EMI分析和設(shè)計(jì)

1、電子設(shè)備電磁兼容分析及設(shè)計(jì)技術(shù)北京郵電大學(xué) 繼續(xù)教育學(xué)院電磁兼容研究室呂英華教授TEL: +86 10 62282664FAX: +86 10 62281116E-Mail: yhlu12電磁兼容授課參考大綱第一節(jié)電磁兼容技術(shù)基礎(chǔ)1. 基本概念2. 電磁兼容與電子新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)3. 電磁干擾源及特性4. 電磁兼容一般方法 第二節(jié)電磁干擾分析方法1. 電磁拓?fù)浞謪^(qū)2. 電磁耦合順序圖3. 電磁干擾作用途徑4. 電磁輻射干擾分析5. 傳導(dǎo)干擾分析. 電容耦合. 電感耦合. 公共阻抗耦合6. 保證電磁兼容措施第三節(jié)電磁兼容技術(shù)基礎(chǔ)1. 電子設(shè)備組裝設(shè)計(jì)概述. 邏輯分區(qū). 器件布局2. 印刷電路板布線設(shè)計(jì)

2、. 印刷電路板允許噪聲分配. 數(shù)字信號(hào)及設(shè)計(jì)頻率范圍. 印制線長(zhǎng)度要求.3-W和20H原則. 鏡像對(duì)銷和隔離技術(shù)3. 電子設(shè)備及多層印制板接地設(shè)計(jì). 多層印制板接地設(shè)計(jì)原理. 多層印制板接地方式. 多層印制板接地電路. 多層印制板接地隔離技術(shù)第四節(jié)多層印制板電磁兼容設(shè)計(jì)關(guān)鍵技術(shù)1. 多層印制板電磁兼容設(shè)計(jì)原則2. 各種凈化電容設(shè)計(jì). 集成電路元件的電源保證. 電容的自諧振頻率. 電容量計(jì)算. 開(kāi)關(guān)元件的平滑電容3. 時(shí)鐘電路設(shè)計(jì). 需要考慮的帶寬. 阻抗控制. 傳輸延遲. 容性負(fù)載的影響. 時(shí)鐘線的終端處理. 時(shí)鐘電路印制線條的布線方法. 減小時(shí)鐘電路輻射的方法. 時(shí)鐘電路引起的串音、保護(hù)線安

3、排 第五節(jié)電子設(shè)備的屏蔽與接地設(shè)計(jì) 一、屏蔽與接地原理. 高頻接地屏蔽. 低頻屏蔽原理. 屏蔽與接地二、電纜屏蔽設(shè)計(jì)1 屏蔽電纜的屏蔽原理2 電纜屏蔽效果與接地3 電纜成束與空間布局 第六節(jié)電子設(shè)備接口的電磁兼容設(shè)計(jì)1. I/O 電路設(shè)計(jì)和連接器的電磁兼容特性 及正確使用. 連接器接地不當(dāng)產(chǎn)生的輻射. 連接器的分區(qū)和接地. 特殊功能連接器 北京郵電大學(xué)呂英華 5 2005 年6月 第七節(jié)電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)性輻射1. 共模電流與差模電流. 共模電流與差模電流的概念. 共模電流與差模電流輻射發(fā)射特性. 共模電流與差模電流輻射發(fā)射的估算2. 設(shè)計(jì)方法. 共模電流與差模電流轉(zhuǎn)換的原理. Hartin 結(jié)構(gòu)

4、分解法第八節(jié)防靜電設(shè)計(jì)靜電設(shè)計(jì)基本原理材料防靜電性能人體的靜電模型防靜電硬件設(shè)計(jì)防靜電軟件設(shè)計(jì)1.2.3.4.5.第九節(jié)系統(tǒng)接地工程系統(tǒng)接地原理用電系統(tǒng)接地規(guī)范大地電學(xué)特性第十節(jié)電磁兼容測(cè)試常用儀表1 電磁兼容測(cè)試與建模2示波器用于EMI測(cè)量3 EMI接收機(jī)用于EMI測(cè)量4頻譜分析儀用于EMI測(cè)量5窄帶干擾與寬帶干擾第一節(jié)電磁兼容設(shè)計(jì)基礎(chǔ)一、基本概念 二、電子新產(chǎn)品策劃基本過(guò)程 三、影響電子設(shè)備的干擾源及特性 四、電磁兼容一般方法電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)參考過(guò)程電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)參考過(guò)程曲版物4說(shuō)明書(shū)-V試銷版產(chǎn)品0-產(chǎn)品 進(jìn)行市場(chǎng)試銷A機(jī)械設(shè)計(jì)制造工藝設(shè)訃 測(cè)試工程設(shè)計(jì) 材料，芯片供應(yīng)理:|如_產(chǎn)品成那.T麗

