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文檔簡(jiǎn)介
1、太陽(yáng)能硅提純的熱動(dòng)力學(xué)提要:太陽(yáng)能很快就會(huì)有很大的需要,因?yàn)楸热魏蝹鹘y(tǒng)能源更清潔,而且來源無(wú)窮。目前,使用制作太陽(yáng)能的原料來自昂貴的電子級(jí)硅,因此供應(yīng)受到限制,因此我們必須研究一種新的方法來降低太陽(yáng)能硅的成本,讓太陽(yáng)能硅得到普遍應(yīng)用,使用相對(duì)便宜的金屬硅為原料來制作太陽(yáng)能硅認(rèn)為是降低太陽(yáng)能電池成本的一種方法,金屬硅的雜質(zhì)將會(huì)減少太陽(yáng)能電池中少子壽命,并影響電流的生成,因此除掉硅中的雜質(zhì)很重要。為了討論雜質(zhì)除掉的可能性和效率,文章對(duì)熔融硅中雜質(zhì)的熱動(dòng)力學(xué)特性進(jìn)行了評(píng)估,比如:對(duì)有害雜質(zhì)的占空系數(shù)反應(yīng)區(qū)。1、 介紹室溫效應(yīng)是一個(gè)嚴(yán)重的世界問題,因此,清潔的可再生的太陽(yáng)能的有效利用變得尤其重要,太陽(yáng)
2、能可以放在屋頂上、山上、孤立的島上等等,太陽(yáng)能電池最基本的原料是硅,因此發(fā)明一種低成本的太陽(yáng)能硅的生產(chǎn)方法很重要;制作太陽(yáng)能硅所消耗的能源應(yīng)該低于太陽(yáng)能電池使用所產(chǎn)生的能量。地殼中硅的含量非常豐富,僅次氧,而且到處都可以找到,可是要從金屬形式得到該元素并不簡(jiǎn)單;從金屬硅到電子級(jí)硅有很多個(gè)等級(jí)。一般來說,這種硅的提純過程分兩部分,一是金屬硅的提純過程;一是電子級(jí)硅的提純過程。這篇文章中,太陽(yáng)能硅提純過程要達(dá)到7個(gè)9的純度。文章中對(duì)提純過程的熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)進(jìn)行了討論,評(píng)估太陽(yáng)能的提純過程,最后將推薦一種生產(chǎn)低成本太陽(yáng)能硅的生產(chǎn)方法。2、 提純過程硅的特點(diǎn)2.1、容易氧化就像前面提到的那樣,雖然硅是
3、一種常見的元素,但是它在金屬狀態(tài)下的提純過程比提純稀有金屬還難,因?yàn)楣枞菀缀推渌瘜W(xué)元素結(jié)合,尤其是氧氣,氧化物形成隨溫度變化的吉布斯自由能變化圖1所示:這個(gè)圖顯示金屬和碳同1摩爾氧氣反應(yīng)生成氧化物過程的吉布斯自由能變化和溫度的關(guān)系。硅氧化過程的吉布斯自由能變化在圖1的下部,這就是說SiO2相對(duì)穩(wěn)定,因此,和圖1上部分元素比較,生產(chǎn)金屬硅過程中降低SiO2的含量比較困難,并且,選擇它的還原劑有限制。除此以外,在高溫下,穩(wěn)定的SiO2會(huì)蒸發(fā)形成氣體,這使提純情況更加復(fù)雜。在金屬的提純過程中,某一相的雜質(zhì)通??梢岳煤推渌嗟幕瘜W(xué)電勢(shì)不同將他們除掉。一個(gè)典型的提純過程就是煉鋼過程的氧化反應(yīng)。這過程
