TAF-WG1-AS0052-V1.0.0-2020 通用集成電路卡（UICC）與終端間大容量存儲接口特性技術(shù)規(guī)范

1、電 信 終 端 產(chǎn) 業(yè) 協(xié) 會 標 準TAF-WG1-AS0052-V1.0.0:2020通用集成電路卡（UICC）與終端間大容量存儲接口特性技術(shù)規(guī)范Technical Specification for Mass Storage Characteristic Between UICC and Terminal Interface2020-04-09 發(fā)布2020- 04-09 實施電 信 終 端 產(chǎn) 業(yè) 協(xié) 會發(fā) 布TAF-WG1-AS0052-V1.0.0:2020目次目次I前言II通用集成電路卡（UICC）與終端間大容量存儲接口特性技術(shù)規(guī)范11 范圍12 規(guī)范性引用文件13 術(shù)語、定義和

2、縮略語13.1 術(shù)語和定義13.2 縮略語14 SD UICC 系統(tǒng)架構(gòu)24.1 概述24.2 終端與 SD UICC 的組合方式24.3 接口形式24.4 SD UICC 外觀34.5 觸點功能35 技術(shù)要求35.1 物理特性45.2 電氣特性45.3 功能要求45.4 性能要求76 測試方法76.1 物理特性76.2 電氣特性146.3 功能測試156.4 性能測試17附錄 A18附錄 B19I庫七七 提供下載前言本標準按照 GB/T 1.1-2009給出的規(guī)則編寫。本標準由電信終端產(chǎn)業(yè)協(xié)會提出并歸口。本標準起草單位：中國信息通信研究院、紫光同芯微電子有限公司、中國移動通信集團公司、中國聯(lián)

3、合網(wǎng)絡(luò)通信集團有限公司、中國電信集團公司、北京中電華大電子設(shè)計有限責任公司、上海復旦微電子集團股份有限公司本標準主要起草人：朱巖、劉晉興、蘇琳琳，路倩，霍航宇，劉嘉維、劉揚、劉煜、楊劍、李建龍、葉文莉II通用集成電路卡（UICC）與終端間大容量存儲接口特性技術(shù)規(guī)范1 范圍本標準規(guī)定了通用集成電路卡（UICC）與終端間大容量存儲接口的基本特性，主要包括技術(shù)要求和測試方法。注：本文中，將帶有大容量存儲子單元的通用集成電路卡，簡稱為SD UICC。2 規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標準的應用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包含勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準

4、，然而，鼓勵根據(jù)本部分達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。ISO/IEC 7816-2Identification cards - Integrated circuit cardsETSI TS 102 221Smart Cards; UICC-Terminal interface; Physical and logicalcharacteristics3GPP TS 31.102Characteristicsofthe Universal Subscriber IdentityModule(USIM) application3GPP

5、 TS 31.121Universal Subscriber Identity Module (USIM) application testspecification3GPP TS 31.122Universal Subscriber Identity Module (USIM)conformance testspecificationGlob Platform CardSpecificationGlob Platform Card Specification v2.2.1SD SpecificationsPart 1 Micro SD Card Specifications Version

6、2.01SD SpecificationsPart 1 Physical Layer Specifications Version 3.00GB/T16649.1-2006識別卡 帶觸點的集成電路卡SJ T 11528-2015信息技術(shù) 移動存儲 存儲卡通用規(guī)范3 術(shù)語、定義和縮略語3.1 術(shù)語和定義無。3.2 縮略語下列縮略語適用于本標準。ISOInternational Organization for Standardization國際標準化組織UICCUniversal Integrated Circuit Card通用集成電路卡14 SD UICC 系統(tǒng)架構(gòu)4.1 概述SD UICC

7、是一種復合型電信智能卡，主要分為兩部分，分別為SIM單元和SD單元，其中SD單元包括SD 控制子單元和大容量存儲子單元。SD UICC，根據(jù)SIM單元與SD單元的連接交互特性，分為A類SD UICC和B類SD UICC。A類SD UICC中， SIM單元和SD單元相互獨立，沒有任何連接特性；B類SD UICC中，SIM單元和SD單元，存在物理連接，可實現(xiàn)數(shù)據(jù)通信。存儲管理SD控制子單元SD單元大容量存儲子單元基帶SIM單元終端SD UICC（A類）SD UICC，架構(gòu)如下圖4.1.1所示。存儲管理SD控制子單元SD單元大容量存儲子單元基帶SIM單元終端SD UICC（B類）圖4.1.1 SD

