TLP250中文資料-datasheet.docx

TLP250(INV)東芝光電耦合器 砷化鎵鋁集成紅外光電二極管TLP250(INV)2002-06-276晶體反相器柵極驅(qū)動IGBT調(diào)節(jié)器大功率MOSFET柵極驅(qū)動?xùn)|芝TLP250(發(fā)票)由GaAlAs發(fā)光二極管和集成的光電探測器.本芯片是8腳DIP封裝TLP250(INV) 適用于柵極驅(qū)動的IGBT管和大功率MOSFET管 輸入閾值電流: IF=5mA(最大) 電源電流(ICC): 11mA(最大) 電源電壓(VCC): 1035V 輸出電流(IO): 2.0A(最大) 開關(guān)轉(zhuǎn)換時間(tpLH/tpHL) : 0.5s(最大) 隔離電壓: 2500Vrms UL 認證: UL1577,E67349號文件 期權(quán)(D4)VDE 核準 : 德標 VDE0884/06.92 76823號證書 最大絕緣工作電壓 : 630VPK允許的最高過電壓: 4000VPK(注):當(dāng)需要一個VDE0884認可類型, 請指定命名為 “期權(quán)(D4)” 爬電距離: 6.4mm(最小) 空隙: 6.4mm(最小)單位 mm東芝1110C4重: 0.54 gTRUTH TABLE記錄 1記錄 2輸入 LED開開關(guān)關(guān)關(guān)開管腳排列(俯視圖)1:空置.2: 正極3:負極4:空置.5:地6: 電壓輸出7:電壓輸出8:電源SCHEMATIC IF2 +VFICC（Tr1）VCC 8VO3 -VO一個0.1uF的旁路電容應(yīng)該和8腳和5腳連接起來（見注釋5）IO（Tr）65 GND.極限工作范圍 (工作溫度=25C時)典型參數(shù)符號極限值單位LED正向電流IF20mA正向電流變化率 (工作溫度70)IF /Ta0.36mA /C浪涌電流(注釋1)IFPT1A反向電壓VR5V節(jié)點溫度Tj125C探測器“H” 峰值輸出電流脈沖寬度 2.5s , 頻率15 kHz(注釋2)IOPH1.5A脈沖寬度1.0s , 頻率15 kHz2.0“L” 峰值輸出電流脈沖寬度2.5s , 頻率15 kHzIOPL+1.5A脈沖寬度 1.0s , 頻率15 kHz+2.0輸出電壓(工作溫度70C)VO35V(工作溫度=85C)24供電電壓(工作溫度70C)VCC35V(工作溫度=85C)24輸出電壓變化率(工作溫度70C)VO /Ta0.73V /C供電電壓變化率(工作溫度70C)VCC /Ta0.73V /C節(jié)點溫度Tj125C工作頻率（注釋3)f25kHz工作溫度范圍Topr2085C存儲溫度范圍Tstg55125C引腳焊接溫度(10s)Tsol260C隔離電壓 (交流,1分鐘., 相對濕度 60%,工作溫度=25C)(注釋4)BVS2500V（有效值）(注釋1) : 脈寬1s,300pps (Note 2) : 浪涌(注釋3) : 浪涌波形 IOPH1.0A (2.5s) , IOPL+1.0A (2.5s)(注釋 4) : 雙端驅(qū)動 : 1,2,3 ,4 腳短接 ；5,6,7 ,8 腳短接.(注釋5): 用一個0.1F陶瓷電容應(yīng)該連接在8腳和5腳之間來獲得穩(wěn)定的放大增益。. 錯誤的走線（繞線）可能會 削弱開關(guān)的性能。電容和耦合器之間的總長度不能超過 1cm。建議工作條件典型參數(shù)符號最小值典型值.最大值單位開關(guān)打開時的輸入電流IF (ON)7810mA開關(guān)關(guān)斷時的輸入電壓VF (OFF)00.8V供給電壓VCC153020V峰值輸出電流IOPH / IOPL0.5A工作溫度Topr20257085C電特性 (工作溫度 = 2070C,除另有規(guī)定外)典型參數(shù)符號測試回路測試條件最小值典型值.