配合物價鍵理論課件

1、第四章第四章 配合物的化學(xué)鍵理論配合物的化學(xué)鍵理論 配合物的化學(xué)鍵理論，主要研究中心配合物的化學(xué)鍵理論，主要研究中心原子和配體之間結(jié)合力的本性，并用來說原子和配體之間結(jié)合力的本性，并用來說明配合物的物理和化學(xué)性質(zhì)，如配位數(shù)、明配合物的物理和化學(xué)性質(zhì)，如配位數(shù)、幾何構(gòu)型、磁學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、熱力學(xué)幾何構(gòu)型、磁學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、熱力學(xué)穩(wěn)定性和動力學(xué)反應(yīng)性等等。穩(wěn)定性和動力學(xué)反應(yīng)性等等。靜電理論靜電理論 價鍵理論價鍵理論 晶體場理論晶體場理論 配位場理論配位場理論靜電理論靜電理論19161916年年 KosselKossel：假定中心原子和配體都是點：假定中心原子和配體都是點電荷或偶極子，利用靜電的

2、靜電公式對配合電荷或偶極子，利用靜電的靜電公式對配合物進行定量計算。物進行定量計算。優(yōu)點：能夠說明一些配合物的配位數(shù)、幾何優(yōu)點：能夠說明一些配合物的配位數(shù)、幾何構(gòu)型和穩(wěn)定性。構(gòu)型和穩(wěn)定性。缺點：將中心原子和配體都看作是沒有內(nèi)部缺點：將中心原子和配體都看作是沒有內(nèi)部結(jié)構(gòu)的點電荷，不能說明配合物的磁學(xué)性質(zhì)結(jié)構(gòu)的點電荷，不能說明配合物的磁學(xué)性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)。和光學(xué)性質(zhì)。 2 過渡金屬離子是形成配合物的很好的中心形成體。這是因為： 過渡金屬離子的有效核電荷大； 電子構(gòu)型為917型, 這種電子構(gòu)型的極化能力和變形性都較強, 因而過渡金屬離子可以和配體產(chǎn)生很強的結(jié)合力。 當過渡金屬離子的d軌道未充滿時軌道未

3、充滿時, 易生成內(nèi)軌型生成內(nèi)軌型的配合物；如果d電子較多電子較多, 還易與配位體生成生成附加的反饋反饋鍵鍵, 從而增加配合物的穩(wěn)定性。 過渡元素具有強烈的形成配合物的趨向。這是因為： 1 過渡元素有能量相近的屬同一個能級組的(n1)d、ns、np共九條價電子軌道。按照價鍵理論, 這些能量相近的軌道可以通過不同形式的雜化, 形成成鍵能力較強的雜化軌道, 以接受配體提供的電子對, 形成多種形式的配合物。 因而有人說, 過渡元素化學(xué)就是過渡元素化學(xué)就是d電子的配位化學(xué)電子的配位化學(xué) 顯然顯然, 配合物的配位數(shù)就是中心原子在成鍵時動用配合物的配位數(shù)就是中心原子在成鍵時動用的空軌道數(shù)。的空軌道數(shù)。 5.

4、3.1 價鍵理論價鍵理論(VB理論理論) 要點：要點：配合物是通過給予體和接受體的反應(yīng)而生配合物是通過給予體和接受體的反應(yīng)而生成的成的, , 給予體原子具有孤對電子給予體原子具有孤對電子, , 它給出孤對電子進它給出孤對電子進入作為配合物中心原子或離子的空軌道入作為配合物中心原子或離子的空軌道, , 為了接受這為了接受這些電子對些電子對, , 中心原子的原子軌道首先要進行雜化形成中心原子的原子軌道首先要進行雜化形成一組新的具有一定方向性和對稱性的等價雜化軌道一組新的具有一定方向性和對稱性的等價雜化軌道, , 再與配體的給予體軌道重疊形成再與配體的給予體軌道重疊形成 配鍵。如果中心原配鍵。如果中

5、心原子還有合適的孤對電子子還有合適的孤對電子, , 而配體又有合適的空軌道而配體又有合適的空軌道, , 這時中心原子上的孤對電子將進入配體空軌道從而形這時中心原子上的孤對電子將進入配體空軌道從而形成反饋的成反饋的 配鍵配鍵。 其中n為配合物中的成單電子數(shù), 為配合物的磁矩。) 2( nn價鍵理論順利地解釋了配合物的分子構(gòu)型。顯然顯然, , 分子構(gòu)型決定于雜化軌道的類型分子構(gòu)型決定于雜化軌道的類型： 根據(jù)配合物的磁矩可以計算配合物中成單的電子數(shù)并由此確定雜化軌道的類型：配 位 數(shù) 2 3 4 4 雜化軌道 sp sp2 sp3 dsp2分子構(gòu)型 直線 三角形 正四面體 正方形配 位 數(shù) 5 5

6、6雜化軌道 sp3d d2sp2, d4s sp3d2, d2sp3分子構(gòu)型 三角雙錐 四方錐 正八面體 例, 實驗測得Co(CN)63和CoF63均有正八面體的結(jié)構(gòu)且磁矩分別為0和4.9 B.M. d2sp36CNCo(CN)63：在配位后, sp3d26FCoF63： 在Co(CN)63中, Co3中心離子以d2sp3雜化軌道成鍵, 配離子沒有成單電子, 顯抗磁性, 為內(nèi)軌型配合物(也叫共價型配合物)。 在CoF63中, 雜化軌道的類型為sp3d2, 配離子有4個單電子, 顯順磁性, 為外軌型配合物(也叫電價配合物)。Co 3d74s2:Co3 3d6： 3 它不能解釋化合物的電子光譜躍遷

7、問題。因為沒有提到反鍵軌道; 所謂電價或外軌型配合物是中心離子的電子結(jié)構(gòu)不受配體影響, 保持其自由離子的結(jié)構(gòu), 給予體電子排布在外層軌道, 中心離子和配體借靜電引力結(jié)合在一起。而共價或內(nèi)軌配合物是中心離子的內(nèi)層d 電子重新排布空出部分軌道參與成鍵, 中心離子和配體借較強的共價鍵結(jié)合在一起。 現(xiàn)在, 在過渡元素配位化學(xué)中VB理論已逐步為配位場理論和分子軌道理論所代替。 這是因為, 價鍵理論有它不可克服的缺點, 例如: 1 這一理論認為配合物中所有的3d軌道能量均相同, 這是不真實的； 2 3d和4d的能量差較大, 但人為地一會兒用3d, 一會兒又用4d來成鍵, 至少是不恰當?shù)模?4 應(yīng)用這一理論

