無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)題庫選擇題

1、選擇題1nacl型結(jié)構(gòu)中，cl- 按立方最緊密方式堆積，na+充填于（ b ）之中。a、全部四面體空隙 b、全部八面體空隙 c、1/2四面體空隙 d、1/2八面體空隙2在析晶過程中，若dt較大，則獲得的晶粒為（ a ）a、數(shù)目多而尺寸小的細(xì)晶 b、數(shù)目少而尺寸大的粗晶 c、數(shù)目多且尺寸大的粗晶 d、數(shù)目少且尺寸小的細(xì)晶3在熔體中加入網(wǎng)絡(luò)變性體會(huì)使得熔體的析晶能力（ c ）：a.不變 b. 減弱 c. 增大4在燒結(jié)過程的傳質(zhì)方式中，不會(huì)使坯體致密的是（ a ）a. 擴(kuò)散傳質(zhì) b. 溶解-沉淀傳質(zhì) c. 蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì) d. 流動(dòng)傳質(zhì)5過冷度愈大，臨界晶核半徑（ c ）相應(yīng)的相變（ e ）a. 不

2、變 b. 愈大 c. 愈小 d. 愈難進(jìn)行 e. 愈易進(jìn)行 f. 不受影響6從防止二次再結(jié)晶的角度考慮，起始粒徑必須（ c ）a. 細(xì) b. 粗 c. 細(xì)而均勻 d. 粗但均勻7根據(jù)晶界兩邊原子排列的連貫性來劃分，在多晶體材料中主要是( b )a、共格晶界 b、非共格晶界 c、半共格晶界8玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù)中的z一般是已知的，請(qǐng)問硼酸鹽玻璃的z =（ b ）a、2 b、3 c、4 d、59石英晶體結(jié)構(gòu)屬于（ d ） a. 島狀結(jié)構(gòu) b. 鏈狀結(jié)構(gòu) c. 層狀結(jié)構(gòu) d. 架狀結(jié)構(gòu)10. 在離子型化合物中，晶粒內(nèi)部擴(kuò)散系數(shù)db，晶界區(qū)域擴(kuò)散系數(shù)dg和表面區(qū)域擴(kuò)散系數(shù)ds三者中（ c ）最大a、db b、

3、dg c、ds11. 系統(tǒng)中的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（ d ）a. 5 b. 4 c. 3 d. 212. 熔體系統(tǒng)中組成越簡單，則熔體析晶（ b ）a、不受影響 b、越容易 c、越難13. 過冷度越大，相應(yīng)的成核位壘（ b ），臨界晶核半徑（ b ），析晶能力（ a ）a. 越大 b. 越小 c. 不變14. 下列選項(xiàng)中不屬于馬氏體相變的特征的是（ b ）a、相變后存在習(xí)性平面 b、屬擴(kuò)散型相變 c、新相與母相間有嚴(yán)格的取向關(guān)系 d、在一個(gè)溫度范圍內(nèi)進(jìn)行 e、速度很快15. 顆粒不同部位的空位濃度存在差異，下列區(qū)域中（ b ）處的空位濃度最大a、晶粒內(nèi)部 b、頸部表面張應(yīng)力區(qū) c、受壓應(yīng)力的顆粒接觸中

4、心16. 塑性泥團(tuán)中顆粒之間最主要的吸力為（ b ）a、范德華力 b、毛細(xì)管力 c、局部邊-面靜電引力17. catio3（鈦酸鈣）型結(jié)構(gòu)中，ca2+和o2-共同組成立方緊密堆積，ca2+占據(jù)立方面心的角頂位置，o2-占據(jù)立方面心的面心位置，ti4+充填于（ d ）之間。a. 全部八面體空隙 b. 1/8四面體空隙 c. 1/2八面體空隙 d. 1/4八面體空隙18. 在下列幾類晶體中，形成間隙型固溶體的難易次序（由易到難）是（ b ）。a、nacl>tio2>caf2 b、caf2>tio2>nacl c、caf2>nacl>tio219. 一晶面在三晶軸

