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1、,5.7電磁屏蔽效能,電磁屏蔽,屏蔽原理及分析方法,原理組成:表面反射(R-反射損耗),屏蔽材料的吸收衰減(A-吸收損耗),多次反射(B-多次反射修正),分析方法:電磁感應(yīng)原理,分析渦流對(duì)屏蔽體的屏蔽效果,計(jì)算屏蔽效能。用平面波理論計(jì)算反射和衰減。等效傳輸線理論用于計(jì)算反射和衰減。接下來(lái),詳細(xì)分析和討論了平面波垂直入射條件下單層屏蔽的屏蔽效能。屏蔽的平面波模型特別適用于屏蔽結(jié)構(gòu)的尺寸遠(yuǎn)大于擾動(dòng)場(chǎng)的波長(zhǎng)以及擾動(dòng)源與屏蔽體之間的距離較大的情況??紤]厚度為t的屏蔽,其兩側(cè)是自由空間Z1=Z2。屏蔽效能的計(jì)算可以根據(jù)單層屏蔽的屏蔽效能得到,其中屏蔽效能對(duì)應(yīng)于吸收損耗、反射損耗和多次反射損耗之和。對(duì)于好

2、的導(dǎo)體,有:反射損耗:吸收損耗:多次反射修正:注:吸收損耗和多次反射損耗、反射損耗之間有以下關(guān)系:電場(chǎng)源-,磁場(chǎng)源-,屏蔽效能:吸收損耗:平面波源-,多次反射修正:反射損耗,介質(zhì)界面處的電磁波。對(duì)于特定的介質(zhì),有兩個(gè)與其自身物理特性相關(guān)的物理量:固有阻抗和傳播常數(shù)。從理論上看,這兩個(gè)物理量是內(nèi)在聯(lián)系的,從一定程度上反映了道路與場(chǎng)的聯(lián)系中介質(zhì)的物理電磁參數(shù)(介電常數(shù)、磁導(dǎo)率)的內(nèi)在聯(lián)系。介質(zhì)的固有阻抗:傳播常數(shù):良導(dǎo)體:波阻抗:遠(yuǎn)場(chǎng):近場(chǎng)(主要是電場(chǎng)):近場(chǎng)(主要是磁場(chǎng)):一般來(lái)說(shuō),自由空間的波阻抗比金屬屏蔽的波阻抗大得多。當(dāng)電磁波穿過(guò)金屬層時(shí),感應(yīng)渦流產(chǎn)生歐姆損耗,該損耗被轉(zhuǎn)換成熱能并消散。-

3、相對(duì)于銅的電導(dǎo)率,銅:-厚度(mm)。-相對(duì)磁導(dǎo)率,其中:有:在工程中,在具體應(yīng)用中,由于以前的吸收損耗關(guān)系將損耗值與金屬層厚度聯(lián)系起來(lái),因此可以為金屬厚度的確定提供指導(dǎo)。如果A=100dB分貝,r=1,r=1,當(dāng)頻率為1兆赫時(shí),屏蔽殼的厚度為t=0.76mm毫米。隨著頻率的增加,獲得一定屏蔽效能所需的金屬層厚度會(huì)減小。如果考慮其他損耗因素,所需的厚度可能會(huì)更小。因此,在高頻的情況下,在選擇屏蔽殼的厚度時(shí),一般沒(méi)有必要考慮電磁屏蔽效果,而只考慮工藝結(jié)構(gòu)和機(jī)械性能。屏蔽材料越厚,吸收損耗越大。滲透性越高,吸收損失越大。電導(dǎo)率越高,吸收損耗越大。頻率越高,吸收損耗越大。在工程中,當(dāng)需要考慮如何應(yīng)用吸收特性時(shí),可以考慮以下原則:材料特性。屏蔽材料的電導(dǎo)率越高,磁導(dǎo)率越低,反射損耗越大。場(chǎng)源特性。對(duì)于相

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