mm硅單晶拋光試驗(yàn)片.doc

1、ICSGB/T中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T-200X300mm硅單晶拋光試驗(yàn)片300mm Monocrystalline silicon as polished test slices（非等效）（征求意見稿）（本稿完成日期：2009.9.10 ） - -發(fā)布 - -實(shí)施國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā) 布GB/T-200X前言集成電路技術(shù)作為信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)備受全球矚目。當(dāng)前，國際主流生產(chǎn)技術(shù)為直徑300mm，線寬0.13-0.10微米及 90 納米技術(shù)開始進(jìn)入量產(chǎn)。本標(biāo)準(zhǔn)是為90 納米線寬集成電路提供襯底材料的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。其指標(biāo)的確定參照了國外有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合我國300mm硅片的研制和生產(chǎn)情況，并考慮國際上

2、硅材料的生產(chǎn)及微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和現(xiàn)狀，在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上修訂而成。本標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)與和GB/T和配套使用。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體材料與設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)提出；本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：有研半導(dǎo)體材料股份有限公司本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：閆志瑞、孫燕、盛方毓。本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)解釋。IIGB/T-200X300mm硅單晶拋光試驗(yàn)片1 范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直徑 300mm P，電阻率 0.5-20 .cm規(guī)格的硅單晶拋光試驗(yàn)片（簡(jiǎn)稱硅拋光片）必要的相關(guān)性術(shù)語、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法，檢測(cè)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑 300mm直拉單晶磨削片經(jīng)雙面拋光制備的硅單晶拋光片，產(chǎn)品主要用于滿足集成電路

3、IC 用線寬 90 納米技術(shù)需求的襯底片。2 規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注年代的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注年代的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T 2828逐批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表（適用于連續(xù)批的檢查）GB/T 4058硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法。GB/T 6616半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定非接觸渦流法GB/T 6621硅拋光片表面平整度測(cè)試方法GB/T 6624硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法GB/T 1

4、2964硅單晶拋光片GB/T 14264半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T 14844半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法GB/T 19921硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法GB/T 19922硅拋光片局部平整度非接觸式檢測(cè)方法YS/T 26硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法YS/T 679非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測(cè)試方法SEMI MF1526使用全反射 X 光熒光光譜測(cè)量硅片表面金屬玷污的標(biāo)準(zhǔn)方法SEMI MF1530硅片平整度、厚度及總厚度變化測(cè)試自動(dòng)非接觸掃描法）SEMI MF1390 硅片翹曲度測(cè)試 自動(dòng)非接觸掃描法SEMI M1.15直徑 300mm硅單晶拋光片規(guī)格（切口）SEMI M8硅單晶拋光試驗(yàn)片規(guī)范

5、SEMI M24優(yōu)質(zhì)硅單晶拋光片規(guī)范3 術(shù)語下列術(shù)語適用于本標(biāo)準(zhǔn)。3.1使用本方法的術(shù)語見GB/T14264 半導(dǎo)體材料術(shù)語。4. 牌號(hào)硅片的牌號(hào)表示：按GB/T 14844 規(guī)定。5 要求3GB/T-200X5.1物理性能參數(shù)硅片的導(dǎo)電類型、摻雜劑、電阻率及徑向電阻率變化、氧、碳含量應(yīng)符合GB/T的規(guī)定。5.2幾何參數(shù)及表面要求5.2.1硅片的參數(shù)應(yīng)符合表 1的規(guī)定。拋光片所有參數(shù)規(guī)格在表1 中沒有列出的，按供需雙方協(xié)商提供。表 1300mm硅拋光片幾何尺寸參數(shù)及表面要求項(xiàng)目指標(biāo)硅片直徑 /mm300直徑允許偏差 /mm 0.2硅片厚度，中心點(diǎn) / m775厚度允許偏差 / m 20總厚度變

6、化 / m，不大于1.5翹曲度 / m ，不大于45總平整度（ TIR） / m，不大于1.0局部平整度（ SFQR） / m，（ 25*25 ）不大于0.10局部光散射體 0.12 m80LLSs( 前表面 ) 0.16 m40個(gè) /cm2 0.2 m15表面金屬(Cu/Cr/Fe/Ni) atoms/cm2不大于1.0 1010(Al/Zn/K/Na/Ca) atoms/cm2不大于5.0 10105.3晶體完整性5.3.1硅拋光片的晶體完整性應(yīng)符合GB/T的規(guī)定。5.3.2氧化誘生缺陷：氧化誘生缺陷與晶體完整性，拋光工藝等諸多因素有關(guān)，氧化誘生缺陷指標(biāo)由供需雙方協(xié)商確定。 5.4 表面取

7、向5.4.1硅拋光片的表面取向?yàn)?100 。5.4.2硅片表面取向的偏離為：正晶向： 0 0.5 。5.5基準(zhǔn)標(biāo)記5.5.1硅拋光片的切口取向及位置應(yīng)符合表2 的規(guī)定。表 2硅片切口位置項(xiàng)目導(dǎo)電類型表面取向切口基準(zhǔn)軸取向副參考面指標(biāo)P 100110 1無對(duì)于（ 100）硅片，可允許等效110 的面是（ 01）、（ 011）、（ 01）和（ 0 ）晶面。5.6表面質(zhì)量硅拋光片表面質(zhì)量應(yīng)符合表3 的規(guī)定4GB/T-200X表 3 拋光片表面質(zhì)量目檢要求序 號(hào)項(xiàng)目最大缺陷限度1劃傷無2蝕坑無正3霧無4亮點(diǎn)（個(gè) / 片）無表5區(qū)域沾污無6崩邊無7裂紋，鴉爪無面8凹坑無9溝（槽）無10小丘無11桔皮，波