5、上的截距分別為3a，3b，2c，該晶面的晶面指數(shù)為（ d ）a（332） b. （112） c. （321） d. （223）20. 從防止二次再結(jié)晶的角度考慮，起始原料的粒徑應(yīng)當(dāng)（ a ）a. 細(xì)而均勻 b. 粗而均勻 c. 細(xì)而不均勻 d. 粗而不均勻21. 下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（ b ）最適用于置換型固溶體的擴(kuò)散。a、易位機(jī)構(gòu) b、空位機(jī)構(gòu) c、亞間隙機(jī)構(gòu) d、間隙機(jī)構(gòu)22. 在晶粒生長過程中晶界（ a ）a. 向凸面曲率中心移動(dòng) b. 背離凸面曲率中心移動(dòng) c. 不移動(dòng)23. 當(dāng)o/si比趨近于2時(shí)，li2o-sio2、na2o-sio2、k2o-sio2三種熔體的粘度大小次序?yàn)椋?/p>

6、 a ）a.li2o-sio2<na2o-sio2<k2o-sio2 b. k2o-sio2<na2o-sio2<li2o-sio2 c. li2o-sio2<k2o-sio2<na2o-sio2 d. na2o-sio2< li2o-sio2<k2o-sio224. 劃分單位平行六面體時(shí)，在滿足對(duì)稱性關(guān)系之后應(yīng)考慮（ b ）a、體積最小 b、棱間直角關(guān)系最多 c、結(jié)點(diǎn)間距最小25. 根據(jù)開爾文方程，固體顆粒越小，其熔化溫度（ a ）a、越低 b、越高 c、不變26. 若有一個(gè)變價(jià)金屬氧化物xo，在還原氣氛下形成陰離子缺位型非化學(xué)計(jì)量化合物，金屬

7、元素x和氧原子數(shù)之比為x：o1.1：1，則其化學(xué)式應(yīng)為（ c ）a. x1.1o b. xo0.90 c. xo0.91 d. xo1.127. k2o.al2o3.4sio2-sio2系統(tǒng)的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（ c ）a. 4 b. 3 c. 2 d. 128. 一晶面的晶面指數(shù)為（220），則其與c軸的關(guān)系為（ b ）a、垂直 b、平行 c、相交（非90°）29. 若有n個(gè)等大球體作最緊密堆積，就必有 （ a ）個(gè)八面體空隙。a. n個(gè) b. 2n個(gè) c. 3n個(gè) d. 4n個(gè)30. 燒結(jié)過程中，只改變氣孔形狀不引起坯體致密化的傳質(zhì)方式是（ c ）a、擴(kuò)散傳質(zhì) b、流動(dòng)傳質(zhì) c、蒸發(fā)-

8、凝聚傳質(zhì) d、溶解-沉淀傳質(zhì)31. 當(dāng)o/si比趨近于4時(shí)，li2o-sio2、na2o-sio2、k2o-sio2三種熔體的粘度大小次序?yàn)椋?）a.li2o-sio2<na2o-sio2<k2o-sio2 b. k2o-sio2<na2o-sio2<li2o-sio2 c. li2o-sio2<k2o-sio2<na2o-sio2 d. na2o-sio2< li2o-sio2<k2o-sio232. 右圖為具有l(wèi)22p對(duì)稱的一個(gè)平面點(diǎn)陣，現(xiàn)要選取此平面點(diǎn)陣的基本單位，圖中給出了六種可能的劃分方式，若根據(jù)劃分平行六面體的原則中第一條進(jìn)行選取，被

9、排除的有（def）a. 1 b. 2 c. 3 d. 4 e.5 f. 633. 下列選項(xiàng)中不屬于晶體的基本性質(zhì)的是（ b ）a、最小內(nèi)能性 b、各向同性 c、對(duì)稱性 d、自限性34. 根據(jù)開爾文方程，固體顆粒越小，其溶解度（ a ）a. 越小 b. 越大 c. 不變35. 若有一個(gè)變價(jià)金屬氧化物xo，在氧化氣氛下形成陽離子空位型非化學(xué)計(jì)量化合物，金屬元素x和氧原子數(shù)之比為x：o1：1.1，則其化學(xué)式應(yīng)為（ ）a. xo1.1 b. x0.90o c. x0.91o d. x1.1o36. 從工藝的角度考慮，下列選項(xiàng)中不是造成二次再結(jié)晶的原因的是（ b ）a、原始粒度不均勻 b、燒結(jié)溫度過低

10、c、燒結(jié)速率太快 d、坯體成型壓力不均勻37、二元化合物ambn若正離子的配位數(shù)為6，負(fù)離子的配位數(shù)為（ b ）a、m/n b、6m/n c、n/m d、n/6m38、下列礦物中，屬于架狀結(jié)構(gòu)的是（ d ）a、mg2sio4 b、ca2mg2si4o11 c、be3al2si6o18 d、caal2si2o839、在氧化氣氛下，feo形成非化學(xué)計(jì)量化合物，鐵空位濃度與氧分壓關(guān)系為（ a ）a、1/6 b、-1/6 c、1/4 d、-1/440、在1850，15mol%cao的添加到zro2中，形成的固溶體的化學(xué)式為（ c ）a、zr0.925ca0.15o2 b、zr0.85ca0.3o2 c

