微電封裝期末總結(jié).doc

微電封裝期末總結(jié) 名稱WB全名定義引線鍵合將芯片焊區(qū)與I/O引線或基板上的金屬布線焊區(qū)用金屬細(xì)絲連接起來的工藝TAB載帶自動(dòng)焊將芯片焊區(qū)與金屬布線焊區(qū)用具有相同引線圖形的載帶相連的技術(shù)FCB倒裝焊芯片面朝下，芯片焊區(qū)與基板焊區(qū)直接互聯(lián)的焊接方式SMD表面安裝元器件直接貼裝在印刷電路板的表面，將電極直接焊在元器件同一面的焊盤上，是SMT的核心和基礎(chǔ)PWB印刷電路板具有復(fù)雜布線圖形，組裝各種元器件的載體C4可控塌陷芯片連接一種完全使用Pb-Sn材料形成凸點(diǎn)的典型FCB工藝技術(shù)，倒裝焊時(shí)易于熔化再流，可以解決凸點(diǎn)高度差和基板不平問題BGA焊球陣列在基板的下面按陣列方式引出球形引腳，在基板上裝配LSI芯片，是LSI芯片用的一種表面安裝型封裝CSP芯片尺寸封裝LSI芯片封裝面積小于或等于LSI芯片面積的120%的封裝LTCC低溫共燒陶瓷Al2O3與含量大于50%的SiO2和其他氧化物等玻璃成分在850950燒結(jié)形成的陶瓷，可作為封裝基板材料使用HTCC高溫共燒陶瓷Al2O3與含量大于8%15%的SiO2和其他氧化物等玻璃成分在12001600燒結(jié)形成的陶瓷，可作為封裝基板材料使用WLP圓片級(jí)封裝在完成前道工序后直接對(duì)圓片進(jìn)行半導(dǎo)體工藝封裝再切割分離的封裝方式DCA芯片直接安裝用WB、TAB、FCB等互聯(lián)方法，將裸芯片直接安裝在基板上的技術(shù)SLIM單極集成模塊將各類IC芯片和器件、光電器件和無源元件、布線、介質(zhì)層都統(tǒng)一集成到一個(gè)電子封裝系統(tǒng)內(nèi)，完成龐大的系統(tǒng)功能的模塊MEMS微電子機(jī)械系統(tǒng)微電子技術(shù)的拓展與延伸，是將微電子和精密機(jī)械加工技術(shù)融為一體的系統(tǒng)。 它集各種傳感器、控制器和執(zhí)行器于一身，具有信息采集、處理和執(zhí)行能力，是一種智能化的微型光機(jī)電一體化系統(tǒng)ALIVH完全內(nèi)部通孔一種PWB的組合加厚布線技術(shù)，是由印刷電路板廠家和原材料廠家共同開發(fā)的新技術(shù)，其布線寬度可縮小到50?m以下，從而實(shí)現(xiàn)精細(xì)布線圖形的制作，每層布線板薄片上通孔直徑可縮小到150?m以下CBGA陶瓷焊球陣列源于C4倒裝芯片工藝，采用雙焊料結(jié)構(gòu)的陶瓷焊球陣列封裝SOC系統(tǒng)級(jí)芯片一塊芯片就能集成一個(gè)電子整機(jī)系統(tǒng)功能的超大規(guī)模集成電路MCM多芯片組件兩個(gè)或更多的集成電路裸芯片電連接與公用電路基板上，并利用它實(shí)現(xiàn)芯片間互聯(lián)的組件UBM凸點(diǎn)下金屬化在凸點(diǎn)下構(gòu)成粘附層-阻擋層-導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)的多層金屬化系統(tǒng)QFP四邊引腳扁平封裝封裝體引腳從四邊引出，有J型引腳