PSIM中文教程

1、PSIM®用戶指南9版版本32010五月版權(quán)©2001-2010 Powersim公司保留所有權(quán)利。本手冊(cè)的任何部分不得復(fù)印或以任何形式或任何手段沒(méi)有寫轉(zhuǎn)載公司的權(quán)限模型免責(zé)聲明Powersim公司（“Powersim”）作出任何陳述或保證相對(duì)于此的充分性或準(zhǔn)確性文檔或它所描述的軟件。在任何情況下將模型或其直接或間接供應(yīng)商承擔(dān)任何任何性質(zhì)的損害，但不限于，直接，間接，附帶或相應(yīng)的損害賠償?shù)娜魏巫址?，不限于，商業(yè)利潤(rùn)損失，數(shù)據(jù)，商業(yè)信息，或任何和所有其他商業(yè)損害或損失，或?qū)θ魏螕p害賠償超過(guò)清單價(jià)格的許可證的軟件和文件.Powersim Inc.mailto:infomai

2、lto內(nèi)容1一般資料1.1引言11.2電路結(jié)構(gòu)21.3軟件/硬件需求31.4安裝程序31.5模擬電路31.6組件參數(shù)規(guī)范和格式32電源電路組件2.1電阻電感電容器分支72.1.1電阻器、電感器和電容器，72.1.2變阻器82.1.3飽和電感82.1.4非線性元件92.2開關(guān)102.2.1二極管、LED、Zener Diode、和移民局102.2.2晶閘管和雙向可控硅122.2.3 GTO和晶體管132.2.4雙向開關(guān)152.2.5線性開關(guān)162.2.6開關(guān)門17座2.2.7單相開關(guān)模塊192.2.8三相開關(guān)模塊192.3耦合電感222.4變壓器232.4.1理想變壓器232.4.2單相變壓器2

3、32.4.3三相變壓器252.5磁元件262.5.1繞組262.5.2漏磁通路徑272.5.3空氣間隙272.5.4線性核心292.5.5 Saturable Core 292.6其他元素302.6.1運(yùn)算放大器302.6.1.1理想運(yùn)算放大器30我4章：2.6.1.2非理想運(yùn)算放大器312.6.2并聯(lián)穩(wěn)壓器TL431 322.6.3 Optocoupler 332.6.4 dv / dt的34塊2.7熱模塊352.7.1設(shè)備數(shù)據(jù)庫(kù)編輯器3542在數(shù)據(jù)庫(kù)2.7.2二極管器件2.7.3二極管損耗計(jì)算43在數(shù)據(jù)庫(kù)45 2.7.4 IGBT器件2.7.5 IGBT損耗計(jì)算47在數(shù)據(jù)庫(kù)50 2.7.6

4、 MOSFET器件2.7.6 MOSFET的損耗計(jì)算512.8電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊54機(jī)械系統(tǒng)54 2.8.1參考方向2.8.2直流機(jī)562.8.3感應(yīng)機(jī)582.8.4感應(yīng)電機(jī)飽和612.8.5無(wú)刷直流電機(jī)622.8.6同步機(jī)與外部激勵(lì)662.8.7永磁同步電機(jī)682.8.8永磁同步電機(jī)飽和702.8.9開關(guān)磁阻電機(jī)732.9 MagCoupler Module 762.9.1 magcoupler DL 76塊2.9.2 MagCoupler Block 772.10 magcoupler RT模塊812.11機(jī)械元件和傳感器852.11.1機(jī)械元件和傳感器852.11.1.1恒轉(zhuǎn)矩負(fù)載852.11

5、.1.2恒功率負(fù)荷852.11.1.3恒速負(fù)荷862.11.1.4 Type Load將軍862.11.1.5外部控制負(fù)荷872.11.2齒輪箱872.11.3機(jī)械耦合塊882.11.4機(jī)電接口88塊2.11.5速度/轉(zhuǎn)矩傳感器892.11.6位置傳感器912.11.6.1絕對(duì)編碼器912.11.6.2增量式編碼器922.11.6.3解析器922.11.6.4霍爾效應(yīng)傳感器932.12可再生能源模型94II章節(jié)：- 32.12.1太陽(yáng)能模塊942.12.2風(fēng)機(jī)973控制電路元件3.1傳遞函數(shù)塊993.1.1比例控制器1003.1.2積分1003.1.3微分器1023.1.4比例積分控制器102

