電子電路基礎(chǔ)知識文檔

1、電子電路基礎(chǔ)知識電路基礎(chǔ)知識 （一 ）電路基礎(chǔ)知識（ 1） 電阻導(dǎo)電體對電流的阻礙作用稱著電阻，用符號R表示，單位為歐姆、千歐、兆歐，分別用Q、KQ、MQ表示。一、電阻的型號命名方法：國產(chǎn)電阻器的型號由四部分組成（不適用敏感電阻）第一部分：主稱 ，用字母表示，表示產(chǎn)品的名字。如 R 表示電阻， W 表示電位器。第二部分：材料，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有機實心、N-無機實心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、X-線繞。第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個別類型用字母表示，表示產(chǎn)品屬于什么類型。1-普通、 2-普通、3-超高頻、4-高阻、5-

2、高溫、6-精密、7-精密、8-高壓、9-特殊、G-高功率、T-可調(diào)。第四部分 :序號，用數(shù)字表示，表示同類產(chǎn)品中不同品種，以區(qū)分產(chǎn)品的外型尺寸和性能指標(biāo)等例如： R T 1 1 型普通碳膜電阻 a1二、電阻器的分類1、線繞電阻器：通用線繞電阻器、精密線繞電阻器、大功率線繞電阻器、高頻線繞電阻器。2、薄膜電阻器：碳膜電阻器、合成碳膜電阻器、金屬膜電阻器、金屬氧化膜電阻器、化學(xué)沉積 膜電阻器、玻璃釉膜電阻器、金屬氮化膜電阻器。3、實心電阻器：無機合成實心碳質(zhì)電阻器、有機合成實心碳質(zhì)電阻器。4、敏感電阻器：壓敏電阻器、熱敏電阻器、光敏電阻器、力敏電阻器、氣敏電阻器、濕敏電阻 器。三、主要特性參數(shù)1、

3、標(biāo)稱阻值：電阻器上面所標(biāo)示的阻值。2、允許誤差：標(biāo)稱阻值與實際阻值的差值跟標(biāo)稱阻值之比的百分?jǐn)?shù)稱阻值偏差，它表示電阻器的精度。允許誤差與精度等級對應(yīng)關(guān)系如下：）.5%-0.05、1%-0.1（或00）、2%-0.2（或0）、5%- I級、士10%- H 級、20%-皿級3、 額定功率：在正常的大氣壓力90-106.6KPa及環(huán)境溫度為55C+ 70 C的條件下，電阻器 長期工作所允許耗散的最大功率。線繞電阻器額定功率系列為（W）： 1/20、 1/8、 1/4、 1/2、 1、 2、 4、 8、 10、 16、 25、 40、 50、75、 100、 150、 250、 500非線繞電阻器額定

4、功率系列為（ W）： 1/20、 1/8、 1/4、 1/2、 1、 2、 5、 10、 25、 50、 1004、額定電壓：由阻值和額定功率換算出的電壓。5、最高工作電壓：允許的最大連續(xù)工作電壓。在低氣壓工作時，最高工作電壓較低。6、 溫度系數(shù)：溫度每變化1 C所引起的電阻值的相對變化。溫度系數(shù)越小，電阻的穩(wěn)定性越好。 阻值隨溫度升高而增大的為正溫度系數(shù)，反之為負(fù)溫度系數(shù)。7、老化系數(shù)：電阻器在額定功率長期負(fù)荷下，阻值相對變化的百分?jǐn)?shù)，它是表示電阻器壽命長 短的參數(shù)。8、 電壓系數(shù)：在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)，電壓每變化1 伏，電阻器的相對變化量。9、噪聲：產(chǎn)生于電阻器中的一種不規(guī)則的電壓起伏，包括

5、熱噪聲和電流噪聲兩部分，熱噪聲是 由于導(dǎo)體內(nèi)部不規(guī)則的電子自由運動，使導(dǎo)體任意兩點的電壓不規(guī)則變化。四、電阻器阻值標(biāo)示方法1、直標(biāo)法：用數(shù)字和單位符號在電阻器表面標(biāo)出阻值，其允許誤差直接用百分?jǐn)?shù)表示，若電阻 上未注偏差，則均為 20% 。2、文字符號法：用阿拉伯?dāng)?shù)字和文字符號兩者有規(guī)律的組合來表示標(biāo)稱阻值，其允許偏差也用 文字符號表示。 符號前面的數(shù)字表示整數(shù)阻值， 后面的數(shù)字依次表示第一位小數(shù)阻值和第二位小 數(shù)阻值。表示允許誤差的文字符號文字符號 D F G J K M允許偏差 0.5% 1% 2% 5% 10% 20%3、數(shù)碼法：在電阻器上用三位數(shù)碼表示標(biāo)稱值的標(biāo)志方法。數(shù)碼從左到右，第一