8、UICC架構(gòu)圖A類SD UICC的工作模式：1、SIM單元，通過UICC觸點，與內(nèi)置在終端的基帶進行數(shù)據(jù)通信，通信基于ISO7816協(xié)議完成；2、SD單元，SD控制子單元通過Micro SD觸點，與內(nèi)置在終端的存儲管理單元進行數(shù)據(jù)通信，通信基于SD 3.0協(xié)議完成。B類SD UICC的工作模式：1、SIM單元，通過UICC觸點，與內(nèi)置在終端的基帶進行數(shù)據(jù)通信，通信基于ISO7816協(xié)議完成；2、SD單元，SD控制子單元通過Micro SD觸點，與內(nèi)置在終端的存儲管理單元進行數(shù)據(jù)通信，通信基于SD 3.0協(xié)議完成。3、SIM單元，可通過SD控制子單元與內(nèi)置在終端的存儲管理單元進行數(shù)據(jù)通信。SD控

9、制子單元與SIM 單元的通信，基于SPI總線。4.2 終端與 SD UICC 的組合方式終端與SD UICC存在以下幾種組合方式：1、將SD UICC置入同時支持Micro SD接口與UICC接口的終端卡槽：Micro SD接口和UICC接口均可使用；注：SD UICC與終端應支持對SD UICC合法性的識別。2、將SD UICC置入僅支持Micro SD接口的終端卡槽：Micro SD接口允許使用。3、將SD UICC置入僅支持UICC接口的終端卡槽：UICC接口允許使用。4.3 接口形式2TAF-WG1-AS0052-V1.0.0:20204.3.1 支持 SD 接口SD UICC和支持S

10、D UICC的終端間的接口，支持Micro SD規(guī)范，具體參見“SD Specifications Part 1 Micro SD Card Specifications Version 2.01”中第2.1節(jié)。4.3.2 支持 UICC 接口SD UICC和支持SD UICC的終端間的接口，支持ISO/7816 7816協(xié)議，具體參見“Identification cards- Integrated circuit cards 7816-2”中第5章。4.4 SD UICC 外觀SD UICC外觀如圖4.4.2所示，其中，SD的通訊觸點為P1-P8，SIM的通訊觸點為C1-C3、C5-C7，

11、功能如本標準4.5節(jié)所述。圖4.4.2SD UICC 外觀示意圖4.5 觸點功能4.5.1 SD 通信觸點SD UICC 和支持SD UICC 的終端間的SD 通信觸點功能， 遵循Micro SD 規(guī)范， 具體參見“ SD Specifications Part 1 Micro SD Card Specifications Version 2.01”中第2.1節(jié)。4.5.2 UICC 通信觸點SD UICC 和支持SD UICC 的終端間的UICC 通信觸點功能， 遵循ISO/7816 7816 規(guī)范， 具體參見“Identification cards - Integrated circui

12、t cards 7816-2”中第5章。5 技術(shù)要求195.1 物理特性5.1.1 SD 單元SD UICC的SD單元的物理特性，如溫度、適度、腐蝕度、扭曲、跌落、彎曲、視覺檢查、卡的插拔， 遵循Micro SD規(guī)范，具體參見“SD Specifications Part 1 Micro SD Card Specifications Version 2.01”中第3.1.2節(jié)。SD UICC的SD單元的物理特性，如靜電放電，遵循Micro SD規(guī)范，具體參見“SD Specifications Part 1 Micro SD Card Specifications Version 2.01”中

13、第3.1.3節(jié)。SD UICC的SD單元的物理特性，如觸點表面電阻，遵循Micro SD規(guī)范，具體參見“SD Specifications Part 1 Micro SD Card Specifications Version 2.01”中第3.1.4節(jié)。SD UICC的SD單元的物理特性，如紫外線和X射線，遵循GB/T16649.1-2006標準，具體參見其中第4.2.1節(jié)和第4.2.2節(jié)。SD UICC的SD單元的物理特性，如抗靜磁場特性，遵循GB/T16649.1-2006標準，具體參見其中第4.2.7 節(jié)。5.1.2 SIM 單元SD UICC的SIM單元的物理特性，遵循ETSI TS