8、時, 有時需要把一個電子激發(fā)到較高能級的空軌道, 這樣就加進了不切實際的大量能量。 這里, X是一價陰離子的配位體。在此過程中, 自由離子 Cu2要由3d激發(fā)一個電子到 4p需要的激發(fā)能為1422.6 kJmol1, 看不出這么大的能量從何而來。要補賞這個能量, 必須使CuX鍵鍵能至少要達到356 kJmol1, 已知ClCl鍵鍵能為243 kJmol1, 這表明, 形成CuCl鍵放出的能量比形成ClCl鍵放出的能量還要大, 這可能是不真實的。 根據(jù)這個結(jié)構(gòu), 可以推測Cu2的配合物應(yīng)當很容易地失去未配對的4p電子而迅速氧化為Cu3, 但事實并非如此。 例如, 為了說明Cu2配合物的平面四方形

9、構(gòu)型問題, 認為3d電子被激發(fā)到4p能級從而發(fā)生dsp2雜化。 因此, 價鍵理論被配位場理論或分子軌道理論價鍵理論被配位場理論或分子軌道理論 取代是十分必然的。取代是十分必然的。 Cu2dsp24XCuX42 晶體場理論晶體場理論是一種靜電理論靜電理論, 它把配合物中中心原子與中心原子與配體之間的相互作用配體之間的相互作用, 看作類似于離子晶體中正負離子間的相互類似于離子晶體中正負離子間的相互作用作用。但配體的加入配體的加入, 使得使得中心原子五重簡并的 d 軌道(見圖)失去了簡并性。在一定對稱性的配體靜電場作用下, 五重簡并的d軌道將解除簡并軌道將解除簡并, 分裂為兩組或更多的能級組分裂為兩

10、組或更多的能級組, 這種分裂將對配合物的性質(zhì)產(chǎn)生重要影響。5.3.2 晶體場理論晶體場理論 在1929年由Bethe提出, 30年代中期為 Van Vleck等所發(fā)展, 與Puling的價鍵理論處于同一時代, 但當時并未引起重視, 到50年代以后又重新興起并得到進一步發(fā)展, 廣泛用于處理配合物的化學(xué)鍵問題。d 軌道示意圖一 晶體場中d軌道能級的分裂1 正八面體場八面體場中的d軌道 假定有一個d1構(gòu)型的正離子,當它處于一個球殼的中心,球殼表面上均勻分布著6個單位的負電荷, 由于負電荷的分布是球形對稱的, 因而不管這個電子處在哪條d軌道上, 它所受到的負電荷的排斥作用都是相同的, 即d軌道能量雖然

11、升高, 但仍保持五重簡并。 若改變負電荷在球殼上的分布, 把他們集中在球的內(nèi)接正八面體的六個頂點上, 且這六個頂點均在x、y、z軸上, 每個頂點的電量為1個單位的負電荷, 由于球殼上的總電量仍為6個單位的負電荷, 因而不會改變對d電子的總排斥力, 即不會改變d軌道的總能量, 但是那個單電子處在不同的d軌道上時所受到的排斥作用不再完全相同。 由于電子的總能量, 亦即各軌道總能量保持不變, eg能量的升高總值必然等于t2g軌道能量下降的總值, 這就是所謂的重心守恒原理重心守恒原理(原來簡并的軌道在外電場作用下如果發(fā)生分裂, 則分裂后所有軌道的能量改變值的代數(shù)和為零)。 將eg和t2g這兩組軌道間的

12、能量差用o或10Dq來表示, o或10 Dq稱為分裂能, 根據(jù)重心守恒原理, 則 2E(eg)3E(t2g)0 由此解得 E(eg)0.6o = 6Dq E(eg)E(t2g)o E(t2g)0.4o =4Dqd軌道能級在Oh場中的分裂 從d軌道的示意圖和d軌道在八面體場中的指向可以發(fā)現(xiàn), 其中dz2和dx2y2軌道的極大值正好指向八面體的頂點處于迎頭相撞的狀態(tài), 因而單電子在這類軌道上所受到的排斥較球形場大, 軌道能量有所升高, 這組軌道稱為eg軌道。相反, dxy、dxz、dyz軌道的極大值指向八面體頂點的間隙, 單電子所受到的排斥較小, 與球形對稱場相比, 這三條軌道的能量有所降低, 這

13、組軌道稱為t2g軌道。八面體場中的d軌道 在正四面體場中, 過渡金屬離子的五條d軌道同樣分裂為兩組, 一組包括dxy、dxz、dyz三條軌道, 用t2表示, 這三條軌道的極大值分別指向立方體棱邊的中點。距配體較近, 受到的排斥作用較強, 能級升高, 另一組包括dz2和dx2y2, 以e表示, 這兩條軌道的極大值分別指向立方體的面心, 距配體較遠, 受到的排斥作用較弱, 能級下降。2 正四面體場 由于在四面體場中,這兩組軌道都在一定程度下避開了配體、沒有像八面體中d軌道與配體迎頭相撞的情況,可以預(yù)料分裂能t小于o,計算表明 t(4/9)o 同樣, 根據(jù)重心守恒原理可以求出t2及e軌道的相對能量：

14、解得： E(t2)1.78Dq E(e)2.67Dq tE(t2)E(e)(4/9)o3E(t2)2 E(e)0 四面體場中的d軌道 相對于正八面體而言, 在拉長八面體中, z軸方向上的兩個配體逐漸遠離中心原子, 排斥力下降, 即dz2能量下降。同時, 為了保持總靜電能量不變, 在x軸和y軸的方向上配體向中心原子靠攏, 從而dx2y2的能量升高, 這樣eg軌道發(fā)生分裂。在t2g三條軌道中, 由于xy平面上的dxy軌道離配體要近, 能量升高, xz和yz平面上的軌道dxz和dyz離配體遠因而能量下降。結(jié)果, t2g軌道也發(fā)生分裂。這樣, 5條d軌道分成四組, 能量從高到低的次序為 dx2y2,

15、dz2, dxy, dxz和dyz。3 平面正方形場 設(shè)四個配體只在x、y平面上沿x和y 軸方向趨近于中心原子, 因dx2y2軌道的極大值正好處于與配體迎頭相撞的位置, 受排斥作用最強, 能級升高最多。其次是在xy平面上的dxy軌道。而dz2僅軌道的環(huán)形部分在xy平面上, 受配體排斥作用稍小, 能量稍低, 簡并的dxz、dyz的極大值與xy平面成45角, 受配體排斥作用最弱, 能量最低?？傊? 5條d軌道在Sq場中分裂為四組, 由高到低的順序是： dx2y2, dxy, dz2, dxz和dyz。4拉長的八面體d 軌道能級在不同配位場中的分裂表4 (3) 金屬離子d軌道的主量子數(shù) 在同一副族不