6、、二位為有效 值，第三位為指數(shù)，即零的個數(shù)，單位為歐。偏差通常采用文字符號表示。4、色標(biāo)法：用不同顏色的帶或點在電阻器表面標(biāo)出標(biāo)稱阻值和允許偏差。國外電阻大部分采用 色標(biāo)法。黑-0、棕-1、紅-2、橙-3、黃 -4、綠-5 、藍-6、紫-7 、灰-8、白-9、金 - 5%、銀 - 10%、無色 -20% 當(dāng)電阻為四環(huán)時，最后一環(huán)必為金色或銀色，前兩位為有效數(shù)字， 第三位為乘方數(shù)，第四位為 偏差。 當(dāng)電阻為五環(huán)時， 最後一環(huán)與前面四環(huán)距離較大。 前三位為有效數(shù)字， 第四位為乘方數(shù)， 第五位為偏差。五、常用電阻器1、電位器 電位器是一種機電元件， 他* 電刷在電阻體上的滑動， 取得與電刷位移成一定

7、關(guān)系的輸出電壓。1.1 合成碳膜電位器 電阻體是用經(jīng)過研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基體表面而成，該工藝簡單，是目前應(yīng)用最廣泛的電位器。特點是分辯力高耐磨性好，壽命較長。缺點是電流噪聲，非線性大， 耐潮 性以及阻值穩(wěn)定性差。1.2 有機實心電位器 有機實心電位器是一種新型電位器， 它是用加熱塑壓的方法， 將有機電阻粉壓在絕緣體的凹槽內(nèi)。 有機實心電位器與碳膜電位器相比具有耐熱性好、功率大、可* 性高、耐磨性好的優(yōu)點。但溫度系數(shù)大、動噪聲大、耐潮性能差、制造工藝復(fù)雜、阻值精度較差。在小型化、高可 * 、高耐磨性 的電子設(shè)備以及交、直流電路中用作調(diào)節(jié)電壓、電流。1.3 金屬玻璃鈾電位器用絲網(wǎng)印

8、刷法按照一定圖形， 將金屬玻璃鈾電阻漿料涂覆在陶瓷基體上， 經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。 特點 是：阻值范圍寬，耐熱性好，過載能力強，耐潮，耐磨等都很好， 是很有前途的電位器品種， 缺點是接觸電阻和電流噪聲大。1.4 繞線電位器繞線電位器是將康銅絲或鎳鉻合金絲作為電阻體， 并把它繞在絕緣骨架上制成。 繞線電位器特點 是接觸電阻小，精度高，溫度系數(shù)小，其缺點是分辨力差，阻值偏低，高頻特性差。主要用作分 壓器、變阻器、儀器中調(diào)零和工作點等。1.5 金屬膜電位器金屬膜電位器的電阻體可由合金膜、 金屬氧化膜、 金屬箔等分別組成。 特點是分辯力高、 耐高溫、 溫度系數(shù)小、動噪聲小、平滑性好。1.6 導(dǎo)電塑料電位器

9、用特殊工藝將 DAP （鄰苯二甲酸二稀丙脂）電阻漿料覆在絕緣機體上，加熱聚合成電阻膜，或 將 DAP 電阻粉熱塑壓在絕緣基體的凹槽內(nèi)形成的實心體作為電阻體。特點是：平滑性好、分辯 力優(yōu)異耐磨性好、壽命長、動噪聲小、可* 性極高、耐化學(xué)腐蝕。用于宇宙裝置、導(dǎo)彈、飛機雷 達天線的伺服系統(tǒng)等。1.7 帶開關(guān)的電位器 有旋轉(zhuǎn)式開關(guān)電位器、推拉式開關(guān)電位器、推推開關(guān)式電位器1.8 預(yù)調(diào)式電位器 預(yù)調(diào)式電位器在電路中，一旦調(diào)試好，用蠟封住調(diào)節(jié)位置，在一般情況下不再調(diào)節(jié)。1.9 直滑式電位器 采用直滑方式改變電阻值。1.10 雙連電位器 有異軸雙連電位器和同軸雙連電位器1.11 無觸點電位器 無觸點電位器消

10、除了機械接觸，壽命長、可 * 性高，分光電式電位器、磁敏式電位器等。2、實芯碳質(zhì)電阻器 用碳質(zhì)顆粒壯導(dǎo)電物質(zhì)、填料和粘合劑混合制成一個實體的電阻器。 特點：價格低廉，但其阻值誤差、噪聲電壓都大，穩(wěn)定性差，目前較少用。3、繞線電阻器 用高阻合金線繞在絕緣骨架上制成，外面涂有耐熱的釉絕緣層或絕緣漆。 繞線電阻具有較低的溫度系數(shù)，阻值精度高， 穩(wěn)定性好，耐熱耐腐蝕，主要做精密大功率電阻 使用，缺點是高頻性能差，時間常數(shù)大。4、薄膜電阻器 用蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表面制成。主要如下：4.1 碳膜電阻器 將結(jié)晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數(shù)和

