半導(dǎo)體工藝中的英語詞匯

1、aabrupt jun ction 突變結(jié) accelerated test ing 加速實驗acceptor 受主 acceptor atom 受主原子accumulatio n 積累、堆積accumulat ing con tact 積累接觸accumulation region 積累區(qū) accumulation layer 積累層active region 有源區(qū) active component 有源元active device 有源器件 activati on 激活activation energy 激活能 active region 有源（放大）區(qū)admittanee 導(dǎo)納 all

2、owed band 允帶alloy-junction device 合金結(jié)器件 aluminum （ aluminium ）鋁aluminum - oxide 鋁氧化物 aluminum passivation 鋁鈍化ambipolar 雙極的 ambient temperature 環(huán)境溫度amorphous 無定形的，非晶體的 amplifier 功放擴音器放大器analogue （ analog ） comparator 模擬比較器angstrom 埃anneal 退火 anisotropic 各向異性的an ode 陽極 arse nic （ as ）砷auger 俄歇 auger p

3、rocess 俄歇過程avalanche 雪崩 avalanche breakdown雪崩擊穿avala nche excitati on 雪崩激發(fā)bbackgro und carrier 本底載流子backgro und dop ing 本底摻雜backward 反向 backward bias 反向偏置ballasti ng resistor 整流電阻 ball bo nd 球形鍵合band 能帶 ba nd gap 能帶間隙barrier 勢壘 barrier layer 勢壘層barrier width 勢壘寬度 base 基極base con tact 基區(qū)接觸 base stret

4、chi ng 基區(qū)擴展效應(yīng)base tran sit time 基區(qū)渡越時間 base tran sport efficie ncy 基區(qū)輸運系數(shù)base-width modulation 基區(qū)寬度調(diào)制 basis vector 基矢bias 偏置 bilateral switch 雙向開關(guān)binary code 二進制代碼binary compo und semic on ductor 二元化合物半導(dǎo)體bipolar 雙極性的 bipolar junction transistor（ bjt ）雙極晶體管bloch 布洛赫 blocki ng ba nd 阻擋能帶blocki ng con

5、tact 阻擋接觸 body - cen tered 體心立方body-ce ntred cubic structure 體立心結(jié)構(gòu) boltzma nn 波爾茲曼bond 鍵、鍵合 bonding electron 價電子bonding pad 鍵合點 bootstrap circuit 自舉電路bootstrapped emitter follower 自舉射極跟隨器boron 硼borosilicate glass 硼硅玻璃 bou ndary con diti on 邊界條件 bou nd electro n 束縛電子breadboard 模擬板、實驗板break down 擊穿 br

6、eak over 轉(zhuǎn)折brillouin 布里淵 brillouin zone 布里淵區(qū)built- in 內(nèi)建的 build-in electric field 內(nèi)建電場bulk 體/體內(nèi)bulk absorption 體吸收bulk gen erati on 體產(chǎn)生 bulk recomb in ati on 體復(fù)合burn - in 老化 burn out 燒毀buried channel 埋溝 buried diffusion region 隱埋擴散區(qū)ccan 外殼 capacitanee 電容capture cross sectio n 俘獲截面 capture carrier 俘獲

7、載流子carrier 載流子、載波carry bit 進位位carry-in bit 進位輸入 carry-out bit 進位輸出cascade 級聯(lián)case 管殼cathode 陰極center 中心ceramic 陶瓷（的） channel 溝道channel breakdow n 溝道擊穿 channel curre nt 溝道電流channel dop ing 溝道摻雜 channel shorte ning 溝道縮短channel width 溝道寬度 characteristic impeda nee 特征阻抗charge 電荷、充電charge-compensation eff

8、ects 電荷補償效應(yīng)charge conservation 電荷守恒 charge neutrality condition 電中性條件charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 電荷驅(qū)動 / 交換 / 共享/轉(zhuǎn)移/存儲chemmical etchi ng 化學(xué)腐蝕法chemically-polish 化學(xué)拋光 chemmically-mechanicallypolish（ cmp ）化學(xué)機械拋光 chip 芯片chip yield 芯片成品率clamped 箝位clampi ng diode 箝位二極管cleavage pla ne 解理面

