模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)—吳友宇—答案(完整版)

1、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)吳友宇答案(完整版)第三部分 習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的 雜質(zhì)濃度 ，而少數(shù)載流子的濃度則與 溫度 有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流 大于 漂移電流，耗盡層 變窄 。當(dāng)外加反向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流 小于 漂移電流，耗盡層 變寬 。3、在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子， 空穴 為少數(shù)載流子。二判斷題 1、由于P型半導(dǎo)體中含有大量空穴載流子，N型半導(dǎo)體中含有大量電子載流子，所以P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。（ × ）2、在N型半導(dǎo)體中，摻入高濃度三價(jià)元素雜質(zhì)，可以改為P型半導(dǎo)體。（ ）3、擴(kuò)散

2、電流是由半導(dǎo)體的雜質(zhì)濃度引起的，即雜質(zhì)濃度大，擴(kuò)散電流大；雜質(zhì)濃度小，擴(kuò)散電流小。（× ）4、本征激發(fā)過(guò)程中，當(dāng)激發(fā)與復(fù)合處于動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，兩種作用相互抵消，激發(fā)與復(fù)合停止。（ × ）5、PN結(jié)在無(wú)光照無(wú)外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零。（ ）6、溫度升高時(shí)，PN結(jié)的反向飽和電流將減小。（ × ）7、PN結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將變寬。（× ）三簡(jiǎn)答題1、PN結(jié)的伏安特性有何特點(diǎn)？答：根據(jù)統(tǒng)計(jì)物理理論分析，PN結(jié)的伏安特性可用式表示。式中，ID為流過(guò)PN結(jié)的電流；Is為PN結(jié)的反向飽和電流，是一個(gè)與環(huán)境溫度和材料等有關(guān)的參數(shù)，單位與I的單位一致；V為外加電壓； V

3、T=kT/q，為溫度的電壓當(dāng)量（其單位與V的單位一致），其中玻爾茲曼常數(shù)，電子電量，則，在常溫（T=300K）下，VT=25.875mV=26mV。當(dāng)外加正向電壓，即V為正值，且V比VT大幾倍時(shí)，于是，這時(shí)正向電流將隨著正向電壓的增加按指數(shù)規(guī)律增大，PN結(jié)為正向?qū)顟B(tài).外加反向電壓，即V為負(fù)值，且|V|比VT大幾倍時(shí)，于是，這時(shí)PN結(jié)只流過(guò)很小的反向飽和電流，且數(shù)值上基本不隨外加電壓而變，PN結(jié)呈反向截止?fàn)顟B(tài)。PN結(jié)的伏安特性也可用特性曲線(xiàn)表示，如圖1.1.1所示.從式(1.1.1)伏安特性方程的分析和圖1.1.1特性曲線(xiàn)（實(shí)線(xiàn)部分）可見(jiàn)：PN結(jié)真有單向?qū)щ娦院头蔷€(xiàn)性的伏安特性。 

4、2、什么是PN結(jié)的反向擊穿？PN結(jié)的反向擊穿有哪幾種類(lèi)型？各有何特點(diǎn)？答：“PN”結(jié)的反向擊穿特性：當(dāng)加在“PN”結(jié)上的反向偏壓超過(guò)其設(shè)計(jì)的擊穿電壓后，PN結(jié)發(fā)生擊穿。PN結(jié)的擊穿主要有兩類(lèi)，齊納擊穿和雪崩擊穿。齊納擊穿主要發(fā)生在兩側(cè)雜質(zhì)濃度都較高的PN結(jié)，一般反向擊穿電壓小于4Eg/q（EgPN結(jié)量子阱禁帶能量，用電子伏特衡量，Eg/q指PN結(jié)量子阱外加電壓值，單位為伏特）的PN的擊穿模式就是齊納擊穿，擊穿機(jī)理就是強(qiáng)電場(chǎng)把共價(jià)鍵中的電子拉出來(lái)參與導(dǎo)電，使的少子濃度增加，反向電流上升。雪崩擊穿主要發(fā)生在“PN”結(jié)一側(cè)或兩側(cè)的雜質(zhì)濃度較低“PN”結(jié)，一般反向擊穿電壓高于6 Eg/q的“PN”結(jié)的

5、擊穿模式為雪崩擊穿。擊穿機(jī)理就是強(qiáng)電場(chǎng)使載流子的運(yùn)動(dòng)速度加快，動(dòng)能增大，撞擊中型原子時(shí)把外層電子撞擊出來(lái)，繼而產(chǎn)生連鎖反應(yīng)，導(dǎo)致少數(shù)載流子濃度升高，反向電流劇增。3、PN結(jié)電容是怎樣形成的？和普通電容相比有什么區(qū)別？PN結(jié)電容由勢(shì)壘電容Cb和擴(kuò)散電容Cd組成。 勢(shì)壘電容Cb是由空間電荷區(qū)引起的?？臻g電荷區(qū)內(nèi)有不能移動(dòng)的正負(fù)離子，各具有一定的電量。當(dāng)外加反向電壓變大時(shí)，空間電荷區(qū)變寬，存儲(chǔ)的電荷量增加；當(dāng)外加反向電壓變小時(shí)，空間電荷區(qū)變窄，存儲(chǔ)的電荷量減小，這樣就形成了電容效應(yīng)。“墊壘電容”大小隨外加電壓改變而變化，是一種非線(xiàn)性電容，而普通電容為線(xiàn)性電容。在實(shí)際應(yīng)用中，常用微變電容作為參數(shù)，變?nèi)?/p>

6、二極管就是勢(shì)壘電容隨外加電壓變化比較顯著的二極管。擴(kuò)散電容Cd是載流子在擴(kuò)散過(guò)程中的積累而引起的。PN結(jié)加正向電壓時(shí)，N區(qū)的電子向P區(qū)擴(kuò)散，在P區(qū)形成一定的電子濃度(Np)分布，PN結(jié)邊緣處濃度大，離結(jié)遠(yuǎn)的地方濃度小，電子濃度按指數(shù)規(guī)律變化。當(dāng)正向電壓增加時(shí)，載流子積累增加了Q；反之，則減小，如圖1.3.3所示。同理，在N區(qū)內(nèi)空穴濃度隨外加電壓變化而變化 的關(guān)系與P區(qū)電子濃度的變化相同。因此，外加電壓增加V時(shí)所出現(xiàn)的正負(fù)電荷積累變化Q，可用擴(kuò)散電容Cd來(lái)模擬。Cd也是一種非線(xiàn)性的分布電容。綜上可知，勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容是同時(shí)存在的。 PN結(jié)正偏時(shí)，擴(kuò)散電容遠(yuǎn)大于勢(shì)壘電容；PN結(jié)反偏時(shí)，擴(kuò)散電容遠(yuǎn)

