唐山關(guān)于成立半導(dǎo)體硅片公司商業(yè)計劃書（模板參考）

1、泓域咨詢 /唐山關(guān)于成立半導(dǎo)體硅片公司商業(yè)計劃書唐山關(guān)于成立半導(dǎo)體硅片公司商業(yè)計劃書xx有限公司目錄第一章 籌建公司基本信息9一、 公司名稱9二、 注冊資本9三、 注冊地址9四、 主要經(jīng)營范圍9五、 主要股東9公司合并資產(chǎn)負(fù)債表主要數(shù)據(jù)10公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)11公司合并資產(chǎn)負(fù)債表主要數(shù)據(jù)12公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)12六、 項目概況13第二章 項目背景分析16一、 SOI硅片市場現(xiàn)狀及前景16二、 行業(yè)發(fā)展態(tài)勢18三、 項目實施的必要性21第三章 市場分析23一、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類23二、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類28第四章 公司籌建方案34一、 公司經(jīng)營宗旨34二、 公司的目標(biāo)、主

2、要職責(zé)34三、 公司組建方式35四、 公司管理體制35五、 部門職責(zé)及權(quán)限36六、 核心人員介紹40七、 財務(wù)會計制度41第五章 發(fā)展規(guī)劃45一、 公司發(fā)展規(guī)劃45二、 保障措施49第六章 法人治理52一、 股東權(quán)利及義務(wù)52二、 董事55三、 高級管理人員60四、 監(jiān)事62第七章 項目選址分析65一、 項目選址原則65二、 建設(shè)區(qū)基本情況65三、 創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展69四、 社會經(jīng)濟發(fā)展目標(biāo)71五、 產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向73六、 項目選址綜合評價74第八章 風(fēng)險評估75一、 項目風(fēng)險分析75二、 項目風(fēng)險對策77第九章 環(huán)境保護方案79一、 編制依據(jù)79二、 建設(shè)期大氣環(huán)境影響分析80三、 建設(shè)期水環(huán)境影

3、響分析82四、 建設(shè)期固體廢棄物環(huán)境影響分析82五、 建設(shè)期聲環(huán)境影響分析83六、 營運期環(huán)境影響84七、 環(huán)境管理分析84八、 結(jié)論86九、 建議86第十章 經(jīng)濟效益及財務(wù)分析88一、 經(jīng)濟評價財務(wù)測算88營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表88綜合總成本費用估算表89固定資產(chǎn)折舊費估算表90無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表91利潤及利潤分配表93二、 項目盈利能力分析93項目投資現(xiàn)金流量表95三、 償債能力分析96借款還本付息計劃表97第十一章 進度實施計劃99一、 項目進度安排99項目實施進度計劃一覽表99二、 項目實施保障措施100第十二章 投資估算101一、 編制說明101二、 建設(shè)投資1

4、01建筑工程投資一覽表102主要設(shè)備購置一覽表103建設(shè)投資估算表104三、 建設(shè)期利息105建設(shè)期利息估算表105固定資產(chǎn)投資估算表106四、 流動資金107流動資金估算表108五、 項目總投資109總投資及構(gòu)成一覽表109六、 資金籌措與投資計劃110項目投資計劃與資金籌措一覽表110第十三章 總結(jié)分析112第十四章 附表114主要經(jīng)濟指標(biāo)一覽表114建設(shè)投資估算表115建設(shè)期利息估算表116固定資產(chǎn)投資估算表117流動資金估算表118總投資及構(gòu)成一覽表119項目投資計劃與資金籌措一覽表120營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表121綜合總成本費用估算表121固定資產(chǎn)折舊費估算表122無形資

5、產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表123利潤及利潤分配表124項目投資現(xiàn)金流量表125借款還本付息計劃表126建筑工程投資一覽表127項目實施進度計劃一覽表128主要設(shè)備購置一覽表129能耗分析一覽表129報告說明xx有限公司主要由xx集團有限公司和xxx有限公司共同出資成立。其中：xx集團有限公司出資141.00萬元，占xx有限公司15%股份；xxx有限公司出資799萬元，占xx有限公司85%股份。根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)估算，項目總投資17339.85萬元，其中：建設(shè)投資14145.22萬元，占項目總投資的81.58%；建設(shè)期利息145.13萬元，占項目總投資的0.84%；流動資金3049.50萬元，占項目總投資

6、的17.59%。項目正常運營每年營業(yè)收入36800.00萬元，綜合總成本費用29122.70萬元，凈利潤5611.38萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率24.71%，財務(wù)凈現(xiàn)值8014.29萬元，全部投資回收期5.21年。本期項目具有較強的財務(wù)盈利能力，其財務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。半導(dǎo)體材料包括半導(dǎo)體制造材料與半導(dǎo)體封測材料。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2018年全球半導(dǎo)體制造材料市場規(guī)模為330.18億美元，同比增長17.14%；全球半導(dǎo)體封裝測試材料市場規(guī)模預(yù)計為197.01億美元，同比增長3.02%。2009年至今，制造材料市場規(guī)模增速一直高于封測材料市場增速。2009年，制造材料市場規(guī)模與封測材料市場規(guī)

7、模相當(dāng)，經(jīng)過近十年發(fā)展，制造材料市場規(guī)模是封測材料市場規(guī)模的1.68倍。本報告為模板參考范文，不作為投資建議，僅供參考。報告產(chǎn)業(yè)背景、市場分析、技術(shù)方案、風(fēng)險評估等內(nèi)容基于公開信息；項目建設(shè)方案、投資估算、經(jīng)濟效益分析等內(nèi)容基于行業(yè)研究模型。本報告可用于學(xué)習(xí)交流或模板參考應(yīng)用。第一章 籌建公司基本信息一、 公司名稱xx有限公司（以工商登記信息為準(zhǔn)）二、 注冊資本940萬元三、 注冊地址唐山xxx四、 主要經(jīng)營范圍經(jīng)營范圍：從事半導(dǎo)體硅片相關(guān)業(yè)務(wù)（企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營項目，開展經(jīng)營活動；依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后依批準(zhǔn)的內(nèi)容開展經(jīng)營活動；不得從事本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類項目的經(jīng)營活動。