6、3.1.5單極控制器1033.1.6修改PI控制器1033.1.7 3型控制器104在過(guò)濾塊105內(nèi)置3.1.83.2計(jì)算功能塊1063.2.1 106夏季3.2.2乘數(shù)和Divider 1063.2.3平方根107塊3.2.4指數(shù)/電力/對(duì)數(shù)功能塊1073.2.5均方根107塊3.2.6絕對(duì)和符號(hào)功能塊1083.2.7三角函數(shù)1083.2.8快速傅里葉變換塊1083.2.9最大/最小功能塊1093.3其他功能塊1103.3.1比較器1103.3.2限制器1103.3.3梯度（dv/dt）限制器1103.3.4梯形、方形塊1113.3.5采樣/保持111塊3.3.6舍入塊1123.3.7時(shí)間延

7、遲塊1123.3.8器1133.3.9 THD 114塊3.4邏輯組件1153.4.1邏輯Gates 1153.4.2設(shè)置復(fù)位觸發(fā)器1153.4.3 JK觸發(fā)器1163.4.4 D觸發(fā)器1173.4.5單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器1173.4.6脈沖寬度計(jì)數(shù)器1183.4.7向上/向下計(jì)數(shù)器1183.4.8 A/D和D/A轉(zhuǎn)換器1193.5數(shù)字控制模塊120三2章：3.5.1零階保持1203.5.2 Z傳遞函數(shù)方框121122 3.5.2.1積分器3.5.2.2微分器1233.5.2.3數(shù)字濾波器1233.5.3單位延遲1253.5.4量化塊1263.5.5循環(huán)緩沖區(qū)1283.5.6卷積塊1293.5.7

8、內(nèi)存讀取塊1293.5.8數(shù)據(jù)陣列1303.5.9棧1303.5.10多采樣率系統(tǒng)1313.6 simcoupler模塊1323.6.1設(shè)立在PSIM和Simulink 132在Simulink 133 3.6.2求解器的類型和時(shí)間步長(zhǎng)的選取4其他組件4.1參數(shù)文件1374.2來(lái)源1384.2.1時(shí)間1384.2.2常數(shù)1384.2.3直流電源1384.2.4正弦源1394.2.5方波電源1394.2.6三角/鋸齒來(lái)源1404.2.7步源1414.2.8分段線性源1424.2.9隨機(jī)源1434.2.10數(shù)學(xué)函數(shù)源1434.2.11電壓/電流控制的來(lái)源1444.2.12非線性電壓控制源1454.

9、3電壓/電流傳感器1464.4探頭和146米4.5電壓/電流范圍1484.6初始值1504.7開關(guān)控制器1514.7.1開關(guān)控制器1514.7.2控制器154.7.3 PWM控制器152查找表4.8功能塊1544.8.1控制電源接口15塊四章節(jié)：- 14.8.2變換塊1544.8.2.1 ABC dq0變換155ABC/不能轉(zhuǎn)化14.8.2.3/- dq變換14.8.2.4笛卡爾坐標(biāo)變換1574.8.3數(shù)學(xué)功能塊1574.8.4查找表1584.8.5 C座1604.8.6簡(jiǎn)化C座1614.8.7外部DLL模塊1624.8.8嵌入式軟件164塊5分析規(guī)格5.1仿真控制1655.2交流分析1665