7、小于勢(shì)壘電容。勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容的大小都與PN結(jié)面積成正比。與普通電容相比，PN結(jié)電容是非線(xiàn)性的分布電容，而普通電容為線(xiàn)性電容。習(xí)題2客觀檢測(cè)題一、填空題1、半導(dǎo)體二極管當(dāng)正偏時(shí)，勢(shì)壘區(qū) 變窄 ，擴(kuò)散電流 大于 漂移電流。2、 在常溫下，硅二極管的門(mén)限電壓約 0.6 V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約0.7 V；鍺二極管的門(mén)限電壓約 0.1 V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約 0.2 V。3、在常溫下，發(fā)光二極管的正向?qū)妷杭s 1.22V ， 高于 硅二極管的門(mén)限電壓；考慮發(fā)光二極管的發(fā)光亮度和壽命，其工作電流一般控制在 510 mA。4、利用硅PN結(jié)在某種摻雜條件下反向擊穿特性陡直的特點(diǎn)而

8、制成的二極管，稱(chēng)為 普通（穩(wěn)壓）二極管。請(qǐng)寫(xiě)出這種管子四種主要參數(shù)，分別是 最大整流電流 、 反向擊穿電壓 、 反向電流 和 極間電容 。二、判斷題1、二極管加正向電壓時(shí)，其正向電流是由（ a ）。 a. 多數(shù)載流子擴(kuò)散形成 b. 多數(shù)載流子漂移形成 c. 少數(shù)載流子漂移形成 d. 少數(shù)載流子擴(kuò)散形成2、PN結(jié)反向偏置電壓的數(shù)值增大，但小于擊穿電壓，（ c ）。 a. 其反向電流增大 b. 其反向電流減小 c. 其反向電流基本不變 d. 其正向電流增大3、穩(wěn)壓二極管是利用PN結(jié)的（ d ）。 a. 單向?qū)щ娦?b. 反偏截止特性 c. 電容特性 d. 反向擊穿特性 4、二極管的反向飽和電流在2

9、0時(shí)是5A，溫度每升高10，其反向飽和電流增大一倍，當(dāng)溫度為40時(shí)，反向飽和電流值為（ c ）。 a. 10A b. 15A c. 20A d. 40A5、變?nèi)荻O管在電路中使用時(shí)，其PN結(jié)是（ b ）。 a. 正向運(yùn)用 b. 反向運(yùn)用三、問(wèn)答題1、溫度對(duì)二極管的正向特性影響小，對(duì)其反向特性影響大，這是為什么？答：正向偏置時(shí)，正向電流是多子擴(kuò)散電流，溫度對(duì)多子濃度幾乎沒(méi)有影響，因此溫度對(duì)二極管的正向特性影響小。但是反向偏置時(shí)，反向電流是少子漂移電流，溫度升高少數(shù)載流子數(shù)量將明顯增加，反向電流急劇隨之增加，因此溫度對(duì)二極管的反向特性影響大。2、能否將1.5V的干電池以正向接法接到二極管兩端？為什

10、么？答：根據(jù)二極管電流的方程式將V=1.5V代入方程式可得：故雖然二極管的內(nèi)部體電阻、引線(xiàn)電阻及電池內(nèi)阻都能起限流作用，但過(guò)大的電流定會(huì)燒壞二極管或是電池發(fā)熱失效，因此應(yīng)另外添加限流電阻。3、有A、B兩個(gè)二極管。它們的反向飽和電流分別為5mA和，在外加相同的正向電壓時(shí)的電流分別為20mA和8mA，你認(rèn)為哪一個(gè)管的性能較好？答：B好，因?yàn)锽的單向?qū)щ娦院茫划?dāng)反向偏置時(shí)，反向飽和電流很小，二極管相當(dāng)于斷路，其反向偏置電阻無(wú)窮大。4、利用硅二極管較陡峭的正向特性，能否實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓？若能，則二極管應(yīng)如何偏置？答：能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓，二極管應(yīng)該正向偏置，硅二極管的正偏導(dǎo)通電壓為0.7V；因此硅二極管的正向特性，可以

11、實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓，其穩(wěn)壓值為0.7V。5、什么是齊納擊穿？擊穿后是否意味著PN結(jié)損壞？答：齊納擊穿主要發(fā)生在兩側(cè)雜質(zhì)濃度都較高的PN結(jié)，其空間電荷區(qū)較窄，擊穿電壓較低（如5V以下），一般反向擊穿電壓小于4Eg/q（EgPN結(jié)量子阱禁帶能量，用電子伏特衡量，Eg/q指PN結(jié)量子阱外加電壓值，單位為伏特）的PN的擊穿模式就是齊納擊穿，擊穿機(jī)理就是強(qiáng)電場(chǎng)把共價(jià)鍵中的電子拉出來(lái)參與導(dǎo)電，使的少子濃度增加，反向電流上升。發(fā)生齊納擊穿需要的電場(chǎng)強(qiáng)度很大，只有在雜質(zhì)濃度特別大的PN結(jié)才能達(dá)到。擊穿后并不意味著PN結(jié)損壞，當(dāng)加在穩(wěn)壓管上的反向電壓降低以后，管子仍然可以恢復(fù)原來(lái)的狀態(tài)。但是反向電流和反向電壓的乘積超過(guò)P

12、N結(jié)容許的耗散功率時(shí)，就可能由電擊穿變?yōu)闊釗舸?，而造成永久性的破壞。電擊穿PN結(jié)未被損壞，但是熱擊穿PN結(jié)將永久損壞。主觀檢測(cè)題2.1.1試用電流方程式計(jì)算室溫下正向電壓為0.26V和反向電壓為1V時(shí)的二極管電流。（設(shè) ） 解：由公式 由于， VT=0.026V正向偏置VD=0.26V時(shí) 當(dāng)反向偏置時(shí) 2.1.2 寫(xiě)出題圖2.1.2所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管均為理想二極管。解：VO12V（二極管正向?qū)ǎ?，VO20（二極管反向截止），VO32V（二極管正向?qū)ǎ?，VO42V（二極管反向截止），VO52V（二極管正向?qū)ǎ琕O62V（二極管反向截止）。2.1.3 重復(fù)題2.1.2，設(shè)二極