8、）五、 主要股東xx有限公司主要由xx集團有限公司和xxx有限公司發(fā)起成立。（一）xx集團有限公司基本情況1、公司簡介公司以負(fù)責(zé)任的方式為消費者提供符合法律規(guī)定與標(biāo)準(zhǔn)要求的產(chǎn)品。在提供產(chǎn)品的過程中，綜合考慮其對消費者的影響，確保產(chǎn)品安全。積極與消費者溝通，向消費者公開產(chǎn)品安全風(fēng)險評估結(jié)果，努力維護消費者合法權(quán)益。公司加大科技創(chuàng)新力度，持續(xù)推進產(chǎn)品升級，為行業(yè)提供先進適用的解決方案，為社會提供安全、可靠、優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。公司自成立以來，堅持“品牌化、規(guī)?；?、專業(yè)化”的發(fā)展道路。以人為本，強調(diào)服務(wù)，一直秉承“追求客戶最大滿意度”的原則。多年來公司堅持不懈推進戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型和管理變革，實現(xiàn)了企業(yè)持續(xù)、健

9、康、快速發(fā)展。未來我司將繼續(xù)以“客戶第一，質(zhì)量第一，信譽第一”為原則，在產(chǎn)品質(zhì)量上精益求精，追求完美，對客戶以誠相待，互動雙贏。2、主要財務(wù)數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負(fù)債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月2018年12月資產(chǎn)總額7059.525647.625294.64負(fù)債總額4193.753355.003145.31股東權(quán)益合計2865.772292.622149.33公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入25870.4820696.3819402.86營業(yè)利潤5133.694106.953850.27利潤總額4554.393643.513415.79凈利潤

10、3415.792664.322459.37歸屬于母公司所有者的凈利潤3415.792664.322459.37（二）xxx有限公司基本情況1、公司簡介企業(yè)履行社會責(zé)任，既是實現(xiàn)經(jīng)濟、環(huán)境、社會可持續(xù)發(fā)展的必由之路，也是實現(xiàn)企業(yè)自身可持續(xù)發(fā)展的必然選擇；既是順應(yīng)經(jīng)濟社會發(fā)展趨勢的外在要求，也是提升企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力的內(nèi)在需求；既是企業(yè)轉(zhuǎn)變發(fā)展方式、實現(xiàn)科學(xué)發(fā)展的重要途徑，也是企業(yè)國際化發(fā)展的戰(zhàn)略需要。遵循“奉獻能源、創(chuàng)造和諧”的企業(yè)宗旨，公司積極履行社會責(zé)任，依法經(jīng)營、誠實守信，節(jié)約資源、保護環(huán)境，以人為本、構(gòu)建和諧企業(yè)，回饋社會、實現(xiàn)價值共享，致力于實現(xiàn)經(jīng)濟、環(huán)境和社會三大責(zé)任的有機統(tǒng)一。公司

11、把建立健全社會責(zé)任管理機制作為社會責(zé)任管理推進工作的基礎(chǔ)，從制度建設(shè)、組織架構(gòu)和能力建設(shè)等方面著手，建立了一套較為完善的社會責(zé)任管理機制。公司秉承“誠實、信用、謹(jǐn)慎、有效”的信托理念，將“誠信為本、合規(guī)經(jīng)營”作為企業(yè)的核心理念，不斷提升公司資產(chǎn)管理能力和風(fēng)險控制能力。2、主要財務(wù)數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負(fù)債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月2018年12月資產(chǎn)總額7059.525647.625294.64負(fù)債總額4193.753355.003145.31股東權(quán)益合計2865.772292.622149.33公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入25870.4

12、820696.3819402.86營業(yè)利潤5133.694106.953850.27利潤總額4554.393643.513415.79凈利潤3415.792664.322459.37歸屬于母公司所有者的凈利潤3415.792664.322459.37六、 項目概況（一）投資路徑xx有限公司主要從事關(guān)于成立半導(dǎo)體硅片公司的投資建設(shè)與運營管理。（二）項目提出的理由半導(dǎo)體行業(yè)是中國電子信息產(chǎn)業(yè)的重要增長點、驅(qū)動力。近年來，中國政府頒布了一系列政策支持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。2016年，全國人大發(fā)布中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十三個五年規(guī)劃綱要，明確將培育集成電路產(chǎn)業(yè)體系、大力推進先進半導(dǎo)體等新興前沿領(lǐng)

13、域創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化作為中國近期發(fā)展重點。2017年，科技部將300mm硅片大生產(chǎn)線的應(yīng)用并實現(xiàn)規(guī)模化銷售列為“十三五”先進制造技術(shù)領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃。2018年，國務(wù)院將推動集成電路、新材料等產(chǎn)業(yè)發(fā)展列入2018年政府工作報告。綜合分析，“十三五”時期，我市發(fā)展既面臨著現(xiàn)實而嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，更具備轉(zhuǎn)型升級、加速崛起的物質(zhì)基礎(chǔ)和政策環(huán)境。面對新形勢、新階段、新要求，只要我們始終堅持問題導(dǎo)向，進一步強化危機意識、憂患意識和責(zé)任意識，解放思想、搶抓機遇、發(fā)揮優(yōu)勢、奮發(fā)作為，以壯士斷腕的勇氣和魄力突破短板、破解難題，努力在壓產(chǎn)能、調(diào)結(jié)構(gòu)和“穩(wěn)增長”上找準(zhǔn)平衡點，加快培育新的經(jīng)濟增長點，努力把挑戰(zhàn)轉(zhuǎn)化成發(fā)展契

