晶體管二次擊穿測(cè)試儀_第1頁
晶體管二次擊穿測(cè)試儀_第2頁
晶體管二次擊穿測(cè)試儀_第3頁
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1、bj2989d晶體三極管正偏二次擊穿測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介1.1概述bj2989d品體管正偏二次擊穿測(cè)試系統(tǒng)可測(cè)試屮、大功率npn型晶體三極管 熱阻參數(shù)的二次擊穿電壓。采用計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制測(cè)試,測(cè)試結(jié)果自動(dòng)處理,十分 方便快捷,可自動(dòng)繪制構(gòu)成器件安全工作區(qū)重要的二次擊穿功率psb曲線。1-2本系統(tǒng)的主要特點(diǎn)正偏二次擊穿電壓測(cè)試可測(cè)試npn型晶體三極管;二次擊穿測(cè)試過程中對(duì)被測(cè)管保護(hù)速度快,關(guān)斷時(shí)間小于500ns,能夠 有效避免被測(cè)管在測(cè)試過程中損壞;采用通用微機(jī)控制,基于windows系統(tǒng)的控制軟件,具有友好的人機(jī)交 互界面,窗口填表式編程,測(cè)試結(jié)果以表格及圖形曲線方式顯示,使您輕松掌握 測(cè)試。1.3二次

2、擊穿功率psb曲線1.4本系統(tǒng)的主要技術(shù)指標(biāo)1.4.1測(cè)試電壓源電壓范圍負(fù)載能力備注0300v3. 5a1.4.2測(cè)試電流源電流量程分辨力精度250ma250ma122ua土(610ua+2%sct)±(250ma 2.5)a1.22ma土(6. lma+2%sct)±(2.5a3.5)a12.2ma土(61ma+2%set)1.4.3 vsb測(cè)試電壓范圍及精度電壓量程分辨力精度-8.125-8.125 v3.97 mv± (7. 94mv+0. 25%rdg)±(8.12516.25)v7.94mv±(15. 88mv+0. 25%rdg)±(16. 2532.5) v15.88mv± (31. 76mv+0. 25%rdg)± (32.565) v31.76mv± (63. 52mv+0. 25%rdg)±(65-130)v63.52mv±(127. 04mv+0. 25%rdg)±(260300)v127.04mv±(254. 08mv+0. 25%rdg)1.4.4測(cè)試電流源施加條件脈寬:50us> 100us> 1ms> 10ms、100ms> 直流; 占空比:1:2、1

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