和翼型引腳兩種HIC混合集成電路將其他元器件直接組裝或以膜的形式制作在陶瓷基片上作整體封裝，形成一個(gè)功能完整的電路產(chǎn)品微電子封裝功能電源分配、信號(hào)分配、散熱通道、機(jī)械支撐、環(huán)境保護(hù)微電子封裝分級(jí)微電子封裝發(fā)展特點(diǎn)一級(jí)封裝用封裝外殼將芯片封裝成單芯片組件(SCM)和多芯片組件(MCM) (1)向高密度和高I/O引腳數(shù)發(fā)展，引腳由四邊引出向面陣排列發(fā)展二級(jí)封裝將一級(jí)封裝和其他元器件一起組裝到印刷電路板上 (2)向表面安裝式封裝發(fā)展三級(jí)封裝將二級(jí)封裝插裝到母板上 (3)從陶瓷封裝向塑料封裝發(fā)展 (4)從注重發(fā)展IC芯片向先發(fā)展后道封裝再發(fā)展芯片轉(zhuǎn)移芯片互聯(lián)技術(shù)引線鍵合技術(shù)（WB）:將芯片焊區(qū)與I/O引線或基板上的金屬布線焊區(qū)用金屬細(xì)絲連接起來的工藝熱壓焊0.1N超聲振動(dòng)產(chǎn)生能量使金屬絲在焊區(qū)表面迅速摩擦優(yōu)點(diǎn)焊點(diǎn)面積與引線面積相當(dāng)充分去除氧化層，焊點(diǎn)質(zhì)量最高可在常溫下鍵合，不損傷芯片缺點(diǎn)速度慢金絲球焊0.070.09N熱量和超聲能量同時(shí)用于鍵合優(yōu)點(diǎn)鍵合溫度低焊點(diǎn)牢固可自動(dòng)化焊接載帶自動(dòng)焊（TAB）將芯片焊區(qū)與金屬布線焊區(qū)用具有引線圖形的載帶相連的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)輕薄短小節(jié)距比WB小I/O引腳數(shù)高電性能好可進(jìn)行篩選和測(cè)試，提高成品率導(dǎo)熱導(dǎo)電性好，機(jī)械強(qiáng)度高鍵合拉力0.30.5N，是WB的310倍關(guān)鍵材料基帶材料-聚酰亞胺（PI）載帶金屬材料-Cu箔凸點(diǎn)金屬材料-Au、Pb-Sn關(guān)鍵技術(shù)芯片凸點(diǎn)制作技術(shù)蘑菇狀凸點(diǎn)光刻膠，較薄柱狀凸點(diǎn)厚膠膜，較厚TAB載帶制作技術(shù)單層帶工藝簡(jiǎn)單、熱穩(wěn)定性好、價(jià)格低不能電性測(cè)試，易變形雙層帶可制作高精度圖形，可做電性測(cè)試，可彎曲成本高三層帶Cu箔、粘接劑、PI膜三層構(gòu)成黏附性高，可做電性測(cè)試，適合批量生產(chǎn)雙金屬帶聚酰亞胺制備框架，兩面粘接銅箔用于高頻器件，可改善信號(hào)傳輸焊接技術(shù)內(nèi)引線焊接技術(shù)熱壓焊溫度高，壓力大熱壓再流焊焊區(qū)有Pb、Sn存在外引線焊接技術(shù)倒裝焊技術(shù)（FCB）:芯片面朝下，芯片和基板焊區(qū)直接相連的焊接方法優(yōu)點(diǎn)互連線短占基板面積小芯片焊區(qū)可面分布安裝、互聯(lián)可同時(shí)進(jìn)行缺點(diǎn)安裝、互聯(lián)難度大凸點(diǎn)工藝復(fù)雜應(yīng)力問題凸點(diǎn)制作方法蒸發(fā)/濺射法關(