14、 102 221標準，具體參見“UICC-Terminal interface; Physical and logical characteristics”中第4.5節(jié)。5.2 電氣特性5.2.1 SD 單元SD UICC的SD單元的電氣特性，遵循SD 3.0規(guī)范，具體參見“SD Specifications Part 1 Physical Layer Specification Ver3.00”中第6.6.1節(jié)。5.2.2 SIM 單元5.2.2.1 A 類 SD UICC 卡A類SD UICC的SIM單元的電氣特性，遵循ETSI TS 102 221標準，具體參見“UICC-Termina

15、l interface; Physical and logical characteristics”中第5章和第6章。5.2.2.2 B 類 SD UICC 卡B類SD UICC的SIM單元的電氣特性，除休眠功耗外，均遵循ETSI TS 102 221標準，具體參見“UICC-Terminal interface; Physical and logical characteristics”中第5章和第6章。相較于普通SIM卡，SD UICC增加了SD控制子單元，其時鐘停止模式下的休眠功耗如表5.2.1所示。表 5.2.1 SIM接口的時鐘停止模式下的休眠功耗標記參數(shù)條件最小值最大值單位ISB休

16、眠功耗C1電源等級Class B/C，C3時鐘處于停止狀態(tài)-150A說明：ISB為SIM卡VCC觸點電流。5.3 功能要求5.3.1 SD 單元5.3.1.1 概述SD UICC的SD單元，應滿足SD協(xié)議要求、物理層安全要求。5.3.1.2 SD 協(xié)議要求SD協(xié)議主要從卡片系統(tǒng)特征、卡片功能描述、卡片寄存器和卡片硬件接口四方面提出要求，具體要求如下。1、卡片系統(tǒng)特征，遵循SD 3.0規(guī)范，具體參見“SD Specifications Part 1 Physical Layer Specification Ver3.00”中第3章。此外，本標準對其中部分可選參數(shù)提出具體要求如下表5.3.1所示。

17、表 5.3.1 SD卡片系統(tǒng)特征項目內(nèi)容規(guī)范要求涉及規(guī)范章節(jié)讀寫特性可讀/寫的便攜式卡3.1電壓范圍高電壓卡，2.7-3.6V3.2速度等級Class 103.4總線協(xié)議僅支持SD總線協(xié)議3.6.1超高速I卡支持DS/ HS/ SDR104/ SDR50/ DDR503.92、卡片功能描述，遵循SD 3.0規(guī)范，具體參見“SD Specifications Part 1 Physical Layer Specification Ver3.00”中第4章。3、卡片寄存器，遵循SD 3.0規(guī)范，具體參見“SD Specifications Part 1 Physical Layer Specifi

18、cation Ver3.00”中第5章。4、卡片硬件接口，遵循SD 3.0規(guī)范，具體參見“SD Specifications Part 1 Physical Layer Specification Ver3.00”中第6章。此外，本標準對其中部分可選參數(shù)提出具體要求，如下表5.3.2。表 5.3.2 SD卡片硬件接口項目內(nèi)容規(guī)范要求涉及規(guī)范章節(jié)卡通訊線參看本規(guī)范的4.4節(jié)和4.5節(jié)65.3.1.3 SD 單元物理層安全要求SD單元的物理層安全要求，指用戶數(shù)據(jù)的加密存儲安全要求，即未經(jīng)授權(quán)的任何實體不能從SD UICC 的 SD單元的大容量存儲區(qū)域中還原出通過加密方式存儲的用戶數(shù)據(jù)的真實內(nèi)容。5

19、.3.2 SIM 單元5.3.2.1 概述SD UICC的SIM單元，應滿足3GPP TS 31.102規(guī)范，具體參見“Characteristicsofthe Universal Subscriber IdentityModule(USIM) application”。此外，SIM單元作為SD UICC中數(shù)據(jù)安全和訪問安全的核心組件，應具備安全措施保護敏感數(shù)據(jù)和私密數(shù)據(jù)。5.3.2.2 SIM 單元物理層安全要求由于大容量卡的存儲空間有很大的提升，更多的用戶數(shù)據(jù)將被存儲于大容量卡內(nèi)，用戶的信息安全需要得到更大的保障，這些數(shù)據(jù)可能涉及到敏感信息、機密信息。從個人、企業(yè)和國家安全角度考慮，大容量