4、中,比鐵活潑的雜質(zhì)被氧化形成礦渣。實(shí)際上鐵和礦渣中雜質(zhì)的活潑性是不一致的,所以很難去量化評(píng)估這個(gè)過程。在圖1中鐵氧化過程下面的物質(zhì)更容易氧化。上面的物質(zhì)更不容易氧化。這就是為什么在煉鋼時(shí)很難將銅雜質(zhì)除去的原因。以吉布斯自由能變化圖中可以看到,硅的氧化比鐵的氧化大概低了300KJ,通過氧化來除去雜質(zhì)是有限的,氧化過程中的硅的損失可以不計(jì)。就是說除去賤金屬是簡(jiǎn)單的,比如從鐵中通過氧化除去硅。但是從原理上說,這是不可能做到的,通過氧化來提煉硅是不適合的。除了硼和碳,它們的蒸汽壓力相對(duì)較高。2.2偏析系數(shù)通過氧化很難對(duì)硅進(jìn)行提純,但是可以利用硅的很多特點(diǎn)對(duì)其進(jìn)行有效的提純。第一個(gè)特點(diǎn)就是固體硅中大多數(shù)
5、雜質(zhì)的溶解度很低。雖然這個(gè)系統(tǒng)滿足休姆.羅舍里因素,比如SiGe二元合金,展現(xiàn)了同族系統(tǒng)。但是對(duì)于大多數(shù)基于硅的二元系統(tǒng)固熔度都特別小。這是因?yàn)楣腆w混合狀態(tài)下,只要有少量雜質(zhì)超過最少值時(shí),吉布斯自由能變化將急劇增加,在大多數(shù)情況下,固態(tài)硅和液態(tài)硅的雜質(zhì)濃度在低于硅的熔點(diǎn)下有很大的不同;通過凝固來提純硅是一個(gè)很好的方法。這方法是利用固態(tài)硅中雜質(zhì)含量比液態(tài)硅低,具有代表性的雜質(zhì)在硅中的分凝系數(shù)如表1:比如:鐵不能通過氧化來提純和除去其中的雜質(zhì),但是通過初步分凝,相對(duì)它在硅中的含量,可以降低到10-6。實(shí)際凝固過程中,最后一級(jí)凝固的部分,由于雜質(zhì)濃縮部分必須處理掉,因此硅的產(chǎn)量降低了。但是凝固提純是
6、一種有效的提純方法,在提純過程也沒有使用到化學(xué)反應(yīng)。理想的凝固提純過程雜質(zhì)含量的變化如圖表2:在這圖表中還有太陽(yáng)能硅的雜質(zhì)含量要求。在這里液相的濃縮效應(yīng)被忽略了,大多數(shù)雜質(zhì)(除了磷、硼、氧、碳)都可以通過兩次凝固提純達(dá)到要求。但是,減少凝固次數(shù)可以降低生產(chǎn)成本。2.3不穩(wěn)定硅的存在硅能與氫氣和鹵族元素結(jié)合,形成低沸點(diǎn)化合物。用來生產(chǎn)電子級(jí)硅的蒸餾方法時(shí)根據(jù)化合物沸點(diǎn)的不同而進(jìn)行的,它以金屬硅作為原料。高純度硅(純度>11N)是通過蒸餾和降低SiHCl3含量得來的,SiHCl3由金屬硅與鹽酸反應(yīng)得來。目前,用來制作太陽(yáng)能電池的太陽(yáng)能硅是電子級(jí)硅的廢料或那些不符合標(biāo)準(zhǔn)的電子級(jí)硅。蒸餾方法由于
7、成本太高,無(wú)法滿足太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)需要,所以發(fā)明一種非蒸餾的提純方法變得尤為重要。2.4硅的低蒸汽壓硅在1700K(略高于熔點(diǎn))時(shí)的蒸汽壓是0.0689Pa,而在這個(gè)溫度下,那些比硅有更高的蒸汽壓的純物可以被除掉,這就是說,當(dāng)真空提煉的決定步驟是個(gè)自由蒸發(fā)反應(yīng),總的提純率將遵循赫茲-努森方程,那些有更高的蒸汽壓和更小的分子量的物質(zhì)的提純率會(huì)更高。然而,除非融化過程是理想的溶解過程,也就是說,除非雜質(zhì)的蒸汽壓與它的含量成比例關(guān)系,我們才能利用純物質(zhì)的蒸汽壓來定量地計(jì)算雜質(zhì)的去除量。因此,在融解硅中低溶度雜質(zhì)的熱動(dòng)力學(xué)性能對(duì)于定量地評(píng)估雜質(zhì)的自由蒸發(fā)率很重要。文章的作者把注意力集中在這點(diǎn)上,并由此
