物理-總復(fù)習(xí)剖析

1、大學(xué)物理大學(xué)物理 2 復(fù)習(xí)復(fù)習(xí)教師教師: : 鄭采星鄭采星考試題型考試題型：選擇選擇（30%）、填空填空（30%）、計(jì)算計(jì)算（40%）每年題型基本不變！會(huì)做以前的就會(huì)做今年的！每年題型基本不變！會(huì)做以前的就會(huì)做今年的！1一、選擇題：一、選擇題：1. 圖中所示為軸對(duì)稱性靜電場(chǎng)的圖中所示為軸對(duì)稱性靜電場(chǎng)的Er曲線，請(qǐng)指出該電場(chǎng)是由下曲線，請(qǐng)指出該電場(chǎng)是由下列哪一種帶電體產(chǎn)生的列哪一種帶電體產(chǎn)生的(E表示電場(chǎng)強(qiáng)度的大小，表示電場(chǎng)強(qiáng)度的大小，r表示離對(duì)稱軸的表示離對(duì)稱軸的距離距離) (A) “無(wú)限長(zhǎng)無(wú)限長(zhǎng)”均勻帶電圓柱面；均勻帶電圓柱面； (B) “無(wú)限長(zhǎng)無(wú)限長(zhǎng)”均勻帶電圓柱體；均勻帶電圓柱體； (C

2、) “無(wú)限長(zhǎng)無(wú)限長(zhǎng)”均勻帶電直線；均勻帶電直線； (D) “有限長(zhǎng)有限長(zhǎng)”均勻帶電直線均勻帶電直線 OErE/1 r根據(jù)高斯定理，求根據(jù)高斯定理，求“無(wú)限長(zhǎng)無(wú)限長(zhǎng)”均勻帶電均勻帶電直線電場(chǎng)中的場(chǎng)強(qiáng)分布：直線電場(chǎng)中的場(chǎng)強(qiáng)分布： 電場(chǎng)分布有軸對(duì)稱性，方向沿徑向，如電場(chǎng)分布有軸對(duì)稱性，方向沿徑向，如圖所示取閉合曲面圖所示取閉合曲面S，設(shè)均勻帶電直線，設(shè)均勻帶電直線電荷線密度為電荷線密度為,12ddddd0lrlESESESESESESe側(cè)面?zhèn)让嫦旅嫔厦?C.120rrE22. 在一點(diǎn)電荷在一點(diǎn)電荷q q產(chǎn)生的靜電場(chǎng)中，一塊電介質(zhì)如圖放置，以點(diǎn)電荷產(chǎn)生的靜電場(chǎng)中，一塊電介質(zhì)如圖放置，以點(diǎn)電荷所在處為球

3、心作一球形閉合面所在處為球心作一球形閉合面S S，則對(duì)此球形閉合面：，則對(duì)此球形閉合面： (A) 高斯定理成立，且可用它求出閉合面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)高斯定理成立，且可用它求出閉合面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng) (B) 高斯定理成立，但不能用它求出閉合面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)高斯定理成立，但不能用它求出閉合面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng) (C) 由于電介質(zhì)不對(duì)稱分布，高斯定理不成立由于電介質(zhì)不對(duì)稱分布，高斯定理不成立 (D) 即使電介質(zhì)對(duì)稱分布，高斯定理也不成立即使電介質(zhì)對(duì)稱分布，高斯定理也不成立 qS電介質(zhì) BSSqSD內(nèi)0dEEDr033.3.如圖所示，在磁感強(qiáng)度為如圖所示，在磁感強(qiáng)度為B 的均勻磁場(chǎng)中，有一圓形載流導(dǎo)的均勻磁場(chǎng)中，有一圓