14、機，把壓力升華為發(fā)展動力，就一定能夠奪取全面建成小康社會的決定性勝利，加速實現(xiàn)“三個努力建成”和建設(shè)現(xiàn)代化沿海強市目標(biāo)。（三）項目選址項目選址位于xxx，占地面積約54.00畝。項目擬定建設(shè)區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，非常適宜本期項目建設(shè)。（四）生產(chǎn)規(guī)模項目建成后，形成年產(chǎn)xx噸半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)能力。（五）建設(shè)規(guī)模項目建筑面積53552.50，其中：生產(chǎn)工程35370.72，倉儲工程8176.61，行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施5603.67，公共工程4401.50。（六）項目投資根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)估算，項目總投資17339.85萬元，其中：建設(shè)投資14145.22

15、萬元，占項目總投資的81.58%；建設(shè)期利息145.13萬元，占項目總投資的0.84%；流動資金3049.50萬元，占項目總投資的17.59%。（七）經(jīng)濟效益（正常經(jīng)營年份）1、營業(yè)收入（SP）：36800.00萬元。2、綜合總成本費用（TC）：29122.70萬元。3、凈利潤（NP）：5611.38萬元。4、全部投資回收期（Pt）：5.21年。5、財務(wù)內(nèi)部收益率：24.71%。6、財務(wù)凈現(xiàn)值：8014.29萬元。（八）項目進度規(guī)劃項目建設(shè)期限規(guī)劃12個月。（九）項目綜合評價本期項目技術(shù)上可行、經(jīng)濟上合理，投資方向正確，資本結(jié)構(gòu)合理，技術(shù)方案設(shè)計優(yōu)良。本期項目的投資建設(shè)和實施無論是經(jīng)濟效益、社

16、會效益等方面都是積極可行的。第二章 項目背景分析一、 SOI硅片市場現(xiàn)狀及前景1、SOI硅片市場規(guī)模2016年至2018年全球SOI硅片市場銷售額從4.41億美元增長至7.17億美元，年均復(fù)合增長率27.51%；同期，中國SOI硅片市場銷售額從0.02億美元上升至0.11億美元，年均復(fù)合增長率132.46%。作為特殊硅基材料，SOI硅片生產(chǎn)工藝更復(fù)雜、成本更高、應(yīng)用領(lǐng)域更專業(yè)，全球范圍內(nèi)僅有Soitec、信越化學(xué)、環(huán)球晶圓、SUMCO和硅產(chǎn)業(yè)集團等少數(shù)企業(yè)有能力生產(chǎn)。而在需求方面，中國大陸芯片制造領(lǐng)域具備SOI芯片生產(chǎn)能力的企業(yè)并不多，因此中國SOI硅片產(chǎn)銷規(guī)模較小。2、SOI硅片在射頻前端芯

17、片中的應(yīng)用射頻前端芯片是超小型內(nèi)置芯片模塊，集成了無線前端電路中使用的各種功能芯片，包括功率放大器、天線調(diào)諧器、低噪聲放大器、濾波器和射頻開關(guān)等。射頻前端芯片主要功能為處理模擬信號，是以移動智能終端為代表的無線通信設(shè)備的核心器件之一。近年來，移動通信技術(shù)迅速發(fā)展，移動數(shù)據(jù)傳輸量和傳輸速度不斷提升，對于配套的射頻前端芯片的工作頻率、集成度與復(fù)雜性的要求隨之提高。RF-SOI硅片，包括HR-SOI（高阻）和TR-SOI（含有電荷陷阱層的高阻SOI），是用于射頻前端芯片的SOI硅片，其具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、集成密度高、速度快、功耗低、工藝簡單等優(yōu)點，符合射頻前端芯片對于高速、高線性與低插損等

18、要求。為了應(yīng)對射頻前端芯片對于集成度與復(fù)雜性的更高要求，RF-SOI工藝可以在不影響半導(dǎo)體器件工作頻率的情況下提高集成度并保持良好的性能；另一方面，SOI以其特殊的結(jié)構(gòu)與良好的電學(xué)性能，為系統(tǒng)設(shè)計提供了巨大的靈活性。由于SOI是硅基材料，很容易與其它器件集成，同時可以使用標(biāo)準(zhǔn)的集成電路生產(chǎn)線以降低芯片制造企業(yè)的生產(chǎn)成本。例如，SOI與CMOS工藝的兼容使其能將數(shù)字電路與模擬電路混合，在射頻電路應(yīng)用領(lǐng)域優(yōu)勢明顯。RF-SOI工藝在射頻集成方面具有多種優(yōu)勢：SOI硅片中絕緣埋層（BOX）的存在，實現(xiàn)了器件有源區(qū)和襯底之間的完全隔離，有效降低了寄生電容，從而降低了功耗；RF-SOI可以提供高阻襯底，

19、降低高頻RF和數(shù)字、混和信號器件之間的串?dāng)_并大幅度降低射頻前端的噪聲量，同時降低了高頻插入損耗；作為一種全介質(zhì)隔離，RF-SOI實現(xiàn)了RF電路與數(shù)字電路的單片集成。目前海外RF-SOI產(chǎn)業(yè)鏈較為成熟，格羅方德、意法半導(dǎo)體、TowerJazz、臺電和臺灣聯(lián)華電子等芯片制造企業(yè)均具有基于RF-SOI工藝的芯片生產(chǎn)線。國內(nèi)RF-SOI產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展不均衡，下游終端智能手機市場發(fā)展迅速，中游射頻前端模塊和器件大部分依賴進口。目前，雖然我國企業(yè)具備RF-SOI硅片大規(guī)模生產(chǎn)能力，但是國內(nèi)僅有少數(shù)芯片制造企業(yè)具有基于RF-SOI工藝制造射頻前端芯片的能力，因此國產(chǎn)RF-SOI硅片以出口為主。SOI硅片主要應(yīng)用