13、管均為恒壓降模型，且導(dǎo)通電壓VD0.7V。解：UO11.3V（二極管正向?qū)ǎ琔O20（二極管反向截止），UO31.3V（二極管正向?qū)ǎ?，UO42V（二極管反向截止），UO51.3V（二極管正向?qū)ǎ?，UO62V（二極管反向截止）。2.1.4 設(shè)題圖2.1.4中的二極管均為理想的（正向可視為短路，反向可視為開(kāi)路），試判斷其中的二極管是導(dǎo)通還是截止，并求出、兩端電壓。解：題圖2.1.4所示的電路圖中，圖（a）所示電路，二極管D導(dǎo)通，VAO=6V，圖（b）所示電路，二極管D1導(dǎo)通，D2截止，VAO=0V，圖（c）所示電路，二極管D1導(dǎo)通，D2截止，VAO=0V。2.1.5 在用萬(wàn)用表的三個(gè)歐姆

14、檔測(cè)量某二極管的正向電阻時(shí)，共測(cè)得三個(gè)數(shù)據(jù)；，試判斷它們各是哪一檔測(cè)出的。解：萬(wàn)用表測(cè)量電阻時(shí)，對(duì)應(yīng)的測(cè)量電路和伏安特性如圖2.1.5所示，實(shí)際上是將流過(guò)電表的電流換算為電阻值，用指針的偏轉(zhuǎn)表示在表盤(pán)上。當(dāng)流過(guò)的電流大時(shí)，指示的電阻小。測(cè)量時(shí)，流過(guò)電表的電流由萬(wàn)用表的內(nèi)阻和二極管的等效直流電阻值和聯(lián)合決定。通常萬(wàn)用表歐姆檔的電池電壓為Ei = 1.5V，檔時(shí)，表頭指針的滿(mǎn)量程為100A（測(cè)量電阻為0，流經(jīng)電阻Ri的電流為10mA），萬(wàn)用表的內(nèi)阻為；檔時(shí)，萬(wàn)用表的內(nèi)阻為（測(cè)量電阻為0，表頭滿(mǎn)量程時(shí)，流經(jīng)Ri的電流為1mA）；檔時(shí)（測(cè)量電阻為0，表頭滿(mǎn)量程時(shí)，流經(jīng)Ri的電流為0.1mA），萬(wàn)用表的

15、內(nèi)阻為；由圖可得管子兩端的電壓V和電流I之間有如下關(guān)系：檔時(shí)，內(nèi)阻； 檔時(shí)，內(nèi)阻；檔時(shí)，內(nèi)阻；從伏安特性圖上可以看出，用檔測(cè)量時(shí)，萬(wàn)用表的直流負(fù)載線(xiàn)方程與二極管的特性曲線(xiàn)的交點(diǎn)為A，萬(wàn)用表的讀數(shù)為V1/I1。用檔測(cè)量時(shí)，萬(wàn)用表的直流負(fù)載線(xiàn)方程與二極管的特性曲線(xiàn)的交點(diǎn)為B，萬(wàn)用表的讀數(shù)為V2/I2。用檔測(cè)量時(shí)，萬(wàn)用表的直流負(fù)載線(xiàn)方程與二極管的特性曲線(xiàn)的交點(diǎn)為C，萬(wàn)用表的讀數(shù)為V3/I3。由圖中可以得出 所以，為萬(wàn)用表檔測(cè)出的；為萬(wàn)用表檔測(cè)出的；為萬(wàn)用表檔測(cè)出的。2.1.6 電路如題圖2.1.6所示，已知vi6sint(v)，試畫(huà)出vi與vo的波形，并標(biāo)出幅值。分別使用二極管理想模型和恒壓降模型（

16、VD0.7V）。 解：由題意可知：vi6sint(v) 在vi的正半周，二極管導(dǎo)通，電路的輸出電壓波形如圖2.1.6(a)、(b)所示。2.1.7 電路如題圖2.1.7所示，已知vi6sint (V)，二極管導(dǎo)通電壓VD0.7V。試畫(huà)出vi與vO的波形，并標(biāo)出幅值。解：由題意vi6sint(V) 波形如圖2.1.7所示：當(dāng)時(shí)，二極管D1導(dǎo)通，vo3.7V， 當(dāng)時(shí)，二極管D2導(dǎo)通，vo3.7V， 當(dāng)時(shí)，二極管D1、D2截止，vovi 。2.2.1 現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管，它們的穩(wěn)定電壓分別為5V和8V，正向?qū)妷簽?.7V。試問(wèn)：（1）若將它們串聯(lián)相接，則可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？（2）若將它們并聯(lián)

17、相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？ 解：（1）兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時(shí)可得1.4V、5.7V、8.7V和13V等四種穩(wěn)壓值。 （2）兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時(shí)可得0.7V、5V和8V等三種穩(wěn)壓值。2.2.2 已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值VZ6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin5mA。求題圖2.2.2所示電路中VO1和VO2各為多少伏。 解：（1）當(dāng)VI10V時(shí)，若VO1VZ6V，則穩(wěn)壓管的電流為，大于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管擊穿。故 。 （2）當(dāng)VI10V時(shí)，若VO2VZ6V，則穩(wěn)壓管的電流為，小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。故 。2.2.3 電路如題圖2.2.3（a）（b）所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓VZ3V，R的取

18、值合適，vi的波形如圖（c）所示。試分別畫(huà)出vO1和vO2的波形。解：波形如圖2.2.3所示。題圖2.2.3所示的電路中，對(duì)于圖（a）所示的電路，當(dāng)時(shí)，穩(wěn)壓管DZ反向擊穿，vovi 3V，當(dāng)時(shí)，穩(wěn)壓管DZ未擊穿，vo0V。對(duì)于圖b所示的電路，當(dāng)時(shí)，穩(wěn)壓管DZ反向擊穿，voVZ ，當(dāng)時(shí)，穩(wěn)壓管DZ未擊穿，vovi 。2.2.4 已知題圖2.2.4所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓VZ6V，最小穩(wěn)定電流IZmin5mA，最大穩(wěn)定電流IZmax25mA。（1）分別計(jì)算vi為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓vO的值；（2）若vi35V時(shí)負(fù)載開(kāi)路，則會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)象?為什么？解：（1）當(dāng)vi10V時(shí)，若v

19、OVZ6V，則穩(wěn)壓管的電流為4mA，小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。故 當(dāng)vi15V時(shí)，穩(wěn)壓管中的電流大于最小穩(wěn)定電流IZmin，所以 vOVZ6V 同理，當(dāng)vi35V時(shí)，vOVZ6V。 （2）29mAIZM25mA，穩(wěn)壓管將因功耗過(guò)大而損壞。2.2.5 電路如題圖2.2.5所示，設(shè)所有穩(wěn)壓管均為硅管（正向?qū)妷簽閂D0.7V），且穩(wěn)定電壓VZ8V，已知vi15sint (V)，試畫(huà)出vO1和vO2的波形。 解：題圖2.2.5所示的電路圖中，對(duì)于圖（a），當(dāng)時(shí)，穩(wěn)壓管DZ反向擊穿，vo8V ； 當(dāng)時(shí)，穩(wěn)壓管DZ正向?qū)?，vo0.7V ；當(dāng)時(shí)，穩(wěn)壓管DZ1 和DZ2未擊穿，vovi 。