4、形載流導(dǎo)線，線，a、b、c是其上三個(gè)長(zhǎng)度相等的電流元，則它們所受安培力是其上三個(gè)長(zhǎng)度相等的電流元，則它們所受安培力大小的關(guān)系為大小的關(guān)系為 bBacII C (A) Fa Fb Fc (B) Fa Fb Fc Fa (D) Fa Fc Fb BlIF ddsinddlBIF 4I2I14. 長(zhǎng)直電流長(zhǎng)直電流 I I2 2與圓形電流與圓形電流 I I1 1共面，并與其一直徑相重合如共面，并與其一直徑相重合如圖圖( (但兩者間絕緣但兩者間絕緣) )，設(shè)長(zhǎng)直電流不動(dòng)，則圓形電流將，設(shè)長(zhǎng)直電流不動(dòng)，則圓形電流將(A) 繞繞 I I2 2 旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn) (B) 向左運(yùn)動(dòng)向左運(yùn)動(dòng) (C) 向右運(yùn)動(dòng)向右運(yùn)動(dòng) (

5、D) 向上運(yùn)動(dòng)向上運(yùn)動(dòng) (E) 不動(dòng)不動(dòng) C55. 圓柱形無(wú)限長(zhǎng)載流直導(dǎo)線置于均勻無(wú)限大磁介質(zhì)之中，若導(dǎo)圓柱形無(wú)限長(zhǎng)載流直導(dǎo)線置于均勻無(wú)限大磁介質(zhì)之中，若導(dǎo)線中流過(guò)的穩(wěn)恒電流為線中流過(guò)的穩(wěn)恒電流為I，磁介質(zhì)的相對(duì)磁導(dǎo)率為，磁介質(zhì)的相對(duì)磁導(dǎo)率為 r ( r 1)，則，則與導(dǎo)線接觸的磁介質(zhì)表面上的磁化電流為與導(dǎo)線接觸的磁介質(zhì)表面上的磁化電流為 (A) (1 r )I (B) ( r 1 )I (C) r I (D) rI/答案：答案：( ) B有介質(zhì)時(shí)的安培環(huán)路定理有介質(zhì)時(shí)的安培環(huán)路定理 0dIlHL說(shuō)明；磁場(chǎng)強(qiáng)度沿任一閉合路徑的環(huán)流等于該閉合路徑所包圍的傳說(shuō)明；磁場(chǎng)強(qiáng)度沿任一閉合路徑的環(huán)流等于該

6、閉合路徑所包圍的傳導(dǎo)電流的代數(shù)和。導(dǎo)電流的代數(shù)和。.200rIBHBrrB由穩(wěn)恒電流由穩(wěn)恒電流I與磁化電流與磁化電流I共同決定。共同決定。 穩(wěn)恒電流穩(wěn)恒電流 I 在空間產(chǎn)生的磁場(chǎng)在空間產(chǎn)生的磁場(chǎng) ,201rIB磁化電流磁化電流 I 在空間產(chǎn)生的磁場(chǎng)在空間產(chǎn)生的磁場(chǎng) ,202rIB則則 .21BBB,222000rIrIrIr.) 1(IIr66.6.如圖，兩個(gè)線圈如圖，兩個(gè)線圈 P 和和 Q 并聯(lián)地接到一電動(dòng)勢(shì)恒定的電源并聯(lián)地接到一電動(dòng)勢(shì)恒定的電源上，線圈上，線圈 P 的自感和電阻分別是線圈的自感和電阻分別是線圈 Q 的兩倍。當(dāng)達(dá)到穩(wěn)的兩倍。當(dāng)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)后，線圈定狀態(tài)后，線圈 P 的磁場(chǎng)能量