20、于智能手機、WiFi等無線通信設(shè)備的射頻前端芯片，亦應(yīng)用于汽車電子、功率器件、傳感器等產(chǎn)品。未來，隨著5G通信技術(shù)的不斷成熟，新一輪智能手機的更新?lián)Q代即將到來，以及自動駕駛、車聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，SOI硅片需求將持續(xù)上升。二、 行業(yè)發(fā)展態(tài)勢1、半導(dǎo)體硅片向大尺寸方向發(fā)展在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。在未來一段時間內(nèi)，300mm半導(dǎo)體硅片仍將作為主流尺寸，同時100-150mm半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能將逐步向200mm硅片轉(zhuǎn)移，而200mm硅片產(chǎn)能將逐步向300mm硅片轉(zhuǎn)移。向大尺寸方向發(fā)展是半導(dǎo)體硅片行業(yè)最基本的發(fā)展趨勢。2、行業(yè)集中度較高過去30年間，半導(dǎo)體硅片行業(yè)集中度持續(xù)提

21、升。20世紀(jì)90年代，全球主要的半導(dǎo)體硅片企業(yè)超過20家。2016-2018年，全球前五大硅片企業(yè)的市場份額已從85%提升至93%。半導(dǎo)體硅片行業(yè)兼具技術(shù)密集型、資本密集型與人才密集型的特征。行業(yè)龍頭企業(yè)通過多年的技術(shù)積累和規(guī)模效應(yīng)，已經(jīng)建立了較高的行業(yè)壁壘。半導(dǎo)體行業(yè)的周期性較強，規(guī)模較小的企業(yè)難以在行業(yè)低谷時期生存，而行業(yè)龍頭企業(yè)由于產(chǎn)品種類較為豐富、與行業(yè)上下游的談判能力更強、單位固定成本更低，更容易承受行業(yè)的周期性波動。通過并購的方式實現(xiàn)外延式擴張是一些半導(dǎo)體硅片龍頭企業(yè)發(fā)展壯大的路徑。如信越化學(xué)在1999年并購了日立的硅片業(yè)務(wù)；SUMCO為住友金屬工業(yè)的硅制造部門、聯(lián)合硅制造公司以及

22、三菱硅材料公司合并而成；環(huán)球晶圓在2012年收購了東芝陶瓷旗下的CovalentMaterials的半導(dǎo)體晶圓業(yè)務(wù)之后成為全球第六大半導(dǎo)體硅片廠，并于2016年收購了正在虧損的SunEdisonSemiconductorLimited、丹麥TopsilSemiconductorMaterialsA/S半導(dǎo)體事業(yè)部，進一步提升其市場占有率，也提高了整個行業(yè)的集中度。3、終端新興應(yīng)用涌現(xiàn)半導(dǎo)體硅片行業(yè)除了受宏觀經(jīng)濟影響，亦受到具體終端市場的影響。例如2010年，全球宏觀經(jīng)濟增速僅4%，但由于iPhone4和iPad的推出，大幅拉動了半導(dǎo)體行業(yè)的需求，2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入增長達32%。201

23、7年開始，大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能、新能源汽車、區(qū)塊鏈等新興終端應(yīng)用的出現(xiàn)，半導(dǎo)體行業(yè)進入了多種新型需求同時爆發(fā)的新一輪上行周期。4、全球半導(dǎo)體行業(yè)區(qū)域轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體行業(yè)具有生產(chǎn)技術(shù)工序多、產(chǎn)品種類多、技術(shù)更新?lián)Q代快、投資高風(fēng)險大、下游應(yīng)用廣泛等特點，疊加下游新興應(yīng)用市場的不斷涌現(xiàn)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈從集成化到垂直化分工的趨勢越來越明確，并經(jīng)歷了兩次空間上的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。第一次為20世紀(jì)70年代從美國向日本轉(zhuǎn)移，第二次是20世紀(jì)80年代向韓國與中國臺灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。目前，全球半導(dǎo)體行業(yè)正在開始第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，即向中國大陸轉(zhuǎn)移。歷史上兩次成功的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移都帶動了目標(biāo)國產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、垂直化分工進程的推進和資源優(yōu)化配置。

24、對于產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的目標(biāo)國，其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往往從封裝測試向芯片制造與設(shè)計延伸，擴展至半導(dǎo)體材料與設(shè)備，最終實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的整體發(fā)展。與發(fā)達國家和地區(qū)相比，目前中國大陸在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的分工仍處于前期，半導(dǎo)體材料和設(shè)備行業(yè)將成為未來增長的重點。受益于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向中國大陸轉(zhuǎn)移，中國大陸作為全球最大半導(dǎo)體終端產(chǎn)品消費市場，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)模不斷擴大，隨著國際產(chǎn)能不斷向中國轉(zhuǎn)移，中資、外資半導(dǎo)體企業(yè)紛紛在中國投資建廠，中國大陸半導(dǎo)體硅片需求將不斷增長。5、政策推動中國半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)是中國電子信息產(chǎn)業(yè)的重要增長點、驅(qū)動力。近年來，中國政府頒布了一系列政策支持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。2016年，全國人大發(fā)

25、布中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十三個五年規(guī)劃綱要，明確將培育集成電路產(chǎn)業(yè)體系、大力推進先進半導(dǎo)體等新興前沿領(lǐng)域創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化作為中國近期發(fā)展重點。2017年，科技部將300mm硅片大生產(chǎn)線的應(yīng)用并實現(xiàn)規(guī)?；N售列為“十三五”先進制造技術(shù)領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃。2018年，國務(wù)院將推動集成電路、新材料等產(chǎn)業(yè)發(fā)展列入2018年政府工作報告。2014年，隨著國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金的設(shè)立，各地方亦紛紛設(shè)立了集成電路產(chǎn)業(yè)基金。半導(dǎo)體硅片作為集成電路基礎(chǔ)性、關(guān)鍵性材料，屬于國家行業(yè)政策與資金重點支持發(fā)展的領(lǐng)域。三、 項目實施的必要性（一）現(xiàn)有產(chǎn)能已無法滿足公司業(yè)務(wù)發(fā)展需求作為行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，公司已建立良好