11、、zr0.85ca0.15o1.85 d、zr0.85ca0.15o241、2na2o·cao·al2o3·2sio2的玻璃中，結(jié)構(gòu)參數(shù)y（ c ）a、2.25 b、2.5 c、3 d、3.542、o2-在uo2晶體中的擴(kuò)散機(jī)制為（ b ）a、空位 b、間隙 c、易位43、刃位錯(cuò)位錯(cuò)線與柏格斯矢量關(guān)系（ b ）a、平行 b、垂直 c、相交44、離子晶體中的空位擴(kuò)散，擴(kuò)散活化能隨材料的熔點(diǎn)升高（ ）a、增加 b、減小 c、不變45、為提高陶瓷坯釉的附著力，應(yīng)降低（ a、c ）a、gsl b、gsv c、glv46、p42晶系屬于（ b ）a、三方 b、四方 c、立方

12、 d、正交47、pm3m晶系屬于（ c ）a、三方 b、四方 c、立方 d、正交48下列晶體結(jié)構(gòu)缺陷中缺陷濃度主要受氣氛分壓影響的是（ c ）a、肖特基缺陷 b、弗倫克爾缺陷 c、非化學(xué)計(jì)量化合物 d. 固溶體49下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（ b ）最適用于置換型固溶體的擴(kuò)散a. 間隙機(jī)構(gòu) b. 空位機(jī)構(gòu) c. 亞間隙機(jī)構(gòu) d. 易位機(jī)構(gòu)50右圖為具有l(wèi)44p對(duì)稱的一個(gè)平面點(diǎn)陣，現(xiàn)要選取此平面點(diǎn)陣的基本單位，圖中給出了六種可能的劃分方式，若根據(jù)劃分平行六面體的原則中第一條進(jìn)行選取，不被排除的有（ d,e ）a. 1 b. 2 c. 3 d. 4 e.5 f. 651在晶粒生長過程中晶界（ a ）

13、a. 向凸面曲率中心移動(dòng) b. 背離凸面曲率中心移動(dòng) c. 不移動(dòng)52k2o.al2o3.4sio2-sio2系統(tǒng)的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（ c ）a、4 b、3 c、2 d、153在析晶過程中，若t較大，則獲得的晶粒為（ a ）a. 數(shù)目多而尺寸小的細(xì)晶 b. 數(shù)目少而尺寸大的粗晶c. 數(shù)目多且尺寸大的粗晶 d. 數(shù)目少且尺寸小的細(xì)晶54目前常用gb晶界能和sv表面能之比值來衡量燒結(jié)的難易，若材料gb / sv 越大，則( a )a. 愈容易燒結(jié) b. 對(duì)燒結(jié)無影響 c. 愈難燒結(jié)55伯格斯矢量與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為（ b ）a. 螺型位錯(cuò) b. 刃型位錯(cuò) c. 混合位錯(cuò)56在熔體中加入網(wǎng)絡(luò)變性體會(huì)使

14、得熔體的析晶能力（ c ）：a.不變 b. 減弱 c. 增大57塑性泥團(tuán)中顆粒之間最主要的吸引力為（ c ）a. 范德華力 b. 靜電引力 c. 毛細(xì)管力58在7個(gè)晶系中，晶體幾何常數(shù)為：abc，=90°的是（ c ）a. 六方晶系 b. 四方晶系 c. 三方晶系 d. 正交晶系59nacl型結(jié)構(gòu)中，cl- 按立方最緊密方式堆積，na+ 充填于（ b ）之中a全部四面體空隙 b. 全部八面體空隙 c. 1/2四面體空隙 d. 1/2八面體空隙60下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（ a ）最適用于間隙型固溶體的擴(kuò)散a. 間隙機(jī)構(gòu) b. 空位機(jī)構(gòu) c. 亞間隙機(jī)構(gòu) d. 易位機(jī)構(gòu)61劃分單位平行