16、同過渡系的金屬的對應(yīng)配合物中, 分裂能值隨著d軌道主量子數(shù)的增加而增大。當由第一過渡系到第二過渡系再到第三過渡系、分裂能依次遞增4050%和2025%。這是由于4d軌道在空間的伸展較3d軌道遠, 5d軌道在空間的伸展又比4d軌道遠, 因而易受到配體場的強烈作用之故。二 分裂能和光譜化學(xué)序列 分裂能分裂能: 中心離子的d軌道的簡并能級因配位場的影響而分裂成不同組能級之間的能量差。分裂能的大小與下列因素有關(guān)：(1)配位場亦即幾何構(gòu)型類型 如t(4/9)o (2) 金屬離子的電荷 中心金屬離子電荷增加, 值增加。這是由于隨著金屬離子的電荷的增加, 金屬離子的半徑減小, 因而配體更靠近金屬離子, 從而

17、對 d 軌道產(chǎn)生的影響增大之故, 三價離子的分裂能比二價離子要大4060%。(4)配體的本性 將一些常見配體按光譜實驗測得的分裂能從小到大次序排列起來, 便得光光譜化學(xué)序譜化學(xué)序： 這個化學(xué)序代表了配位場的強度順序。由此順序可見, 對同一金屬離子, 造成值最大的是CN離子, 最小的是I離子, 通常把CN、NO2等離子稱作強強場配位體場配位體, I、Br、F離子稱為弱場配位體弱場配位體。 須指出的是, 上述配體場強度順序是純靜電理論所不能解釋的。例如OH比H2O分子場強度弱, 按靜電的觀點OH帶了一個負電荷, H2O不帶電荷, 因而OH應(yīng)該對中心金屬離子的d軌道中的電子產(chǎn)生較大的影響作用, 但實

18、際上是OH的場強度反而低, 顯然這就很難純粹用靜電效應(yīng)進行解釋。這說明了 d 軌道的分裂并非純粹的靜電效應(yīng)軌道的分裂并非純粹的靜電效應(yīng), 其中的共價因素也不可忽略。其中的共價因素也不可忽略。 綜上, 值取決于中心原子和配位體兩個方面。1969年Jorgensen將分裂能拆分為只決定于配體的f因子(f叫配體的特性參數(shù)), 和只決定于金屬的g因子(g叫金屬離子的特性參數(shù)), 并表示為 of g 表5列出了某些配體的f值和某些金屬離子的g值, 如果缺乏實驗數(shù)據(jù)時, 可由此粗略地估計o 。表表5三 電子成對能和配合物高低自旋的預(yù)言 所謂成對能成對能是電子在配對時為了克服靜電場的排斥作用所需的能量, 通

19、俗地講就是使自旋成對的兩個電子占據(jù)同一軌道所必須付出的能量, 以P表示。 電子成對能的大小可用描述電子相互作用的Racah 電子排斥參數(shù)B和C來表示。通常 C4B 對氣態(tài)的自由金屬離子, 已知 P(d4)=6B5C P(d5)7.5B5C P(d6)2.5B4C P(d7)4B4C即 P(d5) P(d4) P(d7) P(d6) 說明電子成對能與電子成對能與d電子數(shù)目有關(guān)電子數(shù)目有關(guān)。 配離子中的中心金屬離子由于受配位體的影響, 同自由金屬離子相比, 電子云擴展了 (電子云擴展是指其運動的范圍增大), 電子間的相互作用力減小?？梢灶A(yù)料配離子中的中心金屬離子的成對能比氣態(tài)自由金屬離子的成對能要

20、減小(減小約1520%)。 由于P(d5)P(d4)P(d7)P(d6), 故在八面體場中d6離子常為低自旋的(但Fe(H2O)62和CoF63例外), 而d5離子常為高自旋的(CN的配合物例外)。 對于一個處于配位場中的金屬離子, 其電子排布究竟采用高自旋, 還是低自旋的狀態(tài), 可以根據(jù)成對能和分裂能的相對大小來進行判斷： 當P時, 因電子成對需要的能量高, 電子將盡量以單電子排布分占不同的軌道, 取高自旋狀態(tài)高自旋狀態(tài)；當P時, 電子成對耗能較少, 此時將取低自旋狀態(tài)低自旋狀態(tài)。 根據(jù)P和的相對大小可以對配合物的高、低自旋進行預(yù)言: 在弱場時, 由于值較小, 配合物將取高自旋構(gòu)型, 相反,

21、 在強場時, 由于值較大, 配合物將取低自旋構(gòu)型。 對于四面體配合物, 由于t(4/9)0, 這樣小的t值, 通常都不能超過成對能值, 所以四面體配合物通常都是高自旋的。 第二、三過渡系金屬因值較大, 故他們幾乎都是低自旋的d5:d7:d6:d4:d1:d2:d3:d8:d9:d10:高自旋排布低自旋排布 顯然, d1、d2、d3、d8、d9、d10只有一種排布, 無高低自旋區(qū)別。 在配體靜電場的作用下, 中心金屬離子的d軌道能級發(fā)生分裂, 其上的電子一部分進入分裂后的低能級軌道, 一部分進入高能級軌道。進入低能級軌道使體系能量下降, 進入高能級軌道使體系能量上升。根據(jù)能量最低原理, 體系中的

22、電子優(yōu)先進入低能級。如果下降的能量多于上升的能量, 則體系的總能量將下降。這樣獲得的能量稱為晶體場穩(wěn)定化能晶體場穩(wěn)定化能。 這種d軌道分裂和電子填入低能級軌道給配合物帶來的額外的穩(wěn)定化作用將產(chǎn)生一種附加的成鍵作用效應(yīng)。 四四 晶體場穩(wěn)定化能和配合物的熱力學(xué)性質(zhì)晶體場穩(wěn)定化能和配合物的熱力學(xué)性質(zhì)1 晶體場穩(wěn)定化能(CFSE)晶體場穩(wěn)定化能的大小與下列因素有關(guān)： 配合物的幾何構(gòu)型； 中心原子的d電子的數(shù)目； 配體場的強弱； 電子成對能。 如, Fe3(d5)在八面體場中中可能有兩種電子排布 t2g3eg2, 相對于未分裂的d軌道的能量值為 CFSE3(4Dq)26Dq0 t2g5eg0, CFSE

23、5(4Dq)2P20Dq2P表表6 表6列出幾種配位場下的晶體場穩(wěn)定化能值, 為了簡化, 忽略了成對能。 在弱場中, 相差5個 d 電子的各對組態(tài)的穩(wěn)定化能相等, 如d1與d6、d3與d8, 這是因為, 在弱場中無論何種幾何構(gòu)型的場, 多出的5個電子, 根據(jù)重心守恒原理, 對穩(wěn)定化能都沒有貢獻。從表6可以發(fā)現(xiàn)以下幾點規(guī)律：在弱場中, d0、d5、d10構(gòu)型的離子的CFSE均為0。 除d0、d5、d10外, 無論是弱場還是強場, CFSE的次序都是正方形八面體四面體。 在弱場中, 正方形與八面體穩(wěn)定化能的差值以d4、d9為最大, 而在弱場中則以d8為最大。 2 CFSE對配合物性質(zhì)的影響 晶體場