11、電 壓系數(shù)低，是目前應(yīng)用最廣泛的電阻器。4.2 金屬膜電阻器。 用真空蒸發(fā)的方法將合金材料蒸鍍于陶瓷棒骨架表面。 金屬膜電阻比碳膜電阻的精度高，穩(wěn)定性好，噪聲， 溫度系數(shù)小。在儀器儀表及通訊設(shè)備中大 量采用。4.3 金屬氧化膜電阻器在絕緣棒上沉積一層金屬氧化物。由于其本身即是氧化物， 所以高溫下穩(wěn)定， 耐熱沖擊，負(fù)載能 力強。4.4 合成膜電阻 將導(dǎo)電合成物懸浮液涂敷在基體上而得，因此也叫漆膜電阻。 由于其導(dǎo)電層呈現(xiàn)顆粒狀結(jié)構(gòu)，所以其噪聲大，精度低，主要用他制造高壓， 高阻， 小型電阻TO器。5、金屬玻璃鈾電阻器 將金屬粉和玻璃鈾粉混合，采用絲網(wǎng)印刷法印在基板上。耐潮濕， 高溫， 溫度系數(shù)小，

12、主要應(yīng)用于厚膜電路。6、貼片電阻 SMT片狀電阻是金屬玻璃鈾電阻的一種形式，他的電阻體是高可 * 的釕系列玻璃鈾材料經(jīng)過高溫?zé)Y(jié) 而成，電極采用銀鈀合金漿料。體積小，精度高，穩(wěn)定性好，由于其為片狀元件，所以高頻性能 好。7、敏感電阻 敏感電阻是指器件特性對溫度，電壓，濕度，光照，氣體， 磁場，壓力等作用敏感的電阻器。 敏感電阻的符號是在普通電阻的符號中加一斜線，并在旁標(biāo)注敏感電阻的類型，如： t. v 等。7.1、壓敏電阻 主要有碳化硅和氧化鋅壓敏電阻，氧化鋅具有更多的優(yōu)良特性。7.2、濕敏電阻 由感濕層，電極， 絕緣體組成，濕敏電阻主要包括氯化鋰濕敏電阻，碳濕敏電阻，氧化物濕敏 電阻。氯化鋰

13、濕敏電阻隨濕度上升而電阻減小，缺點為測試范圍小，特性重復(fù)性不好， 受溫度影 響大。碳濕敏電阻缺點為低溫靈敏度低，阻值受溫度影響大，由老化特性， 較少使用。 氧化物濕敏電阻性能較優(yōu)越， 可長期使用， 溫度影響小， 阻值與濕度變化呈線性關(guān)系。 有氧化錫， 鎳鐵酸鹽，等材料。7.3、光敏電阻 光敏電阻是電導(dǎo)率隨著光量力的變化而變化的電子元件， 當(dāng)某種物質(zhì)受到光照時， 載流子的濃度 增加從而增加了電導(dǎo)率，這就是光電導(dǎo)效應(yīng)。7.4、氣敏電阻 利用某些半導(dǎo)體吸收某種氣體后發(fā)生氧化還原反應(yīng)制成，主要成分是金屬氧化物，主要品種有： 金屬氧化物氣敏電阻、復(fù)合氧化物氣敏電阻、陶瓷氣敏電阻等。7.5、力敏電阻 力敏

14、電阻是一種阻值隨壓力變化而變化的電阻， 國外稱為壓電電阻器。 所謂壓力電阻效應(yīng)即半導(dǎo) 體材料的電阻率隨機械應(yīng)力的變化而變化的效應(yīng)。 可制成各種力矩計， 半導(dǎo)體話筒， 壓力傳感器 等。主要品種有硅力敏電阻器，硒碲合金力敏電阻器，相對而言， 合金電阻器具有更高靈敏度。 電路設(shè)計基礎(chǔ)知識（ 2） 電容 電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直，耦合， 旁路，濾波，調(diào)諧回路， 能量轉(zhuǎn)換，控制電路等方面。用C表示電容，電容單位有法拉（ F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10A6uF=10A12pF一、電容器的型號命名方法國產(chǎn)電容器的型號一般由四部分組成 （不適用于壓敏、 可變、

15、真空電容器） 。依次分別代表名稱、 材料、分類和序號。第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個別用字母表示。 第四部分：序號，用數(shù)字表示。用字母表示產(chǎn)品的材料：A-鉭電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-合金電解、H-復(fù)合介質(zhì)、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機薄膜、N-鈮電解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-云母紙、Y-云母、Z-紙介二、電容器的分類按照結(jié)構(gòu)分三大類：固定電容器、可變電容器和微調(diào)電容器。 按電解質(zhì)分類有：有機介質(zhì)電容器、無機介質(zhì)電容器、電解電容器和空氣介質(zhì)

16、電容器等。 按用途分有：高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、小型電容器。 高頻旁路：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、滌綸電容器、玻璃釉電容器。 低頻旁路：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器。濾 波：鋁電解電容器、紙介電容器、復(fù)合紙介電容器、液體鉭電容器。 調(diào) 諧：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、聚苯乙烯電容器。 高頻耦合：陶瓷電容器、云母電容器、聚苯乙烯電容器。低頻耦合：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器、固體鉭電容器。 小型電容：金屬化紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、聚苯乙烯電容器、固體鉭電容器、 玻璃釉電容器、金屬化滌綸電容器、