10、.3參數(shù)掃描1686電路原理圖設(shè)計(jì)6.1創(chuàng)建一個(gè)電路1716.2文件菜單1736.3編輯菜單1736.4視圖菜單1746.5支路菜單1756.5.1創(chuàng)建在主電路176支路-6.5.2創(chuàng)建子電路內(nèi)的支路1776.5.3連接支路-在主電路178電路的178 6.5.4其他功能6.5.4.1傳遞變量從主電路支路1786.5.4.2定制電路圖1796.5.4.3包括在PSIM 180子元素列表6.6模擬菜單1806.7選項(xiàng)菜單1836.8實(shí)用工具菜單1876.9管理PSIM圖書館1876.9.1創(chuàng)造一次圖像1886.9.2添加新的子電路元件為圖書館1896.9.3添加一個(gè)新的DLL元到圖書館191v0

11、章：7波形處理7.1文件菜單1937.2編輯菜單1947.3軸菜單1947.4屏幕菜單1957.5測(cè)量菜單1967.6分析菜單1977.7視圖菜單1987.8選項(xiàng)菜單1987.9標(biāo)簽菜單1997.10出口數(shù)據(jù)1998錯(cuò)誤/警告消息和其他模擬問(wèn)題8.1模擬問(wèn)題2018.1.1時(shí)間步長(zhǎng)的選取2018.1.2傳播延遲的邏輯電路2018.1.3界面之間的電源和控制電路2018.1.4 FFT分析2028.2錯(cuò)誤/警告消息2028.3調(diào)試203指數(shù)205一一般信息1.1引言PSIM仿真軟件1是專為電力電子與電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?？旆抡婧陀押玫挠脩艚缑?，提供了一個(gè)強(qiáng)大的PSIM電力電子仿真環(huán)境，模擬和數(shù)字控制、磁、

12、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的研究。PSIM包括最基本的軟件包，以及下面的附加選項(xiàng)：電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊數(shù)字控制模塊simcoupler模塊熱模塊magcoupler模塊magcoupler RT模塊simcoder 2模塊可再生能源計(jì)劃電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊有內(nèi)置的電機(jī)模型和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的機(jī)械負(fù)荷模型研究。數(shù)字控制模塊提供的分立元件如零階保持器、Z傳遞函數(shù)塊，量化塊，數(shù)字濾波器，用于數(shù)字控制系統(tǒng)分析。simcoupler模塊提供的接口之間的PSIM和MATLABSimulink聯(lián)合仿真3。熱模塊提供了計(jì)算半導(dǎo)體器件損耗的能力。的magcoupler模塊提供PSIM和電磁場(chǎng)分析軟件之間的接口JMAG 4協(xié)同仿真。的magcou

13、pler RT模塊鏈接PSIM與jmag-rt 4數(shù)據(jù)文件。simcoder模塊提供的DSP硬件自動(dòng)代碼生成能力。可再生能源包括基本PSIM軟件包，電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，和可再生能源模型，如太陽(yáng)能模塊和風(fēng)力渦輪機(jī)在可再生能源應(yīng)用的模擬。此外，PSIM支持通過(guò)自定義DLL模塊的第三方軟件鏈接。整體PSIM環(huán)境如下所示。1。PSIM和simview是注冊(cè)商標(biāo)，和版權(quán)，Powersim公司2001-2010年2。SimCoder是一個(gè)商標(biāo)，是由模型公司，模型公司版權(quán)，2008-2010年三.Simulink和MATLAB是MathWorks公司的注冊(cè)商標(biāo)，Inc.4。和jmag-rt JMAG的作業(yè)調(diào)度選項(xiàng)

14、表公司版權(quán)，1997-20101章：一般信息PSIM仿真環(huán)境包括電路原理圖程序PSIM模擬器引擎，和波形處理程序simview 1。仿真過(guò)程如下所示。本手冊(cè)涵蓋了PSIM和所有附加模塊除了SimCoder Module。使用的SimCoder模塊是在單獨(dú)的文件中simcoder用戶手冊(cè)。本手冊(cè)的第1章介紹了電路結(jié)構(gòu)，軟件/硬件的要求和參數(shù)規(guī)范格式。第2章通過(guò)4描述電源和控制電路組件。5章介紹了瞬態(tài)分析和交流分析的技術(shù)指標(biāo)。在PSIM示意程序的使用和simview在6章討論7。最后，錯(cuò)誤/警告消息在第8章進(jìn)行了討論。1.2電路結(jié)構(gòu)電路為代表的是在PSIM四塊：電源電路、控制電路、傳感器和開關(guān)控制