guān)鍵掩模版制作優(yōu)點(diǎn)工藝簡(jiǎn)單，與IC工藝兼容缺點(diǎn)直徑較大，I/O引腳數(shù)少成本高，效率低電鍍法關(guān)鍵光刻和電鍍優(yōu)點(diǎn)簡(jiǎn)便易行，工藝成熟I/O數(shù)、焊區(qū)大小、凸點(diǎn)間節(jié)距不限，適合大批量生產(chǎn)化學(xué)鍍關(guān)鍵Al焊區(qū)二次浸Zn，去除氧化層，生成中間層金屬優(yōu)點(diǎn)鍍層光亮致密，孔隙少結(jié)合力高，抗蝕能力強(qiáng)不受鍍件復(fù)雜形狀限制缺點(diǎn)凸點(diǎn)高度受限浸Zn強(qiáng)堿性的鋅酸鹽中進(jìn)行，去除Al焊區(qū)金屬表面氧化層的同時(shí)化學(xué)沉積一層Zn二次浸Zn由于第一次浸Zn形成的Zn層結(jié)晶較粗大疏松二次浸Zn得到的Zn層更加均勻致密，增加與Al的結(jié)合力打球法關(guān)鍵打金屬球并磨平優(yōu)點(diǎn)工藝簡(jiǎn)單易行，焊區(qū)不需多層金屬化缺點(diǎn)I/O數(shù)小、焊區(qū)、凸點(diǎn)間節(jié)距較大，不適合大批量生產(chǎn)置球法關(guān)鍵制作模板，焊料球的均勻性，焊膏印制厚度的一種性優(yōu)點(diǎn)工藝簡(jiǎn)單，成本低適合制作各種尺寸的Pb-Sn焊料凸點(diǎn)可批量生產(chǎn)凸點(diǎn)工藝粘附層，阻擋層，導(dǎo)電層固態(tài)工藝凸點(diǎn)、C4凸點(diǎn)CrCr-CuCu-SnPb-SnNi-SnNi C4:粘附層阻擋層導(dǎo)電層凸點(diǎn)固態(tài)工藝包附Cu球FCB工藝熱壓FCB芯片與基板需要精確定位并保持平行Au凸點(diǎn)、Ni-Au凸點(diǎn)、Cu凸點(diǎn)等硬凸點(diǎn)再流焊FCB有自對(duì)準(zhǔn)效應(yīng)、彌補(bǔ)基板的缺陷、低熔點(diǎn)焊料凸點(diǎn)、可用常規(guī)表面貼裝設(shè)備Pb-Sn焊料凸點(diǎn)，芯片高熔點(diǎn)凸點(diǎn)90%Pb，基板低熔點(diǎn)凸點(diǎn)37%Pb環(huán)氧樹脂固化利用光敏樹脂光固化時(shí)產(chǎn)生的收縮力將凸點(diǎn)與基板上的金屬焊區(qū)互聯(lián)在一起屬于“機(jī)械接觸”而非“焊接”工藝簡(jiǎn)單各向異性導(dǎo)電膠FCB(ACA-FCB):在基板上涂覆ACA后，將芯片與基板焊區(qū)對(duì)位并加壓固化ACA中金屬粒子擠壓在凸點(diǎn)與焊區(qū)之間，使上下接觸導(dǎo)電ACA:膏狀或薄膜狀的粘接劑加入了一定含量的金屬顆?；蚪饘偻扛驳母叻肿宇w粒ACA分為熱固型、熱塑型、紫外光（UV）固化型Au-Al焊接的問題及對(duì)策問題Au-Al間接觸加熱到300會(huì)生成金屬間化合物AuAl2（紫斑）以及Au-Al界面生成的電阻更大，脆性更高的Au2Al（白斑）。 這些金屬間化合物晶格常數(shù)不同，機(jī)械性能和熱性能也不同，會(huì)在交界層形成可見的“柯肯德爾空洞”，產(chǎn)生裂縫，引起焊點(diǎn)脫開而失效。 