24、理論的核心是配位體的靜電場與中心離子的作用所引起的d軌道的分裂和d電子進入低能軌道帶來的穩(wěn)定化能使體系能量下降, 從而產(chǎn)生一種附加的成鍵作用效應(yīng)。 既然CFSE引起附加成鍵效應(yīng), 那么這種附加成鍵效應(yīng)及其大小必然會在配合物的熱力學(xué)性質(zhì)上表現(xiàn)出來。 由表67和右圖可以發(fā)現(xiàn), 在正八面體弱場高自旋(HS)中, CFSE的曲線呈現(xiàn)“W“形或“反雙峰”形狀, 三個極大值位于d0、d5、d10處, 兩個極小值出現(xiàn)在 d3 和d8 處, 而在強場低自旋(LS)中, 曲線呈“V”形, 極大值為d0、d10, 極小值d6。 例如, 以過渡金屬離子的水合焓為例 顯然水合焓跟中心離子的d軌道處于配體H2O靜電場有

25、關(guān)。假定這種靜電場由球形對稱的靜電場和正八面體對稱的靜電場兩部分所組成?；诖? 可以寫出玻恩哈伯循環(huán)：Mm(g)H2OM(H2O)6m(ag) hydHm(Mm, (t2gNegnN) hydHm(Mm, g) Mm(dn, g) H2O M(H2O)6m(ag) (t2gNegnN) M(H2O)6m(g) M(H2O)6m(ag) (dn, 球形) 得 hydHm(Mm, (t2gNegnN)6bHm(MmH2O, g) hydHm M(H2O)6m, (dn, 球形)CFSE6bHm(MmH2O, g)hydHm(M(H2O)6m, g)CFSE 其中: 6bHm(MmH2O, g)是

26、配體與金屬離子成鍵的能量變化; hydHmM(H2O)6m, g)是生成球形對稱的M(H2O)6m(ag)的水合能; CFSE是正八面體靜電場使d軌道分裂、d電子重新排布時放出的能量. CFSE只占金屬與配體總鍵能的一小部分(大約為510%), 只有當別的因素大致不變時, 它的關(guān)鍵作用才能表現(xiàn)出來。 對于過渡金屬離子, 隨原子序數(shù)的增加, 有效核電荷增大, 離子半徑減小, 鍵能和球形對稱靜電場水合能應(yīng)該平穩(wěn)地增加(負值增大), 而CFSE部分應(yīng)該有W形的變化規(guī)律, 這兩部分合起來就得到左圖的形狀。水合焓的變化規(guī)律正是CFSF隨d電子數(shù)的變化規(guī)律的體現(xiàn)。 類似地, 可以討論晶體場分裂在晶格能(右

27、圖)、離解能上的影響。 這個序列叫作Irvingwilliams序列, 這個順序大致與弱場CFSE的變化順序一致, 類似于前述反雙峰曲線的后半段, 只是谷值不在d8而是d9, 其原因是姜泰勒效應(yīng)所引起的。3 配合物生成常數(shù)的Irvingwilliams序列 實驗發(fā)現(xiàn), 在由Mn到Zn的二價金屬離子與含 N 配位原子的配體生成的配合物的穩(wěn)定次序, 亦即他們的平衡常數(shù), 可觀察到下列順序: Mn2Fe2Co2Ni2Cu2Zn2 d5 d6 d7 d8 d9 d10五 d軌道分裂的結(jié)構(gòu)效應(yīng)1 過渡金屬的離子半徑 從下圖八面體配合物中第一過渡系離子的半徑隨原子序數(shù)的變化看來, 過渡金屬并不像鑭系元素一

28、樣, 其離子半徑并不隨原子序數(shù)的增加單調(diào)的減少。而是呈斜W形(在弱場中)或V形(在強場中)的變化規(guī)律。 以二價離子弱場而言, 按晶體場理論, Ca2、Mn2、Zn2離子有球形對稱的電子云分布。三個離子的有效核電荷依次增大, 故離子半徑逐漸減小, 他們位于逐漸下降的平滑曲線上。其他離子的半徑則位于這條平滑曲線的下面, 這是由于它們的d電子并非球形分布所致。以d3的V2為例。其電子組態(tài)為t2g3eg0, 由于t2g電子主要集中在遠離金屬配體鍵軸的區(qū)域, 它提供了比球形分布的d電子小得多的屏蔽作用, 故而半徑進一步減小。而d4的Cr2, 它的電子組態(tài)為t2g3eg1。由于新增加的eg電子填入位于金屬

29、配體鍵軸區(qū)域，它的屏蔽作用增加, 核對配體的作用相應(yīng)減小, 故離子的半徑有所增大。 t2g6(dz2)2(dx2y2)1, 由于dx2 y2軌道上電子比dz2軌道上的電子少一個, 則在xy平面上d電子對中心離子核電荷的屏蔽作用就比在z軸上的屏蔽作用小, 中心離子對xy平面上的四個配體的吸引就大于對z軸上的兩個配體的吸引, 從而使xy平面上的四個鍵縮短, z軸方向上的兩個鍵伸長, 成為拉長的八面體。 2 JahnTeller(姜泰勒)效應(yīng) 電子在簡并軌道中的不對稱占據(jù)會導(dǎo)致分子的幾何構(gòu)型發(fā)生電子在簡并軌道中的不對稱占據(jù)會導(dǎo)致分子的幾何構(gòu)型發(fā)生畸變畸變, 從而降低分子的對稱性和軌道的簡并度從而降低

30、分子的對稱性和軌道的簡并度, 使體系的能量進一使體系的能量進一步下降步下降, 這種效應(yīng)稱為姜泰勒效應(yīng)。這種效應(yīng)稱為姜泰勒效應(yīng)。 以d9, Cu2的配合物為例, 當該離子的配合物是正八面體構(gòu)型時, d軌道就要分裂成t2g和eg二組軌道, 設(shè)其基態(tài)的電子構(gòu)型為t2g6e2g3, 那么三個eg電子就有兩種排列方式： t2g6(dz2)1(dx2y2)2, 由于dz2軌道上缺少一個電子, 在z軸上d電子對中心離子的核電荷的屏蔽效應(yīng)比在xy平面的小, 中心離子對 z軸方向上的兩個配體的吸引就大于對xy平面上的四個配體的吸引, 從而使z軸方向上兩個鍵縮短, xy面上的四條鍵伸長, 成為壓扁的八面體。 姜泰