最大值單位正向輸入電壓VFIF = 10 mA, Ta = 25C1.61.8V正向電壓下的溫度系數(shù)V /TaI = 10 mA2.0mV /C反相輸入電流IRVR = 5 V, Ta = 25C10A輸入電容CTV = 0, f = 1 MHz, Ta = 25C45250pF輸出電流“高” 電平IOPH2VCC = 30 V (*1)IF = 10 mA V86 = 4 V1.01.5A“低” 電平lIOPL1IF = 0V65 = 2.5 V1.02輸出電壓“高” 電平VOH3VCC1 = +15 V VEE1 = 15 VRL = 200, IF = 5 mA1112.8V“低” 電平VOL4VCC1 = +15 V VEE1 = 15 VRL = 200, VF = 0.8 V14.212.5供給電流“高”電平ICCHVCC = 30 VIF = 10 mA Ta = 25C7mAIF = 10 mA11“低” 電平ICCLIF = 0 mA Ta = 25C7.5mAIF = 0 mA11門檻輸入電流低高IFLHVCC1 = +15 V VEE1 = 15 VRL = 200, VO 0V1.25mA門檻輸入電壓高低VFHLVCC1 = +15 V VEE1 = 15 VRL = 200, VO 0V0.8V供給電壓VCC1035V電容量 (輸入-輸出)CSVS = 0, f = 1 MHz, Ta = 25C1.02.0pFResistance (Input-Output)RSVS = 500 V, Ta = 25C R.H.60%110121014(*) : 所有參數(shù)均是溫度在25C的值 (*1) : IO的持續(xù)時間 50sFF開關(guān)特性(工作溫度 = 2070C,除另有規(guī)定外)典型參數(shù)符號測試電路測試條件最小值典型值.最大值單位傳輸延時低高tpLH5IF = 8 mA, VCC = 15 VRL = 20, CL = 10nF0.050.150.5s高低tpHL0.050.150.5開關(guān)在開和關(guān)之間的時間分布|tpHL-tpLH|0.45輸出上升沿時間tr輸出下降沿時間tf下降沿瞬態(tài)共模抑制比CMH6VCM = 1000 V, IF = 8 mA VCC = 30 V, Ta = 25C15000V /s上升沿瞬態(tài)共模抑制比CMLVCM = 1000 V, IF = 0 mA VCC = 30 V, Ta = 25C15000V /s圖.1 IOPL 測試電路圖.2 IOPH 測試電路18180.1AAIOPL 4V6-5VCC40.1AAIOPHV8-6VCC圖.3 VOH 測試電路圖.4 VOL 測試電路18180.1AILRFVVOH 4VCC1VF4VEE10.1ARLV VOLVCC1VEE1圖.5 tpLH、tpHL、tr、tf 測試電路18IF0.1FRL CLIFVCCVOVOtrtf90%50%45tpLHtpHL10%圖.6 CMH , CML 測試電路SWIF180.1FVCCABVO4VCMVCM10%90%tt1000VrSW : A(IF=8mA)VOf3V26VCMHCMH =800(V)tf(s)SW : B(IF=0mA)CMLCML =800(V)tr(s)CML(CMH) 是指在上升沿（或者下降沿）時用來維持輸出電壓的低電平（或者高電平）狀態(tài)最大的電壓共模抑制比。產(chǎn)品的限制使用條件000707EBC 東芝公司一直在為提升自身產(chǎn)品的質(zhì)量和穩(wěn)定性的不斷努力. 然而, 半導(dǎo)體驅(qū)動期間由于其本身固有的對電氣的敏感特性和物理上的易損特性，通常也可能會發(fā)生故障 。當(dāng)用戶在使用東芝的產(chǎn)品進行安全系統(tǒng)設(shè)計的時候要遵守使用的安全標準，避免因故障或失效而導(dǎo)致人身安全和生命財產(chǎn)的損失，否則責(zé)任由用戶自己承擔(dān)。在提升您的產(chǎn)品設(shè)計的時候，請確保東芝公司的產(chǎn)品是在最新規(guī)格制定的上述所說的工作條件案范圍內(nèi)使用。同時，請時刻謹記安全措施和“半導(dǎo)體驅(qū)動操作向?qū)А被颉皷|芝半導(dǎo)體可靠性手冊”等中說明的安全條件。東芝計劃為普通的電氣應(yīng)用（例如電腦，私人設(shè)備，公司設(shè)備，測量裝置，工業(yè)機器人家用電器等等）列一個產(chǎn)品清單文件。這些產(chǎn)品不打算也不授權(quán)給用于高質(zhì)量和高穩(wěn)定性要求或者因故障或失效可能（無意識的用法）導(dǎo)致人身財產(chǎn)及生命安全負責(zé)。無意思的用法包括原子能控制儀表裝置，飛機或宇宙飛船裝置，運輸裝置，交通訊號裝置，燃燒控制裝置，醫(yī)療設(shè)備以及所有的安全設(shè)備等。無意識的使用東芝產(chǎn)品清單文件需用戶自己承擔(dān)風(fēng)險。砷化鎵 (GaAs)在這個文件里是指一種產(chǎn)品.。砷化鎵的煙塵是有毒的。不能砸、切、研磨或使用化學(xué)藥品溶解砷化鎵。處