20、對(duì)應(yīng)題圖2.2.5(a)電路的輸出電壓的波形如圖2.2.5(a)所示。對(duì)于圖（b），當(dāng)時(shí)，穩(wěn)壓管DZ1正向?qū)?、DZ2反向擊穿，vo8V； 當(dāng)時(shí)，穩(wěn)壓管DZ1反向擊穿、DZ2正向?qū)?，vo8V； 當(dāng)時(shí)，穩(wěn)壓管DZ1 和DZ2未擊穿，vovi 。對(duì)應(yīng)題圖2.2.5(b)電路的輸出電壓的波形如圖2.2.5(b)所示。2.3.1 在題圖2.3.1所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓VD1.5V，正向電流在515mA時(shí)才能正常工作。試問(wèn)：（1）開(kāi)關(guān)S在什么位置時(shí)發(fā)光二極管才能發(fā)光？（2）R的取值范圍是多少？ 解：（1）當(dāng)開(kāi)關(guān)S閉合時(shí)發(fā)光二極管才能發(fā)光。（2）為了讓二極管正常發(fā)光，ID515mA， R的范圍為

21、 可以計(jì)算得到R= 233700 習(xí)題3客觀檢測(cè)題一、填空題1. 三極管處在放大區(qū)時(shí)，其 集電結(jié) 電壓小于零， 發(fā)射結(jié) 電壓大于零。2. 三極管的發(fā)射區(qū) 雜質(zhì) 濃度很高，而基區(qū)很薄。3. 在半導(dǎo)體中，溫度變化時(shí) 少 數(shù)載流子的數(shù)量變化較大，而 多 數(shù)載流子的數(shù)量變化較小。4. 三極管實(shí)現(xiàn)放大作用的內(nèi)部條件是： 發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度要遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，同時(shí)基區(qū)厚度要很小 ；外部條件是： 發(fā)射結(jié)要正向偏置、集電結(jié)要反向偏置 。5. 處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是 少數(shù)載流 子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。 6. 工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12A增大到22A時(shí)，IC從1mA變?yōu)?mA，那么它的約為 10

22、0 。7. 三極管的三個(gè)工作區(qū)域分別是 飽和區(qū) 、 放大區(qū) 和 截止區(qū) 。8. 雙極型三極管是指它內(nèi)部的 參與導(dǎo)電載流子 有兩種。9. 三極管工作在放大區(qū)時(shí)，它的發(fā)射結(jié)保持 正向 偏置，集電結(jié)保持 反向 偏置。10. 某放大電路在負(fù)載開(kāi)路時(shí)的輸出電壓為5V，接入12kW的負(fù)載電阻后，輸出電壓降為2.5V，這說(shuō)明放大電路的輸出電阻為 12 kW。11. 為了使高內(nèi)阻信號(hào)源與低電阻負(fù)載能很好的配合，可以在信號(hào)源與低電阻負(fù)載間接入 共集電極 組態(tài)的放大電路。 12. 題圖3.0.1所示的圖解，畫(huà)出了某單管共射放大電路中晶體管的輸出特性和直流、交流負(fù)載線(xiàn)。由此可以得出：（1）電源電壓= 6V ；（2）

23、靜態(tài)集電極電流= 1mA ；集電極電壓= 3V ；（3）集電極電阻= 3k ；負(fù)載電阻= 3k ；（4）晶體管的電流放大系數(shù)= 50 ，進(jìn)一步計(jì)算可得電壓放大倍數(shù)= 50 ；（取200）；（5）放大電路最大不失真輸出正弦電壓有效值約為 1.06V ；（6）要使放大電路不失真，基極正弦電流的振幅度應(yīng)小于 20A 。13. 穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的常用方法有 射極偏置電路 和 集電極基極偏置電路 。14. 有兩個(gè)放大倍數(shù)相同，輸入電阻和輸出電阻不同的放大電路A和B，對(duì)同一個(gè)具有內(nèi)阻的信號(hào)源電壓進(jìn)行放大。在負(fù)載開(kāi)路的條件下，測(cè)得A放大器的輸出電壓小，這說(shuō)明A的輸入電阻 小 。 15. 三極管的交流等效輸入電

24、阻隨 靜態(tài)工作點(diǎn) 變化。16. 共集電極放大電路的輸入電阻很 大 ，輸出電阻很 小 。17. 放大電路必須加上合適的直流 偏置 才能正常工作。18. 共射極、共基極、共集電極 放大電路有功率放大作用；19. 共射極、共基極 放大電路有電壓放大作用；20. 共射極、共集電極 放大電路有電流放大作用；21. 射極輸出器的輸入電阻較 大 ，輸出電阻較 小 。22. 射極輸出器的三個(gè)主要特點(diǎn)是 輸出電壓與輸入電壓近似相同 、 輸入電阻大 、 輸出電阻小 。23.“小信號(hào)等效電路”中的“小信號(hào)”是指 “小信號(hào)等效電路”適合于微小的變化信號(hào)的分析，不適合靜態(tài)工作點(diǎn)和電流電壓的總值的求解 ，不適合大信號(hào)的工

25、作情況分析。24. 放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)由它的 直流通路 決定，而放大器的增益、輸入電阻、輸出電阻等由它的 交流通路 決定。25. 圖解法適合于 求靜態(tài)工作Q點(diǎn)；小、大信號(hào)工作情況分析 ，而小信號(hào)模型電路分析法則適合于 求交變小信號(hào)的工作情況分析 。26. 放大器的放大倍數(shù)反映放大器 放大信號(hào)的 能力；輸入電阻反映放大器 索取信號(hào)源信號(hào)大小的能力 ；而輸出電阻則反映出放大器 帶負(fù)載 能力。27. 對(duì)放大器的分析存在 靜態(tài) 和 動(dòng)態(tài) 兩種狀態(tài)，靜態(tài)值在特性曲線(xiàn)上所對(duì)應(yīng)的點(diǎn)稱(chēng)為 Q點(diǎn) 。28.  在單級(jí)共射放大電路中，如果輸入為正弦波形，用示波器觀察VO和VI的波形，則VO和VI的相位關(guān)系