對(duì)策避免長時(shí)間高溫焊接，使用溫度盡量降低。 插裝元器件分類圓柱形外殼封裝(TO)、矩形單列直插式封裝(SIP)、雙列直插式封裝(DIP)、針柵陣列封裝(PGA)雙列直插式封裝（DIP）特點(diǎn)適合在印刷電路板上穿孔焊接封裝、芯片面積及體積比較大除外型尺寸、引腳數(shù)外，無其他要求引腳直徑、艱巨不能太小CDIP封裝陶瓷熔封DIP結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，只有底座、蓋板、引線框架三個(gè)零件用黑陶瓷（Al2O3）通過加壓陶瓷工藝制作不需要陶瓷上金屬化，燒結(jié)溫度低，成本低多層陶瓷DIP由多層陶瓷工藝制作流延法制成生瓷片絲網(wǎng)印刷法進(jìn)行金屬化多層金屬化的生瓷片疊層一定溫度和壓力下層壓切割成生瓷體排膠、燒結(jié)鍍Ni釬封口環(huán)和焊引線PDIP封裝工業(yè)自動(dòng)化程度高，工藝簡(jiǎn)單，成本低針柵陣列封裝(PGA)為提高I/O引腳數(shù)，減少封裝面積特點(diǎn)氣密性、可靠性高可適應(yīng)更高頻率若用導(dǎo)熱性較好的基板，還可適應(yīng)高速度、大功率器件需求工藝復(fù)雜，成本高，適合軍品使用表面安裝元器件（SMD）優(yōu)勢(shì)體積小、重量輕，組裝密度高；與DIP相比，電性能更高；適合自動(dòng)化生產(chǎn)；成本低；可靠性高；利于保護(hù)環(huán)境。 不足散熱問題（安裝密度高）、開裂問題（引腳短）、吸潮問題（塑料）小外形封裝（SOP）DIP的引腳向外彎曲90，形成翼型引腳（SOP）或J型引腳（SOJ）面積大，難度小面積小，難度大小外形晶體管（SOT）固化方法低溫銀漿粘接芯片Au-Sb合金與芯片燒結(jié)共熔法導(dǎo)電膠粘接固化法塑料有引腳片式載體封裝（PLCC）只有J型引腳數(shù)引腳標(biāo)記角放在左上方，從標(biāo)記點(diǎn)/中間引腳/中間兩引腳中左側(cè)引腳開始逆時(shí)針數(shù)陶瓷無引腳片式載體封裝（LCCC）無引腳，陶瓷封裝體四周的引腳處有鍍Au凹槽，可直接焊到基板焊區(qū)上或安裝在PWB的插座上四邊引腳扁平封裝（QFP）分為翼型引腳（QFP）和J型引腳（QFJ）結(jié)構(gòu)上FPPLCC=QFJ焊球陣列封裝（BGA）解決周邊引腳封裝的高引腳數(shù)LSI問題特點(diǎn)失效率低；可利用現(xiàn)有的SMT工藝設(shè)備；提高封裝密度；改善共面性，減少共面失效；引腳牢固；改善了電性能；自對(duì)準(zhǔn)效應(yīng)，減少安裝、焊接的失效率；有利于散熱類型PBGA CBGACCGA TBGAFCBGA PBGA(塑料焊球陣列)優(yōu)點(diǎn)與電路板熱匹配好；對(duì)焊球的共面要求寬松（自對(duì)準(zhǔn)效應(yīng)）；成本低缺點(diǎn)對(duì)濕氣敏感在基板上裝配焊球的方法“球在上”、“球在下”球在上先在基板上絲網(wǎng)印制焊膏，將帶篩孔的頂板和基板對(duì)準(zhǔn)，焊球放在頂板上，通過篩孔對(duì)應(yīng)落在焊膏上。 