學(xué)士學(xué)位論文封面式樣

1、附件 7：南昌大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)書寫式樣一、頁(yè)面設(shè)置：上 2.54cm,下 2.54cm,左 3.67cm右 2.67cm,頁(yè)眉 1.5cm,頁(yè)腳 1.75cm,行間距 1.35倍。二、目錄：“目錄”兩字小三號(hào)宋體加粗,目錄內(nèi)容小四號(hào)宋體,頁(yè)碼數(shù)字對(duì)齊。三、頁(yè)眉和頁(yè)碼：頁(yè)眉和頁(yè)碼從中文摘要開(kāi)始,頁(yè)眉為相應(yīng)內(nèi)容的標(biāo)題,頁(yè)碼從中文摘要、Abstract、目錄用羅馬數(shù)字(1,11 , III)編排，從正文第一章開(kāi) 始按照阿拉伯?dāng)?shù)字(1, 2, 3)編排。四、摘要1 中文摘要：標(biāo)題小二號(hào)宋體加粗， “專業(yè)、學(xué)號(hào)、姓名、指導(dǎo)教師”五號(hào) 宋體，“摘要”兩字四號(hào)宋體，摘要內(nèi)容小四號(hào)宋體， “關(guān)鍵詞”

2、三字小 四號(hào)宋體加粗，2.英文摘要：標(biāo)題小二號(hào)Times New Roman體加粗“Abstract”四號(hào)Times New Roman 體 ；“Abstract” 內(nèi) 容小四 號(hào) Times New Roman 體， “Keyword” 小四號(hào) Times New Roman 體加粗。五、正文：標(biāo)題四號(hào)宋體，正文內(nèi)容小四號(hào)宋體。六、圖表：圖表內(nèi)容五號(hào)宋體。七、參考文獻(xiàn)：“參考文獻(xiàn)”四字四號(hào)宋體，參考文獻(xiàn)內(nèi)容小四號(hào)宋體，其中英 文用小四號(hào) Times New Roman 體。八、致謝：“致謝”兩字四號(hào)宋體，致謝內(nèi)容小四號(hào)宋體。具體書寫式樣如下：宋體，30磅，居中OFBACHELOR _ -Ti

3、mes New Roman，四號(hào)，居中20 年）一中文：宋體；數(shù)字：Times NewRoman 四號(hào)，居中-nTHESIS(20專業(yè)班級(jí)：學(xué)生姓名：學(xué)號(hào)：指導(dǎo)教師：職稱：起訖日期：I南昌大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文原創(chuàng)性申明本人鄭重申明：所呈交的論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下獨(dú)立進(jìn)行研究所取得的 研究成果。除了文中特別加以標(biāo)注引用的內(nèi)容外， 本論文不包含任何其他個(gè)人或 集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫的成果。對(duì)本文的研究作出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在 文中以明確方式表明。本人完全意識(shí)到本申明的法律后果由本人承擔(dān)。日期:作者簽名:學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、 使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保 留

4、并向國(guó)家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借 閱。本人授權(quán)南昌大學(xué)可以將本論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢 索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。保密，在 年解密后適用本授權(quán)書。本學(xué)位論文屬于不保密口。（請(qǐng)?jiān)谝陨舷鄳?yīng)方框內(nèi)打“V”）作者簽名：日期：頁(yè)眉：中文宋體，五號(hào)，居中III- V族氮化物及其高亮度藍(lán)光丄上體，小二號(hào)，居中LED外延片的MOCVD生長(zhǎng)和性質(zhì)研究專 業(yè)：學(xué)號(hào)：一宋體，五號(hào)，對(duì)齊居中摘要標(biāo)題：宋體，四號(hào)，兩端對(duì)齊， 1.35倍行距 度發(fā)光文宋件、|外波長(zhǎng)激T光es NewRoman小四, 廣泛鍵詞應(yīng)用前景。三字加粗，關(guān)鍵詞94