9、clock rate 時鐘頻率 clock gen erator 時鐘發(fā)生器clock flip-flop 時鐘觸發(fā)器close-packed structure 密堆積結(jié)構(gòu)close-loop gain 閉環(huán)增益collector 集電極collision 碰撞 compensated op-amp 補償運放commo n-base/collector/emitter conn ection 共基極 / 集電極 / 發(fā)射極連接common-gate/dra in/source connection 共柵 / 漏 / 源連接common-m ode gain 共模增益 common-m ode

10、 in put 共模輸入com mon-mode rejectio n ratio （ cmrr ） 共模抑制比compatibility 兼容性 compensation 補償compe nsated impurities 補償雜質(zhì) compe nsated semic on ductor 補償半導(dǎo)體compleme ntary darlington circuit 互補達林頓電路compleme ntary metal-oxide-semico nductor field-effect-tra nsistor（ cmos ）互補金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管compleme ntary er

11、ror fun ctio n 余誤差函數(shù)computer-aided design （ cad ） /test （ cat ） /manufacture （ cam ） 計算機輔 助設(shè)計 /測試 /制造compo und semic on ductor 化合物半導(dǎo)體con ducta nee 電導(dǎo)con ducti on band （edge ） 導(dǎo)帶（底） con ducti on level/state 導(dǎo)帶態(tài)con ductor 導(dǎo)體 con ductivity 電導(dǎo)率configuration 組態(tài) conlomb 庫侖con pled co nfiguration devices 結(jié)

12、構(gòu)組態(tài) co nsta nts 物理常數(shù)constant energy surface 等能面 constant-source diffusion 恒定源擴散con tact 接觸 co ntami natio n 治污contin uity equatio n 連續(xù)性方程con tact hole 接觸孔con tact pote ntial 接觸電勢 con ti nuity con ditio n 連續(xù)性條件co ntra dopi ng 反摻雜 con trolled 受控的converter 轉(zhuǎn)換器conveyer 傳輸器copper interconnection system 銅

13、互連系統(tǒng)couping 耦合covale nt 共階的crossover 跨交critical 臨界的 crossunder 穿交crucible 坩堝 crystal defect/face/orientation/lattice 晶體缺陷 / 晶面 / 晶向 / 晶格curre nt den sity 電流密度 curvature 曲率cut off 截止 current drift/dirve/sharing 電流漂移 /驅(qū)動/共享current sense 電流取樣curvature 彎曲custom integrated circuit定制集成電路cylindrical 柱面的czo

14、chralshicrystal 直立單晶czochralski technique 切克勞斯基技術(shù)（ cz 法直拉晶體j ）ddangling bonds 懸掛鍵 dark current 暗電流dead time 空載時間debye len gth 德拜長度de.broglie 德布洛意decderate 減速decibel （ db ） 分貝 decode 譯碼deep acceptor level 深受主能級deep donor level 深施主能級deep impurity level 深度雜質(zhì)能級deep trap 深陷阱defeat 缺陷dege nerate semic on

15、ductor 簡并半導(dǎo)體dege neracy 簡并度degradation 退化 degree celsius （ centigrade ） /kelvin 攝氏/開氏溫度delay 延遲 density 密度density of states 態(tài)密度 depletion 耗盡depleti on approximati on 耗盡近似 depleti on contact 耗盡接觸depletio n depth 耗盡深度 depletio n effect 耗盡效應(yīng)depletion layer 耗盡層 depletion mos 耗盡 mosdepletion region 耗盡區(qū) d