7、與的磁場(chǎng)能量與 Q 的磁場(chǎng)能量的比值是：的磁場(chǎng)能量的比值是：（A）4 ， （B）2 ， （C） 1 ， （D） 1 / 2 。 DPQ221LIWm.2,2QpQpRRLL并聯(lián)：并聯(lián)：QQppRIRIpQII22122QQppQpILILWW77. 在圓柱形空間內(nèi)有一磁感強(qiáng)度為在圓柱形空間內(nèi)有一磁感強(qiáng)度為B的均勻磁場(chǎng)，如圖所示，的均勻磁場(chǎng)，如圖所示，B的大的大小以速率小以速率dB/dt變化有一長(zhǎng)度為變化有一長(zhǎng)度為l0的金屬棒先后放在磁場(chǎng)的兩個(gè)不同的金屬棒先后放在磁場(chǎng)的兩個(gè)不同位置位置1(ab)和和2(ab)，則金屬棒在這兩個(gè)位置時(shí)棒內(nèi)的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，則金屬棒在這兩個(gè)位置時(shí)棒內(nèi)的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小關(guān)

8、系為的大小關(guān)系為 aaObbl0BABSLrStBlEdd B/ t 一致，且一致，且abbaSS C. 0. 012121212(D)(C)(B)(A)88. 用頻率為用頻率為n n 的單色光照射某種金屬時(shí)，逸出光電子的最大動(dòng)的單色光照射某種金屬時(shí)，逸出光電子的最大動(dòng)能為能為EK；若改用頻率為；若改用頻率為2n n 的單色光照射此種金屬時(shí)，則逸出光的單色光照射此種金屬時(shí)，則逸出光電子的最大動(dòng)能為：電子的最大動(dòng)能為： (A) 2 EK (B) 2hn n - EK (C) hn n - EK (D) hn n + EK DAEhknAhEkn2AEhkn2)(2kEhhnnkEhn9 9. 波

9、長(zhǎng)波長(zhǎng) =5000 的光沿的光沿x軸正向傳播，若光的波長(zhǎng)的不確定量軸正向傳播，若光的波長(zhǎng)的不確定量=10-3 ，則利用不確定關(guān)系式，則利用不確定關(guān)系式 Px x h 可得光子的可得光子的x坐標(biāo)坐標(biāo)的不確定量至少為的不確定量至少為_(kāi). (A) 25 cm (B) 50 cm (C) 250 cm (D) 500 cm hp2hp)ms(kg102652. 01010)10105(1063. 61331032103342hphxp(m)5 . 2102652. 01063. 63334phx1010. 10. 氫原子中處于氫原子中處于2P態(tài)的電子，描述其量子態(tài)的四個(gè)量子態(tài)的電子，描述其量子態(tài)的四個(gè)

10、量子數(shù)數(shù)（n， ，m ，ms）可能取的值為：可能取的值為：（A） （3，2，1，-1/2） （B） （2，0，0，1/2） （C） （2，1，-1，-1/2）（）（D） （1，0，0，1/2） C1, 22nP3 ,2 , 1 , 0, fdps, 2, 1, 0m21Sm111 1一半徑為一半徑為R的球面均勻帶電，所帶電量為的球面均勻帶電，所帶電量為q，則電場(chǎng)的則電場(chǎng)的能量為能量為We= = 。解法一解法一: :解解法二：孤立球形導(dǎo)體電容法二：孤立球形導(dǎo)體電容04CR2201128eqqWCRVEWVed2120RrrEd421220Rrrrqd4)4(2122200Rq0282021 Er

11、e二二. 填空題填空題122. 圖示為一均勻極化的電介質(zhì)球體，已知電極化強(qiáng)度為圖示為一均勻極化的電介質(zhì)球體，已知電極化強(qiáng)度為P ，則介質(zhì)球表面上則介質(zhì)球表面上A、B、C各點(diǎn)的束縛電荷面密度分別為各點(diǎn)的束縛電荷面密度分別為_(kāi)， _，_P 、 P、 0 A BPpCnPPnn n n PPnPAPnPB0 nPC133. 一個(gè)電流元位于直角坐標(biāo)系原點(diǎn)，電流沿一個(gè)電流元位于直角坐標(biāo)系原點(diǎn)，電流沿z軸方向，點(diǎn)軸方向，點(diǎn)P (x，y，z)的磁感強(qiáng)度沿的磁感強(qiáng)度沿x軸的分量是：軸的分量是： 。 2/32220)/(d)4/(zyxlIy畢奧畢奧-薩伐爾定律：薩伐爾定律： 304ddrrlIB電流沿電流沿z

