MOS管擊穿的原因及解決方案

1、MOS 管擊穿的原因及解決方案MOSMOS 管被擊穿的原因及解決方案如下：第一、 MOSMOST本身的輸入電阻很高， 而柵 - -源極間電容又非常小， 所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電， 而少量電荷就可在極間電 容上形成相當高的電壓 （U=Q/CU=Q/C，將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護措施，但仍需小心對待，在存儲和運輸中最好用金屬 容器或者導(dǎo)電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。組裝、調(diào)試時，工具、儀表、工作臺等均應(yīng)良好接地。要 防止操作人員的靜電干擾造成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人 工焊接

2、時，使用的設(shè)備必須良好接地。第二、MOS電路輸入端的保護二極管，其導(dǎo)通時電流容限一般為1mA在可能出現(xiàn)過大瞬態(tài)輸入電流（超過1 OmA）時，應(yīng)串接輸入保護電阻。而 129#129#在初期設(shè)計時沒有加入保護電阻，所以這也是MOSMOSf可能擊穿的原因，而通過更換一個內(nèi)部有保護電阻的MOSMOST應(yīng)可防止此種失效的發(fā)生。還有由于保護電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使保護電路失去作用。所以焊接 時電烙鐵必須可靠接地，以防漏電擊穿器件輸入端，一般使用時，可斷電后利用電烙鐵的余熱進行焊接，并先焊其接地管腳。附錄：靜電的基本物理特征為：有吸引或排斥的力量；有電場存在，與大地有電位差

3、；會產(chǎn)生放電電流。這三種情形會對電子元件造成以下影 響：1.1. 元件吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響元件的功能和壽命。2.2.因電場或電流破壞元件絕緣層和導(dǎo)體，使元件不能工作（完全破壞）。3.3.因瞬間的電場軟擊穿或電流產(chǎn)生過熱，使元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測試中被察覺而排除，影響較少。如果元件輕微受損，在正常測試中不易被 發(fā)現(xiàn)，在這種情形下，常會因經(jīng)過多次加工，甚至已在使用時，才被發(fā)現(xiàn)破壞，不但檢查不易，而且損失亦難以預(yù)測。靜電對電子元件 產(chǎn)生的危害不亞于嚴重火災(zāi)和爆炸事故的損失電子元件及產(chǎn)品在什么情況下會遭受靜電破壞呢？可以

4、這么說：電子產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的全過程都遭受靜電破壞的威脅。從器件制造到 插件裝焊、整機裝聯(lián)、包裝運輸直至產(chǎn)品應(yīng)用，都在靜電的威脅之下。在整個電子產(chǎn)品生產(chǎn)過程中，每一個階段中的每一個小步驟，靜 電敏感元件都可能遭受靜電的影響或受到破壞，而實際上最主要而又容易疏忽的一點卻是在元件的傳送與運輸?shù)倪^程。在這個過程中， 運輸因移動容易暴露在外界電場（如經(jīng)過高壓設(shè)備附近、工人移動頻繁、車輛迅速移動等）產(chǎn)生靜電而受到破壞，所以傳送與運輸過程 需要特別注意，以減少損失，避免無所謂的糾紛。場效應(yīng)管（MOSFETMOSFET 檢測方法與經(jīng)驗一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進行判別（1）用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極

5、根據(jù)場效應(yīng)管的 PN 結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在RX1k 檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別 是漏極 D 和源極 S。因為對結(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極 G。也可以將萬用表的黑表筆（紅表 筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時，則 黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是 PN結(jié)的反向，即都是反向 電阻，可以判定是 N

6、溝道場效應(yīng)管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向 PN 結(jié)，即是正向電阻， 判定為 P溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵 極為止。（2）用測電阻法判別場效應(yīng)管的好壞測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極 G1 與柵極 G2 之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。 具體方法：首先將萬用表置于 RX1 O 或 RX 100 檔，測量源極 S 與漏極 D之間的電阻， 通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的)，如果測

7、得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于 RXIOk檔，再測柵極 G1 與 G2 之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通 路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進行檢測。(3) 用感應(yīng)信號輸人法估測場效應(yīng)管的放大能力具體方法：用萬用表電阻的 RX100 檔，紅表筆接源極 S，黑表筆接漏極 D，給場效應(yīng)管加上 V 的電源電壓，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場效應(yīng)管的柵極 G，將人體的感應(yīng)電壓信號加到柵極上。這樣，由于管

8、的放大作用，漏源電壓 VDS 和漏極電流 I b 都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大；若表針不動，說明管是壞的。根據(jù)上述方法，我們用萬用表的 RX1OO 檔，測結(jié)型場效應(yīng)管 3DJ2F。先將管的 G極開路，測得漏源電阻 RDS 為 600Q，用手捏 住 G極后，表針向左擺動，指示的電阻RDS 為 12kQ，表針擺動的幅度較大，說明該管是好的，并有較大的放大能力。運用這種方法時要說明幾點：首先，在測試場效應(yīng)管用手捏住柵極時，萬用表針可能向右擺動(電阻值減小)，也可能向左擺