取下頂板進(jìn)行再流并清洗，形成凸點(diǎn)球在下先將一個(gè)特殊夾具放在振動(dòng)裝置上，夾具上所需位置有小孔，通過振動(dòng)使小球定位于各孔，再在焊球上印制焊膏，將基板對(duì)準(zhǔn)放在印好的焊膏上，進(jìn)行再流并清洗。 CBGA(陶瓷焊球陣列)優(yōu)點(diǎn)可靠性高、對(duì)濕氣不敏感、封裝密度高、返修性高缺點(diǎn)熱匹配差，熱疲勞壽命短；封裝成本高雙焊料結(jié)構(gòu)高溫焊料(10%Sn-90%Pb)、低溫焊料(63%Sn-37%Pb)高溫焊料作焊球，位于中間CCGA(陶瓷焊柱陣列)焊柱相連，減小封裝體與基板間的連接應(yīng)力，易清洗。 同樣適用雙焊料結(jié)構(gòu)，與CBGA結(jié)構(gòu)類似，高溫焊料作焊柱，位于中間TBGA(載帶焊球陣列)利用TAB實(shí)現(xiàn)芯片的連接，使用雙金屬TAB基板最薄的BGA封裝，節(jié)省安裝空間對(duì)濕氣和熱量敏感FCBGA利用FC實(shí)現(xiàn)芯片與BGA襯底的連接芯片尺寸封裝（CSP）:LSI芯片封裝面積小于或等于LSI芯片面積的120%的產(chǎn)品特點(diǎn)體積小；可容納引腳數(shù)最多；電性能良好；散熱性能優(yōu)良BGA焊接質(zhì)量的檢測(cè)X射線投射檢測(cè)、X射線分層檢測(cè)透射檢測(cè)檢測(cè)焊點(diǎn)中間的橋連和對(duì)準(zhǔn)誤差，但不能檢測(cè)焊球與焊區(qū)之間的連接質(zhì)量分層檢測(cè)在投射檢測(cè)的基礎(chǔ)上解決了對(duì)每一個(gè)焊球的焊料量及再流程度精確測(cè)量的問題，精確的檢測(cè)焊點(diǎn)的形狀和關(guān)鍵尺寸焊球連接缺陷橋連焊料過量，鄰近焊球之間形成橋連連接不充分焊料太少，不能再焊球和基板之間形成牢固的連接空洞沾污及焊膏問題造成焊球與基板間產(chǎn)生空洞斷開基板過分翹曲，沒有足夠的焊料使斷開的空隙連接起來浸潤性差焊球或焊區(qū)浸潤性差，造成連接斷開形成焊料小球再留時(shí)濺出的焊料形成誤對(duì)準(zhǔn)自對(duì)準(zhǔn)時(shí)對(duì)準(zhǔn)偏差超標(biāo)塑料封裝吸潮引起開裂的問題原因塑料固有的有機(jī)大分子結(jié)構(gòu)普遍存在高吸濕性和低氣密性開裂現(xiàn)象插裝器件不存在吸潮開裂問題，因?yàn)楹附邮褂貌ǚ搴笗r(shí)間短，不會(huì)是塑料溫度升高很多，稍熱的水汽不會(huì)對(duì)這類封裝本已較厚的殼體造成破壞性后果表面安裝器件(SMD)由于焊接時(shí)無論是再流焊還是波峰焊，SMD整體都要經(jīng)歷215240的高溫過程，若這時(shí)塑料殼體充滿濕氣，焊接時(shí)水汽就會(huì)膨脹形成較大的水汽壓，出現(xiàn)開裂現(xiàn)象。 塑封開裂過程水汽吸收聚蓄期制作完成至使用前，水汽飽和程度取決于儲(chǔ)存的環(huán)境。 水汽蒸發(fā)膨脹期器件使用時(shí)，高溫時(shí)水汽蒸發(fā)，蒸汽壓上升，塑料受力膨脹。 