5、“； ”分隔學(xué)生姓名：指導(dǎo)教師：寬禁帶III - V族氮化物半導(dǎo)體材料在短波長(zhǎng)高亮器、光探測(cè)器以及高頻和大功率電子器件等方面有著年日本日亞化學(xué)工業(yè)公司率先在國(guó)際上突破了GaN基藍(lán)光LED外延材料生長(zhǎng)技術(shù)以來(lái)，美、日等國(guó)十余家公司相繼報(bào)導(dǎo)掌握了這項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，并分別實(shí)現(xiàn)了批量 或小批量生產(chǎn)GaN基 LED盡管如此，這項(xiàng)高技術(shù)仍處于高度保密狀態(tài)，材料生長(zhǎng)的關(guān)鍵思想及核心技術(shù)仍未公開(kāi)，還無(wú)法從參考文獻(xiàn)及專利公報(bào)中獲取最重要 的材料生長(zhǎng)信息。本論文就是在這種情況下立題的，旨在研究GaN基材料生長(zhǎng)中 的物理及化學(xué)問(wèn)題，為生長(zhǎng)可商品化的高亮度 GaN基 LED外延材料提供科學(xué)依據(jù)。本文在自制常壓 MOCV和

6、英國(guó)進(jìn)口 MOCV系統(tǒng)上對(duì)III -V族氮化物的生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了研究，對(duì)材料的性能進(jìn)行了表征。通過(guò)設(shè)計(jì)并優(yōu)化外延片多層結(jié)構(gòu)， 生長(zhǎng)的藍(lán)光LED外延片質(zhì)量達(dá)到了目前國(guó)際上商品化的中高檔水平。并獲得了 如下有創(chuàng)新和有意義的研究結(jié)果：1 首次提出了采用偏離化學(xué)計(jì)量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長(zhǎng)單 晶膜的思想，并在GaN外延生長(zhǎng)上得以實(shí)現(xiàn)。采用這種緩沖層，顯著改善了GaN外延膜的結(jié)晶性能，使 GaN基藍(lán)光LED器件整體性能大幅度提高，大大降低了 GaN基藍(lán)光LED的反向漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸出功率。本文得到了國(guó)家863計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金以及教育部發(fā)光材料與器件工 程研究中心項(xiàng)目的

7、資助。關(guān)鍵詞：氮化物；MOCVD ; LED;盧瑟福背散射溝道；光致發(fā)光；光透射譜目錄Study on MOCVD growth and properties of III- V_Times NewRoman 小二nitrides and high brightness blU LED Wa居中 rsAbstractGaN based 川-V nitrides have potential applications on high brightness LEDs,short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature a

8、nd high powerelectr onic devices. Study on physics issues and te area of 3th gen erati on semic on ductor.chn題l：omssofeWiRodes, own 兩端對(duì)齊,內(nèi)容：Times New Roman，小四，兩端對(duì)齊,More tha n ten compa nies in America and Jap n itrides growth tech no logy since Nichia compa ny i commercialization of GaN based blue L

9、ED in 1994.關(guān)鍵詞：“ Keyword ”三字加粗，關(guān)鍵詞用“;tofirst realized the1.35倍行距1.35倍行距”分隔In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6x 2”MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the n

10、itrides growth tech no logy and wafer structure. Some en courag ing results are follow ing as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilay

11、er crystalline quality was improved and the dislocation density was decreasedby using GaN low and high temperature buffer layers of deviati on from stoichiometry. The RBS/cha nn eli ng spectra exhibited that the minimum yield x of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based

12、 LED was obviously decreased and lower than 1 卩 A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer tech no logy.This work was supported by 863 program in China.Keyword: Nitrides ； MOCVD ； LED ； Photoluminescence RBS/channeling； Optical absorpti on摘要目錄宋體，小三號(hào)，居中Abstract U第一章GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展（多數(shù)文章為“緒論”

13、）11 .1 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用 11.2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 41.3摻雜和雜質(zhì)特性 121.4氮化物材料的制備 131.5氮化物器件 191.6 GaN基材料與其它材料的比較 221. 7本論文工作的內(nèi)容與安排 24第二章氮化物MOCVD生長(zhǎng)系統(tǒng)和生長(zhǎng)工藝 312. 1 MOCVD材料生長(zhǎng)機(jī)理312. 2本論文氮化物生長(zhǎng)所用的 MOCVD設(shè)備32結(jié)論 參考文獻(xiàn)（ReferenceS目錄內(nèi)容：中文宋體;英文和數(shù)字Times - NewRoman 小四頁(yè)碼編號(hào)：摘要Abstract使用頁(yè)碼1,11,；正 文開(kāi)始使用頁(yè)碼.1,2”3,.;.小節(jié).標(biāo)題左側(cè)縮進(jìn).1.