26、為 反相 ；當(dāng)為共集電極電路時(shí)，則VO和VI的相位關(guān)系為 同相 。29. 在由NPN管組成的單管共射放大電路中，當(dāng)Q點(diǎn) 太高 （太高或太低）時(shí)，將產(chǎn)生飽和失真，其輸出電壓的波形被削掉 波谷 ；當(dāng)Q點(diǎn) 太低 （太高或太低）時(shí)，將產(chǎn)生截止失真，其輸出電壓的波形被削掉 波峰 。30. 單級(jí)共射放大電路產(chǎn)生截止失真的原因是 放大器的動(dòng)態(tài)工作軌跡進(jìn)入截止區(qū) ，產(chǎn)生飽和失真的原因是 放大器的動(dòng)態(tài)工作軌跡進(jìn)入飽和區(qū) 。31. NPN三極管輸出電壓的底部失真都是 飽和 失真。32. PNP三極管輸出電壓的 頂部 部失真都是飽和失真。33. 多級(jí)放大器各級(jí)之間的耦合連接方式一般情況下有RC耦合， 直接耦合， 變

27、壓器耦合。34. BJT三極管放大電路有 共發(fā)射極 、 共集電極 、 共基極 三種組態(tài)。35. 不論何種組態(tài)的放大電路，作放大用的三極管都工作于其輸出特性曲線(xiàn)的放大區(qū)。因此，這種BJT接入電路時(shí)，總要使它的發(fā)射結(jié)保持 正向 偏置，它的集電結(jié)保持 反向 偏置。36. 某三極管處于放大狀態(tài)，三個(gè)電極A、B、C的電位分別為-9V、-6V和-6.2V，則三極管的集電極是 A ，基極是 C ，發(fā)射極是 B 。該三極管屬于 PNP 型，由 鍺 半導(dǎo)體材料制成。37. 電壓跟隨器指共 集電 極電路，其 電壓 的放大倍數(shù)為1； 電流跟隨器指共 基 極電路，指 電流 的放大倍數(shù)為1。38. 溫度對(duì)三極管的參數(shù)影

28、響較大，當(dāng)溫度升高時(shí)， 增加 ， 增加 ，正向發(fā)射結(jié)電壓 減小 ， 減小 。39. 當(dāng)溫度升高時(shí)，共發(fā)射極輸入特性曲線(xiàn)將 左移 ，輸出特性曲線(xiàn)將 上移 ，而且輸出特性曲線(xiàn)之間的間隔將 增大 。40. 放大器產(chǎn)生非線(xiàn)性失真的原因是 三極管或場(chǎng)效應(yīng)管工作在非放大區(qū) 。41. 在題圖3.0.2電路中，某一參數(shù)變化時(shí)，的變化情況（a. 增加，b，減小，c. 不變，將答案填入相應(yīng)的空格內(nèi)）。（1）增加時(shí)，將 增大 。（2）減小時(shí)，將 增大 。（3）增加時(shí)，將 減小 。（4）增加時(shí)，將 不變 。（5）減小時(shí)（換管子），將 增大 。（6）環(huán)境溫度升高時(shí)，將 減小 。42. 在題圖3.0.3電路中，當(dāng)放大器處

29、于放大狀態(tài)下調(diào)整電路參數(shù)，試分析電路狀態(tài)和性能的變化。（在相應(yīng)的空格內(nèi)填“增大”、“減小”或“基本不變”。）（1）若阻值減小，則靜態(tài)電流IB將 增大 ，將 減小 ，電壓放大倍數(shù)將 增大。（2）若換一個(gè)值較小的晶體管，則靜態(tài)的將 不變 ，將 增大，電壓放大倍數(shù)將 減小。（3）若阻值增大，則靜態(tài)電流將 不變 ， 將 減小 ，電壓放大倍數(shù)將 增大 。43. 放大器的頻率特性表明放大器對(duì) 不同頻率信號(hào) 適應(yīng)程度。表征頻率特性的主要指標(biāo)是 中頻電壓放大倍數(shù) ， 上限截止頻率 和 下限截止頻率 。44. 放大器的頻率特性包括 幅頻響應(yīng) 和 相頻響應(yīng) 兩個(gè)方面，產(chǎn)生頻率失真的原因是 放大器對(duì)不同頻率的信號(hào)放

30、大倍數(shù)不同 。45. 頻率響應(yīng)是指在輸入正弦信號(hào)的情況下， 放大器對(duì)不同頻率的正弦信號(hào)的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。46.  放大器有兩種不同性質(zhì)的失真，分別是 線(xiàn)性 失真和 非線(xiàn)性 失真。47. 幅頻響應(yīng)的通帶和阻帶的界限頻率被稱(chēng)為 截止頻率 。48. 阻容耦合放大電路加入不同頻率的輸入信號(hào)時(shí)，低頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于存在 耦合電容和旁路電容的影響 ；高頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于存在 放大器件內(nèi)部的極間電容的影響 。49. 單級(jí)阻容耦合放大電路加入頻率為的輸入信號(hào)時(shí)，電壓增益的幅值比中頻時(shí)下降了 3 dB，高、低頻輸出電壓與中頻時(shí)相比有附加相移，分別為 -45º 和+45º

31、; 。50. 在單級(jí)阻容耦合放大電路的波特圖中，幅頻響應(yīng)高頻區(qū)的斜率為 -20dB/十倍頻 ，幅頻響應(yīng)低頻區(qū)的斜率為-20dB/十倍頻 ；附加相移高頻區(qū)的斜率為 -45º/十倍頻 ，附加相移低頻區(qū)的斜率為 +45º/十倍頻 。51. 一個(gè)單級(jí)放大器的下限頻率為，上限頻率為，如果輸入一個(gè)mV的正弦波信號(hào)，該輸入信號(hào)頻率為 50kHz ，該電路 不會(huì) 產(chǎn)生波形失真。52. 多級(jí)放大電路與組成它的各個(gè)單級(jí)放大電路相比，其通頻帶變 窄 ，電壓增益 增大 ，高頻區(qū)附加相移 增大 。二、判斷題1. 下列三極管均處于放大狀態(tài)，試識(shí)別其管腳、判斷其類(lèi)型及材料，并簡(jiǎn)要說(shuō)明理由。（1）3.2V

