半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)ppt課件

1、1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)兩種不同半導(dǎo)體資料接觸構(gòu)成的結(jié)反型異質(zhì)結(jié)：由導(dǎo)電類型相反的兩種不同的半導(dǎo)體 單晶資料所構(gòu)成的異質(zhì)結(jié) 如p-Ge和n-GaAs 記為p-nGe-GaAs 如p-nGe-Si, n-pGe-GaAs 同型異質(zhì)結(jié)：導(dǎo)電類型一樣的兩種半導(dǎo)體資料所形 成的異質(zhì)結(jié) 如n-nGe-Si, p-p Ge-GaAs ,p-pSi-GaP普通把禁帶寬度較小的半導(dǎo)體資料寫在前面。構(gòu)成突變pn異質(zhì)結(jié)之前的平衡能帶圖窄帶隙資料和寬帶隙資料在接觸前的能帶圖窄帶隙資料和寬帶隙資料在接觸前的能帶圖構(gòu)成突變pn異質(zhì)結(jié)之后的平衡能帶圖21212121121221)()DDDFFDDDggVggCVCVVVEEqV

2、qVqVEEEEEEEE（由于p區(qū)和n區(qū)的電子親和勢(shì)和禁帶寬度不同，使異質(zhì)結(jié)在界面處的能帶突變，EC和EV的呈現(xiàn)將妨礙載流子經(jīng)過界面，這種對(duì)載流子的限制造用是同質(zhì)結(jié)中所沒有的。p-nGe-GaAs異質(zhì)結(jié)的平衡能帶圖熱平衡形狀下的一個(gè)典型的熱平衡形狀下的一個(gè)典型的np異質(zhì)結(jié)能帶圖異質(zhì)結(jié)能帶圖Nn異質(zhì)結(jié)在熱平衡形狀下的理想能帶圖n-AlGaAs, n-GaAs異質(zhì)結(jié)的導(dǎo)帶邊緣圖一一 重要術(shù)語解釋重要術(shù)語解釋1異質(zhì)結(jié)：兩種不同的半導(dǎo)體資料接觸構(gòu)成的結(jié)。異質(zhì)結(jié)：兩種不同的半導(dǎo)體資料接觸構(gòu)成的結(jié)。2反型異質(zhì)結(jié)：反型異質(zhì)結(jié)： 由導(dǎo)電類型相反的兩種不同的半由導(dǎo)電類型相反的兩種不同的半 導(dǎo)體單晶資料所構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)。導(dǎo)體單晶資料所構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)。 如：如：pGe-nGaAs; pGe-nSi等。等。3同型異質(zhì)結(jié)：由導(dǎo)電類型一樣的兩種不同的半同型異質(zhì)結(jié)：由導(dǎo)電類型一樣的兩種不同的半導(dǎo)導(dǎo) 體單晶資料所構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)。體單晶資料所構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)。 如：如：nGe-nGaAs; pGe-pSi等。等。二二 知識(shí)點(diǎn)知識(shí)點(diǎn)學(xué)完本章后，讀者應(yīng)具備如下才干：學(xué)完本章后，讀者應(yīng)具備如下才干：1會(huì)畫理想突變反型異質(zhì)結(jié)的能帶圖會(huì)畫理想突變反型異質(zhì)結(jié)的能帶圖2會(huì)畫理想突變同型異質(zhì)