15、器。下面的圖表顯示了這些塊之間的關(guān)系。電源電路由開關(guān)器件，RLC分支，變壓器和耦合電感。這個(gè)控制電路以方框圖表示。在s域元件和Z域，邏輯元件（如邏輯門和觸發(fā)器），和非線性元件（如乘法器和除法器）中使用控制電路。傳感器被用來(lái)測(cè)量電源電路數(shù)量，并將它們傳遞給控制電路。門控信號(hào)，然后產(chǎn)生的控制電路，并通過(guò)開關(guān)控制器發(fā)送回電源電路控制開關(guān)。1.3軟件/硬件需求PSIM軟件運(yùn)行在微軟Windows XP / Vista的個(gè)人電腦。最小內(nèi)存需求是128字節(jié)。1.4安裝程序快速安裝指南提供飛行員“PSIM -快速指南”的光盤。在PSIM目錄下的一些文件是如下表所示。在PSIM使用的文件擴(kuò)展名：注意，PSIM

16、示意文件擴(kuò)展名是。學(xué)校在PSIM 8或以上，但在PSIM 9分機(jī)改變。psimsch為了區(qū)分PSIM文件從其他軟件的文件。1.5模擬電路模擬樣品的一個(gè)象限斬波電路”印章。學(xué)?！保?jiǎn)?dòng)PSIM。從“文件”菜單中選擇打開加載文件”印章，SCH”。從模擬的菜單，選擇“運(yùn)行PSIM仿真開始。仿真結(jié)果將被保存文件”印章。txt”。如果選擇自動(dòng)運(yùn)行simview不在選項(xiàng)菜單中選擇，從模擬菜單，選擇“運(yùn)行simview開始simview。如果該選項(xiàng)被選中，simview將推出自動(dòng)。在SIMVIEW，選擇曲線顯示。1.6組件參數(shù)規(guī)范和格式在PSIM的每個(gè)組件的參數(shù)對(duì)話框有三個(gè)標(biāo)簽：參數(shù)，其他信息，和顏色，如下

17、圖所示。在仿真中使用的參數(shù)選項(xiàng)卡中的參數(shù)。在“其他信息”選項(xiàng)卡上的信息另一方面，在仿真中不使用。它只用于報(bào)告的目的，并將出現(xiàn)在零件清單中視圖->元在PSIM上市。信息，如設(shè)備評(píng)級(jí)，制造商和零件號(hào)可以存儲(chǔ)在“其他信息”選項(xiàng)卡下。組件顏色可設(shè)置在“顏色”選項(xiàng)卡中。參數(shù)下的參數(shù)選項(xiàng)卡可以是一個(gè)數(shù)值或數(shù)學(xué)表達(dá)式。一個(gè)阻力，為例如，可以在下列方式中指定：十二點(diǎn)五12.5k12.5ohm12.5kohm25 / 2.ohmR1 + R2R1×0.5 +（旁白+ 0.7）/ IO其中R1，R2，VO和艾奧符號(hào)定義在一個(gè)參數(shù)文件（見4.1節(jié)），或在主電路如這個(gè)電阻在電路（見第6.3.4.1）。