8、來確定熱動(dòng)力學(xué)性能。換句話說,通過確定熔融硅中雜質(zhì)的占空系數(shù)或雜質(zhì)在熔融硅中分解過程的吉布斯能量變化來確定硅和硅中雜質(zhì)的親和力。真空提煉將在后面【4-8】進(jìn)行討論。2.5硅的高抗酸腐蝕性在硅的晶界處通過酸來溶解此處的雜質(zhì), 是一個(gè)有效的除雜質(zhì)方法。因?yàn)楣栌泻軓?qiáng)的抗腐蝕性,除了HF,。本質(zhì)上,通過酸來提純?nèi)Q于硅有比較小的偏析系數(shù)這個(gè)特性。3.0確定熔融硅中雜質(zhì)的熱動(dòng)力學(xué)性能3.1磷磷是一種重要的摻雜物,控制磷的含量很重要。因此,硅中的磷在除雜時(shí),必須除去。通過凝固的方法很難將磷除去,因?yàn)榱椎钠鱿禂?shù)相對(duì)較大。真空提煉的結(jié)果表明是很好的除磷方法。為了確定磷除磷的原理和定量的評(píng)估它的效率,我來研究
9、熔融硅中磷的熱力學(xué)性能。 通過在1723-1848K溫度范圍內(nèi)控制磷的局部壓力【P=0.001180.493Pa】來使硅磷合金達(dá)到平衡,磷在融解到熔融硅過程中的吉布斯自由能變化見方程(1): 1/2P2(g)= P(mass pct ,in Si) (1) 可以肯定的是,每次試驗(yàn)都可以達(dá)到平衡。亨利定律在0.1%P質(zhì)量分?jǐn)?shù)以下都是有效的。方程式(1)的吉布斯自由能變化可以由方程(2)來確定:G°=-139000(±2000)+43.4(±10.1T)(J/mol) (2)從試驗(yàn)中可以看出,當(dāng)硅中磷的含量低于50PPm時(shí),P氣體在磷的均衡中占支配地位,而不是P2氣體
10、。3.2鈦和鐵在太陽(yáng)能硅中,鐵和鈦是影響少子壽命的典型元素。它們會(huì)形成載流子的復(fù)合位置,減少載流子數(shù)量和擴(kuò)散長(zhǎng)度。從而降低太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。如圖2所表示:金屬硅中的鐵和鈦通過單一的凝固不能達(dá)到半導(dǎo)體硅所需要的水平。為了評(píng)估增加預(yù)處理的可能性,我們來研究這些元素在熔融硅中的熱力學(xué)性能。為了和熔融硅達(dá)到平衡來控制鐵和鈦的蒸汽壓是很困難的。對(duì)于鈦我們做了一個(gè)試驗(yàn),試驗(yàn)中力圖使熔融硅和鈦的氧化物達(dá)到平衡,但是熔融硅中的鈦含量太高了。以致于沒有精確的確定鈦的熱力學(xué)性能,為了避免這種困難,我們將熔融的硅鈦合金或者硅鐵合金在1723K時(shí),與熔融的石墨達(dá)到平衡,石墨對(duì)兩種合金來說都有有限的互溶度。從鐵和鈦
