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1、第17課聯(lián)想B50-30LA-B102P凌動單CPU時序說明、聯(lián)想B50-30隔離保護(hù)部分說明凌動聯(lián)想B50-30VALLEYVIEWBAYTRAIL悲催平臺SOC(CPU+橋集成一起)“不支持深度睡眠”注:此機(jī)器沒有CPU風(fēng)扇,亮機(jī)電流很低0.2XA就亮機(jī)(1.35V內(nèi)存低電壓板)注:+1.35V以前為待機(jī)時就產(chǎn)生的電壓(除了VCCRTC和B+以外,最少四個待機(jī)電壓3V5V多了1.01.8VVALW)S3狀態(tài)下會產(chǎn)生內(nèi)存主供電+1.35VS0狀態(tài)下多了1.5V1.05V其它都是后來轉(zhuǎn)換出來的凌動聯(lián)想B50-30VALLEYVIEWBAYTRAIL悲催平臺SOC上電時序1、 首先產(chǎn)生一個+3V
2、LP線性給EC做為待機(jī)供電2、 EC待機(jī)得到供電、時鐘、復(fù)位、程序滿足后發(fā)出EC_ON開啟CPU的待機(jī)供電+5V、+3V、+1.0V、1.8VALW3、 按下開關(guān),EC收到開機(jī)觸發(fā)信號后,發(fā)出RSMRST#給CPU4、 EC再延時發(fā)出PWRBTN#給CPU5、 CPU待機(jī)條件滿足情況下置高S4S3給EC(沒有S5、SLP_A#、SLP_LAN#等信號)6、 EC發(fā)出SYSON控制產(chǎn)生內(nèi)存主供電1.35V7、 內(nèi)存供電正常產(chǎn)生后會產(chǎn)生一個DDR_PWROK信號給CPU8、 EC發(fā)出VR_ON控制產(chǎn)生CPUVBOOT電壓和集顯供電“+CORE_VNN集顯+CORE_VCC核心”9、 CPU供電正常
3、,PWM芯片產(chǎn)生VGATE的PG送給EC注:INTELVALLEYVIEWBAYTRAIL悲催平臺悲內(nèi)存主供電和CPU供電要先出來10、 當(dāng)EC收到VGATE后,EC再發(fā)出SUSP#控制產(chǎn)生S0狀態(tài)的其它供電如+1.0VS+1.05VS+1.35VS+1.8VS+3VS+5VS+0.675VS1、 首先分析公共點(diǎn)VIN電壓經(jīng)PQ301的D極加到PQ301的G極和PQ302的G極,高電平的電壓使PQ301和PQ302截止VIN電壓經(jīng)PR301和PQ305和B極,使PQ305導(dǎo)通,PQ304的CE極也導(dǎo)通,也使PQ301和PQ302的G極為高,截止注:同時高電平的VIN電壓也加到電池放電管的G極,
4、使PQ302截止,隔離電池分析:要想產(chǎn)生大公流的公共點(diǎn)電壓1、 PQ304必須要截止,PQ301和PQ302的G極電壓要串聯(lián)分壓成相對低電平A:PQ307B的G極要為高電平受控于PACIN,PACIN受控于充電芯片(線性分壓+芯片信號控制)ACPRN#來源充電芯片BQ24727,好像與BQ24737一樣ACOK#:當(dāng)ACDET超過2.4V,芯片內(nèi)部MOS管拉低ACOK#腳,開漏輸出低電平ACDET:適配器檢測輸入引腳(來源適配器電壓經(jīng)電阻分壓而來),當(dāng)ACDET腳超過0.6V,REGN輸出電壓,ACOK#輸出VCC:芯片供電,來源二極管、電池、適配器電壓REGN:線性電壓輸出,6V輸出(輸出的
5、來源VCC,當(dāng)ACDET超過0.6V,VCC超過欠壓鎖定閥值,經(jīng)電容到地)SRP:充電電流電阻檢測正端輸入SRN:充電電流電阻檢測負(fù)端輸入SDA:SM總線,開漏輸出連接EC,外部上拉SCL:SM總線,開漏輸出連接EC,外部上拉IOUT:充電電流輸出CMPUT:給芯片內(nèi)部比較器補(bǔ)償輸出CMPIN:給芯片內(nèi)部比較器補(bǔ)償輸入ACN:輸入電流檢測電阻負(fù)端ACP:輸入電流檢測電阻正端BQ24737充電芯片工作流程:1、 芯片得到供電VCC2、 ACDET得到供電“來源適器電壓經(jīng)電阻分壓”3、 REGN輸出6V線性電壓(輸出的來源VCC,當(dāng)ACDET超過0.6V,VCC超過欠壓鎖定閥值,經(jīng)電容到地)1、 插入適配器產(chǎn)生VIN電壓,VIN電壓給多處供電(如:充電芯片VCC腳)2、 BQ24737“充電芯片得到VCC腳供電”輸出線性電壓上拉BQ24737VDD為高電平3、 BQ24737“當(dāng)ACDET高于0.6V,VCC超過欠壓
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