標準解讀

《T/CIE 121-2021 逆導型IGBT的熱阻測試方法》是一項由中國電子學會（CIE）發(fā)布的團體標準，旨在規(guī)范逆導型絕緣柵雙極型晶體管（RC-IGBT）的熱阻測試流程與方法。該標準詳細描述了如何準確測量和評估RC-IGBT器件在運行過程中產(chǎn)生的熱量以及其散熱性能，這對于確保電力電子設(shè)備的安全性和可靠性至關(guān)重要。

根據(jù)此標準，首先定義了幾個關(guān)鍵術(shù)語，包括但不限于“結(jié)溫”、“殼溫”、“熱阻”，這些概念對于理解整個測試過程非常重要。其中，“熱阻”是指從半導體芯片到散熱器或環(huán)境之間傳遞單位功率時溫度升高的度量值，它是評價器件散熱能力的一個重要參數(shù)。

標準中還規(guī)定了進行熱阻測試所需的基本條件，比如環(huán)境溫度、濕度等，并且明確了測試設(shè)備的要求，如必須使用精度高、穩(wěn)定性好的溫度傳感器來監(jiān)測不同位置的溫度變化。此外，還提供了詳細的實驗步驟說明，包括預處理階段如何準備樣品、如何連接測試儀器以及具體的數(shù)據(jù)采集方法等。

對于數(shù)據(jù)處理部分，《T/CIE 121-2021》給出了計算公式及圖表制作指南，幫助工程師們能夠基于所獲得的原始數(shù)據(jù)計算出準確的熱阻值，并通過繪制曲線圖等方式直觀展示結(jié)果。同時，也強調(diào)了重復性和再現(xiàn)性的重要性，要求每個測試至少需要執(zhí)行三次以保證結(jié)果的有效性和可靠性。

最后，該標準還討論了一些可能影響測試結(jié)果的因素，例如接觸不良、電源波動等，并提出了相應(yīng)的解決措施，為從事相關(guān)工作的技術(shù)人員提供了寶貴的參考信息。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2021-11-22 頒布
  • 2022-02-01 實施
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文檔簡介

ICS3108001

CCSL.40.

團體標準

T/CIE121—2021

逆導型IGBT的熱阻測試方法

TechnicalmethodforthermalresistancetestofreverseconductingIGBT

RC-IGBT

()

2021-11-22發(fā)布2022-02-01實施

中國電子學會發(fā)布

中國標準出版社出版

T/CIE121—2021

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

測試系統(tǒng)

4…………………2

通則

4.1…………………2

熱電偶

4.2………………2

測試電路

4.3……………2

測試電路要求

4.4………………………3

恒溫平臺

4.5……………3

K系數(shù)校準裝置

4.6……………………3

測試條件

5…………………3

加熱電流

5.1……………3

加熱電壓

5.2……………3

測試電流

5.3……………3

測試時序

5.4……………4

測試延遲時間t

5.5(MD)…………………4

測試程序

6…………………5

基準點溫度

6.1…………………………5

K值的確定

6.2…………………………5

熱阻測試

6.3……………6

數(shù)據(jù)記錄

7…………………8

通則

7.1…………………8

產(chǎn)品詳細規(guī)范和測試報告中的數(shù)據(jù)

7.2………………8

測試報告中記錄的數(shù)據(jù)

7.3……………8

Ⅰ

T/CIE121—2021

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中國電子學會可靠性分會提出并歸口

。

本文件起草單位工業(yè)和信息化部電子第五研究所電子科技大學北京工業(yè)大學中國振華集團永

:、、、

光電子有限公司西安衛(wèi)光半導體有限公司

、。

本文件主要起草人陳媛來萍何小琦馮士維劉宇李彥鋒王嘉蓉田文燕孟繁新陳義強

:、、、、、、、、、、

付志偉賀志遠周斌劉昌

、、、。

Ⅲ

T/CIE121—2021

引言

對于新型逆導型器件在同一個芯片中集成了和續(xù)流二極管在導通初期的小電流情

IGBT(IGBT)

況下集電極和發(fā)射極電壓V隨電流增加迅速增大當大于特定值V時V會突然陡降電流密度

,(CE),p,CE,

則陡增I-V特性曲線上出現(xiàn)一段負阻區(qū)這種現(xiàn)象稱為回跳現(xiàn)象如果電流繼續(xù)增加

,,(snap-back)。,

I-V曲線上還會出現(xiàn)一系列的小幅回跳現(xiàn)象由于回跳現(xiàn)象逆導型采用傳統(tǒng)電學法測量的熱

。,IGBT

阻并不準確現(xiàn)有標準采用小電流的集電極發(fā)射極電壓作為熱敏參數(shù)測量器件或模塊結(jié)殼熱阻由于

。-,

逆導型在小電流小電壓時處于回跳危險區(qū)無法準確測量逆導型的熱阻另外由于其內(nèi)

IGBT,IGBT。,

部結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)的不同測試時的噪聲參數(shù)高于標準值也會帶來較大的測量誤差因此本文件以

IGBT,。,

中體二極管導通電壓為熱敏參數(shù)建立適用于逆導型器件的熱阻測試電路和方法規(guī)范逆

IGBT,IGBT,

導型的熱阻測試流程提高測試準確性

IGBT,。

Ⅳ

T/CIE121—2021

逆導型IGBT的熱阻測試方法

1范圍

本文件描述了逆導型絕緣柵雙極型晶體管器件以下簡稱器件的穩(wěn)態(tài)熱阻和瞬態(tài)熱阻的

(IGBT)()

電學法測試的基本原理和方法

。

本文件適用于逆導型器件的熱阻測試

IGBT。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體分立器件文字符號

GB/T11499

微電子器件試驗方法和程序

GJB548C

半導體分立器件試驗方法

GJB128A

3術(shù)語和定義

和中界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GJB548C、GJB128AGB/T11499。

31

.

穩(wěn)態(tài)熱阻steadystatethermalresistance

R

th

器件加熱時間足夠長在芯片發(fā)熱與管殼散熱達到熱平衡后結(jié)溫與參考點溫度差值與加熱功率

,,

之比

。

32

.

瞬態(tài)熱阻抗transientthermalimpedance

Z

th

器件加熱后在芯片發(fā)熱與管殼散熱尚未達到熱平衡時的熱阻為瞬態(tài)熱阻抗

,。

注由于器件芯片和底座熱時間常數(shù)的差異可以通過選擇加熱脈寬時間使之大于芯片而小于底座的時間常數(shù)進

:,

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