26、的品牌形象和較高的市場知名度，產(chǎn)品銷售形勢良好，產(chǎn)銷率超過 100%。預(yù)計未來幾年公司的銷售規(guī)模仍將保持快速增長。隨著業(yè)務(wù)發(fā)展，公司現(xiàn)有廠房、設(shè)備資源已不能滿足不斷增長的市場需求。公司通過優(yōu)化生產(chǎn)流程、強化管理等手段，不斷挖掘產(chǎn)能潛力，但仍難以從根本上緩解產(chǎn)能不足問題。通過本次項目的建設(shè)，公司將有效克服產(chǎn)能不足對公司發(fā)展的制約，為公司把握市場機遇奠定基礎(chǔ)。（二）公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級的需要隨著制造業(yè)智能化、自動化產(chǎn)業(yè)升級，公司產(chǎn)品的性能也需要不斷優(yōu)化升級。公司只有以技術(shù)創(chuàng)新和市場開發(fā)為驅(qū)動，不斷研發(fā)新產(chǎn)品，提升產(chǎn)品精密化程度，將產(chǎn)品質(zhì)量水平提升到同類產(chǎn)品的領(lǐng)先水準(zhǔn)，提高生產(chǎn)的靈活性和適應(yīng)性，契合關(guān)鍵

27、零部件國產(chǎn)化的需求，才能在與國外企業(yè)的競爭中獲得優(yōu)勢，保持公司在領(lǐng)域的國內(nèi)領(lǐng)先地位。第三章 市場分析一、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類1、半導(dǎo)體硅片簡介常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺，硅的熔點為1,415，高于鍺的熔點937，較高的熔點使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無毒、對環(huán)境無害，而砷元素為有毒物質(zhì)；并且鍺、砷化鎵均沒有天然的氧化物，在晶圓制造時還需要在表面沉積多層絕緣體，這會導(dǎo)致下游晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)

28、量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中，儲量豐富并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過進一步提純變?yōu)榧兌冗_99.9999999%至99.999999999%（9-11個9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶向，經(jīng)過單晶生長，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速

29、度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，而熔體中的硼（P）、磷（B）等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線，使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。2、半導(dǎo)體硅片的主要種類1965年，戈登摩爾提出摩爾定律：集成電路上所集成的晶體管數(shù)量，每隔18個月就提升一倍，相應(yīng)的集成電路性能增強一倍，成本隨之下降一半。對于芯片制造企業(yè)而言，這意味著需要不

30、斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成本以便與摩爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大，在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規(guī)格。在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，向大尺寸演進是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會使硅片邊緣處的一些區(qū)域無法被利用，必

31、然會浪費部分硅片。硅片的尺寸越大，相對而言硅片邊緣的損失會越小，有利于進一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標(biāo)）是200mm硅片的2.5倍左右。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)、設(shè)備、材料、工藝的要求越高。目前，全球市場主流的產(chǎn)品是200mm、300mm直徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配?？紤]到大部分200mm及以下芯片制造生產(chǎn)線投產(chǎn)時間較早，絕大部分設(shè)備已折舊完畢，因此200mm及以下半導(dǎo)體硅片對應(yīng)的芯片制造成本往往較低，在

32、部分領(lǐng)域使用200mm及以下半導(dǎo)體硅片的綜合成本可能并不高于300mm半導(dǎo)體硅片。此外，在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲器、CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器、高壓MOS等特殊產(chǎn)品方面，200mm及以下芯片制造的工藝更為成熟。綜上，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求依然存在。隨著汽車電子、工業(yè)電子等應(yīng)用的驅(qū)動，200mm半導(dǎo)體硅片的需求呈上漲趨勢。目前，除上述特殊產(chǎn)品外，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲器、MEMS、顯示驅(qū)動芯片與指紋識別芯片等，終端應(yīng)用領(lǐng)域主要為移動通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。目前，300mm半導(dǎo)體硅片的需求

33、主要來源于存儲芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）與ASIC（專用集成電路），終端應(yīng)用主要為智能手機、計算機、云計算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲硬盤）等較為高端領(lǐng)域。根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。隨著集成電路特征線寬的不斷縮小，光刻機的景深也越來越小，硅片上極其微小的高度差都會使集成電路布線圖發(fā)生變形、錯位，這對硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面顆粒度和潔凈

34、度對半導(dǎo)體產(chǎn)品的良品率也有直接影響。拋光工藝可去除加工表面殘留的損傷層，實現(xiàn)半導(dǎo)體硅片表面平坦化，并進一步減小硅片的表面粗糙度以滿足芯片制造工藝對硅片平整度和表面顆粒度的要求。拋光片可直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延是通過化學(xué)氣相沉積的方式在拋光面上生長一層或多層，摻雜類型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都符合特定器件要求的新硅單晶層。外延技術(shù)可以減少硅片中因單晶生長產(chǎn)生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等，由于外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層

35、的完整性，改善了溝道中的漏電現(xiàn)象，從而提升了集成電路的可靠性。除此之外，通常在低電阻率的硅襯底上外延生長一層高電阻率的外延層，應(yīng)用于二極管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高電壓的環(huán)境中，硅襯底的低電阻率可降低導(dǎo)通電阻，高電阻率的外延層可以提高器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性，并減少了器件的能耗，因此在工業(yè)電子、汽車電子等領(lǐng)域廣泛使用。SOI硅片即絕緣體上硅，是常見的硅基材料之一，其核心特征是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層。SOI硅片的優(yōu)勢在于可以通過絕緣埋層實現(xiàn)全介質(zhì)隔離，這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象，并消除了閂鎖效應(yīng)。