12、軸方向，軸方向， ,ddk lIlI),(d4)(d4d44dd30303030i yj xlIrkzj yi xk lIrrk lIrrrlIB比較比較 ,dddjBiBByx.)(4dd4d23222030yzyxlIlyIrBx144. 4. 在安培環(huán)路定理中，在安培環(huán)路定理中，Ii 是指是指_ ；B 是指是指_ ；它是由它是由 _ 決定的決定的。iLIlB0d環(huán)路所包圍的各種穩(wěn)恒電流的代數(shù)和環(huán)路所包圍的各種穩(wěn)恒電流的代數(shù)和環(huán)路上的磁感應(yīng)強(qiáng)度環(huán)路上的磁感應(yīng)強(qiáng)度環(huán)路內(nèi)外全部電流所產(chǎn)生磁場(chǎng)的疊加環(huán)路內(nèi)外全部電流所產(chǎn)生磁場(chǎng)的疊加15 5. 將一個(gè)通有電流強(qiáng)度為將一個(gè)通有電流強(qiáng)度為I 的閉合回路

13、置于均勻磁場(chǎng)中，的閉合回路置于均勻磁場(chǎng)中，回路所圍面積的法線方向與磁場(chǎng)方向的夾角為回路所圍面積的法線方向與磁場(chǎng)方向的夾角為 。若均勻。若均勻磁場(chǎng)通過(guò)此回路的磁通量為磁場(chǎng)通過(guò)此回路的磁通量為 ，則回路所受力矩的大小為，則回路所受力矩的大小為 。BnbcdaIBnIBPMmcosdBSSBtancossincossinIIBSISBMtanIsinISBM 166. 無(wú)鐵芯的長(zhǎng)直螺線管的自感系數(shù)表達(dá)式為無(wú)鐵芯的長(zhǎng)直螺線管的自感系數(shù)表達(dá)式為L(zhǎng)= 0n2V ，其中，其中n為單為單位長(zhǎng)度上的匝數(shù)，位長(zhǎng)度上的匝數(shù)，V為螺線管的體積若考慮端緣效應(yīng)時(shí)，實(shí)際的為螺線管的體積若考慮端緣效應(yīng)時(shí)，實(shí)際的自感系數(shù)應(yīng)自感

14、系數(shù)應(yīng)_ (填：大于、小于或等于填：大于、小于或等于)此式給出的值此式給出的值若在管內(nèi)裝上鐵芯，則若在管內(nèi)裝上鐵芯，則L與電流與電流_ (填：有關(guān)，無(wú)關(guān)填：有關(guān)，無(wú)關(guān))小于小于, 有關(guān)有關(guān). I例：計(jì)算一長(zhǎng)直螺線管的自感系數(shù)，設(shè)螺線管長(zhǎng)為例：計(jì)算一長(zhǎng)直螺線管的自感系數(shù)，設(shè)螺線管長(zhǎng)為l ，截面積截面積為為 S ，總匝數(shù)為總匝數(shù)為 N ，充滿磁導(dǎo)率為充滿磁導(dǎo)率為 的磁介質(zhì)，且的磁介質(zhì)，且 為常數(shù)。為常數(shù)。IlNIlSN2lSNIL2;,lNnlSV體積VnL2nIBNBSN 載流直螺線管磁感應(yīng)線分布示意圖載流直螺線管磁感應(yīng)線分布示意圖若考慮端緣效應(yīng)若考慮端緣效應(yīng)B邊緣L177. 圖示為三種不同的磁