20、卡應支持硬件加密算法。注：從國家安全的角度考慮，可選支持國密算法，并符合國密二級標準。從抗外部攻擊的角度，本標準從物理安全、側(cè)信道安全和環(huán)境安全三方面規(guī)定了安全性要求。1、物理安全在受到物理攻擊時，敏感信息、安全機制、安全功能應不被泄露、操控和篡改。A. 物理攻擊包括但不限于： 1）探針監(jiān)聽或信號注入； 2）FIB（聚焦離子束）攻擊。B. 敏感信息包括但不限于：1） 用戶存于安全芯片中的私密信息。C. 安全機制包括但不限于： 1）主動屏蔽層；2） 安全版圖設(shè)計；3） 數(shù)據(jù)加密存儲；4） 數(shù)據(jù)存儲校驗；5） 數(shù)據(jù)加密傳輸。D. 安全功能包括但不限于： 1）能夠防范安全威脅的技術(shù)手段。2、側(cè)信道安

21、全在受到側(cè)信道攻擊時，安全機制不會被泄露/操控/篡改。A. 側(cè)信道攻擊包括但不限于： 1）時間攻擊；2） 電源功耗分析；3） 電磁分析。B. 側(cè)信道安全機制包括但不限于： 1）功耗特征隱藏；2）關(guān)鍵算法參數(shù)掩碼。3、環(huán)境安全A. 在工作環(huán)境條件超過規(guī)定范圍的情況下，SIM單元應提供環(huán)境安全監(jiān)測機制，使芯片保持安全狀態(tài)。1） 工作環(huán)境條件包括但不限于： a）工作溫度；b）工作電壓； c）時鐘頻率。2） 環(huán)境檢測機制包括但不限于： a）溫度檢測；b）電壓檢測； c）時鐘頻率檢測。B. 在受到故障攻擊的情況下，SIM單元應提供故障檢測機制，使芯片保持安全狀態(tài)。1）故障攻擊包括但不限于：a）電源毛刺攻

22、擊； b）電磁注入攻擊； c）光攻擊。2）故障檢測機制包括但不限于：1） 電源毛刺檢測；2） 光檢測；3） 數(shù)據(jù)或運算的冗余校驗。5.4 性能要求5.4.1 SD 單元5.4.1.1 概述SD UICC的SD單元，應遵循存儲卡的通用規(guī)范，具體參見“SJ T 11528-2015 信息技術(shù) 移動存儲 存儲卡通用規(guī)范”中第5章。此外，本標準將SD接口的讀取速度和寫入速度要求進行量化。5.4.1.2 讀取速度本標準將大容量卡SD接口的讀取速度量化，如表5.4.1所示。表 5.4.1 SD接口的讀取速度量化標準應用范圍讀取速度測試條件高清視頻 20 MB/s讀取連續(xù)數(shù)據(jù)全高清視頻 40 MB/s4K視

23、頻 60 MB/s8K視頻 80 MB/s5.4.1.3 寫入速度本標準要求寫入速度至少滿足CLASS10，即大于10MB/s。本標準將大容量SD接口的寫入速度量化，如表5.4.2所示。表 5.4.2 SD接口的寫入速度量化標準應用范圍寫入速度測試條件普通視頻 10 MB/s寫入連續(xù)數(shù)據(jù)高清視頻 20 MB/s全高清視頻 40 MB/s4K視頻 60 MB/s5.4.2 SIM 單元SD UICC的SIM單元，應遵循ETSI TS 102 221，具體參見“UICC-Terminal interface; Physical and logical characteristics”中第6.4節(jié)。

24、6 測試方法6.1 物理特性6.1.1 SD 單元6.1.1.1 溫度測試6.1.1.1.1 工作溫度測試（高溫）1、預置條件溫度85環(huán)境下，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行正常操作。2、測試步驟表 6.1.1 工作溫度（高溫）測試步驟步驟方向描述備注1TUICC放入85環(huán)境中,連接讀卡器持續(xù)對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行操作1小時/2用戶取出后在室溫25環(huán)境下放置2小時/3TUICC連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行操作3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。6.1.1.1.2 工作溫度測試（低溫）1、