32、，5V，3V；解：鍺NPN型BJT管 VBE=0.2 V 所以為鍺管；5V為集電極，3.2V為基極，3V為發(fā)射極，（2）9V，5V，5.7V解：硅PNP型BJT管；9V為集電極，5.7V為基極，5V為發(fā)射極（3）2V，2.7V，6V；解：硅NPN型BJT管；6V為集電極，2.7V為基極，2V為發(fā)射極（4）5V，1.2V，0.5V；解：硅NPN型BJT管；5V為集電極，1.2V為基極，0.5V為發(fā)射極 （5）9V，8.3V，4V解：硅PNP型BJT管 9V為發(fā)射極，8.3V為基極，4V為集電極（6）10V，9.3V，0V解：硅PNP型BJT管， 10V為發(fā)射極，9.3V為基極，0V為集電極（7）

33、5.6V，4.9V，12V；解：硅NPN型BJT管，12V為集電極，5.6V為基極，4.9V為發(fā)射極，（8）13V，12.8V， 17V；解：鍺NPN型BJT管，17V為集電極，13V為基極，12.8V為發(fā)射極，（9）6.7V，6V，9V；解：硅NPN型BJT管，9V為集電極，6.7V為基極，6V為發(fā)射極，2. 判斷三極管的工作狀態(tài)和三極管的類(lèi)型。1管：答：NPN管，工作在放大狀態(tài)。2管：答：NPN管，工作在飽和狀態(tài)。3管：答：NPN管，工作在截止?fàn)顟B(tài)。3. 題圖3.0.4所列三極管中哪些一定處在放大區(qū)？ 答：題圖3.0.4所列三極管中，只有圖（D）所示的三極管處在放大區(qū)。4. 放大電路故障時(shí)

34、，用萬(wàn)用表測(cè)得各點(diǎn)電位如題圖3.0.5，三極管可能發(fā)生的故障是什么？答：題圖3.0.5所示的三極管，B、E極之間短路，發(fā)射結(jié)可能燒穿。 5. 測(cè)得晶體管3個(gè)電極的靜態(tài)電流分別為0.06mA，3.66mA和3.6mA，則該管的 為。為60。 為61。 0.98。 無(wú)法確定。6. 只用萬(wàn)用表判別晶體管3個(gè)電極，最先判別出的應(yīng)是 b極 。e極 b極 c極 7. 共發(fā)射極接法的晶體管，工作在放大狀態(tài)下，對(duì)直流而言其 。輸入具有近似的恒壓特性，而輸出具有恒流特性。輸入和輸出均具近似的恒流特性。輸入和輸出均具有近似的恒壓特性。輸入具有近似的恒流特性，而輸出具有恒壓特性。8. 共發(fā)射極接法的晶體管，當(dāng)基極與

35、發(fā)射極間為開(kāi)路、短路、接電阻R時(shí)的c，e間的擊穿電壓分別用V（BR）CEO ，V（BR）CES和V（BR）CER表示，則它們之間的大小關(guān)系是 。V（BR）CEOV（BR）CESV（BR）CER。V（BR）CESV（BR）CER V（BR）CEO。V（BR）CERV（BR）CESV（BR）CEO。V（BR）CESV（BR）CEOV（BR）CER。9題圖3.0.6所示電路中，用直流電壓表測(cè)出VCE0V，有可能是因?yàn)?C或D 。 A Rb開(kāi)路 B Rc 短路 C Rb 過(guò)小 D b過(guò)大 10. 測(cè)得電路中幾個(gè)三極管的各極對(duì)地電壓如題圖3.0.7所示。試判斷各三極管的工作狀態(tài)。答：題圖3.07所示的各

36、個(gè)三極管的工作狀態(tài)，圖（a）為放大， 圖（b）為放大 ，圖（c）為飽和， 圖（d）為C、E極間擊穿。11. 用萬(wàn)用表直流電壓檔測(cè)得電路中晶體管各電極的對(duì)地電位，如題圖3.0.8示，試判斷這些晶體管分別處于哪種工作狀態(tài)（飽和、放大、截止或已損壞）？答：題圖3.07所示的各個(gè)三極管的工作狀態(tài)，圖（a）為損壞， 圖（b）為放大， 圖（c）為放大， 圖（d）為截止， 圖（e）為損壞，圖（f）為飽和（或B、C極間擊穿）。12. 放大電路如題 圖3.0.9所示，對(duì)于射極電阻的變化是否會(huì)影響電壓放大倍數(shù)和輸入電阻的問(wèn)題，有三種不同看法，指出哪一種是正確的？甲：當(dāng)增大時(shí)，負(fù)反饋增強(qiáng)，因此、。（ ）乙：當(dāng)增大時(shí)

37、，靜態(tài)電流減小，因此、。（ ）丙：因電容，對(duì)交流有旁路作用，所以的變化對(duì)交流量不會(huì)有絲毫影響，因此，當(dāng)增大時(shí)，和均無(wú)變化。解：本題意在我們要搞清，在分壓式電流負(fù)反饋偏置電路中的作用，從表面看，被交流旁路了，對(duì)交流量無(wú)影響（即不產(chǎn)生交流負(fù)反饋），所以的變化不影響和，這是本題容易使我們產(chǎn)生錯(cuò)覺(jué)的地方。但我們還必須進(jìn)一步考慮，盡管不產(chǎn)生交流負(fù)反饋，但它對(duì)放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)的影響是很大的，既然影響到，就影響到進(jìn)而影響和。甲的說(shuō)法是錯(cuò)誤的，原因：因的旁路作用，所以不產(chǎn)生交流負(fù)反饋，所以甲的觀點(diǎn)前提就是錯(cuò)的。乙的說(shuō)法是正確的。原因：丙的說(shuō)法是錯(cuò)誤的，原因：正如解題分析中所說(shuō)，盡管不產(chǎn)生負(fù)反饋，但增大使的減

38、小必然引起減小和的增加。主觀檢測(cè)題3.1.1 把一個(gè)晶體管接到電路中進(jìn)行測(cè)量，當(dāng)測(cè)量，則，當(dāng)測(cè)得，問(wèn)這個(gè)晶體管的值是多少？各是多少？解：根據(jù)電流關(guān)系式： （1） （2）將（1）、（2）兩式聯(lián)立，解其聯(lián)立方程得：進(jìn)而可得：3.1.2根據(jù)題圖3.1.2所示晶體三極管3BX31A和輸出特性曲線(xiàn)，試求Q點(diǎn)處，。解：， 3.1.3硅三極管的可以忽略，若接為題圖3.1.3（a），要求，問(wèn)應(yīng)為多大？現(xiàn)改接為圖(b)，仍要求應(yīng)為多大？解：（a）（b） 3.3.1 在晶體管放大電路中，測(cè)得三個(gè)晶體管的各個(gè)電極的電位如題圖3.3.1所示，試判斷各晶體管的類(lèi)型（PNP管還是NPN管，硅管還是鍺管），并區(qū)分e、b、c

