【Analog layout技藝-match】.doc

我打算寫關(guān)于模擬電路layout的一系列文章。因為是第一篇，所以要介紹畫模擬電路版圖時，都要做的一些準備工作或者是要問的一些問題。模擬部分不同于數(shù)字部分，它有時很抽象，有時也很死板，有的有很高的頻率，有時有很大的電流總之就像人的情感，需要很好的控制才能發(fā)揮作用。通常在畫模擬電路之前或者整個過程中，你都要不停的問和了解比如：這個電路有什么功能，是做什么用的？它的電流總共有多少？最大電流多大，在哪些節(jié)點之間？什么地方需要有很好的對稱？什么地方需要有很好的保護？什么地方需要相互隔開？什么地方可以靠在一起，什么地方不可以？等等，這些問題是常要問的，要和designer有很好的溝通，了解設(shè)計的思路和想法這樣才能確保電路生產(chǎn)出來后，能夠正常運行。(當前以電路設(shè)計正確性為前提)match是需要注意的其中之一，為考慮器件的對稱性。電路中有很多地方需要有很好的對稱性，以下就是常見的一種：上圖為band-gap電路，器件的對稱性，直接影響對電路的好壞，這就是了解了電路，才明白對稱的意義是什么。對于對稱，不僅是在考慮器件之間的對稱性，還好考慮諸如布線的長度，走勢，布局水平還是垂直等等方方面面都有考慮對稱的必要性。如圖:器件A與器件B有兩條線相連，其中一條net01因有其他器件阻礙，所以要繞道，從而增加線的長度。從圖中，可以看出，net01和net02有很大的區(qū)別，net01走線長，還附帶出線上的寄生電容和寄生電阻等不良因素，因此信號從net01和從net02上傳輸時，就產(chǎn)生的差異。如果要求信號同時到達，以這種情況看，電路的功能便有可能不能實現(xiàn)。所以對稱性是方方面面的，隨時都應(yīng)留心。CMOS電路中，單個MOS的特性，取決于單個晶體管的寬長比(W/L),比值越大，晶體管的速度就快，反之則慢在生產(chǎn)過程中，晶片會在某個方向上存在差異性，這便導(dǎo)致了晶體管的差異。如圖：A,B兩個晶體管，只是位置有所變化，寬長比均為W/L=2/0.5=4假設(shè)在垂直方向有差異-0.05(數(shù)據(jù)均為假設(shè)，是為計算方便)A情況W=2-1.95L=0.5-0.5W/L=3.9B情況W=2-2L=0.5-0.45W/L=4.444A/B=0.8775于是差異就這樣產(chǎn)生了。電阻的計算，是1個Square為多少計算，常見的如：poly1電阻1square=8-11歐，nwell電阻1square=1K歐如果1個square邊長可以選擇5u和10u，對同一個制程，同上有垂直方向的差異，5X5的squareerror占總面積的0.05/5=1%,10X10的squareerror占square面積的0.05/10=0.5%所以為了避免或減少這些差異，便對版圖的設(shè)計者，提出了挑戰(zhàn)!以下，就是一些方法，供大家參考。一、中心對稱這是幾種對稱方式，比如MOSA寬長比W/L=4/0.6可以畫為2個W/L=2/0.6MOSB也是如此，然后按上圖排列,就是中心對稱的基本形式。中心對稱的基本思想，就是將器件平均分割，依中心位置進行排列。下圖是布線進行對稱的示圖:盡量發(fā)現(xiàn)類似的布線，并調(diào)整到平衡的位置。只要細心發(fā)現(xiàn)，就能看出布局的好與壞，這也就是布局的關(guān)鍵所在。二、組件模塊這一方法，主要針對于電阻的layout。對于一組電阻有2K,1K和500，不同的人，就會有不同的畫法，如圖：之所以會出現(xiàn)上圖這幾種畫法，原因在于所采用的最小組件不同，變化就產(chǎn)生了。所以關(guān)鍵問題，應(yīng)取決于最小組件的選擇。選定最小組件后，再進行中心對稱，達到合理的布局。在畫電阻時，我們要考慮到節(jié)點的問題，因為節(jié)點的存在，無疑加大了電阻的阻值，這是電路中不想見到的。采用電阻并聯(lián)的特性，將節(jié)點電阻進行并聯(lián)，減少了節(jié)點電阻，所以就個人的眼光看，上圖中D,即考慮了對稱性，又考慮到節(jié)點電阻的問題，是最好的選擇。從考慮節(jié)點電阻來看，組件的選擇不是最小最好，適用才是最好，主要還是按實際情況而定。提醒大家的事，一般畫電阻時，都會在兩邊或四周畫一些dummy電阻，以保護內(nèi)部電阻。有問題請callnfmao,謝謝