大學(xué)物理下公式方法歸納

.大學(xué)物理下歸納總結(jié)電學(xué)基本要求：1會求解描述靜電場的兩個重要物理量：電場強度E和電勢V。2掌握描述靜電場的重要定理：高斯定理和安培環(huán)路定理（公式內(nèi)容及物理意義）。3掌握導(dǎo)體的靜電平衡及應(yīng)用；介質(zhì)的極化機理及介質(zhì)中的高斯定理。主要公式：一、 電場強度1點電荷場強：計算場強的方法（3種）1、點電荷場的場強及疊加原理點電荷系場強：連續(xù)帶電體場強：（五步走積分法）(建立坐標系、取電荷元、寫、分解、積分)2、靜電場高斯定理：表達式：物理意義：表明靜電場中，通過任意閉合曲面的電通量（電場強度沿任意閉合曲面的面積分），等于該曲面內(nèi)包圍的電荷代數(shù)和除以。對稱性帶電體場強：（用高斯定理求解）3、利用電場和電勢關(guān)系：二、電勢電勢及定義：1電場力做功：2. 靜電場安培環(huán)路定理：靜電場的保守性質(zhì)表達式：物理意義：表明靜電場中，電場強度沿任意閉合路徑的線積分為0。3電勢：；電勢差：電勢的計算：1點電荷場的電勢及疊加原理點電荷電勢：點電荷系電勢：連續(xù)帶電體電勢：（四步走積分法）(建立坐標系、取電荷元、寫、積分)2已知場強分布求電勢：定義法 三、靜電場中的導(dǎo)體及電介質(zhì)1. 弄清靜電平衡條件及靜電平衡下導(dǎo)體的性質(zhì)2. 了解電介質(zhì)極化機理，及描述極化的物理量電極化強度, 會用介質(zhì)中的高斯定理，求對稱或分區(qū)均勻問題中的及界面處的束縛電荷面密度。3. 會按電容的定義式計算電容。典型帶電體系的場強典型帶電體系的電勢均勻帶電球面球面內(nèi)球面外均勻帶電球面均勻帶電直線無限長：均勻帶電無限長直線均勻帶電無限大平面均勻帶電無限大平面 磁學(xué)恒定磁場（非保守力場）基本要求：1熟悉畢奧-薩伐爾定律的應(yīng)用，會用右手螺旋法則求磁感應(yīng)強度方向；3掌握描述磁場的兩個重要定理：高斯定理和安培環(huán)路定理（公式內(nèi)容及物理意義）；并會用環(huán)路定理計算規(guī)則電流的磁感應(yīng)強度；3會求解載流導(dǎo)線在磁場中所受安培力；4理解介質(zhì)的磁化機理，會用介質(zhì)中的環(huán)路定律計算H及B.主要公式：1畢奧-薩伐爾定律表達式：1）有限長載流直導(dǎo)線，垂直距離r處磁感應(yīng)強度：（其中）無限長載流直導(dǎo)線，垂直距離r處磁感應(yīng)強度：半無限長載流直導(dǎo)線，過端點垂線上且垂直距離r處磁感應(yīng)強度：2）圓形載流線圈，半徑為R，在圓心O處：半圓形載流線圈，半徑為R，在圓心O處：3）螺線管及螺繞環(huán)內(nèi)部磁場 自己看書，把公式記住2磁場高斯定理：表達式：（無源場）(因為磁場線是閉合曲線,從閉合曲面一側(cè)穿入,必從另一側(cè)穿出.)物理意義：表明穩(wěn)恒磁場中，通過任意閉合曲面的磁通量（磁場強度沿任意閉合曲面的面積分）等于0。3磁場安培環(huán)路定理：（有旋場）表達式：物理意義：表明穩(wěn)恒磁場中，磁感應(yīng)強度B沿任意閉合路徑的線積分，等于該路徑內(nèi)包圍的電流代數(shù)和的倍。稱真空磁導(dǎo)率4. 洛倫茲力及安培力1）洛倫茲力： （磁場對運動電荷的作用力）2）安培力：（方向沿方向，或用左手定則判定）積分法五步走:1.