39、三個(gè)電極。解：題圖3.3.1（a）所示的晶體管為鍺NPN管 ，三個(gè)引腳分別為e極、 b極、 c極。 題圖3.3.1 (b) 所示的晶體管為硅PNP管，三個(gè)引腳分別為c極、 b極、 e極。 題圖3.3.1(c)所示的晶體管為鍺 PNP管，三個(gè)引腳分別為b極、 e極， c極。3.3.2在某放大電路中，晶體管三個(gè)電極的電流如題圖3.3.2所示，已測(cè)出，試判斷e、b、c三個(gè)電極，該晶體管的類(lèi)型（NPN型還是PNP型）以及該晶體管的電流放大系數(shù)。解：題圖3.3.2所示的晶體管為PNP管，三個(gè)電極分別為b極、 c極、 e極，晶體管的直流電流放大倍數(shù)為 =1.2/0.03=40。3.3.3共發(fā)射極電路如題圖

40、3.3.3所示，晶體管，導(dǎo)通時(shí)，問(wèn)當(dāng)開(kāi)關(guān)分別接在A、B、C三處時(shí)，晶體管處于何種工作狀態(tài)？集電極電流為多少？設(shè)二極管D具有理想特性。解：題圖3.3.3所示的電路，當(dāng)開(kāi)關(guān)置于A位置時(shí)，Ib=（2-0.2）/10=0.18 mA Icbo=12/（1×50）=0.24 mA 故工作在放大區(qū)，Ic=Ib×50=9 mA。當(dāng)開(kāi)關(guān)置于B位置時(shí)，晶體管工作在截止區(qū)， Ic=0。當(dāng)開(kāi)關(guān)至于C位置時(shí)，晶體管工作在飽和區(qū)。 3.3.4. 題圖3.3.4電路中，分別畫(huà)出其直流通路和交流通路，試說(shuō)明哪些能實(shí)現(xiàn)正常放大？哪些不能？為什么？（圖中電容的容抗可忽略不計(jì)）。解：題圖所示的各個(gè)電路中，圖（

41、a）能放大，直流通路滿(mǎn)足發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；交流通路信號(hào)能順暢的輸入輸出。圖（b）不能放大，直流通路滿(mǎn)足發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；交流通路信號(hào)不能順暢的輸入。圖（c）不能放大，直流通路滿(mǎn)足發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；交流通路信號(hào)不能順暢的輸出。圖（d）不能放大，直流通路不滿(mǎn)足發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；圖（e）不能放大，直流通路滿(mǎn)足發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；交流通路信號(hào)不能順暢的輸入。圖（f）不能放大，直流通路不滿(mǎn)足發(fā)射結(jié)正偏；交流通路信號(hào)能順暢的輸入輸出。3.4.1 一個(gè)如題圖3.4.1（a）所示的共發(fā)射極放大電路中的晶體管具有如題圖3.4.1（b）的輸出特性，靜態(tài)工作點(diǎn)Q和直流負(fù)載線(xiàn)已在圖上標(biāo)出（

42、不包含加粗線(xiàn)）。（1）確定、的數(shù)值（設(shè)可以略去不計(jì)）。（2）若接入，畫(huà)出交流負(fù)載線(xiàn)。（3）若輸入電流，在保證放大信號(hào)不失真的前提下，為盡可能減小直流損耗，應(yīng)如何調(diào)整電路參數(shù)？調(diào)整后的元件數(shù)值可取為多大？解：（1）=12V ;由，； 由 ，。（2）如題圖3.4.1（b）中加粗線(xiàn)所示。(3) 增大Rb的值，由（最大取值）。3.4.2放大電路如題圖3.4.2（a）所示，其晶體管輸出特性曲線(xiàn)題圖3.4.2（b）所示（不包含加粗線(xiàn)和細(xì)的輸出電壓波形線(xiàn)），已知（各電容容抗可忽略不計(jì)），。（1）計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)；（2）分別作出交直流負(fù)載線(xiàn)，并標(biāo)出靜態(tài)工作點(diǎn)Q；（3）若基極電流分量畫(huà)出輸出電壓的波形圖，并求其幅

43、值。解：（1）;。（2）交直流負(fù)載線(xiàn)，電路的靜態(tài)工作點(diǎn)Q如題圖3.4.2(b)中的加粗線(xiàn)所示。（3）出輸出電壓的波形圖如題圖3.4.2(b)中的細(xì)線(xiàn)所示，輸出電壓幅值。3.4.3分壓式偏置電路如題圖3.4.3（a）所示。其晶體管輸出特性曲線(xiàn)如圖（b）所示，電路中元件參數(shù)，晶體管的飽和壓降。（1）估算靜態(tài)工作點(diǎn)Q；（2）求最大輸出電壓幅值； （3）計(jì)算放大器的、Ri、Ro和Avs；（4）若電路其他參數(shù)不變，問(wèn)上偏流電阻為多大時(shí)，解：（）（2）由圖解法求靜態(tài)Q點(diǎn)，并作交流負(fù)載線(xiàn)，輸出電壓幅度負(fù)向最大值為Vom2，輸出電壓幅度正向最大值為Vom1，去兩者小者為最大不失真輸出電壓幅度為Vom=Vom1

44、=14-8=6V；（3）（4）3.4.4 用示波器觀察題圖3.4.4（a）電路中的集電極電壓波形時(shí)，如果出現(xiàn)題圖3.4.4（b）所示的三種情況，試說(shuō)明各是哪一種失真？應(yīng)該調(diào)整哪些參數(shù)以及如何調(diào)整才能使這些失真分別得到改善？解：如題圖3.4.3（b）所示的第一種情況屬于截止失真，應(yīng)增大Rb1解決；第二種情況屬于飽和失真，應(yīng)減小Rb1解決；第三種情況屬于飽和截止失真同時(shí)出現(xiàn)，應(yīng)該減小輸入信號(hào)的幅度解決。3.4.5 放大電路如題圖3.4.5（a）所示，設(shè)，晶體管的輸出特性曲線(xiàn)如圖3.4.5（b）所示，試用圖解法求：（1）放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)？=？（2）當(dāng)放大器不接負(fù)載時(shí)（），輸入正弦信號(hào)，則最大不失真

