基于NCP1651控制器的90W反激式單級PFC變換器原理與設(shè)計.doc

基于NCP1651控制器的90W反激式單級PFC變換器原理與設(shè)計NCP1651是一種單級功率因數(shù)控制器。介紹了NCP165l的結(jié)構(gòu)、主要特點及基于NCPl651的90W通用輸入單級PFC變換器原理與設(shè)計。 關(guān)鍵詞：NPCI65l；單級PFC；控制器；反激拓?fù)?；設(shè)計 0 引言 單級PFC的基本拓?fù)浼捌涔ぷ髟碓陔娫醇夹g(shù)應(yīng)用等學(xué)術(shù)期刊中，已有許多文章對其進(jìn)行了介紹。盡管單級PFC電路儀需一個功率升關(guān)，電路拓?fù)浜唵?，效率較高，但單級PFC的實用電路卻非常少見。眾所周知，用于兩級PFC電路的控制器lC品種和型號非常多，相關(guān)設(shè)計技術(shù)早已十分成熟，而單極PFC專用控制器芯片，長時間沒有問世。迄今為止，單級PFC控制IC僅有兩款：一個是數(shù)字單級PFC控制器iW2202，另一個則是安森美半導(dǎo)體公司推出的NCPl651。NCPl65l是一種適用于反激式拓?fù)涞膯渭塒FC控制器?；贜CPl65l的反激式隔離變換器，可提供中、高DC輸出電壓和50250W的輸出功率，滿足IEC1000-3-2諧波電流限制要求，并能將初級側(cè)電壓限制在700V之內(nèi)。 1 NCPl65l的結(jié)構(gòu)與主要特點 NCP1651采用16引腳SOIC封裝，其中引腳14和15未連接。NCP1651的芯片電路組成與NCPl650的內(nèi)部結(jié)構(gòu)存在很多相同之處，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。 NCP165I的各個引腳功能見表1。 NCPl65l是一種固定頻率平均電流模式PWM單級PFC控制器，被用作驅(qū)動工作在連續(xù)導(dǎo)電模式(CCM)或不連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)的反激變換器拓?fù)洌⒕幊唐骄斎腚娏鞲SAC線路電壓。利用平均電流模式控制CCM算法，可以限制峰值初級電流，提供接近于1的功率因數(shù)。固定頻率操作，能使輸入濾波器電路設(shè)計簡化。NCPl65l內(nèi)置高精度專利乘法器，與傳統(tǒng)模擬乘法器比較，具有更優(yōu)異的性能。NCPl65l提供逐周峰值和平均電流限制、Vcc欠電壓鎖定和過溫度(門限為160，帶30滯回)關(guān)閉等保護(hù)功能。NCP1651內(nèi)置高壓啟動電路，可直接連接到橋式整流器輸出端工作。在IC開始工作后，高壓啟動電路截止。 NCPl651的推出，標(biāo)忐著單級PFC技術(shù)開始在中、低功率電平上進(jìn)入了實用化階段。 2 基于NCPl65l的90W單級PFC變換器原理與設(shè)計 2.1 基于NCPl65I的90W通用輸入單級PFC變換器電路及其工作原理 由NCPl651組成的90W通用輸入單級PFC反激式變換器電路如圖2所示。該變換器的AC輸入線路電壓范圍為85265VDC輸出電壓為48V，工作在CCM方式。 在系統(tǒng)加電之后，橋式整流器(D1D4)輸出經(jīng)D7對電容C16充電。當(dāng)C16上的電壓達(dá)到17V的門限電平時，IC1(NCPl651)腳16導(dǎo)通，內(nèi)部高壓啟動電路中的電流源從腳13流出，對連接在變壓器T1偏置繞組(與之間)上的電容C21充電。當(dāng)C21上的電壓超過10.8V的導(dǎo)通門限電壓時，IC1啟動，變換器開始工作，IC1引腳Vcc上的所需電流，由T1偏置繞組、D9、C21和齊納二極管D15組成的輔助電源供給。在TC1開始工作后，內(nèi)部高壓啟動電路則截止。IC1的振蕩器頻率由腳3上的電容C3值確定。在C3=470 pF的條件下，開關(guān)頻率為100 kHz。 S1源極電阻R5用作感測初級電流。在S1漏極上連接的阻尼電路中，D13和D14為瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管。前者擊穿電壓為214V，后者擊穿電壓為68V。IC1腳8上連接的晶體管Q1等組成外部關(guān)閉電路。次級側(cè)的IC3(MC3303)為四運算放大器芯片。其中，lC3B作為誤差放大器使用，lC3D被配置成差分放大器，IC3A和IC3C分別配置為輸出欠電壓和過電壓比較器。IC2(TL431)為lC3B的同相端(腳5)和IC3A的反相輸入端(腳2)提供2.5V的參考電壓。