17、聚丙烯電容器、云母電容器。三、常用電容器1、鋁電解電容器 用浸有糊狀電解質(zhì)的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成，薄的化氧化膜作介質(zhì)的電容器.因為氧化膜有單向?qū)щ娦再|(zhì) ,所以電解電容器具有極性 .容量大，能耐受大的脈動電流容量誤差大，泄漏 電流大；普通的不適于在高頻和低溫下應(yīng)用,不宜使用在 25kHz 以上頻率低頻旁路、信號耦合、電源濾波2、鉭電解電容器 用燒結(jié)的鉭塊作正極 ,電解質(zhì)使用固體二氧化錳溫度特性、 頻率特性和可 * 性均優(yōu)于普通電解電容 器，特別是漏電流極小，貯存性良好，壽命長，容量誤差小，而且體積小，單位體積下能得到最 大的電容電壓乘積對脈動電流的耐受能力差，若損壞易呈短路狀態(tài)超小型高

18、可 * 機件中3、薄膜電容器 結(jié)構(gòu)與紙質(zhì)電容器相似， 但用聚脂、 聚苯乙烯等低損耗塑材作介質(zhì)頻率特性好， 介電損耗小不能 做成大的容量，耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時電路4、瓷介電容器 穿心式或支柱式結(jié)構(gòu)瓷介電容器，它的一個電極就是安裝螺絲。 引線電感極小， 頻率特性好， 介 電損耗小，有溫度補償作用不能做成大的容量，受振動會引起容量變化特別適于高頻旁路5、獨石電容器（ 多層陶瓷電容器 ） 在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料，疊合后一次繞結(jié)成一塊不可分割的整體，外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可* 和耐高溫的新型電容器，高介電常數(shù)的低頻獨石電容器也具有穩(wěn)定的性能，體積極小， Q 值

19、高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振 蕩電路6、紙質(zhì)電容器一般是用兩條鋁箔作為電極，中間以厚度為0.0080.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡單，價格便宜，能得到較大的電容量一般在低頻電路內(nèi)，通常不能在高于3 4MHz 的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質(zhì)電容器高，穩(wěn)定性也好，適用于高壓電路7、微調(diào)電容器 電容量可在某一小范圍內(nèi)調(diào)整，并可在調(diào)整后固定于某個電容值。 瓷介微調(diào)電容器的 Q 值高，體積也小，通?？煞譃閳A管式及圓片式兩種。8、云母和聚苯乙烯介質(zhì)的通常都采用彈簧式東，結(jié)構(gòu)簡單，但穩(wěn)定性較差。線繞瓷介微調(diào)電容器是拆銅絲外電極來變動電容量的，故容量只能變小， 不適合

20、在需反復(fù)調(diào)試的場合使用9、陶瓷電容器用高介電常數(shù)的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器， 用于高穩(wěn)定振蕩回路中， 作為回路電容器及墊整電容器。 低 頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合包括高頻在內(nèi)。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。高頻 瓷介電容器適用于高頻電路云母電容器就結(jié)構(gòu)而言， 可分為箔片式及被銀式。 被銀式電極為直接在云母片上用真空蒸發(fā)法或 燒滲法鍍上銀層而成，由于消除了空氣間隙， 溫度系數(shù)大為

21、下降， 電容穩(wěn)定性也比箔片式高。 頻 率特性好， Q 值高， 溫度系數(shù)小不能做成大的容量廣泛應(yīng)用在高頻電器中，并可用作標(biāo)準(zhǔn)電容器介質(zhì)再以銀層電極經(jīng)燒結(jié)10、玻璃釉電容器由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成，200 C或更高溫度下而成獨石 結(jié)構(gòu)性能可與云母電容器媲美，能耐受各種氣候環(huán)境，一般可在工作，額定工作電壓可達500V，損耗tg S 0.0005- 0.008四、電容器主要特性參數(shù)：1、標(biāo)稱電容量和允許偏差 標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。 電容器實際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。精度等級與允許誤差對應(yīng)關(guān)系：00 ( 01) - %、0 ( 02) -

22、 %、1 - j%- 0%、皿-戈0%、IV -( +20%-10% )V - ( +50%-20% )、W - ( +50%-30% )一般電容器常用I、H、皿級，電解電容器用V、V、W級，根據(jù)用途選取。2、額定電壓在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標(biāo)注在電容器外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的永久損壞。3、絕緣電阻直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻.當(dāng)電容較小時，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量 0.1uf 時，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電 阻越小越好。電容的時間常數(shù)： 為恰當(dāng)?shù)脑u價大容量電容的絕緣

23、情況而引入了時間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。4、損耗電容在電場作用下， 在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。 各類電容都規(guī)定了其在某頻率 范圍內(nèi)的損耗允許值， 電容的損耗主要由介質(zhì)損耗， 電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起 的。在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下， 電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。5、頻率特性 隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。五、電容器容量標(biāo)示1 、直標(biāo)法用數(shù)字和單位符號直接標(biāo)岀。如01uF表示0.01微法，有些電容用“ R表示小數(shù)點，如 R56表示0.56 微法。2