15、介質(zhì)的圖示為三種不同的磁介質(zhì)的BH關(guān)系曲線，其中關(guān)系曲線，其中虛線表示的是虛線表示的是B = 0H的關(guān)系說(shuō)明的關(guān)系說(shuō)明a、b、c各代表哪各代表哪一類磁介質(zhì)的一類磁介質(zhì)的BH關(guān)系曲線：關(guān)系曲線： a 代表代表_的的BH關(guān)系曲線關(guān)系曲線 b 代表代表_的的BH關(guān)系曲線關(guān)系曲線 c 代表代表_的的BH關(guān)系曲線關(guān)系曲線0HBabc順磁質(zhì)：順磁質(zhì)：1r1r抗磁質(zhì)：抗磁質(zhì)：1r鐵磁質(zhì)：鐵磁質(zhì)：HHBr0188. 8. 在沒(méi)有自由電荷與傳導(dǎo)電流的變化電磁場(chǎng)中在沒(méi)有自由電荷與傳導(dǎo)電流的變化電磁場(chǎng)中. .StDsdtDdd或StBsdtmdd或LlHdLlEdVSVqSDdd) 1 (0d) 2(SSBStBl

16、ESLdd) 3(SSLStDSlHddd)4(199.9.光子波長(zhǎng)為光子波長(zhǎng)為 ，則其能量則其能量=_=_；動(dòng)量的大小動(dòng)量的大小 =_=_；質(zhì)量質(zhì)量=_ =_ chchmn2光子能量：光子能量：光子質(zhì)量：光子質(zhì)量：光子動(dòng)量：光子動(dòng)量：hchvmcpn/hch 2mchn2010. . 康普頓散射中，當(dāng)散射光子與入射光子方向成夾角康普頓散射中，當(dāng)散射光子與入射光子方向成夾角 _時(shí)，散射光子的頻率小得最多；當(dāng)時(shí)，散射光子的頻率小得最多；當(dāng) _ 時(shí)，散射光子的頻率與入射光子相同時(shí)，散射光子的頻率與入射光子相同康普頓效應(yīng)：康普頓效應(yīng)：X射線通過(guò)物質(zhì)射線通過(guò)物質(zhì)散射后波長(zhǎng)變長(zhǎng)的現(xiàn)象。散射后波長(zhǎng)變長(zhǎng)的現(xiàn)

17、象。2sin2)cos1 (20cc ，0 . c c是是與與散射物質(zhì)散射物質(zhì)無(wú)關(guān)的常數(shù)，稱無(wú)關(guān)的常數(shù)，稱為康普頓常數(shù)。為康普頓常數(shù)。nm00241. 0cnc21計(jì)算的基本要求計(jì)算的基本要求: : 1. 1. 電荷分布電荷分布 電場(chǎng)，電場(chǎng)， 2. 2. 電流分布電流分布 磁場(chǎng)，磁場(chǎng)， 3. 3. 電磁場(chǎng)基本性質(zhì)方程的應(yīng)用電磁場(chǎng)基本性質(zhì)方程的應(yīng)用 （如高斯定理、環(huán)路定理），（如高斯定理、環(huán)路定理）， 4. 4. 電力與磁力的計(jì)算，電力與磁力的計(jì)算， 5. 5. 電磁感應(yīng)定律的應(yīng)用，電磁感應(yīng)定律的應(yīng)用， 6. 6. 電場(chǎng)與磁場(chǎng)能量的計(jì)算。電場(chǎng)與磁場(chǎng)能量的計(jì)算。三三. 計(jì)算題計(jì)算題221. 帶電細(xì)