輸出電壓(U0)經(jīng)R33、R23和R24、R25組成的分壓器分壓，將誤差放大器IC3B反相輸入端(腳6)上的電壓設(shè)置在2.5V。 電壓調(diào)節(jié)環(huán)路的工作過程是：當(dāng)輸出電壓低于其額定值(48V)時，在IC3B腳6上的電壓將低于腳5上2.5V的參考電壓，致使TC3B輸出電壓增加，光耦合器LED電流減小，從而引起光耦合器晶體管電流減小，IC1腳8上的電壓升高。而IC1腳8上電壓的提高，使內(nèi)部參考乘法器輸出增加，NCPl65l的PWM占空比增加。 欠電壓比較器IC3A為光耦合器IC4提供驅(qū)動。在出現(xiàn)欠電壓情況時，IC3A輸出變低，IC4中LED電流減小，使NCPl651進(jìn)入高占空比狀態(tài)，迫使輸出電壓升至欠電壓限制電平以上。 過電壓比較器IC3C的輸出與IC3B的輸出進(jìn)行“或”運算。在過電壓情況下，IC3C輸出變?yōu)镺V，使IC4中LED電流達(dá)到最大值，占空比減小到零，直到輸出電壓降至過電壓限制電平以下。 IC3D被配置成差分放大器，用于感測DC輸出電流，提供一個經(jīng)二極管進(jìn)行“或”運算的信號進(jìn)入反饋分壓器。過載電流限制被設(shè)置在滿載的125，即(P0/U0)1.25=(90/48)1.25=2.34A。電阻R31和R32用作感測輸出電流，R29、R30用作設(shè)置電流感測放大器增益。放大器增益為： G=(R29/R30)+1=(3k/0.3k)+1=11 放大器輸入電壓為：2.34A(R31+R32)=2.340.14=0.33V。差分放大器輸出電壓為：0.33VG=0.33V11=3.63V。 當(dāng)輸出負(fù)載電流增加時，電流感測放大器輸出也相應(yīng)增加。當(dāng)放大器輸出電壓與_二極管D12的電壓降之差值高于2.5V時，誤差放大器IC3B反相輸入端上的電壓被拉高，IC3B輸出電壓降低，IC4中LED電流增大，lC4中晶體管電流相應(yīng)增加，NCPl65l腳8上的電壓降低，占空比減小，從而實現(xiàn)限流過載保護(hù)。 2.2 主要元件的選擇 在功率元器件選擇時，需要考慮初級側(cè)電流。當(dāng)變換器在CCM工作時，電流波形如圖3所示。 在MOSFET(S1)導(dǎo)通期間，電流在初級側(cè)流動。在MOSFET關(guān)斷期間，電流在次級側(cè)流動。 2.2.2 變壓器的選擇 變壓器T1是反激變換器中的關(guān)鍵元件。變壓器初級與次級繞組之間的匝數(shù)比n=Np/Ns，直接影響初級側(cè)的電壓值。為了減小漏感產(chǎn)生的尖峰脈沖電壓，應(yīng)盡可能降低變壓器漏感。 為了減小輸出反射到初級的電壓，選擇匝數(shù)比n=4，初級Np=76匝，次級Ns=19匝。 為了減小漏感選擇TDK SRW42EC-U04H1/4寬窗口磁心，以減少繞組層數(shù)。同時，為了增強耦合，初級與次級繞組交錯是有利的。具體繞制方法是：先繞初級的45匝(一層)，接著繞次級19匝，然后再繞初級剩下的3l匝。按該法繞制，漏感僅為9H。初級繞組的電感值Lp=1 mH。 如果把76匝初級繞組分兩層繞完后再繞次級繞組19匝，漏感值將增加到37H。 2.2.3 功率MOSFET(S1)的選擇 MOSFET的選擇，首先應(yīng)確定其額定值電壓(VDS)。在MOSFET關(guān)斷期間，漏極與源極之間的峰值電壓為： 式中：Uin(max)=265V； Uf為次級整流二極管(D5)的導(dǎo)通壓降，Uf=07V； Uspke為漏感產(chǎn)牛的尖峰脈沖電壓，選擇 Uspike=130V，有足夠的安全余量。 將已知數(shù)據(jù)代入式(4)得： S1可選擇SPAlIN80C3型N溝道MOSFET，其額定電壓UDS=800V，額定電流ID=11A，導(dǎo)通態(tài)電阻RDS(on)=45。 2.2.4 輸出電容器的選擇 輸出電容Co值由式(5)確定： 式中：TH為所需保持時間，即AC線路的周期時間，TH=150Hz=O02s； Uo(min)為最小輸出電壓，選擇Uo(min)=33V。 將相關(guān)數(shù)據(jù)代入式(5)得： Co用兩個1500F/63V的電容并聯(lián)而成，即在圖2中，C22=C23=1500F。 225 電流感測電阻R5的選擇 電流感測電阻R5的計算公式是： 電路中其它元件，可根據(jù)NCPl65l的芯片電路組成和電氣參數(shù)確定其數(shù)值。 3 結(jié)語 基于單級PFC控制器NCPl651的90W通用輸入反激式變換器，儀需用一個功率開關(guān)和較少量的元件，就能獲得高輸