31、勒效應(yīng)不能指出究竟應(yīng)該發(fā)生哪種幾何畸變, 但實驗證明, Cu的六配位配合物, 幾乎都是拉長的八面體, 這是因為, 在無其他能量因素影響時, 形成兩條長鍵四條短鍵比形成兩條短鍵四條長鍵的總鍵能要大之故。 無論采用哪一種幾何畸變, 都會引起能級的進一步分裂, 消除簡并, 其中一個能級降低, 從而獲得額外的穩(wěn)定化能(左圖為第一種情況的能級圖)。 因此, (1) 如果各種構(gòu)型的CFSE相差不大, 則因八面體配合物的總鍵能大于正四面體和正方形配合物的總鍵能, 因而正八面體的H最大, 所以, 在此時, 以正八面體為最穩(wěn)定。 (2) 如果各種構(gòu)型的鍵焓相差不大, 那么 由于CFSE正方形CFSE正八面體CF

32、SE正四面體,此時,H正方形最大, 以正方形構(gòu)型為最穩(wěn)定。 各種構(gòu)型的CFSE均相等, 則此時三種構(gòu)型都能穩(wěn)定存在。顯然, 只有在d0、d10和弱場d5才有這種可能。因此對因此對Td, 只有在只有在d0、d5、d10(和大體積配體時和大體積配體時)才會生成。才會生成。3 配合物立體構(gòu)型的選擇 假定配合反應(yīng)為： M mL MLm G H S 根據(jù)GH TSRTlnK, 配合物的穩(wěn)定性將由G決定, 由于各種配合物的S相差不大, 所以主要決定于H, 顯然, H值越負, 則MLm愈穩(wěn)定。設(shè)m6、4時, 上述配合反應(yīng)的H值為 H正八面體6bH(ML)CFSE正八面體 H正四面體4bH(ML)CFSE正四

33、面體 H正方形 4bH(ML)CFSE正方形 為了對上述實驗事實給以更為合理的解釋, 人們在晶體場理論的基礎(chǔ)上, 吸收了分子軌道理論的若干成果, 既適當考慮中心原子與配體化學(xué)鍵的共價性, 又仍然采用晶體場理論的計算方法, 發(fā)展成為一種改進了的晶體場理論, 特稱為配體場理論。5.3.3 配位場理論配位場理論 晶體場理論能較好地說明了配合物的立體化學(xué)、熱力學(xué)性質(zhì)等主要問題, 這是它的成功之處, 但是它不能合理解釋配體的光化學(xué)順序。按照靜電理論的觀點也不能解釋一些金屬同電中性的有機配體的配合物的生成事實, 這是由于晶體場理論沒有考慮金屬離子與配體軌道之間的重疊, 即不承認共價鍵的存在的緣故。近代實驗

34、測定表明, 金屬離子的軌道和配體的軌道確有重疊發(fā)生。 配位場理論認為: (1)配體不是無結(jié)構(gòu)的點電荷配體不是無結(jié)構(gòu)的點電荷, ,而是有一定的電荷分布而是有一定的電荷分布; ; (2)成鍵作用既包括靜電的成鍵作用既包括靜電的, , 也包括共價的作用。也包括共價的作用。 自由金屬離子的Racah拉卡參數(shù)B值可以通過發(fā)射光譜測定, 而該金屬作為配合物的中心離子的Racah拉卡參數(shù)B可以通過吸收光譜測定。常見離子的B和B值列于表7中。 共價作用的主要結(jié)果就是軌道重疊, 換句話說就是d 軌道的離域作用, d電子運動范圍增大, d電子間的排斥作用減小。這謂之為電子云擴展效應(yīng)電子云擴展效應(yīng)。 前面提到的配合

35、物中心離子的價電子間的成對能(亦即價電子間的排斥作用)比自由離子小約1520%, 這種減小就是緣由電子云擴展效應(yīng)(電子云擴展效應(yīng)大, 亦即運動范圍增大, 靜電排斥作用就減小, 所以成對能減小)。且成對能可以用Racah拉卡電子互斥參數(shù)B和C來量度。 約根遜引入一個參數(shù)來表示B相對于B減小的程度。配合物中心離子的B值該金屬的自由離子的B值 FH2OCO(NH2)2NH3C2O42enNCSClCNBr(C2H5O)2PS2S2IC2H5O)2PSe2 這個序列大體上同配位原子的電負性一致, 它很好地表征了中心離子和配體之間形成共價鍵的趨勢, 左端離子的值較大, 意指B大, 即配離子中的中心金屬離

36、子的電子排斥作用減少得少, 換句話說, 就是共價作用不明顯；右端的離子, 值小, 意味著B小, 電子離域作用大, 即電子云擴展效應(yīng)大, 共價作用明顯。 按照值減小趨勢排成一個序列, 稱為“電子云擴展序列電子云擴展序列”： 值也可由公式 1hxhm計算, 其中hx、hm分別表示配體和金屬離子的電子云擴展參數(shù), 他們列在表8中。 在第一過渡系中, 中心原子的價電子軌道是五條3d, 1條4s和3條4p軌道, 在八面體場中, 這九條軌道中只有六條軌道(4s、4px、4py、4pz、3dz2、3dx2y2)在x、y、z的軸上分布, 指向配體, 因而這六條軌道可以形成鍵。而另外三條軌道, 即3dxy、3d

37、xz、3dyz, 因其位于x、y、z軸之間, 在Oh場中對于形成鍵對稱性不匹配, 不適合于形成鍵, 但可參與形成鍵。 5.3.4 分子軌道理論 由中心原子和配位體的原子軌道通過線性組合建立起一系列配合物的分子軌道。其分子軌道由成鍵的非鍵和反鍵的軌道所組成, 在整個分子范圍內(nèi)運動。 能夠有效地組成分子軌道的原子軌道, 應(yīng)滿足成鍵三原則： 對稱性匹配； 能量近似； 最大重疊。 因此, 可以根據(jù)對稱性對上述軌道進行分類： a1g 4s t1u4px、4py、4pz eg3dz2、3dx2y2 t2g3dxy、3dxz、3dyz 前三類可用于參與形成鍵, 后一類可參與形成鍵。 例如, 具有與dx2y2

38、 軌道相同對稱性的配位體的軌道的線性組合, 在x和x方向為正號, 在y和y方向上為負號, 這種組合為： xxyy; 在確定了過渡金屬中心原子能用于參與形成鍵的軌道之后, 再來確定配位體的哪些軌道能用于形成鍵。 可使用一種簡單直觀的方法, 即 根據(jù)金屬離子價軌道的形狀根據(jù)金屬離子價軌道的形狀(對稱性對稱性)來決定哪些來決定哪些配體軌道可以與金屬軌道重疊配體軌道可以與金屬軌道重疊。 又如, dz2的z軸上都是正號且是大頭, x、y軸上為負號且為小頭, 因此與dz2有相同對稱性的配位體軌道的線性組合為： 2z2zxxyy 其他對稱性匹配的配位體軌道的組合也可用相同方法找到。這些組合及其歸一化常數(shù)列表