18、線彎成半徑為帶電細(xì)線彎成半徑為R的半圓形，電荷線密度為的半圓形，電荷線密度為 = 0sin ，式中式中 0為一常數(shù)，為一常數(shù)， 為半徑為半徑R與與x軸所成的軸所成的夾角，如圖所示試求環(huán)心夾角，如圖所示試求環(huán)心O處的電場(chǎng)強(qiáng)度處的電場(chǎng)強(qiáng)度 y R x O 解：解：在在 處取電荷元，其電荷為處取電荷元，其電荷為dq = dl = 0sin Rd 它在它在O點(diǎn)產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)為點(diǎn)產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)為 y R x d dEx dEy O dE dq RRqE00204dsin4dd在在x、y 軸上的二個(gè)分量軸上的二個(gè)分量 dEx=dEcos dEy=dEsin23 y R x d dEx dEy O dE dq RR

19、qE00204dsin4dd dEx=dEcos dEy=dEsin對(duì)各分量分別求和對(duì)各分量分別求和 0dcossin4000RExRREy0002008dsin4jRjEiEEyx00822cos1sin22d22cos1dsin002242. 圖示一個(gè)均勻帶電的球?qū)?，其電荷體密度為圖示一個(gè)均勻帶電的球?qū)樱潆姾审w密度為 ，球?qū)觾?nèi)表面半徑，球?qū)觾?nèi)表面半徑為為R1，外表面半徑為，外表面半徑為R2設(shè)無(wú)窮遠(yuǎn)處為電勢(shì)零點(diǎn)，求球?qū)又邪霃綖樵O(shè)無(wú)窮遠(yuǎn)處為電勢(shì)零點(diǎn)，求球?qū)又邪霃綖閞處的電勢(shì)處的電勢(shì) O R1 R2 r 解：解：r處的電勢(shì)等于以處的電勢(shì)等于以r為半徑的球面以內(nèi)的電荷在該處為半徑的球面以內(nèi)的電荷

20、在該處產(chǎn)生的電勢(shì)產(chǎn)生的電勢(shì)U1和球面以外的電荷產(chǎn)生的電勢(shì)和球面以外的電荷產(chǎn)生的電勢(shì)U2之和，即之和，即 U= U1 + U2 ，其中，其中rqUi014rRr03134)(3/4(rRr31203為計(jì)算以為計(jì)算以r為半徑的球面外電荷產(chǎn)生的電勢(shì)在球面外取為半徑的球面外電荷產(chǎn)生的電勢(shì)在球面外取 的薄層其電荷為的薄層其電荷為 rrrdrrqd4d2它對(duì)該薄層內(nèi)任一點(diǎn)產(chǎn)生的電勢(shì)為它對(duì)該薄層內(nèi)任一點(diǎn)產(chǎn)生的電勢(shì)為 002/d4/ddrrrqU則則 22dUU2d0Rrrr22202rR 于是全部電荷在半徑為于是全部電荷在半徑為r處產(chǎn)生的電勢(shì)為處產(chǎn)生的電勢(shì)為 222031202123rRrRrUUUrRrR

21、312220236252. 圖示一個(gè)均勻帶電的球?qū)?，其電荷體密度為圖示一個(gè)均勻帶電的球?qū)樱潆姾审w密度為 ，球?qū)觾?nèi)表面半徑，球?qū)觾?nèi)表面半徑為為R1，外表面半徑為，外表面半徑為R2設(shè)無(wú)窮遠(yuǎn)處為電勢(shì)零點(diǎn)，求球?qū)又邪霃綖樵O(shè)無(wú)窮遠(yuǎn)處為電勢(shì)零點(diǎn)，求球?qū)又邪霃綖閞處的電勢(shì)處的電勢(shì) O R1 R2 r 另解：根據(jù)電勢(shì)定義另解：根據(jù)電勢(shì)定義lEUd球?qū)又须妶?chǎng)為：球?qū)又须妶?chǎng)為：2014rqE203134)(34rRr23103rRr)(21RrR球?qū)油怆妶?chǎng)為：球?qū)油怆妶?chǎng)為：2024rqE2031324)(34rRR20313213)(rRR)(2rR22dd21RRrrlElEUrrRRrrRrRRrd13)(