24、、文字符號法用數(shù)字和文字符號有規(guī)律的組合來表示容量。 如 p10 表示 0.1pF,1p0 表示 1pF,6P8 表示 6.8pF, 2u2 表示 2.2uF.3、色標(biāo)法 用色環(huán)或色點表示電容器的主要參數(shù)。電容器的色標(biāo)法與電阻相同。電容器偏差標(biāo)志符號：+100%-0-H 、 +100%-10%-R 、 +50%-10%-T 、 +30%-10%-Q 、 +50%-20%-S、 +80%-20%-Z 。電路設(shè)計基礎(chǔ)知識( 3 ) 電感線圈電感線圈是由導(dǎo)線一圈 *一圈地繞在絕緣管上，導(dǎo)線彼此互相絕緣，而絕緣管可以是空心的，也 可以包含鐵芯或磁粉芯，簡稱電感。用 L 表示，單位有亨利 (H) 、毫亨

25、利 (mH) 、微亨利 (uH) ， 1H=10A3mH=10A6uH 。一、電感的分類按 電感形式 分類：固定電感、可變電感。 按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。按 工作性質(zhì) 分類：天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈 按 繞線結(jié)構(gòu) 分類：單層線圈、多層線圈、蜂房式線圈。二、電感線圈的主要特性參數(shù)1、電感量 L電感量 L 表示線圈本身固有特性，與電流大小無關(guān)。除專門的電感線圈（色碼電感）外，電感 量一般不專門標(biāo)注在線圈上，而以特定的名稱標(biāo)注。2、感抗 XL電感線圈對交流電流阻礙作用的大小稱感抗 XL ，單位是歐姆。它與電感量 L 和交流電頻率 f 的 關(guān)

26、系為XL=2n fL3、品質(zhì)因素 QQ 為感抗 XL 與其等效的電阻的比值，即： Q=XL/R品質(zhì)因素 Q 是表示線圈質(zhì)量的一個物理量，線圈的 Q 值愈高，回路的損耗愈小。線圈的Q 值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q 值通常為幾十到幾百。4、分布電容線圈的匝與匝間、 線圈與屏蔽罩間、 線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。 分布電容的存在 使線圈的 Q 值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。三、常用線圈1、單層線圈 單層線圈是用絕緣導(dǎo)線一圈挨一圈地繞在紙筒或膠木骨架上。如晶體管收音機中波天線線圈。2、蜂房式線圈如果所繞制

27、的線圈， 其平面不與旋轉(zhuǎn)面平行， 而是相交成一定的角度， 這種線圈稱為蜂房式線圈。 而其旋轉(zhuǎn)一周， 導(dǎo)線來回彎折的次數(shù)， 常稱為折點數(shù)。 蜂房式繞法的優(yōu)點是體積小， 分布電容小， 而且電感量大。蜂房式線圈都是利用蜂房繞線機來繞制，折點越多，分布電容越小3、鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈線圈的電感量大小與有無磁芯有關(guān)。 在空芯線圈中插入鐵氧體磁芯， 可增加電感量和提高線圈的 品質(zhì)因素。4、銅芯線圈 銅芯線圈在超短波范圍應(yīng)用較多， 利用旋動銅芯在線圈中的位置來改變電感量， 這種調(diào)整比較方 便、耐用。5、色碼電感器 色碼電感器是具有固定電感量的電感器，其電感量標(biāo)志方法同電阻一樣以色環(huán)來標(biāo)記。6、阻流圈（扼流

28、圈） 限制交流電通過的線圈稱阻流圈，分高頻阻流圈和低頻阻流圈。7、偏轉(zhuǎn)線圈 偏轉(zhuǎn)線圈是電視機掃描電路輸出級的負(fù)載，偏轉(zhuǎn)線圈要求：偏轉(zhuǎn)靈敏度高、磁場均勻、 Q 值高、 體積小、價格低。變壓器 變壓器是變換交流電壓、電流和阻抗的器件，當(dāng)初級線圈中通有交流電流時，鐵芯（或磁芯）中 便產(chǎn)生交流磁通，使次級線圈中感應(yīng)出電壓（或電流）。變壓器由鐵芯（或磁芯）和線圈組成， 線圈有兩個或兩個以上的繞組，其中接電源的繞組叫初級線圈，其余的繞組叫次級線圈。一、分類 按冷卻方式分類：干式（自冷）變壓器、油浸（自冷）變壓器、氟化物（蒸發(fā)冷卻）變壓器。 按防潮方式分類：開放式變壓器、灌封式變壓器、密封式變壓器。按鐵芯或

