T-CSTM 00795-2022 材料實驗數(shù)據(jù) 掃描電鏡圖片要求

Materialsexperimentaldata-Requirementsforscann2022-07-12發(fā)布2022-請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。I數(shù)據(jù)相關(guān)的存儲標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，合力推進(jìn)我國材料數(shù)據(jù)基礎(chǔ)保障能力的提材料實驗數(shù)據(jù)掃描電鏡圖片要求GB/T23414-2009微束分析掃描電子顯微JY/T0584-2020掃描電子顯微鏡T/CSTM00120-2019材料基因工程數(shù)GB/T17359-2012、GB/T23414-2009、GB/T27788-2020、JY/T0584-2020和T/CSTM00120-2019界加速電壓acceleratingv掃描電鏡放大倍數(shù)是指其圖像的線性放大倍數(shù)，以M表示。如果電子束在樣品上掃描行寬為LS，圖像顯示屏上掃描行寬為Lc，則放大倍數(shù)M2注：原來定義為物鏡主平面與試樣表面之間背散射電子backscatteredel通過背散射過程從試樣的電子入射表面出射注：通常將能量小于50eV的電子稱為二4.1存儲內(nèi)容4.2數(shù)據(jù)類型4.3基本信息內(nèi)容1是2是3是4是5是6是7是8是9是是是是息是5其他信息要求樣品信息內(nèi)容見表2，示例見附錄A.2。1是2是3是4是5是6是7否8否9否否否否否否5.2測試參數(shù)內(nèi)容5.2.1二次電子像/背散射電子像實驗數(shù)據(jù)測試參數(shù)內(nèi)容（包含但不限于）見表41是2是3是4是5是6是7是8是9是是是是否否否否否1是2是3是4是5是6是7是8是9是是是是5數(shù)是是是是是是是置否否否否否間否否間否否否否5.3解析數(shù)據(jù)內(nèi)容1是2是注：方法為標(biāo)準(zhǔn)方法，應(yīng)給出方法名稱；如該方法為非標(biāo)準(zhǔn)方法，應(yīng)給出所依據(jù)的數(shù)學(xué)6A.1基本信息內(nèi)容示例圖像相關(guān)信息存儲的基本信息內(nèi)容示例見表A.1。A.3測試參數(shù)示例A.3.1二次電子像/背散射電子像測試參數(shù)內(nèi)容（包含但不限于）見表A溫度25℃,濕度40%6A.3.2能譜測試參數(shù)內(nèi)容（包含但不限于）示例見表A.4溫度25℃,濕度40%82面5A.5解析數(shù)據(jù)內(nèi)容示例司、鋼研納克檢測技術(shù)股份有限公司、中關(guān)村材料試驗技術(shù)本文件主要起草人：唐凌天、李繼康、陳惠霞、嚴(yán)春蓮、馬兆慶、黃海友、余寧、張國斌[1]GB