39、9中。 假定在八面體配合物中, 金屬離子軌道能量的一般次序是: (n1)dnsnp, 而大多數(shù)配位體, 如H2O、NH3、F等, 用來與金屬鍵合的六條配體群軌道的能量都比金屬的價層軌道能量要低。由此可以得到鍵合的八面體配合物的分子軌道能級圖(見下圖), 其重疊情況見下頁。 左圖可以應(yīng)用于任何特定的八面體配合物。將配位體的 6 對成對電子填入最低能級, 即a1g、t1u和eg 分子軌道(a1g、t1u和eg軌道, 由于聚集著配位體的電子, 所以具有配位體軌道的大部分性質(zhì)), 這樣, 分子軌道“得到”了來自給予體的電子對。而過渡金屬離子的電子則填入非鍵t2g和反鍵eg*軌道 (這些軌道的能量接近金

40、屬軌道的能量, 具有純金屬軌道的大部分性質(zhì))。 可以發(fā)現(xiàn), MO形成的結(jié)果, 金屬的d軌道發(fā)生了分裂, 原來簡并的5條d軌道分裂為兩組, 一組為t2g, 一組是eg*。4px 當配位體是強電子給予體時, eg能量下降大, eg*能量上升多, 顯然, 0大, 有可能使得0P, 得到低自旋排布。 相反, 弱的電子給予體, eg能量下降少, eg*能量上升少,顯然, 0小, 有可能使得0P, 得到高自旋的排布。 對于d1、d2、d3金屬離子, 其d電子自然填入的是t2g軌道。 但 d4、d5、d6、d7就有兩種選擇, 新增加的電子, 或是優(yōu)先填入t2g能級自旋成對, 得到低自旋的電子排布；或是優(yōu)先占

41、據(jù)不同的軌道保持自旋平行, 得到高自旋的排布。這兩種排列中實際上是哪一種, 取決于 t2g和 eg* 軌道之間的分裂能和電子成對能的相對大?。喝?P, 得低自旋的電子排布, 若0P, 得高自旋的排布。 d8、d9、d10各只有一種排布方式, 分別為t2g6eg*2、t2g6eg*3、t2g6eg*4。 顯然, 這與晶體場理論的結(jié)果一致。 中心金屬離子具有對稱性的價軌道有： t2g: 3dxy、3dxz、3dyz t1u: 4px、4py、4pz 其中t1u已參與形成軌道, 不再加以考慮。 金屬離子與配位體除能生成鍵之外, 如果配體中含有軌道, 則還應(yīng)考慮他們與具有成鍵能力的金屬軌道的相互作用。

42、配體有三種類型的軌道： 1 垂直于金屬配體鍵軸的p軌道。 2 與金屬d 軌道處于同一平面的配體的d軌道。 3 與金屬d 軌道處于同一平面的配體的*反鍵分子軌道 配體軌道與金屬的t2g軌道組成的分子軌道示于下圖。 CoF63可作為M(t2g)L(p)成鍵的例子, F離子的 2px和 2py軌道可與Co3的 t2g 軌道形成分子軌道(2pz已用于成鍵)。由于F離子的已排滿電子的2p軌道能量低, 成鍵的結(jié)果使原來非鍵的 t2g 分子軌道能量升高而成為 t2g*反鍵分子軌道, 導(dǎo)致分裂能變小(見下圖), 這就是F離子及其他鹵素配體在光化學(xué)序中處于弱場一端的原因。 而像烷基磷PR3和烷基硫SR2,些配體

43、與 金屬t2g軌道生成的鍵屬于M(t2g)L(d)的 類型。硫和磷采用sp3不等性雜化軌道與金屬 形成鍵, 此外, P和S配位原子還有空的3d軌 道可參加成鍵。由于P和S配位原子的 3d軌 道比已填有d電子的金屬的3d軌道能量高, 成鍵使金屬的t2g軌道成為成鍵的分子軌道從而能量降低, 結(jié)果造成分裂能增大。P和S原子的3d軌道則成為*反鍵分子軌道, 能級升高。 金屬和配體間的這種成鍵作用使定域在金屬離子上的d電子進入成鍵分子軌道, 電子密度從金屬離子移向配體。這時金屬離子是提供電子的給予體, 配體成為電子的接受體而形成反饋鍵。 配鍵和反饋鍵的形成是同時進行的, 他們之間產(chǎn)生的協(xié)同效應(yīng)十分重要,

44、 這種鍵合類型也被稱為配鍵。* NO2、CN、CO也可同金屬形成反饋鍵。只是接受 電子的是配體的* 反鍵分子軌道, 因而屬于M(t2g)L(*)的情形。由于配體反鍵分子軌道的能量較高, 所以能級圖與M(t2g)L(d)相似。* 成鍵的結(jié)果使分裂能增加, 所以這些配位體屬于強場配位體, 位于光譜化學(xué)序列的右端。 理解了成鍵作用之后, 光譜化學(xué)序不難理解： (2)配體的中心原子之間配鍵所產(chǎn)生的效應(yīng)。 如果配體為強的電子給予體(鹵原子), 形成配體金屬配鍵, t2g*軌道能量上升, 分裂能減少; 如果配體為強的電子接受體, 形成金屬配體反饋鍵, t2g軌道能量下降, 分裂能增加。 (1)配體與中心原

45、子之間的配鍵所產(chǎn)生的效應(yīng)。 強的電子給予體, eg能量下降大, 反鍵eg*相應(yīng)上升能量也大, 因而0值大, 如CH3及H有特別強的形成鍵的能力, 他們的值通常也很大；按MO理論, 影響分裂能值大小的因素是： 即，成鍵作用對光譜化學(xué)序(即配位場強度)的影響為： 強的電子給予體(I, Br、Cl、SCN) 弱的 電子給予體(F、OH)很小或無相互作用(H2O、NH3) 弱的 接受體(phen) 強的接受體(NO2、CN、CO) 鹵離子一方面因其電負性較大, 所以是弱的電子給予體, 另一方面又因其具有p孤電子對, 有強的給予體的能力, 能降低分裂能, 所以鹵離子位于光譜化學(xué)序的左端;而NH3不具p孤