29、線圈結(jié)構(gòu)分類：芯式變壓器（插片鐵芯、 C 型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、殼式變壓器（插片 鐵芯、 C 型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、環(huán)型變壓器、金屬箔變壓器。按電源相數(shù)分類：單相變壓器、三相變壓器、多相變壓器。 按用途分類：電源變壓器、調(diào)壓變壓器、音頻變壓器、中頻變壓器、高頻變壓器、脈沖變壓器。二、電源變壓器的特性參數(shù)1 工作頻率 變壓器鐵芯損耗與頻率關(guān)系很大，故應(yīng)根據(jù)使用頻率來設(shè)計和使用，這種頻率稱工作頻率。2 額定功率 在規(guī)定的頻率和電壓下，變壓器能長期工作，而不超過規(guī)定溫升的輸出功率。3 額定電壓 指在變壓器的線圈上所允許施加的電壓，工作時不得大于規(guī)定值。4 電壓比 指變壓器初級電壓和次級電壓的比值，有

30、空載電壓比和負(fù)載電壓比的區(qū)別。5 空載電流 變壓器次級開路時，初級仍有一定的電流， 這部分電流稱為空載電流。 空載電流由磁化電流（產(chǎn) 生磁通）和鐵損電流（由鐵芯損耗引起）組成。對于 50Hz 電源變壓器而言，空載電流基本上等 于磁化電流。6 空載損耗：指變壓器次級開路時，在初級測得功率損耗。 主要損耗是鐵芯損耗，其次是空載電 流在初級線圈銅阻上產(chǎn)生的損耗（銅損），這部分損耗很小。7 效率指次級功率 P2 與初級功率 P1 比值的百分比。通常變壓器的額定功率愈大，效率就愈高。8 絕緣電阻 表示變壓器各線圈之間、 各線圈與鐵芯之間的絕緣性能。 絕緣電阻的高低與所使用的絕緣材料的 性能、溫度高低和潮

31、濕程度有關(guān)。三、音頻變壓器和高頻變壓器特性參數(shù)1 頻率響應(yīng) 指變壓器次級輸出電壓隨工作頻率變化的特性。2 通頻帶如果變壓器在中間頻率的輸岀電壓為U0，當(dāng)輸岀電壓（輸入電壓保持不變）下降到 0.707U0時的頻率范圍，稱為變壓器的通頻帶 B。3 初、次級阻抗比變壓器初、次級接入適當(dāng)?shù)淖杩筊o和Ri,使變壓器初、次級阻抗匹配，則Ro和Ri的比值稱為初、次級阻抗比。在阻抗匹配的情況下，變壓器工作在最佳狀態(tài)，傳輸效率最高。電路設(shè)計基礎(chǔ)知識（二）一、中國半導(dǎo)體器件型號命名方法 半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN 型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分

32、意義如下： 第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、 3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N 型鍺材料、 B-P型鍺材料、 C-N 型硅材料、 D-P 型硅材料。表示三極管時： A-PNP 型鍺材料、 B-NPN 型鍺材料、 C-PNP 型硅材料、 D-NPN 型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管（F3 MHz,Pc1W ）、A-高頻大功率管（f3MHz,Pc1W ）、T-半導(dǎo)體晶

33、閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。第四部分：用數(shù)字表示序號 第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號 例如： 3DG18 表示 NPN 型硅材料高頻三極管 日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法二、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個 pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、一一依此類推。第

34、二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會 JEIA注冊標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP 型高頻管、 B-PNP 型低頻管、 C-NPN型高頻管、 D-NPN 型低頻管、 F-P 控制極可控硅、 G-N 控制極可控硅、 H-N 基極單結(jié)晶體管、 J -P 溝道場效應(yīng)管、 K-N 溝道場效應(yīng)管、 M- 雙向可控硅。第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會 JEIA 登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會 JEIA 登記的順序號； 不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號； 數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品

35、。第五部分： 用字母表示同一型號的改進型產(chǎn)品標(biāo)志。 A、 B、 C、 D、 E、 F 表示這一器件是原型 號產(chǎn)品的改進產(chǎn)品。美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法三、美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：第一部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非軍用品。第二部分：用數(shù)字表示 pn 結(jié)數(shù)目。 1-二極管、 2=三極管、 3-三個 pn 結(jié)器件、 n-n 個 pn 結(jié)器件。第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA ）注冊標(biāo)志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA ）注冊登記。第四部分

36、： 美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。 多位數(shù)字 -該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標(biāo)志、3251-EIA登記順序號、 A-2N3251A 檔。四、國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件型號命名方法 德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家， 大都采用國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件

37、使用材料的禁帶寬度Eg=0.61.0eV如錯、B-器件使用材料的Eg=1.01.3eV如硅、C-器件使用材料的 Eg1.3eV如砷化鎵、D-器件使用材料的 Eg0.6eV如銻化銦、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其 他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、 M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關(guān)管、T-大功率晶閘管、U- 大功率開關(guān)管

38、、X-倍增二極管、丫-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字 -表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號。第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E-表示同一型號的器件按某一參數(shù)進行分檔的標(biāo)志。除四個基本部分外，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進一步分類。常見后綴如下：1、穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母 A、 B、 C、 D、 E 分別表示容許誤差為 1%、 2%、 5%、 10%、 15%；其后綴第二部分 是數(shù)字，表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三