45、輸出電壓振幅（3）當(dāng)接入負(fù)載電阻時(shí)，再求最大不失真輸出電壓振幅解：（1），直流負(fù)載線(xiàn)方程為：。直流負(fù)載線(xiàn)與橫、縱軸分別交于M(20V，0mA)、N(0V，5mA)，且斜率為-1/RC，從圖中讀出靜態(tài)值Q點(diǎn)為： (2)不接負(fù)載時(shí)，輸入正弦信號(hào)，則最大不失真輸出電壓振幅(3) 當(dāng)接入負(fù)載電阻時(shí)，放大器的動(dòng)態(tài)工作軌跡為交流負(fù)載線(xiàn)，其斜率為，此時(shí)最大不失真輸出電壓振幅16-11=5V；11-5.5=5.5V，所以。3.5.1 畫(huà)出下列題圖3.5.1中各電路的簡(jiǎn)化h參數(shù)等效電路，并標(biāo)出的正方向。（電路中各電容的容抗可不計(jì)）。解：畫(huà)出對(duì)應(yīng)題圖3.5.1（a、b、c、d、e、f）所示電路的簡(jiǎn)化h參數(shù)等效電路

46、圖如圖3.5.1（a、b、c、d、e、f）所示。3.5.2 在如圖3.5.2電路中設(shè)，晶體管的，在計(jì)算時(shí)可認(rèn)為：（1）若，問(wèn)這時(shí)的（2）在以上情況下，逐漸加大輸入正弦信號(hào)的幅度，問(wèn)放大器易出現(xiàn)何種失真？（3）若要求，問(wèn)這時(shí)的（4）在，加入的信號(hào)電壓，問(wèn)這時(shí)的解：本題意在使我們熟練地掌握單管放大器靜態(tài)工作的計(jì)算方法，通過(guò)我們對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的分析計(jì)算，看Q點(diǎn)設(shè)置是否合理。并不合理，我們?nèi)绾握{(diào)整電路才能防止放大器產(chǎn)生非線(xiàn)性失真。通過(guò)Q點(diǎn)計(jì)算，我們?nèi)绾闻袆e易產(chǎn)生何種失真呢？這里主要看大小。愈接近于，放大器愈易產(chǎn)生截止失真；反之愈?。ㄓ咏?，愈易產(chǎn)生飽和失真。當(dāng)約為，較為合理。 (1) （1）（2）由于工

47、作點(diǎn)偏低，故產(chǎn)生截止失真。（3）當(dāng)（4）。3.6.1 放大電路如題圖3.6.1所示，已知，晶體管，各電容的容抗均很小。（1）求放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)；（2）求未接入時(shí)的電壓放大倍數(shù)；（3）求接入后的電壓放大倍數(shù)；（4）若信號(hào)源有內(nèi)阻，當(dāng)為多少時(shí)才能使此時(shí)的源電壓放大倍數(shù)降為的一半？解：解題分析 本題（1）、（2）、（3）小題是比較容易計(jì)算的，這是我們分析分壓式電流負(fù)反饋偏置電路必須具備的基本知識(shí)。對(duì)于第（4）小題，我們?cè)诜治鰰r(shí)，必須要搞清放大器的電壓增益與放大器源電壓增益之間的關(guān)系，這種關(guān)系為：（1）（2）（3）當(dāng)接入（4）即：當(dāng)時(shí)，放大器源電壓增益為放大器電壓增益的一半（按計(jì)算）。3.6.2 放

48、大電路如題圖3.6.2所示，晶體管的，各電容容抗可以略去不計(jì)。（1）估算靜態(tài)工作點(diǎn)：（2）畫(huà)出其簡(jiǎn)化的h參數(shù)等效電路，并計(jì)算出電壓放大倍數(shù)，輸入電阻，輸出電阻；（3）設(shè)信號(hào)源內(nèi)阻，信號(hào)源電壓，計(jì)算輸出電壓。解：（1） （2）簡(jiǎn)化h參數(shù)微變等效電路如圖3.6.2所示。 （3） 3.6.3 分壓式偏置電路如題圖3.6.3所示，設(shè)，有六個(gè)同學(xué)在實(shí)驗(yàn)中用直流電壓表測(cè)得三極管各級(jí)電壓如題表3.6.3所示，試分析各電路的工作狀態(tài)是否合適。若不適合，試分析可能出現(xiàn)了什么問(wèn)題（例如某元件開(kāi)路或短路）。題表3.6.3組號(hào)123456VB(V)00.751.401.51.4VE(V)000.7000.7VC(V)

49、00.38.512124.3工作狀態(tài)故障分析解：根據(jù)電路參數(shù)，可以計(jì)算出電路的參數(shù)為， ，。則對(duì)測(cè)量結(jié)果可以作出如表3.6.3分析。表3.6.3組號(hào)123456VB(V)00.751.401.51.4VE(V)000.7000.7VC(V)00.38.512124.3工作狀態(tài)截止飽和正常放大截止截止放大故障分析電源開(kāi)路Re短路Rb2開(kāi)路BJT基極開(kāi)路Rb1開(kāi)路3.7.1某射極輸出器用一個(gè)恒流源來(lái)設(shè)置射極電流，如題圖3.7.1所示，已知晶體管的，電容在交流通路中可視為短路。（1）求靜態(tài)時(shí)的；（2）求射極輸出器的輸出電阻；（3）若，求輸入電阻和源電壓放大倍數(shù)；（4）若，求輸入電阻和源電壓放大倍數(shù)；

50、（提示：恒流源的特點(diǎn)：交流電阻極大，而直流電阻較小。）解： 解題分析 本題信號(hào)源采用的是具有內(nèi)阻的電壓源形式，所以在第（3）（4）小題中計(jì)算的均為源電壓放大倍數(shù)。本題與一般射極輸出器所不同的是在射極不是用固定電阻而是采用恒流源，這樣我們必須搞清恒流源的特點(diǎn)：交流電阻極大，而直流電阻較小。即我們?cè)诜治鲭娐窌r(shí)，尤其在分析交流量時(shí)，就應(yīng)該看作在射極接入極大的電阻來(lái)考慮，這樣，我們?cè)谇?、時(shí)就不會(huì)出差錯(cuò)。（1） （2）因射極串聯(lián)恒流源，所以可認(rèn)為射極交流開(kāi)路，因此 （3）時(shí)，則所以 （4），。3.7.2 在題圖3.7.2所示電路中，晶體管的、電容、和都足夠大。（1）求放大器靜態(tài)工作點(diǎn)、；（2）求放大器電壓放大倍數(shù)和；（3）求放大器輸入電阻；（4）求放大器輸出電阻、。解：解題分析 本題是將共集電路與共發(fā)電路兩方面知識(shí)內(nèi)容結(jié)合起來(lái)，通過(guò)分析計(jì)算對(duì)兩種電路參數(shù)進(jìn)行比較，從而加深我們對(duì)兩種電路的理解。在第（2）小題證明題中，我們要到之間的關(guān)系式，即。本題易出錯(cuò)誤的地