36、SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡單、抗宇宙射線粒子的能力強等優(yōu)點。因此，SOI硅片適合應(yīng)用在要求耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片上，如射頻前端芯片、功率器件、汽車電子、傳感器以及星載芯片等。二、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類1、半導(dǎo)體硅片簡介常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺，硅的熔點為1,415，高于鍺的熔點937，較高的熔點使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無毒、對環(huán)境無害，而砷元素為有毒物質(zhì)；并且

37、鍺、砷化鎵均沒有天然的氧化物，在晶圓制造時還需要在表面沉積多層絕緣體，這會導(dǎo)致下游晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中，儲量豐富并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過進一步提純變?yōu)榧兌冗_99.9999999%至99.999999999%（9-11個9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼

38、（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶向，經(jīng)過單晶生長，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，而熔體中的硼（P）、磷（B）等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線，使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。2、半導(dǎo)體硅片的主要種類1965年，戈登摩爾提出

39、摩爾定律：集成電路上所集成的晶體管數(shù)量，每隔18個月就提升一倍，相應(yīng)的集成電路性能增強一倍，成本隨之下降一半。對于芯片制造企業(yè)而言，這意味著需要不斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成本以便與摩爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大，在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規(guī)格。在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，向大尺寸演進是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向

40、。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會使硅片邊緣處的一些區(qū)域無法被利用，必然會浪費部分硅片。硅片的尺寸越大，相對而言硅片邊緣的損失會越小，有利于進一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標(biāo)）是200mm硅片的2.5倍左右。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)、設(shè)備、材料、工藝的要求越高。目前，全球市場主流的產(chǎn)品是200mm、300mm直徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相

41、匹配。考慮到大部分200mm及以下芯片制造生產(chǎn)線投產(chǎn)時間較早，絕大部分設(shè)備已折舊完畢，因此200mm及以下半導(dǎo)體硅片對應(yīng)的芯片制造成本往往較低，在部分領(lǐng)域使用200mm及以下半導(dǎo)體硅片的綜合成本可能并不高于300mm半導(dǎo)體硅片。此外，在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲器、CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器、高壓MOS等特殊產(chǎn)品方面，200mm及以下芯片制造的工藝更為成熟。綜上，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求依然存在。隨著汽車電子、工業(yè)電子等應(yīng)用的驅(qū)動，200mm半導(dǎo)體硅片的需求呈上漲趨勢。目前，除上述特殊產(chǎn)品外，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于功率器件、電源管理器、

42、非易失性存儲器、MEMS、顯示驅(qū)動芯片與指紋識別芯片等，終端應(yīng)用領(lǐng)域主要為移動通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。目前，300mm半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于存儲芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）與ASIC（專用集成電路），終端應(yīng)用主要為智能手機、計算機、云計算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲硬盤）等較為高端領(lǐng)域。根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。隨著集成電路特征線寬的不斷縮小

43、，光刻機的景深也越來越小，硅片上極其微小的高度差都會使集成電路布線圖發(fā)生變形、錯位，這對硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面顆粒度和潔凈度對半導(dǎo)體產(chǎn)品的良品率也有直接影響。拋光工藝可去除加工表面殘留的損傷層，實現(xiàn)半導(dǎo)體硅片表面平坦化，并進一步減小硅片的表面粗糙度以滿足芯片制造工藝對硅片平整度和表面顆粒度的要求。拋光片可直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延是通過化學(xué)氣相沉積的方式在拋光面上生長一層或多層，摻雜類型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都符合特定器件要求的新硅單晶層。外延技術(shù)可以減少硅片中因單晶生長產(chǎn)生的缺陷，具有更低的缺陷

44、密度和氧含量。外延片常在CMOS電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等，由于外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層的完整性，改善了溝道中的漏電現(xiàn)象，從而提升了集成電路的可靠性。除此之外，通常在低電阻率的硅襯底上外延生長一層高電阻率的外延層，應(yīng)用于二極管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高電壓的環(huán)境中，硅襯底的低電阻率可降低導(dǎo)通電阻，高電阻率的外延層可以提高器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性，并減少了器件的能耗，因此在工業(yè)電子、汽車電子等領(lǐng)域廣泛使用。SOI硅片即絕緣體上硅，是常見的硅基材料之一，其核心特征是在頂層硅和支

45、撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層。SOI硅片的優(yōu)勢在于可以通過絕緣埋層實現(xiàn)全介質(zhì)隔離，這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象，并消除了閂鎖效應(yīng)。SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡單、抗宇宙射線粒子的能力強等優(yōu)點。因此，SOI硅片適合應(yīng)用在要求耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片上，如射頻前端芯片、功率器件、汽車電子、傳感器以及星載芯片等。第四章 公司籌建方案一、 公司經(jīng)營宗旨以市場需求為導(dǎo)向；以科研創(chuàng)新求發(fā)展；以質(zhì)量服務(wù)樹品牌；致力于產(chǎn)業(yè)技術(shù)進步和行業(yè)發(fā)展，創(chuàng)建國際知名企業(yè)。二、 公司的目標(biāo)、主要職責(zé)（一）目標(biāo)近期目標(biāo)：深化企業(yè)改革，加快結(jié)構(gòu)

46、調(diào)整，優(yōu)化資源配置，加強企業(yè)管理，建立現(xiàn)代企業(yè)制度；精干主業(yè)，分離輔業(yè)，增強企業(yè)市場競爭力，加快發(fā)展；提高企業(yè)經(jīng)濟效益，完善管理制度及運營網(wǎng)絡(luò)。遠(yuǎn)期目標(biāo)：探索模式創(chuàng)新、制度創(chuàng)新、管理創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)發(fā)展新思路。堅持發(fā)展自主品牌，提升企業(yè)核心競爭力。此外，面向國際、國內(nèi)兩個市場，優(yōu)化資源配置，實施多元化戰(zhàn)略，向產(chǎn)業(yè)集團化發(fā)展，力爭利用3-5年的時間把公司建設(shè)成具有先進管理水平和較強市場競爭實力的大型企業(yè)集團。（二）主要職責(zé)1、執(zhí)行國家法律、法規(guī)和產(chǎn)業(yè)政策，在國家宏觀調(diào)控和行業(yè)監(jiān)管下，以市場需求為導(dǎo)向，依法自主經(jīng)營。2、根據(jù)國家和地方產(chǎn)業(yè)政策、半導(dǎo)體硅片行業(yè)發(fā)展規(guī)劃和市場需求，制定并組織實施公司的發(fā)展戰(zhàn)