25、預置條件溫度-25環(huán)境下，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行正常操作。2、測試步驟表 6.1.3 工作溫度（低溫）測試步驟步驟方向描述備注1TUICC放入-25環(huán)境中,連接讀卡器持續(xù)對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行操作1小時/2用戶取出后在室溫25環(huán)境下放置2小時/3TUICC連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行操作3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。6.1.1.1.3 貯存溫度測試（高溫）1、預置條件溫度85環(huán)境下，對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行長時間存放。2、測試步驟表 6.1.4 貯存溫度（

26、低溫）測試步驟步驟方向描述備注1用戶放入85環(huán)境中,持續(xù)放置500小時不連接讀卡器2用戶取出后在室溫25環(huán)境下放置2小時/3TUICC連接讀卡器對SIM和SD進行操作3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對SIM和SD的所有操作均正常。6.1.1.1.4 貯存溫度測試（低溫）1、預置條件溫度-40環(huán)境下，對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行長時間存放。2、測試步驟表 6.1.5 貯存溫度（低溫）測試步驟步驟方向描述備注1用戶放入-40環(huán)境中,持續(xù)放置168小時不連接讀卡器2用戶取出后在室溫25環(huán)境下放置2小時/3TUICC連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行操作3、預期結(jié)果整個測試

27、過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。6.1.1.2 濕度和腐蝕度6.1.1.2.1 工作濕度測試1、預置條件溫度25、相對濕度95%環(huán)境下，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行正常操作。2、測試步驟表 6.1.6 工作濕度測試步驟步驟方向描述備注1TUICC放入25、相對濕度95環(huán)境中,連接讀卡器持續(xù)對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行操作2小時/2用戶取出后在室溫25環(huán)境下放置2小時/3TUICC連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行操作3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。6.1.1

28、.2.2 貯存濕度測試1、預置條件溫度40、相對濕度93%環(huán)境下，對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行長時間存放。2、測試步驟表 6.1.7 貯存濕度測試步驟步驟方向描述備注1用戶放入40、相對濕度93環(huán)境中,持續(xù)放置500小時不連接讀卡器2用戶取出后在室溫25環(huán)境下放置2小時/3TUICC連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行操作3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。6.1.1.2.3 鹽霧腐蝕測試1、預置條件溫度35、鹽霧濃度3%環(huán)境下，對大容量卡進行長時間存放。2、測試步驟表 6.1.8 鹽霧腐蝕測試步驟步驟方向描述備注1用

29、戶放入35、鹽霧濃度3環(huán)境中, 持續(xù)放置24小時不連接讀卡器2用戶取出后，對卡片進行沖洗干燥并在室溫25環(huán)境下放置2小時/3TUICC連接讀卡器對SIM和SD進行操作3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。6.1.1.3 紫外線和 X 射線6.1.1.3.1 紫外線測試1、預置條件波長為254nm單色光、曝光總能量15Ws/cm2的環(huán)境下，對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行長時間存放。2、測試步驟表 6.1.9 紫外線測試步驟步驟方向描述備注1用戶放入紫外線照射環(huán)境中不連接讀卡器2TUICC取出后，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元

30、）進行操作/3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。6.1.1.3.2 X 射線測試1、預置條件0.1 Gy的中等能量輻射（70 keV至140 keV，年累積劑量）環(huán)境下，對大容量卡（含SIM單元和SD 單元）進行存放。2、測試步驟表 6.1.10 X射線測試步驟步驟方向描述備注1用戶放入X射線照射環(huán)境中，對觸點面進行照射不連接讀卡器2用戶放入X射線照射環(huán)境中，對背面進行照射不連接讀卡器3TUICC取出后，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行操作/3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。

31、6.1.1.4 靜電放電6.1.1.4.1 接觸靜電放電測試（VHM）1、預置條件接觸式靜電放電，+/-2kV和+/-4kV, 150pF, 330ohm。2、測試步驟表 6.1.11 接觸靜電放電測試步驟步驟方向描述備注1用戶對卡片上的每一個觸點進行5次+2KV的放電，在每次放電前去除卡片表明剩余的電荷/2用戶分別更改電壓為-2KV、+4KV和-4KV，重復步驟1/3TUICC取出后，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行操作/3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。6.1.1.4.2 空氣靜電放電測試（VHM）1、預置條件空氣靜電放