開裂萌生擴(kuò)張期蒸氣壓繼續(xù)增加，在應(yīng)力集中的最薄弱處產(chǎn)生裂紋，水汽從裂紋逸出，壓力圓頂塌陷，環(huán)境中的污染物通過裂縫進(jìn)入封裝體，經(jīng)過化學(xué)反應(yīng)，對(duì)器件進(jìn)行腐蝕。 引起開裂的因素水汽的含量及水汽所在位置、焊接溫度、引線框架的設(shè)計(jì)、塑料強(qiáng)度、芯片大小、塑料厚度吸潮開裂的對(duì)策改進(jìn)結(jié)構(gòu)a、增加芯片四周和底部塑料厚度b、增加芯片鍵合區(qū)的粗糙程度，提高結(jié)合力適宜的烘烤a、高溫烘烤125，濕度50%，24h，時(shí)間短，但不能重復(fù)多次烘烤b、低溫烘烤40，濕度5%,8天，可多次烘烤，不會(huì)產(chǎn)生金屬間化合物，但時(shí)間長使用密封真空袋包裝或加干燥劑多芯片組件(MCM)定義多個(gè)LSI、VLSI芯片和其他元器件高密度組裝在多層互聯(lián)基板上并封裝在一個(gè)殼體內(nèi)，形成高密度、高可靠的專用電子產(chǎn)品條件多層基板有4層以上布線層封裝效率大于20%封裝殼體有100個(gè)以上I/O引腳特性高速、高密度、高散熱、低成本布線利用襯底中的信號(hào)布線完成I/O引腳的連接原則避免用長互連線；通孔、連線拐角盡可能少；布線層數(shù)盡可能小分類3D迷宮布線、分層布線、SLICE布線、四通孔(V4R)布線3D迷宮布線原理上容易實(shí)現(xiàn)，但因其需要儲(chǔ)存整個(gè)布線網(wǎng)絡(luò)并在其中進(jìn)行搜索，需要很長的計(jì)算時(shí)間和很大的存儲(chǔ)空間分層布線將布線層分為幾個(gè)x-y雙層，線網(wǎng)先被分配到x-y雙層，然后對(duì)每個(gè)雙層進(jìn)行布線沒用充分利用現(xiàn)有的大量布線層，有些線網(wǎng)被迫在兩層內(nèi)布線，使用大量的通孔，導(dǎo)致布線結(jié)果較差SLICE布線基于一層一層的平面布線原理，當(dāng)生成一層布線時(shí)，將未完成的線網(wǎng)“驅(qū)趕”到下一層繼續(xù)布線。 重復(fù)這一過程直至線網(wǎng)布完四通孔(V4R)布線直接產(chǎn)生詳細(xì)的布線結(jié)果，不必經(jīng)歷傳統(tǒng)的總體布線，節(jié)省成本，提高效率不需要存儲(chǔ)布線網(wǎng)絡(luò)，只存軌道分配信息和活動(dòng)網(wǎng)的垂直線段，占內(nèi)存小若兩點(diǎn)坐標(biāo)分別為（0，0）、（m，n）兩通孔法有m+n種路徑四通孔法有mn(m+n)種路徑兩通孔四通孔基板的制作?基板材料金屬、合金、陶瓷、玻璃、塑料、復(fù)合材料基板功能支撐作用；導(dǎo)體的絕緣介質(zhì)；導(dǎo)熱媒體；控制特性阻抗、串?dāng)_及信號(hào)延遲信號(hào)延遲和介電常數(shù)平方跟成正比電容和介電常數(shù)成正比幾種主要的基板材料?氧化鋁（Al2O3）影響性能的兩個(gè)因素化學(xué)成分、表面平整度介電常數(shù)隨玻璃含量的增加而降低，玻璃成分由二氧化硅和其他氧化物組成。 玻璃的導(dǎo)熱性很差，玻璃含量高的陶瓷在制作高密度大功耗電路時(shí)應(yīng)特別注意。 