47、略、中長期發(fā)展規(guī)劃、年度計劃和重大經(jīng)營決策。3、深化企業(yè)改革，加快結(jié)構(gòu)調(diào)整，轉(zhuǎn)換企業(yè)經(jīng)營機制，建立現(xiàn)代企業(yè)制度，強化內(nèi)部管理，促進企業(yè)可持續(xù)發(fā)展。4、指導(dǎo)和加強企業(yè)思想政治工作和精神文明建設(shè)，統(tǒng)一管理公司的名稱、商標(biāo)、商譽等無形資產(chǎn)，搞好公司企業(yè)文化建設(shè)。5、在保證股東企業(yè)合法權(quán)益和自身發(fā)展需要的前提下，公司可依照公司法等有關(guān)規(guī)定，集中資產(chǎn)收益，用于再投入和結(jié)構(gòu)調(diào)整。三、 公司組建方式xx有限公司主要由xx集團有限公司和xxx有限公司共同出資成立。其中：xx集團有限公司出資141.00萬元，占xx有限公司15%股份；xxx有限公司出資799萬元，占xx有限公司85%股份。四、 公司管理體制xx

48、有限公司實行董事會領(lǐng)導(dǎo)下的總經(jīng)理負(fù)責(zé)制，各部門按其規(guī)定的職能范圍，履行各自的管理服務(wù)職能，而且直接對總經(jīng)理負(fù)責(zé)；公司建立完善的營銷、供應(yīng)、生產(chǎn)和品質(zhì)管理體系，確立各部門相應(yīng)的經(jīng)濟責(zé)任目標(biāo)，加強產(chǎn)品質(zhì)量和定額目標(biāo)管理，確保公司生產(chǎn)經(jīng)營正常、有效、穩(wěn)定、安全、持續(xù)運行，有力促進企業(yè)的高效、健康、快速發(fā)展。總經(jīng)理的主要職責(zé)如下：1、全面領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)的日常工作；對企業(yè)的產(chǎn)品質(zhì)量負(fù)責(zé)；向本公司職工傳達滿足顧客和法律法規(guī)要求的重要性；2、制定并正式批準(zhǔn)頒布本公司的質(zhì)量方針和質(zhì)量目標(biāo)，采取有效措施，保證各級人員理解質(zhì)量方針并堅持貫徹執(zhí)行；3、負(fù)責(zé)策劃、建立本公司的質(zhì)量管理體系，批準(zhǔn)發(fā)布本公司的質(zhì)量手冊；4、明確

49、所有與質(zhì)量有關(guān)的職能部門和人員的職責(zé)權(quán)限和相互關(guān)系；5、確保質(zhì)量管理體系運行所必要的資源配備；6、任命管理者代表，并為其有效開展工作提供支持；7、定期組織并主持對質(zhì)量管理體系的管理評審，以確保其持續(xù)的適宜性、充分性和有效性。五、 部門職責(zé)及權(quán)限（一）綜合管理部1、協(xié)助管理者代表組織建立文件化質(zhì)量體系，并使其有效運行和持續(xù)改進。2、協(xié)助管理者代表，組織內(nèi)部質(zhì)量管理體系審核。3、負(fù)責(zé)本公司文件（包括記錄）的管理和控制。4、負(fù)責(zé)本公司員工培訓(xùn)的管理，制訂并實施員工培訓(xùn)計劃。5、參與識別并確定為實現(xiàn)產(chǎn)品符合性所需的工作環(huán)境，并對工作環(huán)境中與產(chǎn)品符合性有關(guān)的條件加以管理。（二）財務(wù)部1、參與制定本公司財

50、務(wù)制度及相應(yīng)的實施細(xì)則。2、參與本公司的工程項目可信性研究和項目評估中的財務(wù)分析工作。3、負(fù)責(zé)董事會及總經(jīng)理所需的財務(wù)數(shù)據(jù)資料的整理編報。4、負(fù)責(zé)對財務(wù)工作有關(guān)的外部及政府部門，如稅務(wù)局、財政局、銀行、會計事務(wù)所等聯(lián)絡(luò)、溝通工作。5、負(fù)責(zé)資金管理、調(diào)度。編制月、季、年度財務(wù)情況說明分析，向公司領(lǐng)導(dǎo)報告公司經(jīng)營情況。6、負(fù)責(zé)銷售統(tǒng)計、復(fù)核工作，每月負(fù)責(zé)編制銷售應(yīng)收款報表，并督促銷售部及時催交樓款。負(fù)責(zé)銷售樓款的收款工作，并及時送交銀行。7、負(fù)責(zé)每月轉(zhuǎn)賬憑證的編制，匯總所有的記賬憑證。8、負(fù)責(zé)公司總長及所有明細(xì)分類賬的記賬、結(jié)賬、核對，每月5日前完成會計報表的編制，并及時清理應(yīng)收、應(yīng)付款項。9、協(xié)