16、eposited film 淀積薄膜depositi on process 淀積工藝 desig n rules 設(shè)計規(guī)貝 udie 芯片（復(fù)數(shù)dice ） diode 二極管dielectric 介電的 dielectric isolation 介質(zhì)隔離difference-mode in put 差模輸入 differe ntial amplifier 差分放大器differe ntial capacita nee 微分電容 diffused jun ction 擴散結(jié)diffusion 擴散 diffusion coefficient 擴散系數(shù)歡迎下載14diffusi on con s

17、ta nt 擴散常數(shù) diffusivity 擴散率diffusion capacitance/barrier/current/furnace 擴散電容/勢壘/ 電流 / 爐digital circuit 數(shù)字電路 dipole domai n 偶極疇dipole layer 偶極層 direct-coupling 直接耦合direct-gap semic on ductor 直接帶隙半導(dǎo)體direct tran siti on 直接躍遷discharge 放電 discrete component 分立元件dissipation 耗散 distribution 分布distributed c

18、apacita nee 分布電容 distributed model 分布模型displacement 位移 dislocation 位錯domain 疇 donor 施主don or exhaustion 施主耗盡 dopa nt 摻雜劑doped semic on ductor 摻雜半導(dǎo)體doping concen trati on 摻雜濃度double-diffusive mos （ dmos ）雙擴散 mos.drift 漂移 drift field 漂移電場drift mobility 遷移率 dry etching 干法腐蝕dry/wet oxidation 干/濕法氧化dose

19、劑量duty cycle 工作周期 dual-in-line package （ dip ） 雙列直插式圭寸裝dynamics 動態(tài) dynamic characteristics 動態(tài)屬性dyn amic impeda nee 動態(tài)阻抗eearly effect 厄利效應(yīng) early failure 早期失效effective mass 有效質(zhì)量 einstein relation （ ship ） 愛因斯坦關(guān)系讀存儲器electric erase programmable read only memory （ e2prom ） 一次性電可擦除只electrode 電極 electromin

20、ggratim 電遷移electr on affinity 電子親和勢electro nic -grade 電子能electro n-beam photo-resist exposure 光致抗蝕劑的電子束曝光electron gas 電子氣 electron-grade water 電子級純水electro n trappi ng cen ter 電子俘獲中心electro n volt （ ev ） 電子伏electrostatic 靜電的 element 元素 /元件 /配件eleme ntal semic on ductor 元素半導(dǎo)體ellipse 橢圓ellipsoid 橢球 em

21、itter 發(fā)射極emitter-coupled logic 發(fā)射極耦合邏輯emitter-coupled pair 發(fā)射極耦合對emitter follower 射隨器 empty ba nd 空帶emitter crowdi ng effect 發(fā)射極集邊（擁擠）效應(yīng)en dura nee test =life test壽命測試energy state 能態(tài)energy momentum diagram能量 -動量（ e-k ）圖 enhancement mode增強型模enhancement mos 增強性 mos entefic （低）共溶的environmental test 環(huán)境測

22、試 epitaxial 外延的epitaxial layer 夕卜延層 epitaxial slice 夕卜延片expitaxy 夕卜延 equivale nt curcuit 等效電路equilibrium majority /minority carriers 平衡多數(shù) / 少數(shù)載流子erasable programmable rom ( eprom ) 可搽取 (編程 )存儲器error fun cti on compleme nt (erfc) 余誤差函數(shù)etch 刻蝕 etchant 刻蝕劑etching mask 抗蝕劑掩模excess carrier 過剩載流子excitatio

23、n en ergy 激發(fā)能 excited state 激發(fā)態(tài)exciton 激子 extrapolation 夕卜推法extri nsic 非本征的 extri nsic semic on ductor 雜質(zhì)半導(dǎo)體fface - centered 面心立方 fall time 下降時間fan-in 扇入 fan-out 扇出fast recovery 快恢復(fù) fast surface states 快界面態(tài)feedback 反饋 fermi level 費米能級fermi-dirac distribution 費米 -狄拉克分布femi potential 費米勢fick equation