建坐標系;2.取電流元;3.寫;4.分解;5.積分.3）載流閉合線圈所受磁力矩：（要理解磁矩的定義及意義）5.介質(zhì)中的磁場1）介質(zhì)的磁化機理及三種磁介質(zhì)2）有磁介質(zhì)的安培環(huán)路定理：電磁感應(yīng)基本要求：1 理解法拉第電磁感應(yīng)定律和楞次定律的內(nèi)容及物理意義；2 會求解感應(yīng)電動勢及動生電動勢的大小和方向；了解自感及互感；3 掌握麥克斯韋方程組及意義，了解電磁波。主要公式：1法拉第電磁感應(yīng)定律：，會用楞次定律判斷感應(yīng)電動勢方向。2動生電動勢注：感應(yīng)電動勢的方向沿的方向，從低電勢指向高電勢。3感生電動勢及感生電場：4麥克斯韋方程組及電磁波： 變化的磁場產(chǎn)生電場 變化的電場產(chǎn)生磁場波動光學(xué)基本要求：掌握楊氏雙縫干涉、單縫衍射、劈尖干涉、光柵衍射公式；理解光程差的含義與半波損失發(fā)生條件及增透膜、增反膜原理；主要公式：1光程差與半波損失光程差：幾何光程乘以折射率之差：半波損失：當(dāng)入射光從折射率較小的光疏介質(zhì)投射到折射率較大的光疏密介質(zhì)表面時，反射光比入射光有。（若兩束相干光中一束發(fā)生半波損失，而另一束沒有，則附加的光程差；若兩有或兩無，則無附加光程差。）2楊氏雙縫干涉：（D-縫屏距；d-雙縫間距；k-級數(shù)）條紋特征：明暗相間均勻等間距直條紋，中央為零級明紋。條紋間距與縫屏距D成正比，與入射光波長成正比，與雙縫間距d成反比。3會分析薄膜干涉例如增透膜增反膜，劈尖牛頓環(huán)等4單縫衍射：（f-透鏡焦距；a-單縫寬度；k-級數(shù)）條紋特征：明暗相間直條紋，中央為零級明紋，寬度是其它條紋寬度的兩倍。條紋間距與透鏡焦距成正比，與入射光波長成正比，與單縫寬度成反比。5衍射光柵：（為光柵常數(shù)，為衍射角）* 光柵方程：* 光柵明紋公式： 第K級光譜張角： 第K級光譜線寬度：（，條紋特征：條紋既有干涉又有衍射。6光的偏振：（為入射光強度，為兩偏振化方向夾角）* 馬呂斯定律：* 布儒斯特角：（為入射角，為折射角）當(dāng)入射角滿足上述條件時，反射光為完全偏振光，且偏振化方向與入射面垂直；折射光為部分偏振光，且反射光線與折射光線垂直，即：量子物理基礎(chǔ)主要內(nèi)容：1.黑體輻射的實驗規(guī)律不能從經(jīng)典物理獲得解釋。普朗克提出了能量量子化假設(shè)，從而成功地解釋了黑體輻射的實驗規(guī)律，并導(dǎo)致了量力學(xué)的誕生和許多近代技術(shù)。量子概念：2.光電效應(yīng)的實驗規(guī)律無法用光的波動理論解釋。愛因斯坦提出了光子假設(shè)。用愛因斯坦方程 h= mv2/2 +w 解釋了實驗規(guī)律。康普頓散射也證明了光的量子性。3.德布羅意波(物質(zhì)波)假設(shè)：任何實物粒子和光子一樣都具有波粒二象性。德布羅意關(guān)系式：光子：4.波函數(shù)的統(tǒng)計詮釋微觀粒子狀態(tài)用波函數(shù)描述，波函數(shù)是概率幅，波函數(shù)的平方|2表示粒子在某點于某時刻出現(xiàn)的概率密度。微觀粒子狀態(tài)的演化用薛定諤方程描述。5.不確定關(guān)系：(,普朗克常數(shù))歡迎您的光臨，word