15、六面體時(shí)，在滿足對(duì)稱性關(guān)系之后應(yīng)考慮（ b ）a. 體積最小 b. 棱間直角關(guān)系最多 c. 結(jié)點(diǎn)間距最小62在燒結(jié)過程中，只改變氣孔形狀不引起坯體收縮的傳質(zhì)方式是（ c ）a. 擴(kuò)散傳質(zhì) b. 溶解沉淀傳質(zhì) c. 蒸發(fā)凝聚傳質(zhì) d. 流動(dòng)傳質(zhì)63過冷度越大，相應(yīng)的成核位壘（ b ），臨界晶核半徑（ b ），析晶能力（ a ）a. 越大 b. 越小 c. 不變64在離子型化合物中晶粒內(nèi)部擴(kuò)散系數(shù)db，晶界區(qū)域擴(kuò)散系數(shù)dg和表面區(qū)域擴(kuò)散系數(shù)ds之間的關(guān)系應(yīng)為（ b ）。a. db>dg>ds b. ds > dg > db c. dg > ds > db65均勻

16、成核與非均勻成核相比（ b ）更容易進(jìn)行？ a. 均勻成核 b. 非均勻成核 c. 二者一樣66在晶體中形成空位的同時(shí)又產(chǎn)生間隙原子，這樣的缺陷稱為（ b ）a. 肖特基缺陷 b. 弗倫克爾缺陷 c. 間隙缺陷67在質(zhì)點(diǎn)遷移的空位機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度較高時(shí)以（ b ）為主a. 非本征擴(kuò)散 b. 本征擴(kuò)散 c. 非化學(xué)計(jì)量空位擴(kuò)散68過冷度愈大，臨界晶核半徑（ c ） 相應(yīng)地相變（ e ）a. 不變 b. 愈大 c. 愈小 d. 愈難進(jìn)行 e. 愈易進(jìn)行 f. 不受影響69若有一個(gè)變價(jià)金屬氧化物xo，在還原氣氛下形成陰離子缺位型非化學(xué)計(jì)量化合物，金屬元素x和氧原子數(shù)之比為x：o1.2：1，則其化學(xué)式應(yīng)

17、為（ b ）a. x1.2o b. xo0.83 c. xo0.91 d. xo1.270立方結(jié)構(gòu)的(112)與(113)晶面同屬于（ a ）晶帶軸。a. 110 b. 111 c. 21171下列關(guān)于電動(dòng)電位的描述錯(cuò)誤的是（ b ）a. 由一價(jià)陽離子飽和的粘土其-電位大于由三價(jià)陽離子飽和的同種粘土b. 對(duì)于同價(jià)陽離子飽和的粘土而言，隨著離子半徑增大-電位增大c. 由同種陽離子飽和的粘土，隨著離子濃度增大-電位減小72菲克第一定律描述了穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的特征，即擴(kuò)散物質(zhì)的濃度不隨（ b ）變化。a. 距離 b. 時(shí)間 c. 溫度73劃分單位平行六面體時(shí)，在滿足對(duì)稱性關(guān)系之后應(yīng)考慮（ b ）a. 體積最

18、小 b. 棱間直角關(guān)系最多 c. 結(jié)點(diǎn)間距最小74. 在硅酸鹽熔體中，當(dāng)ro/si減小時(shí)，相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)的變化是：非橋氧百分?jǐn)?shù)（ b ），熔體粘度（ a ），熔體析晶傾向（ b ）a. 增大 b. 減小 c. 不變75. 下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（ b ）最適用于置換型固溶體的擴(kuò)散a. 間隙機(jī)構(gòu) b. 空位機(jī)構(gòu) c. 亞間隙機(jī)構(gòu) d. 易位機(jī)構(gòu)76. 晶核生長速率u與溫度的關(guān)系為（ c ）a、隨溫度的升高而增大 b、隨溫度的升高而減小 c、隨溫度的升高先增大后減小 d、隨溫度的升高先減小后增大77. 在燒結(jié)過程中不會(huì)引起坯體致密化的傳質(zhì)方式是（ d ）a. 溶解-沉淀傳質(zhì) b. 擴(kuò)散傳質(zhì)

19、c. 流動(dòng)傳質(zhì) d. 蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)79. 晶體結(jié)構(gòu)中所存在的一切對(duì)稱要素的集合稱為（ c ）a. 聚形 b. 點(diǎn)群 c. 空間群 d. 平移群80. 右圖為具有l(wèi)44p對(duì)稱的一個(gè)平面點(diǎn)陣，現(xiàn)要選取此平面點(diǎn)陣的基本單位，圖中給出了六種可能的劃分方式，若根據(jù)劃分平行六面體的原則中第一條進(jìn)行選取，不被排除的有（ a, b ）a. 1 b. 2 c. 3 d. 4 e.5 f. 681. 同價(jià)陽離子飽和的粘土，其-電位隨著離子半徑增大而（ b ）a. 增大 b. 減小 c. 不變82. si:o趨近于1/2時(shí)硅酸鹽晶體的結(jié)構(gòu)類型為（ d ）a. 島狀 b. 鏈狀 c. 層狀 d. 架狀83玻璃結(jié)構(gòu)參