24、菲克方程 ( 擴散 ) field effect tran sistor 場效應(yīng)晶體管field oxide 場氧化層 filled band 滿帶film 薄膜 flash memory 閃爍存儲器flat band 平帶 flat pack 扁平封裝flicker noise 閃爍 ( 變) 噪聲 flip-flop toggle觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)floating gate 浮柵 fluoride etch 氟化氫刻蝕forbidden band 禁帶 forward bias 正向偏置forward blocking/conducting 正向阻斷/導(dǎo)通freque ncy deviatio n

25、 no ise 頻率漂移噪聲freque ncy response 頻率響應(yīng) function 函數(shù)ggain 增益 gallium-arsenide ( gaas ) 砷化鉀gamy ray r 射線 gate 門、柵、控制極gate oxide 柵氧化層 gauss ( ian ) 高斯gaussia n distributi on profile 高斯摻雜分布gen erati on-recomb in ati on 產(chǎn)生 -復(fù)合geometries 幾何尺寸 germanium (ge) 鍺graded 緩變的 graded ( gradual ) channel 緩變溝道graded

26、 junction 緩變結(jié) grain 晶粒gradient 梯度 grown junction 生長結(jié)guard ring 保護環(huán) gummel-poom model 葛謀 -潘 模型gu nn - effect 狄氏效應(yīng)hharde ned device 輻射加固器件heat of formation 形成熱 heat sink 散熱器、熱沉heavy/light hole band重/輕 空穴帶heavy saturation 重摻雜 hell - effect 霍爾效應(yīng)heterojunction 異質(zhì)結(jié) heterojunction structure 異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)heterojunc

27、tion bipolar transistor （ hbt ）異質(zhì)結(jié)雙極型晶體high field property 高場特性high-performanee mos. （ h-mos ）高性能 mos. hormalized 歸一化horiz on tal epitaxial reactor 臥式外延反應(yīng)器hot carrior 熱載流子hybrid in tegration 混合集成iimage - force 鏡象力 impact ioni zati on 碰撞電離impedanee 阻抗 imperfect structure 不完整結(jié)構(gòu)impla ntati on dose 注入劑量

28、 impla nted ion 注入離子impurity 雜質(zhì) impurity scattering 雜質(zhì)散射in creme ntal resista nee 電阻增量（微分電阻） in-co ntact mask 接觸式掩模indium tin oxide （ ito ） 銦錫氧化物 induced channel 感應(yīng)溝道infrared 紅外的 injecti on 注入in put offset voltage 輸入失調(diào)電壓 in sulator 絕緣體insulated gate fet （ igfet ）絕緣柵 fet integrated injection logic 集成

29、注入邏輯in tegrati on 集成、積分in terc onnection 互連in terc onnection time delay 互連延時 in terdigitated structure 交互式結(jié)構(gòu)in terface 界面 in terfere nee 干涉intern ati onal system of unions 國際單位制 intern ally scatteri ng 谷間散射in terpolati on 內(nèi)插法 in tri nsic 本征的intrin sic semic on ductor 本征半導(dǎo)體in verse operati on 反向工作inv

30、ersion 反型 inverter 倒相器ion 離子 ion beam 離子束ion etchi ng 離子刻蝕 ion impla ntatio n 離子注入ionization 電離 ionization energy電離能irradiation 輻照 isolation land 隔離島isotropic 各向同性jjunction fet （ jfet ） 結(jié)型場效應(yīng)管junction isolation 結(jié)隔離junction spaci ng 結(jié)間距 junction side-wall 結(jié)側(cè)壁latch up 閉鎖 lateral 橫向的lattice 晶格 layout 版

31、圖lattice bin di ng/cell/co nsta nt/defect/distortio n 晶格結(jié)合力 / 晶胞 / 晶格 / 晶格常熟/ 晶格缺陷/ 晶格畸變leakage curre nt （泄）漏電流level shifti ng 電平移動life time 壽命 linearity 線性度li nked bo nd 共價鍵 liquid nitroge n 液氮liquid phase epitaxial growth tech nique 液相外延生長技術(shù)lithography 光刻 light emitting diode （ led ） 發(fā)光二極管load lin