32、電，最高+/-15kV, 150pF, 330ohm。2、測試步驟表 6.1.12 空氣靜電放電測試步驟步驟方向描述備注1用戶使用絕緣膠帶覆蓋所有觸點，如圖6.1.1/2用戶按順序?qū)τ|點面的位置(1)-(2)進行4KV放電，每個點進行4次放電，如圖6.1.1，在每次放電前去除卡片表明剩余的電荷/3用戶按順序?qū)Ρ趁娴奈恢?1)-(5)進行4KV放電，每個點進行5次放電，如圖6.1.2，在每次放電前去除卡片表明剩余的電荷/4用戶分別更改電壓為-4KV、+8KV、-8KV、+15KV和-15KV，重復步驟1-3/5TUICC取出后，去除絕緣膠帶，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行操作

33、/圖6.1.1 空氣靜電放電測試（觸點面）圖6.1.2 空氣靜電放電測試（背面）3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。6.1.1.4.3 機器模型靜電放電測試（VHM）1、預置條件機器模型靜電放電，最高+/-0.2kV, 200pF, 0ohm。2、測試步驟表 6.1.13 機器模型靜電放電測試步驟步驟方向描述備注1用戶供電觸點接地，其他所有觸點逐一加載正負電壓脈沖，未測到的觸點懸空/2用戶接地觸點接地，其他所有觸點逐一加載正負電壓脈沖，未測到的觸點懸空/3用戶供電和接地懸空，其他所有觸點逐一加載正負電壓脈沖，未測到的觸點懸空接地/4TUICC取

34、出后，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行操作3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。6.1.1.5 扭曲測試SD UICC的扭曲測試，應遵循Micro SD規(guī)范，具體參見“SD Specifications Part 1 microSD Card Specification Version 2.01”中附錄E.2。6.1.1.6 跌落測試1、預置條件室溫25環(huán)境下，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行正常操作。2、測試步驟表 6.1.15 跌落測試步驟步驟方向描述備注1用戶在1.5米的高度對卡片的每個面進行10次的自由

35、落體不驗證功能2TUICC測試完成后，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行操作/3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。6.1.1.7 彎曲測試SD UICC的彎曲測試，應遵循Micro SD規(guī)范，具體參見“SD Specifications Part 1 microSD Card Specification Version 2.01”中附錄E.1。6.1.1.8 視覺檢查1、預置條件室溫25環(huán)境下，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行正常操作。2、測試步驟表 6.1.17 視覺檢查步驟步驟方向描述備注1用戶無崎嶇外表；

36、外觀完整；無孔洞；表面光滑度-0.1mm/cm2 ；無破裂；無污漬（脂，油，灰塵等）/3、預期結(jié)果滿足本標準中大容量卡技術(shù)要求中的視覺檢查要求。6.1.1.9 抗靜磁場特性測試1、預置條件磁場79500A/m環(huán)境下，對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行存放。2、測試步驟表 6.1.18 抗靜磁場測試步驟步驟方向描述備注1用戶放入靜磁場照射環(huán)境下不連接讀卡器2TUICC取出后，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行操作/3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。6.1.1.10 觸點表面電阻測試1、預置條件室溫25環(huán)境下，連接讀卡器對大

37、容量卡（含SIM單元和SD單元）進行正常操作。2、測試步驟表 6.1.19 觸點表面電阻測試步驟步驟方向描述備注1用戶測量大容量卡（含SIM單元和SD單元）的每一個觸點的表面電阻并/檢查其是否符合要求3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。6.1.1.11 卡的插拔耐久性測試1、預置條件室溫25環(huán)境下，連接讀卡器（支持大容量卡的讀寫設(shè)備）對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行正常操作。2、測試步驟表 6.1.20 插拔耐久性測試步驟步驟方向描述備注1用戶在讀卡器（含手機等讀寫設(shè)備）中進行10000次插入和拔出不驗證功能2TUICC取出后，連接讀卡