20、數(shù)中的z一般是已知的，其中硼酸鹽玻璃的z =（ b ）a. 2 b. 3 c. 4 d. 5 84在晶粒生長過程中晶界（ c ）a. 不移動(dòng) b. 背離凸面曲率中心移動(dòng) c. 向凸面曲率中心移動(dòng)85塑性泥團(tuán)中顆粒之間最主要的吸引力為（ c ）a. 范德華力 b. 靜電引力 c. 毛細(xì)管力86在晶核形成過程中，臨界晶核半徑愈大，則相變（ c ）a. 愈易進(jìn)行 b. 不受影響 c. 愈難進(jìn)行87na2o.al2o3.4sio2-sio2系統(tǒng)的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（ c ）a. 4 b. 3 c. 2 d. 188立方晶體中的001方向是（ b ） a二次對(duì)稱軸 b. 四次對(duì)稱軸 c. 六次對(duì)稱軸89粘土顆

21、粒周圍存在附著定向的水分子層和水化陽離子，這部分水稱為（ b ）a. 結(jié)構(gòu)水 b. 結(jié)合水 c. 自由水90宏觀晶體中所有對(duì)稱要素的集合稱為（ a ）a. 空間群 b. 平移群 c. 點(diǎn)群91在置換型固溶體中，原子擴(kuò)散的方式一般為（ c ）a. 原子互換機(jī)制 b. 間隙機(jī)制 c. 空位機(jī)制92-石英與-方石英之間的晶型轉(zhuǎn)變屬于（ a ）a. 重建型相變 b. 位移型相變 c. 擴(kuò)散型相變1、極化會(huì)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（ b ）過渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。a: 共價(jià)鍵向離子鍵 b: 離子鍵向共價(jià)鍵 c: 金屬鍵向共價(jià)鍵 d: 鍵金屬向離子鍵2、離子晶體中，由于離子的極化作用，

22、通常使正負(fù)離子間的距離（ b ），離子配位數(shù)（ ）。 a: 增大，降低 b: 減小，降低 c: 減小，增大 d: 增大，增大3、氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（ c ）。a: 5 b: 6 c: 4 d: 34、nacl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4，na+填充在cl-所構(gòu)成的（ b ）空隙中。a: 全部四面體 b: 全部八面體 c: 1/2四面體 d: 1/2八面體5、cscl單位晶胞中的“分子數(shù)”為1，cs+填充在cl-所構(gòu)成的（ c ）空隙中。a: 全部四面體 b: 全部八面體 c: 全部立方體 d: 1/2八面體6、mgo晶體屬nacl型結(jié)構(gòu)，由一套mg的面心立方格子和一套o(hù)的面心

23、立方格子組成，其一個(gè)單位晶胞中有（ b ）個(gè)mgo分子。a: 2 b: 4 c: 6 d: 87、螢石晶體可以看作是ca2+作面心立方堆積，f-填充了（ d ）。 a: 八面體空隙的半數(shù) b: 四面體空隙的半數(shù) c: 全部八面體空隙 d: 全部四面體空隙 8、螢石晶體中ca2+的配位數(shù)為8，f-配位數(shù)為（ b ）。 a: 2 b: 4 c: 6 d: 8 9、cscl晶體中cs+的配位數(shù)為8，cl-的配位數(shù)為（ d ）。 a: 2 b: 4 c: 6 d: 810、硅酸鹽晶體的分類原則是（ b ）。a: 正負(fù)離子的個(gè)數(shù) b: 結(jié)構(gòu)中的硅氧比c:化學(xué)組成 d:離子半徑11、鋯英石zrsio4是（