32、e or variable 負載線 locating and wiring 布局布線lon gitudi nal 縱向的 logic swi ng 邏輯擺幅lorentz 洛淪茲 lumped model 集總模型mmajority carrier 多數(shù)載流子mask 掩膜板，光刻板mask level 掩模序號 mask set 掩模組mass - action law 質(zhì)量守恒定律master-slave d flip-flop 主從 d 觸發(fā)器matchi ng 匹配 maxwell 麥克斯韋mea n free path 平均自由程mea ndered emitter jun ctio

33、n 梳狀發(fā)射極結(jié)mean time before failure （ mtbf ） 平均工作時間megeto - resista nee 磁阻 mesa 臺面mesfet-metal semiconductor 金屬半導(dǎo)體fetmetallization 金屬化 microelectronic technique 微電子技術(shù)microelectro nics 微電子學(xué) mille n in dices 密勒指數(shù)minority carrier 少數(shù)載流子misfit 失配mismatchi ng 失配 mobile ions 可動離子mobility 遷移率 module 模塊modulate

34、 調(diào)制 molecular crystal 分子晶體monolithic ic 單片 ic mosfet 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管mos. transistor （ most ） mos. 晶體管 multiplication 倍增modulator 調(diào)制 multi-chip ic 多芯片 icmulti-chip module （ mcm ） 多芯片模塊multiplication coefficient 倍增因子nnaked chip 未圭寸裝的芯片（裸片） negative feedback 負反饋negative resista nee 負阻 nesti ng 套刻negativ

35、e-temperature-coefficie nt 負溫度系數(shù)noise margin 噪聲容限non equilibrium 非平衡 no nrolatile 非揮發(fā)（易失）性normally off/on 常閉/開 numerical analysis 數(shù)值分析occupied band 滿帶 oficienay 功率offset偏移、失調(diào) on standby待命狀態(tài) ohmic con tact 歐姆接觸 ope n circuit 開路operating point 工作點 operational amplifier optical phot on =phot on optical

36、 transition 光躍遷operating bias工作偏置organic semic on ductor(opamp )運算放大器光子 optical que nching 光猝滅optical-coupled isolator 光耦合隔離器有機半導(dǎo)體 orientation晶向、定向outline 夕卜形 out-of-contact mask非接觸式掩模output characteristic 輸出特性 output voltage swi ng輸出電壓擺幅overcompensation 過補償 over-current protection過流保護over shoot 過沖

37、over-voltage protection過壓保護overlap 交迭 overload 過載oscillator振蕩器 oxide氧化物oxidation 氧化 oxide passivationpackage圭寸裝pad壓焊點parameter 參數(shù) parasitic effect氧化層鈍化p寄生效應(yīng)parasitic oscillati on寄生振蕩 pass in ati on 鈍化passive comp onent無源元件 passive device 無源器件passive surface 專屯化界面 parasitic transistor寄生晶體管peak-point

38、voltage峰點電壓 peak voltage 峰值電壓permanent-storage circuit永久存儲電路 period 周期periodic table 周期表 permeable - base可滲透基區(qū)phase-lock loop 鎖相環(huán) phase drift 相移phonon spectra 聲子譜photo con duction 光電導(dǎo) photo diode 光電二極管photoelectric cell 光電池photoelectric effect 光電效應(yīng)photoe nic devices 光子器件 photolithographic process光亥

39、u 工藝（photo ） resist （光敏）抗腐蝕劑pin管腳pinch off夾斷 pinning of fermi level費米能級的釘扎（效應(yīng)）planar process 平面工藝 pla nar tran sistor 平面晶體管plasma 等離子體 plezoelectric effect壓電效應(yīng)poisson equati on 泊松方程 poi nt con tact 點接觸polarity 極性 polycrystal 多晶polymer semico nductor聚合物半導(dǎo)體poly-silic on 多晶硅pote ntial （電）勢 pote ntial b

