(完整word版)電力電子知識點總結(2).doc

1、第一章電力電子技術是應用于電力領域的電子技術，也就是使用電力電子器件對電能進行變換和控制的技術。電子技術包括信息技術和電力電子技術兩大分支。電力電子器件：半控器件：晶閘管（SCR）、門極可關斷晶閘管（GTO）。全控器件：電力晶體管（ GTR）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、電力場效應晶體管（電力MOSFET）。不可控器件：電力二極管（整流二極管）電力電子器件的分類：按照驅動電路信號的性質，分為兩類：電流驅動型：晶閘管SCR、門極可關斷晶閘管GTO、電力晶體管GTR電壓驅動型：電力場效應晶體管MOSFET、絕緣柵雙極晶體管IGBT按照器件內部參與導電的情況分為兩類：單極型器件：電力MOSFET雙

2、極型器件：電力二極管、晶閘管SCR、門極可關斷晶閘管GTO、電力晶體管GTR混合型器件：絕緣柵雙極晶體管IGBT晶閘管正常工作時的特性：承受反向電壓時，不論門極是否有觸發(fā)電流，晶閘管都不會導通。承受正向電壓時，僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能開通。晶閘管一旦導通，門極就失去控制作用。若要使已導通的晶閘管關斷，只能利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數值以下。關斷時間大于晶閘管的電路換向關斷時間，才能可靠關斷。GTO能夠通過門極關斷的原因是其與普通晶閘管有如下區(qū)別：設計2 較大，使晶體管V2 控制靈敏，易于GTO關斷。導通時接近臨界飽和，有利門極控制關斷，但導通時管

3、壓降增大。多元集成結構，使得P2 基區(qū)橫向電阻很小，能從門極抽出較大電流。晶閘管非正常導通的幾種情況：陽極電壓升高至相當高的數值照成雪崩現象；陽極電壓上升率過高；結溫較高；光直接照射硅片，即光觸發(fā)；第二章單向可控整流電路：單向半波可控整流電路：A 電阻負載：相關概念：從晶閘管開始承受正向陽極電壓起到施加觸發(fā)脈沖止的電角度, 用表示 , 也稱觸發(fā)角或控制角。晶閘管在一個電源周期中處于通態(tài)的電角度，用表示。通過控制觸發(fā)脈沖的相位來控制直流輸出電壓大小的方式稱為相位控制方式，簡稱相控方式。相關公式：U d 0.45U1 cos:0 。22B 阻感負載：觸發(fā)角移相范圍：: 0 。晶閘管承受的最大反向電

4、壓：2U2 。C 阻感負載加續(xù)流二極管：單相橋式全控整流電路：A 帶電阻負載：相關公式：U d0.9U 21cos2I d0.9U21cos:0 R2B 帶阻感負載:相關公式： U d 0.9U 2 cos: 0 2晶閘管承受的最大反向電壓：2U 2。C帶反電動勢負載:在 |u2|E 時，才有晶閘管承受正電壓，有導通的可能。單相全波可控整流電路：在單相全波可控整流電路中，閘管承受的最大電壓為2 2U2，是單相橋式全控整流電路的2 倍。單相橋式半控整流電路：（一般了解）三相可控整流電路:三相半波可控整流電路:A 電阻負載：相關公式：300： U d0.9U 2 cos30 0： U d0.675

5、U 21cos()I d 0.675 U 2 1 cos(6)26相關理論：晶閘管承受的最大反向電壓，為變壓器二次線電壓峰值，即：2.34U 2 。晶閘管陽極與陰極間的最大正向電壓等于變壓器二次相電壓的峰值，即：2U 2B 阻感性負載：1 有直流電動勢，其極性和晶閘管導通方向一致，其值大于變流器直流側平均電壓。2、晶閘管的控制角，使 Ud 為負值。2降壓斬波電路相關公式：U OTONETON EE ，IOUO EMTONTOFFTR斬波電路三種控制方式：1， T 不變，變TON 脈沖寬度調制。2， TON 不變，變T 頻率調制。3， TON 和 T 都可調，改變占空比混合型。降壓斬波電路U OTONTOFFETE1 E，IO1 ETOFFTOFFR換流方式可以分為：1，器件換流， 2，電網換流，3 ，負載換流，4，強迫換流。相關公式： U d1.17U2cos: 0 2三相橋式全控整流電路：A 電阻負載：: 0 1200B 阻感負載：: 02U d2.34U 2 cos變壓器漏電抗對整流電路的影響：1）出現換相重疊角，整流輸出電壓平均值降低2）晶閘管的di / dt 減小，有利于晶閘管安全開通。3）整流電路工作狀態(tài)增多。4）換相時晶閘管電壓出現缺口，可能使晶閘管誤導通。5）換相使電網電壓出現缺口，成為干擾源。功率因數由基