24、 a ）。a: 島狀結(jié)構(gòu) b: 層狀結(jié)構(gòu) c: 鏈狀結(jié)構(gòu) d: 架狀結(jié)構(gòu)12、硅酸鹽晶體中常有少量si4+被al3+取代，這種現(xiàn)象稱為（ c ）。 a: 同質(zhì)多晶 b: 有序無序轉(zhuǎn)變 c: 同晶置換 d: 馬氏體轉(zhuǎn)變13. 鎂橄欖石mg2sio4是（ a ）。 a: 島狀結(jié)構(gòu) b: 層狀結(jié)構(gòu) c: 鏈狀結(jié)構(gòu) d: 架狀結(jié)構(gòu)14、對(duì)沸石、螢石、mgo三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序?yàn)椋?a ）。a: 沸石>螢石>mgo b: 沸石>mgo>螢石 c: 螢石>沸石>mgo d: 螢石>mgo>沸石15、根據(jù)鮑林(pauling)規(guī)則，離

25、子晶體mx2中二價(jià)陽離子的配位數(shù)為8時(shí)，一價(jià)陰離子的配位數(shù)為（ b ）。 a: 2 b: 4 c: 6 d: 816、構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元sio4四面體，兩個(gè)相鄰的sio4四面體之間只能（ a ）連接。 a: 共頂 b: 共面 c: 共棱 d: a+b+c17、點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過程等有關(guān)，以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是（ d ）。a：弗侖克爾缺陷 b：肖特基缺陷c：雜質(zhì)缺陷 d：a+b18、位錯(cuò)的（ a）是指在熱缺陷的作用下，位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。a: 攀移 b: 攀移c: 增值 d: 減少19、對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而

26、言，低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（ d ）。a: 負(fù)離子空位 b: 間隙正離子c: 間隙負(fù)離子 d: a或b20、對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價(jià)正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（ d ）。 a: 正離子空位 b: 間隙負(fù)離子c: 負(fù)離子空位 d: a或b21、形成固溶體后對(duì)晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響, 主要表現(xiàn)為（ d ）。a: 穩(wěn)定晶格 b: 活化晶格c: 固溶強(qiáng)化 d: a+b+c22、固溶體的特點(diǎn)是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但點(diǎn)陣畸變，性能變化。固溶體有有限和無限之分，其中（ b ）。a: 結(jié)構(gòu)相同是

27、無限固溶的充要條件b: 結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件c: 結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件d: 結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件23、缺陷對(duì)晶體的性能有重要影響，常見的缺陷為（ d ）。 a: 點(diǎn)缺陷 b: 線缺陷 c: 面缺陷 d: a+b+c24、按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（ d ）。 a: 熱缺陷 b: 雜質(zhì)缺陷 c: 非化學(xué)計(jì)量缺陷 d: a+b+c25、晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加，其變化規(guī)律是（ b ）。a:線性增加 b:呈指數(shù)規(guī)律增加 c:無規(guī)律 d:線性減少26、間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點(diǎn)陣的間隙中。討論形成間隙型

28、固溶體的條件須考慮（ d ）。 a: 雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小 b: 晶體（基質(zhì)）結(jié)構(gòu) c: 電價(jià)因素 d: a+b+c27、位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在（a ）作用下，在滑移面上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致永久形變。 a: 外力 b: 熱應(yīng)力 c: 化學(xué)力 d: 結(jié)構(gòu)應(yīng)力28、柏格斯矢量（burgers vector）與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為(a )，其符號(hào)表示為( )。a:刃位錯(cuò)； b: 刃位錯(cuò)；vx c: 螺位錯(cuò)； d:刃位錯(cuò)；29、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷（schottky defect）時(shí)，（ b ）。a: 正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)

29、產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的縮小b: 正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加c: 正離子空位和負(fù)離子間隙是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加d: 正離子間隙和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加30、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。生成弗侖克爾缺陷（frenkel defect）時(shí)，（ a ）。 a: 間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn) b: 正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成對(duì)出現(xiàn) c: 正離子間隙和負(fù)離子間隙同時(shí)成對(duì)出現(xiàn) d: 正離子間隙和位錯(cuò)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)31、位錯(cuò)的具有重要的性質(zhì)，下列說法不正確的是（ c）。 a:

30、位錯(cuò)不一定是直線 b: 位錯(cuò)是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界 c: 位錯(cuò)可以中斷于晶體內(nèi)部 d: 位錯(cuò)不能中斷于晶體內(nèi)部32、位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)包括位錯(cuò)的滑移和位錯(cuò)的攀移，其中（ a）。 a: 螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)既可滑移又可攀移 b: 刃位錯(cuò)只作滑移，螺位錯(cuò)只作攀移 c: 螺位錯(cuò)只作攀移，刃位錯(cuò)既可滑移又可滑移 d: 螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)只作攀移33、硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受（ d）因素的影響。 a: 組成 b: 溫度 c: 時(shí)間 d: a+b+c34、當(dāng)熔體組成不變時(shí)，隨溫度升高，低聚物數(shù)量（ c ），粘度（ ）。 a: 降低；增加 b: 不變；降低 c: 增加；降低 d: 增