40、arrier 勢壘potential well 勢阱 power dissipation 功耗power tran sistor 功率晶體管preamplifier 前置放大器primary flat 主平面 principal axes 主軸prin t-circuit board （ pcb ）印制電路板probability 幾率probe 探針 process 工藝propagati on delay 傳輸延時 pseudopote ntial method 膺勢發(fā) punch through 穿通 pulse triggering/modulating脈沖觸發(fā)/調(diào)制pulse wid

41、en modulator （ pwm ） 脈沖寬度調(diào)制 punchthrough 穿通 push-pull stage 推挽級qquality factor 品質(zhì)因子 qua ntizatio n 量子化quantum 量子 quantum efficiency 量子效應(yīng)quantum mechanics 量子力學(xué) quasi - fermi level 準(zhǔn)費米能級 quartz 石英rradiation con ductivity 輻射電導(dǎo)率radiatio n damage 輻射損傷radiation flux den sity 輻射通量密度radiatio n harde ning 輻射

42、加固 radiati on protection 輻射保護 radiative - recomb in ati on 輻照復(fù)合 radioactive 放射性 reach through 穿 通reactive sputtering source 反應(yīng)濺射源read diode 里德二極管recomb in atio n 復(fù)合 recovery diode 恢復(fù)二極管reciprocal lattice 倒核子 recovery time 恢復(fù)時間rectifier 整流器（管） rectifyi ng con tact 整流接觸referenee 基準(zhǔn)點 基準(zhǔn) 參考點 refractive

43、index 折射率register 寄存器registration 對準(zhǔn)regulate 控制調(diào)整 relaxation lifetime馳豫時間reliability 可 * 性 resonance 諧振resista nee 電阻 resistor 電阻器resistivity 電阻率 regulator 穩(wěn)壓管（器）relaxation 馳豫 resonant frequency 共射頻率response time 響應(yīng)時間 reverse 反向的 reverse bias 反向偏置ssampling circuit 取樣電路 sapphire 藍寶石（ ai2o3 ）satellite

44、 valley 衛(wèi)星谷 saturated current range 電流飽和區(qū)saturatio n regi on 飽和區(qū) saturatio n 飽和的scaled dow n 按比例縮小 scatteri ng 散射schockley diode 肖克萊二極管schottky 肖特基schottky barrier 肖特基勢壘 schottky con tact 肖特基接觸schrodingen 薛定厄 scribing grid 劃片格secon dary flat 次平面seed crystal 籽晶segregation 分凝selectivity 選擇性self aligne

45、d 自對準(zhǔn)的self diffusion 自擴散 semiconductor 半導(dǎo)體semic on ductor-c on trolled rectifier可控硅sen dsitivity 靈敏度serial 串行 / 串聯(lián)series inductanee串聯(lián)電感settle time 建立時間 sheet resista nee 薄層電阻shield 屏蔽 short circuit 短路shot noise 散粒噪聲 shu nt 分流sidewall capacitanee 邊墻電容 signal 信號silica glass 石英玻璃 silicon 硅silicon carbi

46、de 碳化硅 silicon dioxide（ sio2 ） 二氧化硅silicon nitride （ si3n4 ） 氮化硅 silicon on insulator 絕緣硅siliver whiskers 銀須 simple cubic 簡立方single crystal 單晶 sink 沉skin effect 趨膚效應(yīng) snap time 急變時間sneak path 潛行通路 sulethreshold 亞閾的solar battery/cell 太陽能電池solid circuit 固體電路solid solubility 固溶度 sonband 子帶source 源極 source follower 源隨器space charge 空間電荷 specific heat （ pt ） 熱speed-power product 速度功耗乘積spherical 球面的spin 自旋 split 分裂spontan eous emissi on 自發(fā)發(fā)身寸spread ing resista nee 擴展電阻sputter 濺射 stacking fault 層錯static