39、部分是字母V ，代表小數(shù)點，字母 V 之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小 的那個電壓值。如： BDX51- 表示 NPN 硅低頻大功率三極管， AF239S- 表示 PNP 鍺高頻小功率三極管。五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號命名法 歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法。第一部分：0-表示半導(dǎo)體器件第二部分：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。第三部分：多位數(shù)字 -表示器件的登記序

40、號。第四部分：A、B、C-表示同一型號器件的變型產(chǎn)品。俄羅斯半導(dǎo)體器件型號命名法由于使用少，在此不介紹。一、半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號及其意義CT- 勢壘電容Cj- 結(jié)（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv- 偏壓結(jié)電容Co- 零偏壓電容Cjo- 零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn- 結(jié)電容變化Cs-管殼電容或封裝電容Ct- 總電容CTV- 電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比CTC- 電容溫度系數(shù)Cvn- 標(biāo)稱電容IF-正向直流電流 （正向測試電流） 。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓 VF 下，通過極間的電流； 硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件

41、下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值）， 硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流； 測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電 流IF（AV ）-正向平均電流IFM （IM ）-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH- 恒定電流、維持電流。Ii- 發(fā)光二極管起輝電流IFRM- 正向重復(fù)峰值電流IFSM- 正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流）Io- 整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流IF（ov）- 正向過載電流IL- 光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID- 暗電流IB2- 單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流I

42、EM- 發(fā)射極峰值電流IEB10- 雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20- 雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM- 最大輸出平均電流IFMP- 正向脈沖電流IP- 峰點電流IV- 谷點電流IGT- 晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD- 晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM- 控制極正向峰值電流IR（ AV ）-反向平均電流IR（In）-反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波 電阻性負(fù)載電路中， 加反向電壓規(guī)定值時， 所通過的電流； 硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓 V R 時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下， 產(chǎn)生的漏電流； 整流管在正弦半波最高反向工

43、作 電壓下的漏電流。IRM- 反向峰值電流IRR- 晶閘管反向重復(fù)平均電流IDR- 晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流IRRM- 反向重復(fù)峰值電流IRSM- 反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流）Irp- 反向恢復(fù)電流Iz- 穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流Izk- 穩(wěn)壓管膝點電流IOM- 最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負(fù)荷的正 弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流IZSM- 穩(wěn)壓二極管浪涌電流IZM- 最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流 iF- 正向總瞬時電流iR- 反向總瞬時電流ir- 反向恢復(fù)電流

44、Iop- 工作電流Is- 穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流f- 頻率n-電容變化指數(shù)；電容比Q-優(yōu)值(品質(zhì)因素)5 vz-穩(wěn)壓管電壓漂移di/dt- 通態(tài)電流臨界上升率dv/dt- 通態(tài)電壓臨界上升率PB- 承受脈沖燒毀功率PFT(AV ) -正向?qū)ㄆ骄纳⒐β蔖FTM- 正向峰值耗散功率PFT-正向?qū)偹矔r耗散功率Pd-耗散功率PG-門極平均功率PGM- 門極峰值功率PC-控制極平均功率或集電極耗散功率Pi-輸入功率PK- 最大開關(guān)功率PM- 額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于 150 度所能承受的最大功率PMP- 最大漏過脈沖功率PMS- 最大承受脈沖功率Po-輸出功率PR-反向浪涌功率Ptot- 總耗散

45、功率Pomax- 最大輸出功率Psc-連續(xù)輸出功率PSM- 不重復(fù)浪涌功率PZM- 最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率RF(r)-正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在 某一正向電壓下，電壓增加微小量V，正向電流相應(yīng)增加 I，則 V/ I稱微分電阻RBB- 雙基極晶體管的基極間電阻RE- 射頻電阻RL- 負(fù)載電阻Rs(rs) 串聯(lián)電阻Rth 熱阻R(th)ja 結(jié)到環(huán)境的熱阻Rz(ru)- 動態(tài)電阻R(th)jc- 結(jié)到殼的熱阻r 5-衰減電阻r(th)- 瞬態(tài)電阻Ta-環(huán)境溫度Tc- 殼溫td-延遲時間tf- 下降時間tfr- 正

46、向恢復(fù)時間tg- 電路換向關(guān)斷時間tgt- 門極控制極開通時間Tj- 結(jié)溫Tjm- 最高結(jié)溫 ton- 開通時間 toff- 關(guān)斷時間 tr- 上升時間 trr- 反向恢復(fù)時間 ts-存儲時間 tstg- 溫度補償二極管的貯成溫度 a-溫度系數(shù)入p-發(fā)光峰值波長 入-光譜半寬度 n-單結(jié)晶體管分壓比或效率 VB- 反向峰值擊穿電壓 Vc- 整流輸入電壓 VB2B1- 基極間電壓VBE10- 發(fā)射極與第一基極反向電壓VEB- 飽和壓降VFM- 最大正向壓降（正向峰值電壓） VF- 正向壓降（正向直流電壓） VF- 正向壓降差 VDRM- 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 VGT- 門極觸發(fā)電壓 VGD- 門極不