46、對電子對,不形成鍵,無相互作用, 分裂能不減小, 所以位于光譜化學(xué)譜的中間。靜電觀點認為H2O和OH的顛倒也得到了解釋：水含有兩對孤對電子, 其中一對參加配位, 一對可參與形成鍵, 相反, OH含三對孤對電子, 一對參與形成鍵, 還剩兩對能參與形成鍵, 因而OH屬于強的給予體, 分裂能較小, 所以排在H2O之前。 綜上可見, 弱的電子給予體和強的電子給予體相結(jié)合產(chǎn)生小的分裂能；而強的電子給予體和強的電子接受體相結(jié)合產(chǎn)生大的分裂能, 這樣便可以合理地說明光譜化學(xué)序。 請分析為什么H、CO、P(OR)3位于光譜化學(xué)序的右邊, 分裂能大。5.3.5 配位化合物幾何構(gòu)型的理論預(yù)示 配位化合物角重疊模型

47、簡介 在解釋和預(yù)測主族元素化合物的幾何構(gòu)型時, 使用價層電子對互斥理論是十分成功的。但是將價層電子對互斥理論推廣到過渡無素配合物時, 就遠不能令人滿意, 這是因為價層電子對理論只把電子對之間的排斥作用作為影響幾何構(gòu)型的唯一因素而完全忽略了成鍵電子對和 d 電子的相互作用、配位場穩(wěn)定化能的影響和配體的空間位阻效應(yīng)等因素的影響之故。1 角重疊模的基本原理 按照分子軌道理論, 金屬離子的d軌道和配體的群軌道相互作用生成成鍵和反鍵的分子軌道, 如圖所示, 如果配體軌道的能量低于金屬軌道的軌道的能量, 那么成鍵分子軌道的能量則更接近于配體的能量, 而反鍵分子軌道的能量則更接近于金屬的能量。OOOOES2

48、dabLS2 金屬的軌道與配體的群軌道之間的相互作用記作S2, 其中參數(shù)是軌道間相互作用強度的量度, 而S是金屬的d軌道和配體的L軌道的重疊積分。因此, 成鍵分子軌道b將比配體的L軌道穩(wěn)定S2, 而反鍵分子軌道a將比金屬的d軌道不穩(wěn)定S2 。 重疊積分S包括d軌道波函數(shù)的徑向部分和角度部分分別與配體波函數(shù)重疊, 即 S S徑向S角度 對于指定的中心金屬離子, d軌道的徑向波函數(shù)與配體的波函數(shù)的重疊積分S徑向都是固定的值, 于是相互作用 S2 S徑向2 S角度2kS角度2 本式表明, 金屬d軌道與配體群軌道的相互作用與角度重疊積分的平方成正比, 這就是角重疊模型的由來。 S角度與配體對于d軌道的

49、相對位置有關(guān), 當配體在z軸上與dz2軌道進行重疊時 S角度 SF(, )其中S為最大重疊的積分, F(, )為角重疊因子, 角重疊因子F(, )的物理意義是配體偏離z 軸度和 x 軸度時的重疊積分, 只相當于最大重疊積分的一個分數(shù) (稱為角重疊因子)。 不同的d軌道有不同的重疊因子。這些因子列在右表中。于是, S2kS角度2kS2F2(, ) 設(shè) kS2e 于是, S2eF2(, )其中, e為角重疊參數(shù)。 同樣, 若配體軌道與金屬軌道是重疊時, 有 S2eF2(, ) 一般地, ee 下頁表列出了當配體處于不同位置的金屬離子 d 軌道的和的角重疊因子的平方F2(, )和F2(, )值, 由

50、此可計算出配體軌道在不同位置時與金屬離子的 d 軌道的相互作用值。 在利用左表進行計算時, 各種結(jié)構(gòu)中配體的位置為： 八面體：25； 四面體：912； 四方錐：15； 平面正方形：25 三角雙錐： 1、2、7、8、6； 平面三角形：2、7、8； 直線型：1、6； 四配位的c2v結(jié)構(gòu)： 1、2、5、6。2 d軌道的能量 根據(jù)上表計算配體軌道重疊后各個軌道的能量位移值的方法是將各配體在表中每列重疊因子平方值加和起來就可以了。 例如對于四面體排布, 此時配體取9、10、11、12位置。 對dz2、dx2y2, 分子軌道的能量位移是:2/32/32/32/38/3(e) 對dxy、dyz和dyz, 分

51、子軌道的能量位移是:(1/31/31/31/3)e(2/92/92/92/9)e4/3 e8/9 e 所以, t2和e的能量間隔t4/3 e8/9 e8/3 e 4/9 (3 e4 e) 同理, 可以算出八面體的eg(dz2、dx2y2)和t2g(dxy、dyz、dyz)分子軌道的能量位移分別是3 e和4 e, 其間的能量間隔為 o3 e4 e。所以t 4/90 顯然, 用角重疊模型處理的結(jié)果與因配位場理論處理所得的結(jié)果完全是一致。3 配合物幾何構(gòu)型的預(yù)示 四配位的配合物ML4有四種可能的結(jié)構(gòu): 四面體 變形四面體 平面正方形 順雙空八面體c2v 變形四面體在能量上同平面正方形相近, 利用上面

52、的表中數(shù)據(jù)所得到的四配位的幾種結(jié)構(gòu)的能級圖示于右面。圖中忽略了成鍵作用, 這意味著配合物分子的角向幾何形狀僅由成鍵作用所決定。3.0 2.0 1.0 0.0 E/e 3.0 1.0 3/2 4/3 e (z2,x2y2) Td b1g* (x2y2) b1* (x2y2) a1g* (z2) a1* (z2) eg+b2g (xy,xz,yz) D4h a1+a2+b2 (xy,xz,yz) C2v t2* (xy,xz,yz) 圖圖 7.42 配配位位數(shù)數(shù)為為四四的的幾幾種種結(jié)結(jié)構(gòu)構(gòu)的的能能級級圖圖 以四面體(Td)為例, 軌道e的能量, 即dxy、dyz和dyz軌道的能量在忽略了成鍵作用時

53、成為4/3 e。而軌道t2(dz2、dx2y2)的能量為0。這樣, t4/3 e。 按照角重疊模型的假設(shè), 來自配體的電子, 一般都填在成鍵分子軌道, 在四配位的情況下, 這些成鍵電子對分子的穩(wěn)定化能的貢獻都是8e。來自金屬的d電子一般都填在反鍵分子軌道。在不考慮成鍵的情況下, 對于四面體結(jié)構(gòu), 其能量為 n4/3 e其中n代表軌道中的電子數(shù), 這樣, 總能量為 (4/3n8) e 對于平面正方形結(jié)構(gòu), 其能量為 (nz23nx2y2)e, 其中nz2、nx2y2是分別是dz2、dx2y2軌道上的電子數(shù)。總能量為 (nz23nx2y28)e 同理可得順雙空位八面體結(jié)構(gòu)的總能量為 (2.5nz2