8、紋無12刀痕無背14崩邊無15裂紋，鴉爪無表16區(qū)域沾污無面17刀痕無5.7 邊緣輪廓硅片經(jīng)邊緣倒角及邊緣拋光，邊緣倒角、拋光處理后的邊緣輪廓應(yīng)符合YS/T 26 的規(guī)定，特殊要求可由供需雙方協(xié)商確定。6 試驗(yàn)方法6.1硅片直徑及其公差按GB/T 14140.2 進(jìn)行。6.2硅片導(dǎo)電類型測(cè)量按GB/T 1550 進(jìn)行。6.3硅片電阻率測(cè)量按GB/T 6616 進(jìn)行。6.4硅片徑向電阻率變化測(cè)量按GB/T 11073進(jìn)行。6.5硅片晶體完整性檢驗(yàn)按GB/T 1554進(jìn)行。6.6 氧化層錯(cuò)檢驗(yàn)按 GB/T4058進(jìn)行。6.7硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法按YS/T 26進(jìn)行。6.8硅片表面質(zhì)量檢驗(yàn)按GB/T

9、 6624 進(jìn)行。6.9厚度、總厚度變化、平整度測(cè)量按SEMI MF1530進(jìn)行。6.10 局部平整度測(cè)量按GB/T 19922 進(jìn)行。6.11局部光散射體測(cè)量按GB/T 19921進(jìn)行。6.11硅拋光片體內(nèi)鐵及其他金屬含量測(cè)量按YS/T679 進(jìn)行。6.12 硅拋光片表面金屬含量測(cè)量按ASTM F1526-95 進(jìn)行。5GB/T-200X7 檢驗(yàn)規(guī)則7.1 檢查和驗(yàn)收7.1.1產(chǎn)品應(yīng)由技術(shù) （質(zhì)量）監(jiān)督部門進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，并填寫產(chǎn)品質(zhì)量保證書。7.1.2需方可對(duì)收到的產(chǎn)品進(jìn)行驗(yàn)收。若檢驗(yàn)結(jié)果與本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定不符時(shí)，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起三個(gè)月內(nèi)向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。

10、7.2組批硅拋光片以批的形式提交驗(yàn)收，每批應(yīng)由同一牌號(hào)，相同規(guī)格的拋光片組成，每批硅片不得少于25 片。7.3檢驗(yàn)項(xiàng)目7.3.1每批拋光片抽檢的項(xiàng)目有：導(dǎo)電類型，晶向，晶向偏離，電阻率范圍，徑向電阻率變化，氧、碳含量，厚度，總厚度變化，翹曲度，總平整度，局部平整度、目檢表面質(zhì)量，氧化誘生缺陷，直徑，切口位置、切口尺寸及深度。7.3.2供需雙方協(xié)商的檢驗(yàn)項(xiàng)目局部平整度，局部光散射體的尺寸及數(shù)量，金屬雜質(zhì)沾污、氧、碳雜質(zhì)含量。7.4抽檢驗(yàn)收7.4.1每批產(chǎn)品如屬非破壞性測(cè)量的項(xiàng)目，檢測(cè)按GB2828一般檢查水平，正常檢查一次抽樣方案進(jìn)行，或由供需雙方協(xié)商確定的抽樣方案進(jìn)行。7.4.2如屬破壞性測(cè)量

11、的項(xiàng)目，檢測(cè)按GB2828 特殊檢查水平S-2 ，正常檢查一次抽樣方案進(jìn)行，或由供需雙方協(xié)商確定的抽樣方案進(jìn)行。7.5 檢驗(yàn)結(jié)果的判定7.5.1 導(dǎo)電類型、晶向檢驗(yàn)若有一片不合格，則該批產(chǎn)品為不合格。 其他檢驗(yàn)項(xiàng)目的合格質(zhì)量水平（ AQL）見表 5。表 5 檢測(cè)項(xiàng)目及合格質(zhì)量水平序號(hào)檢驗(yàn)項(xiàng)目合格質(zhì)量水平（ AQL）1電阻率范圍1.02徑向電阻率變化1.03晶向偏離1.04厚度偏差1.05總厚度變化1.06翹曲度1.07總平整度1.08直徑偏差1.09切口尺寸1.010定位面位置1.011氧化層錯(cuò)2.512間隙氧雜質(zhì)含量1.06GB/T-200X13替位碳雜質(zhì)含量1.014亮點(diǎn)1.0表區(qū)域沾污1.0面劃傷， 蝕坑累計(jì) 1.0質(zhì)崩邊， 裂紋累計(jì) 1.0量溝槽，凹坑，小丘，桔皮累計(jì) 1.0刀痕、雜質(zhì)條紋累計(jì) 1.0累計(jì)2.57.5.2抽檢不合格的產(chǎn)品，供方可對(duì)不合格項(xiàng)進(jìn)行全數(shù)檢驗(yàn)，除去不合格品后，合格品可以重新組批。8 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存8.1硅拋光片應(yīng)在超凈室內(nèi)裝入專用的拋光片裝運(yùn)盒，外用潔凈的塑料袋密封。每個(gè)拋光片盒應(yīng)貼有產(chǎn)品標(biāo)簽。標(biāo)簽內(nèi)容至少應(yīng)包括：產(chǎn)品名稱（牌號(hào)），規(guī)格，片數(shù)，批號(hào)及日期，片盒再裝入一定規(guī)格的外包裝箱，采取防震、防潮措施。8.2包裝箱內(nèi)應(yīng)有裝箱單，外側(cè)應(yīng)有“小心輕放”、“防潮”、“易碎”、“防腐”