14、字符；頁(yè)碼數(shù)字居中對(duì)齊 36 38 50致謝iii第一章 GaN基半導(dǎo)體材料及器件章標(biāo)題：中文宋體，英文 Times New Roman,四號(hào)居中第一章GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展一節(jié)標(biāo)題：中文宋體，英文 Times New Roman，四號(hào)居左1 .1 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用在科學(xué)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程中，材料永遠(yuǎn)扮演著重要角色。在與現(xiàn)代科技成就息 息相關(guān)的千萬(wàn)種材料中，半導(dǎo)體材料的作用尤其如此。以 Si為代表的第一代半 導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計(jì)算機(jī)的發(fā)明。器，前哦年進(jìn)展緩an，小四,正文文字：中文宋余丿究/歷L時(shí)30 /余 |， 前 前 20進(jìn)展

15、緩兩端對(duì)齊，段落首行左縮進(jìn).2個(gè)漢字符，行距1.35倍設(shè)置該段的以GaAs為代表的第二代半導(dǎo)體誕生于 20世紀(jì)60年代，它們成為制作光電子 件的基礎(chǔ)。山-V族氮化物半導(dǎo)體材料及器件研究歷字慢，后10年發(fā)展迅猛。由于川族氮化物特有的帶隙范圍學(xué)公優(yōu)良的光據(jù)表電性設(shè) 優(yōu)異的材料機(jī)械和化學(xué)性能，使得它在短波長(zhǎng)光電子器件方面有著廣泛的應(yīng)用前 景；并且非常適合制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成 族氮化物半導(dǎo)體材料已引起了國(guó)內(nèi)外眾多研究者的興趣1. 2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 表標(biāo)題置于表的上方，中文宋體，英文Times New Roman，五號(hào)加粗居中，表序與表名文字 之間空一個(gè)漢字符寬度；內(nèi)容

16、：中文宋體，英文 Times New Roman，五號(hào)，行距 1.35。表1-1用不同技術(shù)得到的帶隙溫度系數(shù)、Ego、c和To的值樣品類型實(shí)驗(yàn)方法帶隙溫度系數(shù)dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)o(c (eV/K)T0 (K)參考文獻(xiàn)GaN/Al 2O3光致發(fā)光-4-5.32 疋103.503-45.0810-99661GaN/Al 2O3光致發(fā)光3.489-47.32X1070059GaN/Al 2O3光致發(fā)光-4-4.0 00-4-7.2X1060062GaN/Al 2O3光吸收-4-4.5X103.471-4-9.3 匯1077263-2 -第一章GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)

17、展圖標(biāo)題置于圖的下方，中文宋體，英文TimesNew Roman，五號(hào)加粗居中，圖序與圖名文字 之間空一個(gè)漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英文 Times New Roman，五號(hào)，行距 1.35 。-3 - T氣流測(cè)溫元件測(cè)溫元件圖1-1熱風(fēng)速計(jì)原理第二章氮化物MOCVD生長(zhǎng)系統(tǒng)和生長(zhǎng)工藝第二章氮化物MOCVD生長(zhǎng)系統(tǒng)和生長(zhǎng)工藝2.1 MOCVD材料生長(zhǎng)機(jī)理圖2-1 DDS方式 AWG的工作流程-31 -參考文獻(xiàn)參考文獻(xiàn)標(biāo)題：中文宋體，四號(hào)，居中12Well .Multiple-modulator fractio n-n dividerP .US Pate nt, 5038117.1986-02

18、-02Brian Miller . A multiple modulator fractionl dividerJ . IEEE Transaction on3instrumentation and Measurement 1991，40（2）: 萬(wàn)心平，張厥盛.集成鎖相環(huán)路一一原理、特性、應(yīng) 電出版社，1990. 302-307.83.57參考文獻(xiàn)內(nèi)容：中文宋體，英文Times New人距民參考文獻(xiàn)應(yīng)在文倍行Roman,中相應(yīng)地方按出現(xiàn)順序標(biāo)引。4Miler. Frequency synthesizersP US Paten, 4609881. 1991-08-06.Candy J C. A use of double-integretion in sigma-delta modulationJ. IEEETrans Commun, 1985, 33（COM）: 249-258.丁孝永.調(diào)制式小