54、1.5nx2y28)e 顯然, 這些能量是配合物的結(jié)構(gòu)有關(guān), 因而稱為結(jié)構(gòu)穩(wěn)定化能。 對d6低自旋, 順雙空位八面體的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定化能最大, 所以d6低自旋的配合物與形成這種結(jié)構(gòu)； d7、d8低自旋的情況是平面四邊形結(jié)構(gòu)穩(wěn)定化能最高, 因而d7、d8低自旋的配合物都是平面正方形的； 對于d9組態(tài), 從穩(wěn)定化能考慮應(yīng)是正方形, 但由于姜泰勒效應(yīng)使d9組態(tài)易成為畸變的四面體結(jié)構(gòu)； 對于d0和d10和d5高自旋三種情況, 由于中心金屬的電荷呈球形對稱分布, 不產(chǎn)生結(jié)構(gòu)穩(wěn)定化能, 只考慮配體間的相互排斥作用, 因此, 配合物總是采取四面體構(gòu)型； d1、d2組態(tài), 由于d電子數(shù)少, 不填入能量較高的反鍵分子

55、軌道, 這些電子不論怎么排布都對結(jié)構(gòu)穩(wěn)定化能也不產(chǎn)生影響, 此時大多數(shù)配合物仍具有四面體的結(jié)構(gòu)。 顯然由重度重疊模型所得的結(jié)果和用配位場理論所得的結(jié)果完全一致。 于是, 按照不同的電子組態(tài)利用上述四配位配合物的不同結(jié)構(gòu)穩(wěn)定化公式計算出配合物的總能量, 其結(jié)果列在右表中。 根據(jù)這個表可以判斷出各種組態(tài)的金屬離子的配合所能采取的最合理幾何構(gòu)型, 例如5.4 過渡金屬配合物的電子光譜過渡金屬配合物的電子光譜 過渡金屬配合物的電子光譜屬于分子光譜, 它是分子中電子在不同能級的分子軌道間躍遷而產(chǎn)生的光譜。 根據(jù)電子躍遷的機理, 可將過渡金屬配合物的電子光譜分為 三種： 為帶狀光譜。這是因為電子躍遷時伴隨

56、有不同振動精細結(jié)構(gòu)能級間的躍遷之故。 電子光譜有兩個顯著的特點： 在可見光區(qū)有吸收, 但強度不大。但在紫外區(qū), 常有強度很大的配位體內(nèi)部吸收帶。配體內(nèi)部的電子轉(zhuǎn)移光譜。 d軌道能級之間的躍遷光譜, 即配位場光譜；配位體至金屬離子或金屬離子至配位體之間的電荷遷移光譜； 過渡金屬配合物電子運動所吸收的輻射能量一般處于可見區(qū)或紫外區(qū), 所以這種電子光譜通常也稱為可見光譜及紫外光譜。當吸收的輻射落在可見區(qū)時, 物質(zhì)就顯示出顏色。物質(zhì)所顯示的顏色是它吸收最少的那一部分可見光的顏色, 或者說是它的吸收色的補色。紅橙黃黃黃綠綠藍 綠藍藍紫綠780650598580560500490480435380 表10

57、和下圖給列出可見光的吸收與物質(zhì)顏色之間的對應(yīng)關(guān)系。綠紫 紅 配體分子, 可以具有上述一種, 也可同時具有兩種躍遷方式, 但同配位場光譜相比, 只要記住他們的特點, 一是大都出現(xiàn)在紫外區(qū), 一是吸收強度大, 一般不難識別。5.4.1 配體內(nèi)部的電子光譜配體內(nèi)部的電子光譜 配位體如水和有機分子等在紫外區(qū)經(jīng)常出現(xiàn)吸收譜帶。形成配合物后, 這些譜帶仍保留在配合物光譜中, 但從原來的位置稍微有一點移動。配位體內(nèi)部的光譜包括以下三種類型： n* 處于非鍵軌道的孤對電子到最低未占據(jù)的空軌道*反鍵軌道的躍遷。水、醇、胺、鹵化物等配體常發(fā)生這類躍遷。 n* 處于非鍵軌道的孤對電子到最低未占據(jù)空軌道*反鍵分子軌道

58、的躍遷, 常出現(xiàn)在含羰基的醛和酮類分子中。 * 處于最高占據(jù)軌道分子軌道的電子向最低未占據(jù)的空軌道*反鍵分子軌道躍遷, 這類躍遷經(jīng)常出現(xiàn)在含雙鍵、叁鍵的有機分子中。 躍遷能量較小, 一般出現(xiàn)在可見區(qū), 所以許多過渡金屬配合物都有顏色。5.4.2 配位場光譜配位場光譜 配位場光譜配位場光譜是指配合物中心離子的電子光譜。這種光譜是由d電子在d電子組態(tài)衍生出來的能級間躍遷產(chǎn)生的, 所以又稱為dd躍遷光譜或電子光譜躍遷光譜或電子光譜。這種光譜有以下三個特點。 一般包含一個或多個吸收帶； 強度比較弱, 這是因為dd躍遷是光譜選律所禁阻之故；一 自由離子光譜項1 自由離子光譜項的推算 求某一電子組態(tài)的能級

59、, 就是推導(dǎo)其光譜項, 實質(zhì)上就是推算該電子組態(tài)的不同L和S的組合。以一個np2組態(tài)為例： p2組態(tài)有15種排布方式 mL mL1 0 1 1 0 1 MLmL MsmsMLmL Msms2 0 (1)1 1 (9)0 0 (2)2 0 (3)1 1 (4)0 1 (5)1 1 (6)1 1 (7)0 1 (8)1 0 (10)0 0 (11)1 0 (12)1 0 (13)0 0 (14)1 0 (15) 把這15種可能的排布方式重新整理, 按每組的ML, Ms所包含的微態(tài)數(shù)可以列成下面左上角的表。1 0 1MLMs1 0 1 1 2 1 1 1 1 1 1 1還余10個微態(tài)ML 1, 0M

60、s 1, 0即L=1, S=13P (簡并度9)包括9個微態(tài) 1 0 1MLMs1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1再取出一組 0MLMs21 0 1 21 1 1 11ML=2, 1, 0Ms=0即L=2, S=01D (簡并度5)包括5個微態(tài) 根據(jù)這個表, 我們可以從中找出相應(yīng)的光光譜項譜項。例如, 取出一組：1 0 1MLMs21 0 1 21 1 2 1 1 1 3 11 2 10MLMs0 1還余1個微態(tài) ML=0, Ms= 0即 L=0, S=0 1S (簡并度1) 上述推算光譜項的方法稱為“逐級消去法”或“行列波函數(shù)法”。 照這樣可對上述微態(tài)組合分別寫出光譜項, 如 L