38、器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行操作/3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。6.1.2 SIM 單 元SD UICC SIM單元的物理特性測試，應遵循3GPP TS 31.122，具體參見“Technical Specification Group Core Network and Terminals；Universal Subscriber Identity Module (USIM)conformance test specification”中第6.1.4節(jié)。6.2 電氣特性6.2.1 SD 接口1、預置條件室溫25環(huán)境下，連接讀

39、卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行正常操作。2、測試步驟表 6.1.21 SD接口電氣特性測試步驟步驟方向描述備注1用戶設(shè)定主機給卡片的供電電壓VDD為2.7V，設(shè)定主機給卡片輸出時DAT0的高電壓(VOH)為0.75*VDD，低電壓(VOL)為0.125*VDD/2TUICC從主機向卡片寫入測試文件/3UICCT從卡片讀出測試文件，測量讀出時DAT0的高電壓(VIH)和低電壓(VIL)并檢查是否在要求范圍內(nèi)0.625V VIH VDD+0.3VSS-0.3 VIL 0.25*VDD4用戶修改主機給卡片的供電電壓VDD為3.6V，然后調(diào)整VOH和VOL，在重復執(zhí)行步驟2和步驟3/3、

40、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常，且滿足測量的高低電壓要求。6.2.2 SIM 接口SD UICC SIM單元的物理特性測試，應遵循3GPP TS 31.122，具體參見“Technical Specification Group Core Network and Terminals；Universal Subscriber Identity Module (USIM)conformance test specification”中第6.2節(jié)。6.3 功能測試6.3.1 SD 單元6.3.1.1 SD 協(xié)議要求測試1、預置條件室溫25環(huán)境下，連接

41、讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行正常操作。2、測試步驟表 6.1.22 SD接口電氣特性測試步驟步驟方向描述備注1用戶將卡片格式化為單一分區(qū)/2TUICC將測試文件寫入到卡片中并進行校驗，測試文件的大小以產(chǎn)品標稱容量的10遞增/3UICCT從產(chǎn)品中讀出寫入的測試文件并進行校驗/4TUICC刪除產(chǎn)品上的文件/3、預期結(jié)果整個測試過程中讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常。6.3.1.2 SD 單元的物理層安全要求測試1、預置條件室溫25環(huán)境下，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行正常操作。2、測試步驟表 6.1.25 用戶數(shù)據(jù)的加密存儲測試步驟步

42、驟描述備注1將電話本數(shù)據(jù)加密存儲于SD單元的大容量存儲區(qū)域/2將加密后的電話本數(shù)據(jù)采用未授權(quán)方式導出到其他設(shè)備（如本地計算機上），用文本編譯軟件打開并查看是否以密文方式存儲/3、預期結(jié)果整個測試過程中使用文本編譯軟件無法還原電話本文件。6.3.2 SIM 單元6.3.2.1 SIM 功能測試大容量卡的SIM功能測試，應遵循，具體參考Glob Platform Card Specification v2.2.1規(guī)范。SD UICC的SIM功能測試，應遵循3GPP TS 31.121，具體參見“Universal Mobile TelecommunicationsSystem (UMTS); LT

43、E; UICC-terminal interface; Universal Subscriber Identity Module (USIM) application test specification ”。6.3.2.2 SIM 單元物理層安全要求測試6.3.2.2.1 物理安全測試1、預置條件室溫25環(huán)境下，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行正常操作。2、測試步驟表 6.1.23 SIM單元物理安全測試步驟步驟描述備注1根據(jù)說明文檔，確認大容量卡可防護的物理攻擊的種類/2通過實驗驗證大容量卡抵抗探針監(jiān)聽、信號注入、聚焦離子束攻擊的能力/3查看是否存在信息泄露，信息包括但不限于敏感信息、密鑰、加密數(shù)據(jù)/3、預期結(jié)果整個測試過程中不存在非法獲得或篡改敏感信息、密鑰、加密數(shù)據(jù)，或獲取相應泄露點的情況。6.3.2.2.2 側(cè)信道安全測試1、預置條件室溫25環(huán)境下，連接讀卡器對大容量卡（含SIM單元和SD單元）進行正常操作。2、測試步驟表 6.1.24 SIM單元側(cè)信道安全測試步驟步驟描述備注1根據(jù)說明文檔，確認大容量卡可防護側(cè)信道攻擊的