GB/T 45720-2025半導體器件柵介質(zhì)層的時間相關介電擊穿(TDDB)試驗

ICS3108001

CCSL.55.

中華人民共和國國家標準

GB/T45720—2025/IEC623742007

:

半導體器件柵介質(zhì)層的時間相關

介電擊穿TDDB試驗

()

Semiconductordevices—TimedeendentdielectricbreakdownTDDB

p()

testforgatedielectricfilms

IEC623742007IDT

(:,)

2025-05-30發(fā)布2025-09-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T45720—2025/IEC623742007

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

試驗設備

4…………………3

試驗樣品

5…………………3

通則

5.1…………………3

測試結構電容器結構

5.2()……………3

面積

5.3…………………3

步驟

6………………………4

概述

6.1…………………4

預測試

6.2………………4

試驗條件

6.3……………5

判據(jù)

6.4…………………5

壽命時間估算

7……………7

概述

7.1…………………7

加速模型

7.2……………8

壽命時間估算步驟

7.3…………………10

壽命時間與柵氧面積的關系

8……………12

附錄資料性補充確定試驗條件和數(shù)據(jù)分析

A()………13

參考文獻

……………………16

Ⅰ

GB/T45720—2025/IEC623742007

:

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文本件等同采用半導體器件柵介質(zhì)層的時間相關介電擊穿試驗

IEC62374:2007《(TDDB)》。

本文件增加了規(guī)范性引用文件一章

“”。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位工業(yè)和信息化部電子第五研究所吉林華微電子股份有限公司安徽長麥智能科

:、、

技有限公司中國科學院半導體研究所廣東匯芯半導體有限公司貴州振華風光半導體股份有限公

、、、

司河北北芯半導體科技有限公司東莞賽諾高德蝕刻科技有限公司中芯國際集成電路制造上海有

、、、()

限公司中國電子科技集團公司第十三研究所深圳市森美協(xié)爾科技有限公司

、、。

本文件主要起草人陳義強來萍高汭蔡榮敢馮宇翔王力緯董顯山肖慶中陳媛常江

:、、、、、、、、、、

劉岳陽劉崗崗裴選張亮旗馮軍宏遲雷夏自金劉世文

、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T45720—2025/IEC623742007

:

半導體器件柵介質(zhì)層的時間相關

介電擊穿TDDB試驗

()

1范圍

本文件描述了半導體器件柵介質(zhì)層的時間相關介電擊穿試驗方法以及失效的產(chǎn)品

(TDDB)TDDB

壽命時間估算方法

。

2規(guī)范性引用文件

本文件沒有規(guī)范性引用文件

。

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

31

.

柵氧電場強度oxideelectricfieldstrength

()()

E

ox

柵氧電壓除以柵氧厚度見公式

,(1)。

注

:

E=Vt

oxox/ox…………(1)

式中

:

E柵氧電場強度單位為兆伏每厘米

ox———,(MV/cm);

V柵氧電壓

ox———;

t柵氧厚度

ox———。

t應通過統(tǒng)一的有據(jù)可查的方法掃描電子顯微鏡透射電子顯微鏡或電容電壓分析的物理

ox、((SEM)、(TEM)-(CV)

測量方法進行測定需要指出的是施加的電壓不一定是柵氧上的電壓超薄柵氧由于存在量子限域效應和柵電極耗

)。,。

盡效應柵氧電壓會比施加的電壓要低

,。