22、d3222031322310262. 圖示一個(gè)均勻帶電的球?qū)?，其電荷體密度為圖示一個(gè)均勻帶電的球?qū)樱潆姾审w密度為 ，球?qū)觾?nèi)表面半徑，球?qū)觾?nèi)表面半徑為為R1，外表面半徑為，外表面半徑為R2設(shè)無(wú)窮遠(yuǎn)處為電勢(shì)零點(diǎn)，求球?qū)又邪霃綖樵O(shè)無(wú)窮遠(yuǎn)處為電勢(shì)零點(diǎn)，求球?qū)又邪霃綖閞處的電勢(shì)處的電勢(shì) O R1 R2 r 22dd21RRrrlElEUrrRRrrRrRRrd13)(d322203132231022)1(3)()21(3031323120RRrrRRrRr)2121(323122312312220RRRrRRRrR)23(6312220rRrR273. 如圖所示，一圓柱形電容器，內(nèi)筒半徑為如圖所示，一

23、圓柱形電容器，內(nèi)筒半徑為R1，外筒半徑為，外筒半徑為R2 (R22 R1)，其間充有相對(duì)介電常量分別為其間充有相對(duì)介電常量分別為 r1和和 r2 r1 / 2的兩層各向同性均勻電介質(zhì)，的兩層各向同性均勻電介質(zhì)，其界面半徑為其界面半徑為R若兩種介質(zhì)的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度相同，問(wèn)：若兩種介質(zhì)的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度相同，問(wèn)：(1) 當(dāng)電壓升高時(shí)，哪層介質(zhì)先擊穿？當(dāng)電壓升高時(shí)，哪層介質(zhì)先擊穿？(2) 該電容器能承受多高的電壓？該電容器能承受多高的電壓？OR1R2Rr2r1解：解：(1) 設(shè)內(nèi)、外筒單位長(zhǎng)度帶電荷為設(shè)內(nèi)、外筒單位長(zhǎng)度帶電荷為 和和 兩兩筒間電位移的大小為筒間電位移的大小為 D / (2r)在兩層介質(zhì)中的

24、場(chǎng)強(qiáng)大小分別為在兩層介質(zhì)中的場(chǎng)強(qiáng)大小分別為 E1 = / (20 r1r)， E2 = / (20 r2r) 在兩層介質(zhì)中的場(chǎng)強(qiáng)最大處是各層介質(zhì)的內(nèi)表面處，即在兩層介質(zhì)中的場(chǎng)強(qiáng)最大處是各層介質(zhì)的內(nèi)表面處，即 E1M = / (20 r1R1)， E2M = / (20 r2R) 可得可得 E1M / E2M = r2R / (r1R1) = R / (2R1) 已知已知 R12 R1， 可見(jiàn)可見(jiàn) E1ME2M，因此外層介質(zhì)先擊穿因此外層介質(zhì)先擊穿.284. 通有電流通有電流I = 10.0 A的電流，設(shè)電流在金屬片上均勻分的電流，設(shè)電流在金屬片上均勻分布，試求圓柱軸線上任意一點(diǎn)布，試求圓柱軸線上任意一點(diǎn) P 的磁感強(qiáng)度的磁感強(qiáng)度 RP解：解： dd222dd2000RIIRRIB2/020dsinRIBxRI202/020dcosRIByRI202/122)(yxBBBT108 . 12420 RId2d4/2dIRRIIxyBddId方向方向 為為B與與x軸正向的夾角軸正向的夾角 ,225, 1/tgoxyBB295. 5. 無(wú)限長(zhǎng)直電流無(wú)限長(zhǎng)直電流 I1 位于半徑為位于半徑為 R 的半圓電流的半圓電流 I2 直徑上，半圓直徑上，半圓可繞直徑邊轉(zhuǎn)動(dòng)，如圖所示。求半圓電流可繞直徑邊轉(zhuǎn)動(dòng)，如圖所示。求半圓電流 I2 受到的磁力。受到的磁力。解：解： 取取 I2 dl12ddlBIF