18、十后綴字母的力量是允許在PSIM。支持下面的后綴字母：G 10 9M 10 6K或K 3 10M 10 - 3U 6 - 10n 9 - 10P 12 - 10數(shù)學(xué)表達(dá)式可以包含括號(hào)，并且不區(qū)分大小寫。以下的數(shù)學(xué)功能是允許的：+添加-減法*乘法/分*的權(quán)力例如：2×3 = 2 * 2 * 2 平方根函數(shù)罪惡的正弦函數(shù)因?yàn)橛嘞液瘮?shù)在正弦反函數(shù)ACOS余弦反函數(shù)譚正切函數(shù)阿坦反正切函數(shù)但反正切函數(shù)<= atan2（y，x）< =雙曲正弦雙曲正弦函數(shù)雙曲余弦雙曲余弦函數(shù)進(jìn)出口指數(shù)（基E）例如：exp（x）= E×對(duì)數(shù)對(duì)數(shù)函數(shù)（基）例：日志（x）=log10對(duì)數(shù)函數(shù)（1

19、0）ABS絕對(duì)值函數(shù)符號(hào)函數(shù)例子：符號(hào)（1.2）= 1；符號(hào)（- 1.2）= - 1）二電源電路元件2.1電阻電感電容支路2.1.1電阻器、電感器和電容器，單個(gè)電阻，電感，電容，和集總RLC支路提供在PSIM。初始條件電感電流和電容電壓可以被定義。為了方便三相電路的設(shè)置，提供對(duì)稱三相RLC支路。初始三相支路的電感電流和電容電壓都為零。圖像:對(duì)于三相分支，相位與一個(gè)點(diǎn)是第一階段。屬性:一個(gè)分支的電阻、電感或電容都不能全部為零。至少有一個(gè)參數(shù)是一個(gè)非零的值。參數(shù)描述電阻，歐姆電感電感，在H在F中的電容初始電流初始電感電流最初的Cap。電壓初始電容電壓，在V支路電流輸出的當(dāng)前標(biāo)志標(biāo)志。如果標(biāo)志為零，

20、則沒(méi)有當(dāng)前的輸出。如果國(guó)旗是1，電流將是可用于運(yùn)行時(shí)圖中的顯示（在模擬運(yùn)行時(shí)圖）。它也將顯示在simview保存到輸出文件。當(dāng)它流到分支的虛線終端時(shí)，電流是正的。目前flag_a；目前flag_b；目前flag_c三相支路的A、B和C的電流標(biāo)志。2.1.2變阻器變阻器是一個(gè)抽頭電阻。圖像：屬性:參數(shù)描述總電阻變阻器的電阻R（總節(jié)點(diǎn)k和m之間），歐姆抽頭位置（0至1）的抽頭位置抽頭。節(jié)點(diǎn)K和T之間的電阻是：R *抽頭。當(dāng)前流到節(jié)點(diǎn)K的當(dāng)前標(biāo)志標(biāo)志。2.1.3 Saturable Inductor一個(gè)飽和電感考慮磁芯的飽和效應(yīng)。圖像：屬性:參數(shù)描述電流與電感特性的電流與電感（I 1，L 1），（I

21、 2，L 2）等當(dāng)前顯示的當(dāng)前標(biāo)志標(biāo)志非線性B-H曲線的分段線性近似表示。由于磁通密度B正比于磁通和磁化力H是目前我成正比，B-H曲被代表我曲線相反，如下圖所示電感的定義為：L =/我，比我在每一個(gè)點(diǎn)vs.。的飽和特性的定由一系列的數(shù)據(jù)點(diǎn)為：（I 1，L 1），（I 2，L 2），（I 3，L 3），等注意定義的飽和特性必須使磁鏈?zhǔn)菃握{(diào)遞增的也就是說(shuō)，L 1 *我2 * 2 *我3 * 1 *我3，等等。此外，類似于在現(xiàn)實(shí)世界中的飽和特性，每一個(gè)線性段的斜率必須隨著電流的增加而單調(diào)減小。在某些情況下，含有飽和電感的電路可能無(wú)法收斂。連接一個(gè)非常小的橫跨飽和電感的電容器可以幫助收斂。 第2章：電

