SEPIC電路分析PPT課件

1、主要內(nèi)容主要內(nèi)容1、理想情況下的電路分析、理想情況下的電路分析2、實(shí)際情況下的電路分析、實(shí)際情況下的電路分析3、器件的選擇、器件的選擇4、損耗的計(jì)算、損耗的計(jì)算5、電路效率的計(jì)算、電路效率的計(jì)算第1頁/共17頁1、理想情況下電路分析、理想情況下電路分析圖1 理想情況下SEPIC電路第2頁/共17頁1、理想情況下電路分析、理想情況下電路分析圖2 當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時電路回路方程：RViIiVVVVOCCCLgL221121MOSFET開通時電路第3頁/共17頁1、理想情況下電路分析、理想情況下電路分析圖3 MOSFET關(guān)斷時電路圖回路方程：RVIIiIiVVVVVVOCCOLOCgL212112

2、101MOSFET關(guān)斷時電路第4頁/共17頁電感伏秒平衡方程電感伏秒平衡方程0)(1CoggVVVDDV0)(1oCVDDVgCVV1gOVDDV1電容充放電平衡方程012IDDI0)(21RVIIDRVDOORVDDIO11RVIo21、理想情況下電路分析、理想情況下電路分析第5頁/共17頁2、實(shí)際情況下的電路分析、實(shí)際情況下的電路分析圖4 實(shí)際情況下的電路第6頁/共17頁MOSFET導(dǎo)通時實(shí)際電路導(dǎo)通時實(shí)際電路圖5 當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時實(shí)際電路 QLgLRIIRIVV)(21111122212)(CLQLVRIRIIV21IiCRViC2 回路方程： 2、實(shí)際情況下的電路分析、實(shí)際情況下的

3、電路分析第7頁/共17頁圖6 MOSFET關(guān)斷時電路圖ODDLgLVVRIIVRIVV)(21111122212)(LDDLRIRIIVVV11IiCRVIIiC212MOSFET關(guān)斷時實(shí)際電路2、實(shí)際情況下的電路分析、實(shí)際情況下的電路分析回路方程：第8頁/共17頁電感伏秒平衡方程電感伏秒平衡方程電容充放電平衡方程012IDDI0)(21RVIIDRVDOORVDDIO11RVIo22、實(shí)際情況下電路分析、實(shí)際情況下電路分析111211112()()0gLQgLcDDOD VI RIIRD VI RVIIRVV1222112221()()0LCDDLDIIRI RVD VVIIRI Rc)()

4、()()(2221DDDDRRDRRDRRDDRDDRDDRVVDDDDVVVDMLQDLgDggO第9頁/共17頁3、器件的選擇、器件的選擇1） 電感的選擇 確定電感的規(guī)則是，在最小輸入電壓時使得紋波電流的大小約為穩(wěn)定值得30%。電感L1的紋波電流：dtdVLVLg11sgLDTLVi112得 %3011Ii)1 (3 . 021DITVLOSg 同理可得L2的值DITVLLoS3 . 02012第10頁/共17頁3、器件的選擇、器件的選擇2） 電容的選擇 確定電容的規(guī)則是，在最小輸入電壓時使得紋波電壓的大小約為穩(wěn)定值得5%。211IdtdUCCsCTDCIUmax121電容C1的紋波電壓：

5、%511CCUUgSVDTIC1 . 021同理可得C2的值oSoVDTIC1 . 01第11頁/共17頁3、器件的選擇、器件的選擇3） 功率MOSFET的選擇 流過開關(guān)管的最大電流值)(2)(1)(peakpeakpeakQIII11)(1LpeakiII22)(2LpeakiII其中承受到最大反向峰峰值電壓為ogRDVVV4） 電力二極管的選擇 流過二極管的最大電流值)( peakQI承受到最大反向電壓為ogQVVV第12頁/共17頁4、損耗的算、損耗的算a） MOSFET的關(guān)斷損耗)(2)(1)(peakpeakpeakQIII0221)(21ttVVIIPogoff3421)(21ttVVIIPogonQRIIP2111PPPPonoffQ1） MOSFET的開關(guān)損耗b） MOSFET的開通損耗d） 一個周期內(nèi)MOSFET總的損耗 圖7 MOSFET關(guān)斷時的波形圖c） MOSFET的導(dǎo)通損耗第13頁/共17頁4、損耗的算、損耗的算2） 電力二極管的損耗rogoffQVVP)(DonRIIP221)(onoffDPPP3） 電感的的損耗1211LL