T-CSTM 00795-2022 材料實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù) 掃描電鏡圖片要求

Materialsexperimentaldata-Requirementsforscann2022-07-12發(fā)布2022-請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任。I數(shù)據(jù)相關(guān)的存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，合力推進(jìn)我國(guó)材料數(shù)據(jù)基礎(chǔ)保障能力的提材料實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)掃描電鏡圖片要求GB/T23414-2009微束分析掃描電子顯微JY/T0584-2020掃描電子顯微鏡T/CSTM00120-2019材料基因工程數(shù)GB/T17359-2012、GB/T23414-2009、GB/T27788-2020、JY/T0584-2020和T/CSTM00120-2019界加速電壓acceleratingv掃描電鏡放大倍數(shù)是指其圖像的線性放大倍數(shù)，以M表示。如果電子束在樣品上掃描行寬為L(zhǎng)S，圖像顯示屏上掃描行寬為L(zhǎng)c，則放大倍數(shù)M2注：原來(lái)定義為物鏡主平面與試樣表面之間背散射電子backscatteredel通過(guò)背散射過(guò)程從試樣的電子入射表面出射注：通常將能量小于50eV的電子稱(chēng)為二4.1存儲(chǔ)內(nèi)容4.2數(shù)據(jù)類(lèi)型4.3基本信息內(nèi)容1是2是3是4是5是6是7是8是9是是是是息是5其他信息要求樣品信息內(nèi)容見(jiàn)表2，示例見(jiàn)附錄A.2。1是2是3是4是5是6是7否8否9否否否否否否5.2測(cè)試參數(shù)內(nèi)容5.2.1二次電子像/背散射電子像實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)測(cè)試參數(shù)內(nèi)容（包含但不限于）見(jiàn)表41是2是3是4是5是6是7是8是9是是是是否否否否否1是2是3是4是5是6是7是8是9是是是是5數(shù)是是是是是是是置否否否否否間否否間否否否否5.3解析數(shù)據(jù)內(nèi)容1是2是注：方法為標(biāo)準(zhǔn)方法，應(yīng)給出方法名稱(chēng)；如該方法為非標(biāo)準(zhǔn)方法，應(yīng)給出所依據(jù)的數(shù)學(xué)6A.1基本信息內(nèi)容示例圖像相關(guān)信息存儲(chǔ)的基本信息內(nèi)容示例見(jiàn)表A.1。A.3測(cè)試參數(shù)示例A.3.1二次電子像/背散射電子像測(cè)試參數(shù)內(nèi)容（包含但不限于）見(jiàn)表A溫度25℃,濕度40%6A.3.2能譜測(cè)試參數(shù)內(nèi)容（包含但不限于）示例見(jiàn)表A.4溫度25℃,濕度40%82面5A.5解析數(shù)據(jù)內(nèi)容示例司、鋼研納克檢測(cè)技術(shù)股份有限公司、中關(guān)村材料試驗(yàn)技術(shù)本文件主要起草人：唐凌天、李繼康、陳惠霞、嚴(yán)春蓮、馬兆慶、黃海友、余寧、張國(guó)斌[1]GB