5、1產(chǎn)品制疔I乏師）質(zhì)僦理工程師 測(cè)試工麗R.CE.美加標(biāo)準(zhǔn)三二OiA歐洲標(biāo)準(zhǔn)ENGSS世界標(biāo)準(zhǔn)帛(宗=正弦渡EN6-0§2沖擊波EN2O?S各 國(guó) 標(biāo) 準(zhǔn)硬件設(shè)計(jì)工作流程達(dá)到電磁兼容的成本站覺(jué)姿駐時(shí)殺統(tǒng)總爪住能刖勺電子設(shè)備工作的EMC環(huán)境Radic & rv Bro-adcflslaP OW&fESDTeiepnoneLinesELECTRONIC 5¥5丁£悄、一_、L-Z7 BLa Mqdwl*/Fisi CabiELAN inlerfceSwiicn M6dUlr.Lproaslalk *豪 叭-OpticalC-akiAlTwhfltedP

6、air道水、Appliance a 時(shí)&小卯I Equipment LighL ArmsflureMobila RadioFf卩jnrnwiiasI_o_LElfrdrlcal Tran Sperl a tion J電子戰(zhàn)是現(xiàn)代戰(zhàn)爭(zhēng)的特色n HEMPn HPM0.01-1 卩 W/ cm2干擾,0.01-1W/cm2 毀壞芯片,10-100W/ cm2 永久性損傷,1000-10000W/ cm2燒毀電子對(duì)抗電磁彈FCG空爆彈”的無(wú)線電引信n無(wú)源探測(cè)定位，電磁制導(dǎo)導(dǎo)彈電話竊n EMSEC-TE MP EST特洛伊木馬,無(wú)線病毒。電磁寄生1公里丄A N為10公里,海南聲音識(shí)別 n C4I

7、對(duì)抗：指揮、控制、通信、計(jì)算機(jī)和情報(bào)R制 I站 t Ringn L :. p C 三z. = E: _-_coaxial Loai)Explosive SwitchrCG WlndinB Naar rieM RytUini Luh弗NE -JRflTlflry / 皆Chajcnl OpRcitnr RuikHMi也 FCG (別仔 1 出il曲J FOG (Fibn F)Hka 3DD kg 3.8 m k 046 m d云LOW FREQLEHCV E-»OMU - GEhEKAL AHFAIIGMENT MKJM MACKAGIhG海u, _ iy -A”'"

8、一0g1-F0."S0000.00.20e.、00I山priA IIaEm-p山w I 14£-JOLI漏泄電磁波與信息失泄電子誅備工作時(shí)夂然有電璉玻泄漏電謝玻泄漏可以被利用實(shí)施干預(yù)借息純程駕TEM實(shí)際的披檢測(cè)到的視頻脈沖H£1-ilu tJIJblLDI<±>11 lUJ I I I J>ll時(shí)陀試住円和曲除懈一i,托7徙儀匚2 m，卄 】IIWIU握鬥位盒f i息時(shí)閔：的叫祇:巧嚴(yán)準(zhǔn)打匚町勺處FI!仇:赳；皿盤的止 廳li'Hm瀉第二節(jié)電磁干擾分析方法1. 電磁拓?fù)浞謪^(qū)2. 電磁耦合順序圖3. 電磁干擾作用途徑4. 電磁輻射