31、加；不變35、當(dāng)溫度不變時(shí)，熔體組成的o/si比高，低聚物（c ），粘度（ ）。 a: 降低；增加 b: 不變；降低 c: 增加；降低 d: 增加；不變36、硅酸鹽熔體的粘度隨o/si升高而（ b），隨溫度下降而（ ）。 a: 增大，降低 b: 降低，增大 c: 增大，增大 d: 降低，降低37、由結(jié)晶化學(xué)觀點(diǎn)知，具有（a ）的氧化物容易形成玻璃。 a: 極性共價(jià)鍵 b: 離子鍵 c: 共價(jià)鍵 d: 金屬鍵38、na2o·al2o3·4sio2熔體的橋氧數(shù)為（ d）。 a: 1 b: 2c: 3 d: 4 39、na2ocaoal2o3sio2玻璃的橋氧數(shù)為（ b ）。a:

32、 2.5 b: 3 c: 3.5 d:440、如果在熔體中同時(shí)引入一種以上的r2o時(shí)，粘度比等量的一種r2o高，這種現(xiàn)象為（ b）。a:加和效應(yīng) b:混合堿效應(yīng) c:中和效應(yīng) d:交叉效應(yīng)41、對(duì)普通硅酸鹽熔體，隨溫度升高，表面張力將（a ）。 a: 降低 b: 升高 c: 不變 d: a或b42、熔體的組成對(duì)熔體的表面張力有很重要的影響，一般情況下，o/si減小，表面張力將（ a）。 a: 降低 b: 升高 c: 不變 d: a或b43、由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過程是（ c ）的過程。 a: 可逆與突變 b: 不可逆與漸變 c: 可逆與漸變 d: 不可逆與突變44、當(dāng)組成變化時(shí)，玻璃的物理、化

33、學(xué)性質(zhì)隨成分變化具有（ c ）。 a: 突變性 b: 不變性 c: 連續(xù)性 d: a或b45、熔體組成對(duì)熔體的表面張力有重要的影響，一般情況下，o/si減小，表面張力將（ a ）。（a）降低 （b） 升高 （c） 不變 （d） a或b46、不同氧化物的熔點(diǎn)tm和玻璃轉(zhuǎn)變溫度tg的比值（tg/tm）接近（ b ）易形成玻璃。 a: 二分之一 b: 三分之二 c: 四分之一 d: 五分之一47、可用三t（time-temperature-transformation）曲線來討論玻璃形成的動(dòng)力學(xué)條件，三t曲線前端即鼻尖對(duì)應(yīng)析出106體積分?jǐn)?shù)的晶體的時(shí)間是最少的，由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率，通常

34、，該臨界冷卻速率愈大，則系統(tǒng)形成玻璃（ a）。 a: 愈困難 b: 愈容易 c: 質(zhì)量愈好 d: 質(zhì)量愈差48、不同o/si比對(duì)應(yīng)著一定的聚集負(fù)離子團(tuán)結(jié)構(gòu)，形成玻璃的傾向大小和熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合程度有關(guān)。聚合程度越低，形成玻璃（ a ）。 a: 越不容易 b: 越容易 c: 質(zhì)量愈好 d: 質(zhì)量愈差49、當(dāng)熔體中負(fù)離子集團(tuán)以（ c ）的歪曲鏈狀或環(huán)狀方式存在時(shí)，對(duì)形成玻璃有利。 a: 低聚合 b: 不聚合 c: 高聚合 d: a或c25、橋氧離子的平均數(shù)y是玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù)，玻璃的很多性質(zhì)取決于y值。在形成玻璃范圍內(nèi)，隨y的增大，粘度（ d），膨脹系數(shù)（ ）。 a: 增大；不變 b: 降低；增

35、大 c: 不變；降低 d: 增大；降低50、對(duì)于實(shí)際晶體和玻璃體，處于物體表面的質(zhì)點(diǎn)，其境遇和內(nèi)部是不同的，表面的質(zhì)點(diǎn)處于（ a ）的能階，所以導(dǎo)致材料呈現(xiàn)一系列特殊的性質(zhì)。a: 較高 b: 較低 c: 相同 d: a或c51、由于固相的三維周期性在固體表面處突然中斷，表面上原子產(chǎn)生的相對(duì)于正常位置的上、下位移，稱為（ b）。a: 表面收縮 b: 表面弛豫c: 表面滑移 d: 表面擴(kuò)張52、固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質(zhì)，其固體的表面能（b）液體的表面能。a: 小于 b: 大于c: 小于等于 d: 等于53、重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)（ ），垂

