公司所發(fā)行的證券并進(jìn)行交易，并可能會(huì)為這本報(bào)告版權(quán)僅為信達(dá)證券所有。未經(jīng)信達(dá)證券書面同意，任何機(jī)構(gòu)和個(gè)人不得以任何形式翻版的任何部分。若信達(dá)證券以外的機(jī)構(gòu)向其客戶發(fā)放本報(bào)告，則由該機(jī)構(gòu)獨(dú)自為此發(fā)送行為負(fù)責(zé)，信達(dá)證責(zé)任。本報(bào)告同時(shí)不構(gòu)成信達(dá)證券向發(fā)送本報(bào)告的機(jī)構(gòu)之客如