9、 動(電阻值增加)。這是由于人體感應(yīng)的交流電壓較高，而不同的場效應(yīng)管用電阻檔測量時的工作點可能不同(或者工作在飽 和區(qū)或者在不飽和區(qū))所致，試驗表明，多數(shù)管的RDS 增大，即表針向左擺動；少數(shù)管的 RDS 減小，使表針向右擺動。但無論表針擺動方向如何，只要表針擺動幅度較大，就說明管有較大的放大能力。第二，此方法對MO 場效應(yīng)管也適用。但要注意，MOS 場效應(yīng)管的輸人電阻高，柵極 G允許的感應(yīng)電壓不應(yīng)過高，所以不要直接用手去捏柵極，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金 屬桿去碰觸柵極，以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。第三，每次測量完畢，應(yīng)當G-S 極間短路一下。這是因為 G-S 結(jié)電容上

10、會充有少量電荷，建立起 V GS 電壓，造成再進行測量時表針可能不動，只有將G-S 極間電荷短路放掉才行。(4) 用測電阻法判別無標志的場效應(yīng)管首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極 S 和漏極 D，余下兩個腳為第一柵極 G1 和第二柵極 G2 把先用兩表筆測的源極 S與漏極 D之間的電阻值記下來，對調(diào)表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑 表筆所接的電極為漏極 D;紅表筆所接的為源極 S。用這種方法判別出來的 S、D 極，還可以用估測其管的放大能力的方法進 行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是 D極；紅表筆所接地是 8 極，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣。

11、當確定了漏極 D、源極 S 的位置后，按 D、S的對應(yīng)位置裝人電路，一般G1、G2 也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極G1、G2 的位置，從而就確定了 D、S G1 G2 管腳的順序。(5) 用測反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小對 VMOS N溝道增強型場效應(yīng)管測量跨導(dǎo)性能時，可用紅表筆接源極 S、黑表筆接漏極 D，這就相當于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在RXIOkQ 的高阻檔，此時表內(nèi)電壓較高。當用手接觸柵極 G 時，會發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導(dǎo)值越高；如果被測管的跨導(dǎo)很 小，用此法測時，反向阻

12、值變化不大。二、.場效應(yīng)管的使用注意事項(1) 為了安全使用場效應(yīng)管，在線路的設(shè)計中不能超過管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。(2) 各類型場效應(yīng)管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是 PN 結(jié)，N 溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負偏壓，等等。（3）MO 場效應(yīng)管由于輸人阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將 MO 場效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi)，保存時最好放在金屬盒內(nèi)，同時也要注意管的防潮。（4）為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，

13、要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應(yīng)以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時，絕對不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意。（5）在安裝場效應(yīng)管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應(yīng)當大于根部尺寸 5毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對于功率型場效應(yīng)管，要有良好

14、的散熱條件。因為功率型場效應(yīng)管在高負荷條件下運用，必須設(shè)計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作?？傊?，確保場效應(yīng)管安全使用，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā)，采取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應(yīng)管。三.VMOS 場效應(yīng)管VMO 場效應(yīng)管（VMOSFET 簡稱 VMO 管或功率場效應(yīng)管，其全稱為 V 型槽 MOS 場效應(yīng)管。它是繼 MOSFE 之后新發(fā)展起來的高效、 功率開關(guān)器件。它不僅繼承了 MO 場效應(yīng)管輸入阻抗高（A 108W）、驅(qū)動電流?。ㄗI 左右），還具有耐壓高（最

15、高 1200V）、 工作電流大（100A）、輸出功率高（1250W、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管 之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。VMO 場效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點，尤其是其具有負的電流溫度系數(shù)，即在柵-源電壓不變的情況下，導(dǎo)通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此，VMOST 的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用。眾所周知，傳統(tǒng)的 MO 場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMO

16、ST 則不同，從圖 1 上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點：第一，金屬柵極采用 V 型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯 片的背面引出，所以 ID 不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜 N+區(qū)（源極 S）出發(fā)，經(jīng)過 P 溝道流入輕摻雜 N-漂移區(qū)，最后垂直 向下到達漏極 D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣 層，因此它仍屬于絕緣柵型 MO場效應(yīng)管。國內(nèi)生產(chǎn) VMO 場效應(yīng)管的主要廠家有 877 廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有VN401 VN672 VMPT2 等。下面介紹檢測 VMO 管的方法。1.判定柵極 G將萬

17、用表撥至 RX1k 檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為 G 極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。2.判定源極 S、漏極 D由圖 1 可見，在源-漏之間有一個 PN 結(jié)，因此根據(jù) PN 結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別 S 極與 D 極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S 極，紅表筆接 D 極。3.測量漏-源通態(tài)電阻 RDS（on）將 G-S 極短路，選擇萬用表的 RX1檔，黑表筆接 S 極，紅表筆接 D 極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同，測出的 RDS（

18、on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500 型萬用表 RX1檔實測一只 IRFPC50 型 VMOS 管, RDS（ on）=，大于（典型值）。4.檢查跨導(dǎo)將萬用表置于 RX1k （或 RX100）檔，紅表筆接 S 極，黑表筆接 D 極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)愈大， 管子的跨導(dǎo)愈高。注意事項：(1)VMO 管亦分 N 溝道管與 P 溝道管，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于 N 溝道管。對于 P 溝道管，測量時應(yīng)交換表筆的位置。(2)有少數(shù) VMOS 管在 G-S 之間并有保護二極管，本檢測方法中的1、2 項不再適用。(3)目前市場上還有一種 VMOS 管功率模塊，專供交流電機調(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR 公司生產(chǎn)的 IRFT001 型模塊，內(nèi) 部有N 溝道、P 溝道管各三只，構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。(4)現(xiàn)在市售