11、在兩個(gè)金屬相的分布率和通過試驗(yàn)評(píng)估的鐵和鈦在熔融石墨中的熱力學(xué)性能??梢源_定相對(duì)于純液態(tài)鈦和鐵在熔融硅中的無(wú)限稀釋的鐵和鈦的占空系數(shù)以及在熔融硅中的交互作用參數(shù)。鐵和鈦在硅和石墨中的化學(xué)電壓是一樣的,通過相同的參數(shù)比狀態(tài),可以得到方程(3):通過使用m來替代鈦和鐵可以得到分廠(3)左變和硅中鐵或者鈦的摩爾分?jǐn)?shù)的圖表關(guān)系,可以分別從斜率和截距得到。這種為了計(jì)算方程式(3)左邊來確定熱力學(xué)性能的方法在以前的工作中介紹過。 從試驗(yàn)結(jié)果可以得出,在1723K時(shí),相對(duì)于液態(tài)在熔融硅中無(wú)限稀釋的鈦和鐵的占空系數(shù)分別為4.48*10-4和2.85*10-2,熔融硅中鐵的熱力學(xué)性能的溫度由努森方程來確定:如圖
12、1所示,鈦氧化過程的吉布斯自由能變化比硅低,這表明鈦比硅更加容易氧化,但是,熔融硅中的鈦占空系數(shù)相當(dāng)小,所以,通過氧化提純來除去熔融硅中的鈦雜質(zhì)很難。和前面的解釋一樣,鐵也不能通過氧化來提純??紤]到鐵和鈦的蒸汽壓和占空系數(shù)都比較小,真空提純并不合適,甚至使用氯化提純來形成鈦和鐵的揮發(fā)性的氯化物也沒有用,因?yàn)楣璧穆然镉休^高的蒸汽壓,因此通過蒸餾來分離硅中的雜質(zhì)看起來比通過從硅中蒸發(fā)鐵和鈦更加有效。3.3鋁、鎂、鈣從圖1可以看出,鋁、鎂和鈣比硅更容易氧化,而且有相對(duì)較高的蒸汽壓,所以這些雜質(zhì)有望通過氧化或真空提純來除掉。因此,包含有少量這些雜質(zhì)的熔融硅合金可以通過平衡固態(tài)和液態(tài)氧化物來確定這些雜
13、質(zhì)的熱動(dòng)力學(xué)性能。熔融的硅-鋁合金在1723K-1848K與Al3Si2O13(飽和的Al2 O3)達(dá)到平衡。從平衡狀態(tài)下硅中鋁的濃度和方程式(6)的吉布斯自由能變化可以確定鋁的占空系數(shù)。要確定鎂的占空系數(shù),可以通過使鎂-硅合金在1698-1798K與MgSiO3,SiO2達(dá)到平衡,從平衡狀態(tài)下硅中鎂的濃度和方程式(7)的吉布斯自由能變化來確定。 要確定鈣的占空系數(shù),不存在合適的化合物。因此可利用熔融CaO-SiO2礦渣中CaO和SiO2活動(dòng)性,熔融的Si-Ca合金在1723-1823K與飽和的CaO-SiO2礦渣中SiO2達(dá)到平衡,從平衡狀態(tài)下硅中鈣的濃度和方程式(8)的吉布斯自由能變化,可
14、以確定鈣的占空系數(shù)。除了平衡實(shí)驗(yàn),熔融硅中鋁和鈣自我作用效應(yīng)也通過努森方程進(jìn)行了觀察,總結(jié)的結(jié)果在表2中。4.太陽(yáng)能硅提煉過程評(píng)估為了去除金屬硅中的有害雜質(zhì),使其達(dá)到太陽(yáng)能硅的濃度要求,需要結(jié)合幾種提純方法。因?yàn)楦鶕?jù)不同雜質(zhì)的特性所采用的提純方法是不一樣的,雖然凝固提純對(duì)大多數(shù)雜質(zhì)來說是有效的方法,但是有一些偏析系數(shù)大的元素,如硼和磷,就不能通過凝固提純?nèi)コ叫枰乃?。而且,鋁、鈦和鐵需要凝固提純兩次才能去除。凝固提純?cè)谡麄€(gè)太陽(yáng)能硅生產(chǎn)的成本中占了很大的比例,這是由于凝固提純過程中消耗了大量的能源。因此在生產(chǎn)中,凝固提純最好只運(yùn)用一次,而用來去除硼、磷、鋁、鈦和鐵的附加方法必須進(jìn)行研究。對(duì)于