51、助出納做好樓款的收款工作，并配合銷售部門做好銷售分析工作。10、負(fù)責(zé)公司全年的會計報表、帳薄裝訂及會計資料保管工作。11、負(fù)責(zé)銀行財務(wù)管理，負(fù)責(zé)支票等有關(guān)結(jié)算憑證的購買、領(lǐng)用及保管，辦理銀行收付業(yè)務(wù)。12、負(fù)責(zé)先進管理，審核收付原始憑證。13、負(fù)責(zé)編制銀行收付憑證、現(xiàn)金收付憑證，登記銀行存款及現(xiàn)金日記賬，月末與銀行對賬單和對銀行存款余額，并編制余額調(diào)節(jié)表。14、負(fù)責(zé)公司員工工資的發(fā)放工作，現(xiàn)金收付工作。（三）投資發(fā)展部1、調(diào)查、搜集、整理有關(guān)市場信息，并提出投資建議。2、擬定公司年度投資計劃及中長期投資計劃。3、負(fù)責(zé)投資項目的儲備、篩選、投資項目的可行性研究工作。4、負(fù)責(zé)經(jīng)董事會批準(zhǔn)的投資項目

52、的籌建工作。5、按照國家產(chǎn)業(yè)政策，負(fù)責(zé)公司產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、投資結(jié)構(gòu)的調(diào)整。6、及時完成領(lǐng)導(dǎo)交辦的其他事項。（四）銷售部1、協(xié)助總經(jīng)理制定和分解年度銷售目標(biāo)和銷售成本控制指標(biāo)，并負(fù)責(zé)具體落實。2、依據(jù)公司年度銷售指標(biāo)，明確營銷策略，制定營銷計劃和拓展銷售網(wǎng)絡(luò)，并對任務(wù)進行分解，策劃組織實施銷售工作，確保實現(xiàn)預(yù)期目標(biāo)。3、負(fù)責(zé)收集市場信息，分析市場動向、銷售動態(tài)、市場競爭發(fā)展?fàn)顩r等，并定期將信息報送商務(wù)發(fā)展部。4、負(fù)責(zé)按產(chǎn)品銷售合同規(guī)定收款和催收，并將相關(guān)收款情況報送商務(wù)發(fā)展部。5、定期不定期走訪客戶，整理和歸納客戶資料，掌握客戶情況，進行有效的客戶管理。6、制定并組織填寫各類銷售統(tǒng)計報表，并將相關(guān)數(shù)據(jù)

53、及時報送商務(wù)發(fā)展部總經(jīng)理。7、負(fù)責(zé)市場物資信息的收集和調(diào)查預(yù)測，建立起牢固可靠的物資供應(yīng)網(wǎng)絡(luò)，不斷開辟和優(yōu)化物資供應(yīng)渠道。8、負(fù)責(zé)收集產(chǎn)品供應(yīng)商信息，并對供應(yīng)商進行質(zhì)量、技術(shù)和供就能力進行評估，根據(jù)公司需求計劃，編制與之相配套的采購計劃，并進行采購談判和產(chǎn)品采購，保證產(chǎn)品供應(yīng)及時，確保產(chǎn)品價格合理、質(zhì)量符合要求。9、建立發(fā)運流程，設(shè)計最佳運輸路線、運輸工具，選擇合格的運輸商，嚴(yán)格按公司下達的發(fā)運成本預(yù)算進行有效管理，定期分析費用開支，查找超支、節(jié)支原因并實施控制。10、負(fù)責(zé)對部門員工進行業(yè)務(wù)素質(zhì)、產(chǎn)品知識培訓(xùn)和考核等工作，不斷培養(yǎng)、挖掘、引進銷售人才，建設(shè)高素質(zhì)的銷售隊伍。六、 核心人員介紹1

54、、徐xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1958年出生，本科學(xué)歷，高級經(jīng)濟師職稱。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事長；2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事長；2016年11月至今任xxx有限公司董事、經(jīng)理；2019年3月至今任公司董事。2、李xx，中國國籍，1977年出生，本科學(xué)歷。2018年9月至今歷任公司辦公室主任，2017年8月至今任公司監(jiān)事。3、馮xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1961年出生，本科學(xué)歷，高級工程師。2002年11月至今任xxx總經(jīng)理。2017年8月至今任公司獨立董事。4、石xx，1957年出生，大專學(xué)歷。1994年5月至2002年6

55、月就職于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2018年3月至今任公司董事。5、段xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1970年出生，碩士研究生學(xué)歷。2012年4月至今任xxx有限公司監(jiān)事。2018年8月至今任公司獨立董事。6、潘xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1959年出生，大專學(xué)歷，高級工程師職稱。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技術(shù)顧問；2004年8月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司總工程師。2018年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、總工程師。7、嚴(yán)xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1971年出生，本科學(xué)歷，中級會計師職稱。200

56、2年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司財務(wù)經(jīng)理。2017年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、財務(wù)總監(jiān)。8、陸xx，中國國籍，1978年出生，本科學(xué)歷，中國注冊會計師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨立董事。七、 財務(wù)會計制度1、公司依照法律、行政法規(guī)和國家有關(guān)部門的規(guī)定，制定公司的財務(wù)會計制度。2、公司除法定的會計賬簿外，將不另立會計賬簿。公司的資產(chǎn)，不以任何個人名義開立賬戶存儲。3、公司分配當(dāng)年稅后利潤時，應(yīng)當(dāng)提取利潤的10%列入公司法定公積金。公司法定公積金累計額為公司注冊資本的50%以上的，可以不再提取。公司的法定公積金不足以彌補以前年度虧損的，在依照前款規(guī)定提取法定公積金之前，應(yīng)當(dāng)先用當(dāng)年利潤彌補虧損。公司從稅后利潤中提取法定公積金后，經(jīng)股東大會決議，還可以從稅后利潤中提取任意公積金。公司彌補虧損和提取公積金后所余稅后利潤，按照股東持有的股份比例分配，但本章程規(guī)定不按持股比例分配的除外。存在股東違規(guī)占用公司資金情況的，公司應(yīng)當(dāng)扣減該股東所分配的現(xiàn)金紅利，以償還其占用的資金。股東大會違反前款規(guī)定，在公司彌補虧損和提取法定公積金之前向股東分配利潤的，股東必須將違反規(guī)定分配的利潤退還公司。公司持有的本公司股份不參