36、直方向的層間距與體內(nèi)（ a ）。a:不同；相同 b:相同；相同c:相同；不同 d:不同；不同54、粘附劑與被粘附體間相溶性（ c ），粘附界面的強(qiáng)度（ ）。a:越差；越牢固 b:越好；越差c:越好；越牢固 d:越好；不變55、離子晶體mx在表面力作用下，極化率小的正離子應(yīng)處于穩(wěn)定的晶格位置，易極化的負(fù)離子受誘導(dǎo)極化偶極子作用而移動(dòng)，從而形成表面（ c，這種重排的結(jié)果使晶體表面能量趨于穩(wěn)定。a: 收縮 b: 弛豫 c: 雙電層 d: b+c56、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長度（ ），斷裂強(qiáng)度（ a ）。a:

37、 越長；越低 b: 越長；越高c: 越短；越低 d: 越長；不變57、界面對(duì)材料的性質(zhì)有著重要的影響，界面具有（ d ）的特性。a: 會(huì)引起界面吸附 b: 界面上原子擴(kuò)散速度較快c: 對(duì)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)有阻礙作用 d: a+b+c58、只要液體對(duì)固體的粘附功（b ）液體的內(nèi)聚功，液體即可在固體表面自發(fā)展開。a: 小于 b: 大于c: 小于等于 d: 等于59、當(dāng)液體對(duì)固體的潤濕角90°時(shí)，即在潤濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤濕（ c）。a: 更難 b: 不變c: 更易 d: a或b60、當(dāng)液體對(duì)固體的潤濕角90°時(shí)，即在不潤濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤

38、濕（ a ）。a: 更難 b: 不變c: 更易 d: a或b61、粘附功數(shù)值的大小，標(biāo)志著固-液兩相輔展結(jié)合的牢固程度，粘附功數(shù)值（ b ），固-液兩相互相結(jié)合（ ）；相反，粘附功越小，則越易分離。a: 越大；越松散 b: 越大；越牢固c: 越小；越牢固 d: 越大；不變62、為了提高液相對(duì)固相的潤濕性，在固-氣和液-氣界面張力不變時(shí)，必須使液-固界面張力（b）。a: 降低 b: 升高c: 保持不變 d: 有時(shí)升高，有時(shí)降低 63、對(duì)于附著潤濕而言，附著功表示為w=sv+lv-sl，根據(jù)這一原理，( a ) 才能使陶瓷釉在坯體上附著牢固。 a: 盡量采用化學(xué)組成相近的兩相系統(tǒng) b: 盡量采用化

39、學(xué)組成不同的兩相系統(tǒng) c: 采用在高溫時(shí)不發(fā)生固相反應(yīng)的兩相系統(tǒng) d: 前三種方法都不行64、將高表面張力的組分加入低表面張力的組分中去，則外加組分在表面層的濃度（ c）體積內(nèi)部的濃度。a: 等于 b: 大于 c: 小于 d: a或b65、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長度（ a ），斷裂強(qiáng)度（ ）。a:越長；越低 b:越長；越高 c: 越短；越低 d: 越長；不變66、吸附膜使固體表面張力（ b）。a: 增大 b: 減小 c: 不變 d: a或b67、粗糙度對(duì)液固相潤濕性能的影響是：ca: 固體表面越粗糙，

40、越易被潤濕b: 固體表面越粗糙，越不易被潤濕c: 不一定d: 粗糙度對(duì)潤濕性能無影響68、下列關(guān)于晶界的說法哪種是錯(cuò)誤的。aa: 晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的b: 晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松c: 晶界是原子、空位快速擴(kuò)散的主要通道d: 晶界易受腐蝕69、相平衡是指在多相體系中，物質(zhì)在各相間分布的平衡。相平衡時(shí)，各相的組成及數(shù)量均不會(huì)隨時(shí)間而改變，是（ c ）。 a:絕對(duì)平衡 b:靜態(tài)平衡 c:動(dòng)態(tài)平衡 d:暫時(shí)平衡70、二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3，而最大的自由度數(shù)為（ a ）。a:2 b:3 c:4 d:571、熱分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是根據(jù)系統(tǒng)在冷卻過程中溫度隨時(shí)間的變化情況來判斷系統(tǒng)中是