22、源電路元件2.1.4非線性元件提供了具有非線性電壓電流關(guān)系的下列元素：電阻型 V = F（I）具有附加輸入x的電阻型 V = F（I，x）電導(dǎo)型 I = F（V）-電導(dǎo)型與附加的輸入x I = F（V，x）附加的輸入x必須是一個(gè)電壓信號(hào)。圖像:屬性:用于電阻型元件：參數(shù)描述表達(dá)式F（I）或F（I，X）的V的表達(dá)在I和X V = F（I）或V = F（I，X）表達(dá)DF /診斷衍生的電壓與電流I，即DF（我）/診斷初始值I O為當(dāng)前I的初始值我的下限我目前的下限我的上限我目前的上限電導(dǎo)型元素：參數(shù)描述表達(dá)式F（V）或F（V，X）的表達(dá)，我在V和X I = F（V）或I = F（V，X）表達(dá)DF /

23、 DV的電流與電壓的導(dǎo)數(shù)，即DF（v）/ DV初始值為電壓V的初始值V的下限的電壓的下限V的上限的電壓V非線性有限元（Noni）在上述模型的非線性二極管電路。二極管電流被表示為一個(gè)功能的電壓為：I = 14 - 10 *（E 40 * 1）。在PSIM，非線性元件的規(guī)格將：2.2開關(guān)有在PSIM的兩個(gè)基本類型的開關(guān)。一個(gè)是開關(guān)型。它工作在截止區(qū)域（關(guān)閉狀態(tài)）或飽和區(qū)（狀態(tài)）。另一種是線性型。它可以工作在任一截止，線性或飽和區(qū)。開關(guān)在開關(guān)模式包括以下：二極管和開關(guān)閘流管和雙向可控硅自換相開關(guān)，具體：-門關(guān)斷開關(guān)NPN雙極結(jié)型晶體管（BJT）PNP雙極結(jié)型晶體管-絕緣柵雙極晶體管（IGBT）- N

24、溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和P溝道MOSFET雙向開關(guān)開關(guān)模型是理想的。也就是說(shuō)，無(wú)論是開啟和關(guān)斷瞬變被忽視。開關(guān)上有10阻力。當(dāng)沒(méi)有RLC支路并聯(lián)連接的開關(guān)，一10電阻將連接在交換機(jī)內(nèi)部。這種電阻可以被看作是關(guān)閉狀電阻。在某些情況下，這種電阻可能需要修改。要改變關(guān)閉狀態(tài)的阻力，為例如，100米，連接一個(gè)百米并聯(lián)開關(guān)。自從PSIM看到已經(jīng)有一個(gè)電并聯(lián)開關(guān)，10m電阻不會(huì)添加緩沖電路不需要開關(guān)。線性開關(guān)包括以下：NPN和PNP雙極晶體管- N和P溝道MOSFET2.2.1二極管、LED、Zener Diode、和雙向觸發(fā)二極管二極管和LED：當(dāng)它進(jìn)行的時(shí)候，一個(gè)發(fā)光二極管（

25、LED）發(fā)光。二極管或LED的導(dǎo)通是由電路工作條件。當(dāng)正偏置電壓大于閾值時(shí)，二極管被打開電壓，當(dāng)電流下降到零時(shí)，關(guān)斷。圖像:屬性:參數(shù)描述二極管的閾值電壓二極管的閾值電壓V d_th，在五二極管開始進(jìn)行當(dāng)正偏置電壓大于V d_th。二極管電阻二極管的電阻R D，在歐姆，之后開始進(jìn)行。初始二極管位置的初始位置標(biāo)志。如果標(biāo)志是0，二極管關(guān)閉。如果它是1，二極管在。二極管的電流標(biāo)志電流標(biāo)志。二極管的I-V特性和LED顯示如下：Zener：齊納二極管的電路模型如下圖所示。圖像:屬性:參數(shù)描述齊納二極管的擊穿電壓，擊穿電壓V B，V正向閾值電壓正向傳導(dǎo)的閾值電壓（從陽(yáng)極到陰極），在V正向?qū)娮璧恼螂?/p>