氮化鋁（AlN）在碳的作用下用氮置換出Al2O3中的氧而形成或直接生成，性能比Al2O3好有機(jī)多層基板材料?共燒陶瓷基板材料基于氧化鋁根據(jù)玻璃含量不同高溫共燒陶瓷（HTCC）玻璃含量815%，燒結(jié)溫度較高低溫共燒陶瓷（LTCC）玻璃含量大于50%，燒結(jié)溫度較低，有助于在共燒結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)計(jì)無源元件。 較高的玻璃含量降低了介電常數(shù)，利于制作高速電路，但同時(shí)降低了機(jī)械強(qiáng)度和導(dǎo)熱性。 硅基板材料金剛石?介質(zhì)材料薄膜介質(zhì)材料聚酰亞胺（PI）良好的電性能、機(jī)械穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性要求介電常數(shù)、吸水性、CTE這三個(gè)指標(biāo)值都必須低按固化機(jī)理分類縮合固化、加成固化、光固化厚膜介質(zhì)材料由陶瓷粉料，例如氧化鋁、玻璃料、各種金屬化合物、有機(jī)粘接劑和溶劑混合而成。 ?金屬材料用于金屬化基本金屬化起電氣和導(dǎo)熱作用廣泛使用的基本金屬化材料Cu和Al基本薄膜金屬化銅（Cu）良好的電性能和導(dǎo)熱性能，價(jià)格便宜，易于加工；但其具有化學(xué)活性和腐蝕性，且高溫時(shí)隨著時(shí)間的延長會(huì)擴(kuò)散到聚酰亞胺介質(zhì)中鋁（Al）電性能和導(dǎo)熱性不及銅，但易于濺射和蒸發(fā)，不要求阻擋層金（Au）優(yōu)良的電性能和導(dǎo)熱性，化學(xué)穩(wěn)定性極好，但成本太高鎳（Ni）電性能和導(dǎo)熱性比其他材料都差，用于通孔填充銀（Ag）電性能和導(dǎo)熱性能最好，但在潮濕環(huán)境或高溫大電流下有遷移特性，造成短路基本厚膜金屬化通過在已燒成的陶瓷基板上進(jìn)行絲網(wǎng)印刷并燒結(jié)導(dǎo)體或電阻漿料完成金、銀、金+銀、鈀+鉑輔助金屬化作為擴(kuò)散阻擋層、粘接助劑、腐蝕和氧化阻擋層、連接器件的媒體，例如焊料輔助薄膜金屬化Cr、Ni、Ti、Ti-W、Pb Cr和Ni通過濺射或電鍍，用于阻擋銅向聚酰亞胺擴(kuò)散Ti促進(jìn)Au和其他表面進(jìn)行結(jié)合，是非常好的粘接層輔助厚膜金屬化難熔金屬，利用表面鍍金提高導(dǎo)電率和鍵合能力幾種基板制作技術(shù)?厚膜多層基板優(yōu)點(diǎn)工藝簡(jiǎn)單、成本低、研制和生產(chǎn)周期短缺點(diǎn)導(dǎo)體線寬、間距、布線層數(shù)、通孔尺寸受絲網(wǎng)印刷限制分類導(dǎo)體介質(zhì)純互聯(lián)系統(tǒng)具有互連WB區(qū)、通孔、引出端，表面可組裝各種元器件或IC芯片，構(gòu)成厚膜MCM導(dǎo)體介質(zhì)阻容系統(tǒng)在頂部印制電阻、電容，再組裝各種元器件或IC芯片，構(gòu)成厚膜MCM制作方法絲網(wǎng)印刷、直接描繪（絲網(wǎng)印刷的補(bǔ)充，不能代替絲網(wǎng)印刷）直接描繪工藝P237?低溫共燒陶瓷（LTCC）多層基板常規(guī)LTCC工藝技術(shù)將未燒結(jié)的