15、鈦和鐵的去除,酸洗是一種辦法。目前,作者正在研究用酸洗來去除鈦和鐵。包含各種成分的Si-Ca(Ti,F(xiàn)e)合金用王水來進(jìn)行酸洗,酸洗過程要添加鈣,形成基于Si-Ca的晶界,它可以溶于王水,晶界處被認(rèn)為含有大量的鈦和鐵,因?yàn)樗鼈冊(cè)诠柚械钠鱿禂?shù)較小,合金樣品將Si和1mass%(Ti,F(xiàn)e重量百分比)混合,與鈣一起放在石墨坩堝里,在氬氣氛圍下在1673K融化,樣品可以在兩種條件下冷卻。一種是在熔爐里以0.0167K/s的速度冷卻,另一種是將坩堝拉出來在水中快速冷卻,然后在368K將樣品在王水里酸洗3.6Ks。鈣和鈦或鐵的比例與鈣、鈦和鐵的去除率的關(guān)系如圖3、圖4所示。樣品以0.0167K/s冷卻
16、時(shí)鈦和鐵的去除率比在水中冷卻的樣品高510%,這是因?yàn)殡s質(zhì)擴(kuò)散不一樣。而且,好像鈣和鐵、鈦之間有一個(gè)最佳比例。酸洗前后Si-Ca-Fe合金的光學(xué)圖像如圖5、圖6所示:圖5中的樣品鈣對(duì)鐵的比例較高。在冷卻過程中,在硅沉淀為主要的相以后,CaSi2沉淀為一個(gè)二元相,F(xiàn)eSi2相分散在CaSi2相中。酸洗以后,不溶的FeSi2相和可溶的CaSi2都被除掉。圖6中的樣品鈣對(duì)鐵的比例較低。在冷卻過程中,在硅沉淀為主要的相以后,F(xiàn)eSi2沉淀為一個(gè)二元相,CaSi2相分散在FeSi2相中。酸洗以后,不溶的FeSi2相大多數(shù)還存在。這些觀察可以知道,控制合金成分來保證CaSi2相在冷卻過程中成為二元沉淀相,
17、對(duì)除去硅中鐵非常重要。為了理解合金冷卻過程中的沉淀行為,我們利用一個(gè)熱力學(xué)數(shù)據(jù)庫(kù)來確定Si-Ca-Ti和Si-Ca-Fe系統(tǒng)的相圖,相圖如7,如圖8所示:從圖7可以看到,Si-Si2Ti的共晶線在附近時(shí),往低硅的方向急劇變化。當(dāng)時(shí),根據(jù)杠桿定律可以知道,Si2Ti和對(duì)于的總比率將很小。這將使得使用酸來洗除鈦?zhàn)兊煤芾щy。從Si-Ca-Ti相圖和圖3所示的試驗(yàn)結(jié)果可以知道,鈣對(duì)鈦的最佳比例為:。從圖8的Si-Ca-Fe系統(tǒng),在6.5時(shí),二元沉淀相是CaSi2。在6.5時(shí),二元沉淀相是FeSi2。就是圖5、圖6 表明那樣,使CaSi2成為二元沉淀相很重要。圖4的試驗(yàn)結(jié)果表明:=6.5時(shí)是除去鐵的最佳條件??梢钥隙ǖ氖?0%的鐵和鈦可以在最佳條件通過酸洗除去。這將使鐵和鈦酸洗以后降到原來的1/10.如圖2所示。因此,通過一次凝固提純可能將鈦和鐵除到滿足太陽(yáng)能硅要求。對(duì)于除去硼,氧化提純是有效的。當(dāng)溫度高于大約1623K時(shí),B2O3比SiO2更加穩(wěn)定。而且, B2O2、氣體以氧化物存在,在氧化提純中利用等離子體,可以將硼的濃度降到0.1PPm。在氧化提純中,利用等離子來除去硼是最佳方法。要去除磷、鋁和鈣,真空提純是有效的,因?yàn)檫@些元素的蒸汽壓相對(duì)較高。利用熔融硅中磷、鋁和鈣的熱動(dòng)力學(xué)性能和真空提純的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,可以肯定在真空提純的早期階段,雜質(zhì)的蒸發(fā)遵循赫茲-努森方程,而且當(dāng)真空
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