26、阻齊納電流輸出電流國(guó)旗（從陽(yáng)極到陰極）當(dāng)齊納二極管正向偏置，它的行為作為一個(gè)普通的二極管。當(dāng)它是反向偏見，它會(huì)阻擋導(dǎo)通，只要陰極陽(yáng)極電壓V萬(wàn)卡的擊穿電壓小于。什么時(shí)候V卡超過(guò)V B，電壓V卡將被鉗位到V B。注意當(dāng)齊納箝位，由于二極管是一個(gè)在10電阻為藍(lán)本，陰極陽(yáng)極電壓將等于：V Ka = V B + 10*我KA。因此，取決于我的價(jià)值，V將略高于V B。如果我KA是非常大的，V家可以大大高于V B。DIAC(雙向觸發(fā)二極管)：是雙向觸發(fā)二極管。雙向觸發(fā)二極管不進(jìn)行到導(dǎo)通電壓達(dá)到。之后, 雙向觸發(fā)二極管進(jìn)入雪崩導(dǎo)通，和導(dǎo)通壓降是靜電壓。圖像：屬性:參數(shù)描述導(dǎo)通，導(dǎo)通時(shí)，移民局開始進(jìn)行電壓電壓V

27、靜電壓導(dǎo)通電壓降，V當(dāng)前標(biāo)志當(dāng)前標(biāo)志2.2.2晶閘管、雙向可控硅晶閘管在開啟時(shí)被控制。關(guān)閉是由電路條件。可控硅是一種可以在兩個(gè)方向上傳導(dǎo)電流的裝置。它的行為以同樣的方式作為兩個(gè)相反的并聯(lián)的晶閘管。圖像:屬性:參數(shù)描述電壓降晶閘管導(dǎo)通電壓降，在V保持該設(shè)備停止傳導(dǎo)和返回的最小導(dǎo)通電流到關(guān)閉狀態(tài)（只適用于晶閘管）閂鎖電流最小的狀態(tài)所需的電流保持裝置在后的狀態(tài)觸發(fā)脈沖被刪除（僅晶閘管）初始開關(guān)位置的初始位置標(biāo)志（僅用于晶閘管）用于開關(guān)電流輸出的電流標(biāo)志標(biāo)志注意，雙向可控硅裝置，保持電流和保持電流設(shè)置為零。有兩種方法來(lái)控制晶閘管或可控硅。一種是使用一個(gè)選通塊，另一個(gè)是使用一個(gè)開關(guān)控制器.一個(gè)晶閘管或可

28、控硅柵極節(jié)點(diǎn)必須連接到一個(gè)澆注塊或開關(guān)控制器.下面的例子說(shuō)明了晶閘管開關(guān)的控制。實(shí)例：晶閘管開關(guān)的控制左邊的這個(gè)電路使用一個(gè)開關(guān)選通塊。開關(guān)選通模式和頻率是預(yù)先定義，并保持不變，在整個(gè)模擬。右邊的電路使用一個(gè)阿爾法開關(guān)控制器.在度的延遲角，通過(guò)電路中的直流源的指定2.2.3 GTO和晶體管自整流的開關(guān)的開關(guān)，除了PNP雙極結(jié)型晶體管（BJT）和P溝道MOSFET的開啟門控信號(hào)是當(dāng)高（當(dāng)1V或更高的電壓施加到柵極節(jié)點(diǎn)）和開關(guān)正偏置（集電極發(fā)射極或漏極源極電壓為正）。它被關(guān)閉了每當(dāng)選通信號(hào)是低或電流下降到零。PNP晶體管和P溝道MOSFET開關(guān)打開時(shí)，門控信號(hào)低，開關(guān)負(fù)偏置（集電極-發(fā)射極或漏極-源極電壓為負(fù)）。GTO開關(guān)是一個(gè)對(duì)稱的裝置與正向和反向阻斷能力。IGBT或MOSFET開關(guān)包括一個(gè)反并聯(lián)二極管的有源開關(guān)。注意，在PSIM BJT開關(guān)模型的局限性，與現(xiàn)實(shí)生活中的設(shè)備的行為，是在PSIM BJT開關(guān)塊反向電壓（在這個(gè)意義上，