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HUB芯片總結(jié)范文 英文bonding，意譯為“芯片打線”邦定是芯片生產(chǎn)工藝中一種打線的方式，一般用于封裝前將芯片內(nèi)部電路用金線與封裝管腳連接，一般bonding后（即電路與管腳連接后）用黑色膠體將芯片封裝，同時(shí)采用先進(jìn)的外封裝技術(shù)COB(Chip OnBoard),這種工藝的流程是將已經(jīng)測(cè)試好的晶圓植入到特制的電路板上，然后用金線將晶圓電路連接到電路板上，再將融化后具有特殊保護(hù)功能的有機(jī)材料覆蓋到晶圓上來(lái)完成芯片的后期封裝。 此種工藝使用在廉價(jià)的產(chǎn)品生產(chǎn)中。 在后期的諸多外來(lái)因素影響下都會(huì)導(dǎo)致此產(chǎn)品諸多品質(zhì)問(wèn)題。 觀點(diǎn)一其實(shí)邦定這種工藝抗震動(dòng)和抗潮濕能力極差,壽命短比較短。 究其原因邦定廠不可能有集成電路封裝廠那么好的溫濕度、空氣凈化、防靜電條件，邦定的電路板也不可能有集成電路基板的穩(wěn)定，檢測(cè)條件也有限。 而且芯片一般是臺(tái)灣的一些二流晶圓廠觀點(diǎn)二邦定封裝方式的好處是制成品在防腐、抗震及穩(wěn)定性方面，相對(duì)于傳統(tǒng)SMT貼片方式要高很多。 目前大量應(yīng)用的SMT貼片技術(shù)是將芯片的管腳焊接在電路板上，這種生產(chǎn)工藝不太適合移動(dòng)存儲(chǔ)類產(chǎn)品的加工，在封裝的測(cè)試中存在虛焊、假焊、漏焊等問(wèn)題，在日常使用過(guò)程中由于線路板上的焊點(diǎn)長(zhǎng)期暴露在空氣中受到潮濕、靜電、物理磨損、微酸腐蝕等自然和人為因素影響，導(dǎo)致產(chǎn)品容易出現(xiàn)短路、斷路、甚至燒毀等情況。 而邦定芯片是將芯片內(nèi)部電路通過(guò)金線與電路板封裝管腳連接，再用具有特殊保護(hù)功能的有機(jī)材料精密覆蓋，完成后期封裝，芯片完全受到有機(jī)材料的保護(hù)，與外界隔離，不存在潮濕、靜電、腐蝕情況的發(fā)生；同時(shí)，有機(jī)材料通過(guò)高溫融化，覆蓋到芯片上之后經(jīng)過(guò)儀器烘干，與芯片之間無(wú)縫連接，完全杜絕芯片的物理磨損，穩(wěn)定性更高。 邦定1板的類型纖維板堅(jiān)實(shí)耐用紙板比較便宜的板子，很脆，易折斷HUB主要芯片方案主要品牌慧榮、擎泰、聯(lián)盛安國(guó)、創(chuàng)惟創(chuàng)惟GL850G簡(jiǎn)介擁有低耗電、溫度低及接腳數(shù)減少等產(chǎn)品特性。 它支援4個(gè)下游連接埠，采用48pin LQFP封裝，可完全支援USB2.01.1規(guī)格，因此無(wú)論是與主機(jī)端或是與其他USB設(shè)備介面的傳輸連接（高速全速低速設(shè)備傳輸）皆能完全相容。 GL850G同時(shí)擁有過(guò)載保護(hù)功能，提供良好的EMIESD處理，亦提供self-power及bus-power自動(dòng)偵測(cè)模式，使用者將無(wú)需作重新插拔的動(dòng)作。 創(chuàng)惟GL850G創(chuàng)惟GL850A二者比較850A要比850G更穩(wěn)定！安國(guó)AU6254簡(jiǎn)介*低功耗，芯片工作電流小于10MA，具節(jié)電功能當(dāng)USB口沒有連接外部設(shè)備時(shí)，芯片不會(huì)工作，只有聯(lián)接了外接設(shè)備時(shí)，芯片才全部工作降低發(fā)熱量。 *外圍線路元件少,低成本DM，DP數(shù)據(jù)線的上拉電阻和下拉電阻包果在芯片中。 *48PIN-LQFP和6PIN-LQFP兩種封裝*單芯片USB HubController及所有處理器.*內(nèi)建1.8V調(diào)整器,5V工作電壓.*提供4個(gè)USB接口，支持USB2.0兼容1.1標(biāo)準(zhǔn)*支持?jǐn)?shù)據(jù)傳輸,支持高速480Mbps;全速12Mbps;低速1.5Mbps.*支持熱插拔,使用簡(jiǎn)便.*最多連接255個(gè)外設(shè)備，符合標(biāo)準(zhǔn)USB2.0規(guī)范湯銘FE1.1簡(jiǎn)介臺(tái)灣湯銘電子自主研發(fā)USB2.0MTT HUB，主控FE11是一款采用MultiTRAKTM多重交易轉(zhuǎn)譯器(MTT)技術(shù)的USB2.0Hub控制芯片,目前市場(chǎng)上多數(shù)的USB2.0Hub芯片,只有內(nèi)建一個(gè)Transaction Translators(STT)，因此當(dāng)Hub接收到如Full Speed的裝置進(jìn)入時(shí)，12Mbps的單一信道必須被多個(gè)裝置分享，因而造成數(shù)據(jù)傳輸時(shí)的壅塞。 如果采用MTT架構(gòu)時(shí),每一個(gè)連接埠都內(nèi)建一個(gè)TT,12Mbps的傳輸速度可以完全發(fā)揮，不被分享。 FE1.1USB2.0MTT Hub具有如下特點(diǎn)1內(nèi)置5V-3.3V，1.8V LDO.周邊線路簡(jiǎn)單,使用極少阻容元件.2低功耗,發(fā)熱小,芯片滿負(fù)荷工作24小時(shí)實(shí)測(cè)IC表面溫度為46攝氏度左右.3采用.MultiTRAKTM多重交易轉(zhuǎn)譯器(MTT)技術(shù)控制.具有良好的數(shù)據(jù)交換傳輸能力.4提供4個(gè)USB Port，支持高速USB2.0兼容USB1.1標(biāo)準(zhǔn)5.48PIN-LQFP(7*7)封裝.6極大的改善了對(duì)各類材質(zhì)USB線材的支持度.7具有自動(dòng)省電偵測(cè)功能,延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命.8采用成熟的0.18制程技術(shù),芯片晶圓面積小.方案整體成本極具竟?fàn)幜?三種類型4口HUB主控:FE1.1S28P最差勁的IC主控對(duì)線要求較高，采用10厘米線材沒有區(qū)別，超出10厘米線材就會(huì)有影響！FE1.1S48P較好的IC主控7口HUB主控:FE2.1S48P一個(gè)主控IC輸出4個(gè)USB接口，F(xiàn)E2.1S有兩個(gè)主控IC芯片對(duì)比從左至右由好及差GL850AGL850G=AU6254FE1.1S48PFE1.1S28P市面低端HUB用的最多的就是FE1.1S28P主控