47、觸發(fā)電壓 VGFM- 門極正向峰值電壓 VGRM- 門極反向峰值電壓 VF（AV）-正向平均電壓 Vo- 交流輸入電壓VOM- 最大輸出平均電壓 Vop- 工作電壓 Vn- 中心電壓 Vp- 峰點電壓VR- 反向工作電壓（反向直流電壓） VRM- 反向峰值電壓（最高測試電壓） V（BR）-擊穿電壓Vth- 閥電壓（門限電壓）VRRM- 反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓） VRWM- 反向工作峰值電壓V v- 谷點電壓 Vz- 穩(wěn)定電壓 Vz- 穩(wěn)壓范圍電壓增量Vs- 通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓 av- 電壓溫度系數(shù)Vk- 膝點電壓（穩(wěn)流二極管） VL - 極限電壓 二、雙極型晶體管

48、參數(shù)符號及其意義Cc- 集電極電容Ccb- 集電極與基極間電容 Cce-發(fā)射極接地輸出電容 Ci- 輸入電容Cib- 共基極輸入電容Cie- 共發(fā)射極輸入電容Cies-共發(fā)射極短路輸入電容 Cieo- 共發(fā)射極開路輸入電容 Cn- 中和電容（外電路參數(shù)） Co- 輸出電容Cob-共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容Coe-共發(fā)射極輸出電容Coeo-共發(fā)射極開路輸出電容Cre-共發(fā)射極反饋電容Cic- 集電結(jié)勢壘電容CL- 負(fù)載電容（外電路參數(shù)） Cp- 并聯(lián)電容（外電路參數(shù)） BVcbo- 發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓 BVceo- 基極開路， CE 結(jié)擊穿電壓 BVeb

49、o- 集電極開路 EB 結(jié)擊穿電壓 BVces-基極與發(fā)射極短路 CE 結(jié)擊穿電壓 BV cer- 基極與發(fā)射極串接一電阻，CE 結(jié)擊穿電壓D- 占空比 fT- 特征頻率 fmax- 最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1 時的工作頻率hFE-共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù) hIE- 共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗 hOE- 共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo) h RE- 共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù) hie- 共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗 hre-共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數(shù) hfe- 共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù) hoe-共發(fā)射極小信號開路輸出導(dǎo)納IB- 基極直流電流或交流電流的平均值 Ic- 集電極直流電流或交流電流的平

50、均值IE- 發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值Icbo- 基極接地，發(fā)射極對地開路，在規(guī)定的VCB 反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流Iceo- 發(fā)射極接地，基極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE 條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Iebo- 基極接地，集電極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB 條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流leer-基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R,集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Ices- 發(fā)射極接地，基極對地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE 條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Icex- 發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定

51、偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE 下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流ICM- 集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。IBM- 在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值， 或交流電流的最大平均值ICMP- 集電極最大允許脈沖電流ISB- 二次擊穿電流IAGC- 正向自動控制電流Pc-集電極耗散功率PCM- 集電極最大允許耗散功率Pi-輸入功率Po-輸出功率Posc-振蕩功率Pn-噪聲功率Ptot- 總耗散功率ESB- 二次擊穿能量rbb- 基區(qū)擴展電阻（基區(qū)本征電阻）rbbCc-基極 -集電極時間常數(shù)，即基極擴展電阻與集電結(jié)電容量的乘積rie- 發(fā)射極接地，交流輸出短路

52、時的輸入電阻roe-發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、lc或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸岀電阻RE- 外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)）RB- 外接基極電阻（外電路參數(shù)）Rc -外接集電極電阻（外電路參數(shù)）RBE- 外接基極 -發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)）RL- 負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）RG-信號源內(nèi)阻Rth- 熱阻Ta- 環(huán)境溫度Tc- 管殼溫度Ts-結(jié)溫Tjm- 最大允許結(jié)溫Tstg- 貯存溫度td 延遲時間tr- 上升時間ts-存貯時間tf- 下降時間ton- 開通時間toff- 關(guān)斷時間VCB- 集電極 -基極（直流）電壓VCE- 集電極 -發(fā)射極（直流）電壓VBE- 基極發(fā)射極（直流）電壓

53、VCBO- 基極接地，發(fā)射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓VEBO- 基極接地，集電極對地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓VCEO- 發(fā)射極接地，基極對地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓VCER-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R，集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓VCES- 發(fā)射極接地，基極對地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓VCEX- 發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最 高耐壓Vp- 穿通電壓。VSB- 二次擊穿電壓VBB- 基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）Vcc- 集電極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）VEE- 發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）VCE（sat）- 發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB 條件下的集電極 -發(fā)射極間飽和壓降VBE（sat）- 發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB 條件下，基極 -發(fā)射極飽和壓降（前向壓降）VAGC- 正向自動增益控制電壓Vn（p-p）- 輸入端等效噪聲電壓峰值V n-噪聲電壓Cj- 結(jié)（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv- 偏壓結(jié)電容Co- 零偏壓電容Cjo- 零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn- 結(jié)電容變化Cs-管殼電容或封裝電容Ct- 總電容CTV- 電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度