9、干擾分析5. 傳導(dǎo)干擾分析.電容耦合.電感耦合.公共阻抗耦合6. 保證電磁兼容措施電磁環(huán)境的組成一個(gè)簡(jiǎn)單的電磁干擾模型有三個(gè)基本要素：1 存在電磁干擾能源。2 存在一個(gè)受電磁干擾的設(shè)備，當(dāng)電磁干擾超出容許的界限時(shí)，被干擾設(shè)備性能會(huì)發(fā)生混亂。3 在干擾和受干擾設(shè)備間存在耦合通道傳遞電磁能量 必須同時(shí)具備三個(gè)基本要素才會(huì)發(fā)生電磁干擾。如果去除了其中之一，就不會(huì)發(fā)生電磁干擾。 所以，工程師的任務(wù)就是要決定哪一個(gè)因素是最容易消除的。一般地說(shuō)， 在設(shè)計(jì)印制電路板時(shí)， 消除主要的射頻干擾源是最廉價(jià)有效的方法 （稱為電磁抑制） 。 干擾源是產(chǎn)生初始波形的主動(dòng)因素。印制電路板必須設(shè)計(jì)成使產(chǎn)生的電磁能量只限于需

10、要的裝配部 件處。電子設(shè)備的電磁兼容水平包括以下兩個(gè)性質(zhì)截然不同的方面：1電磁發(fā)射（EMI）:設(shè)備傳播的電磁干擾有輻射干擾和傳導(dǎo)干擾。2 電磁敏感度或抗擾度 （ EMS） ：受影響設(shè)備或敏感設(shè)備所遭受的傷害效應(yīng)， 包括電磁干擾 EMI、 靜電放電（ESD和電力過(guò)電壓（EOS等形式的傷害。此外，還要滿足特定用戶應(yīng)用環(huán)境下的要求。常見(jiàn)的電磁干擾源及特性自然界的電磁干擾源：雷電放電、太陽(yáng)黑子爆發(fā)、日輝和地球磁暴等 人為的電磁干擾源：連續(xù)干擾源 設(shè)備工作時(shí)產(chǎn)生的，輻射或傳導(dǎo)干擾脈沖干擾源 電磁瞬態(tài)過(guò)程 , 有很寬的頻譜 , 向空間輻射間接干擾源 與機(jī)械運(yùn)動(dòng)有關(guān)，如車，船和飛機(jī)的殼體與空氣中的塵粒、煙塵

11、、雪片等摩擦起 電。接觸干擾源 金屬的接觸面具有復(fù)阻抗特性，振動(dòng)、顛簸、撞擊時(shí)，接觸阻抗是可變的。外界 強(qiáng)輻射場(chǎng)產(chǎn)生感應(yīng)電流，由于接觸阻抗的作用會(huì)產(chǎn)二次輻射。輻射頻譜為原輻射頻譜加接觸阻抗變 化的調(diào)制 , 產(chǎn)生附加頻率分量。停止運(yùn)動(dòng)時(shí)這種干擾便消逝。典型的人為干擾源及特性點(diǎn)火系統(tǒng)：脈寬 1毫微秒到數(shù)百毫微秒， 30300 兆赫間的頻帶內(nèi)最強(qiáng)，電性干擾可達(dá)500微伏 /米， 6080米輸電線系統(tǒng)：0.1到150KHZ勺范圍，輻射干擾的脈沖寬度較大為14KHZ到1GH重復(fù)頻率較低。電暈放電產(chǎn)生高頻振蕩，正半周的電暈有較強(qiáng)的放電并伴隨著發(fā)光。電感性設(shè)備：電動(dòng)機(jī)、電弧焊設(shè)備和變壓器等設(shè)備，不規(guī)則的脈沖

12、流，頻譜約為10K到1G開(kāi)關(guān)器件和繼電器：伴隨著觸點(diǎn)開(kāi)合著有氣體放電和電弧放電。電弧放電是觸點(diǎn)的金屬高溫汽化形 成電流通路，沒(méi)有氣體也產(chǎn)生電弧放電。電子設(shè)備內(nèi)部的干擾源TTL的開(kāi)關(guān)噪聲：開(kāi)關(guān)電流，幾十到幾吉赫的高頻，產(chǎn)生的須狀噪聲約0.51.5伏，寬5-10納秒。TTL邏 輯元件也極易受影響，2伏 20納秒的噪聲就使TTL邏 輯器件發(fā)生誤動(dòng)作。動(dòng)態(tài)RAM DRAI利用電荷存儲(chǔ)數(shù)位信息，充放電電 流的峰值為100MA頻率可達(dá)，100MHz電源線和 接地線產(chǎn)生串?dāng)_和公共阻抗噪聲。電源和接地：電源投入的過(guò)渡過(guò)程，負(fù)載變化產(chǎn)生快 速脈沖電流，經(jīng)電源和接地通路產(chǎn)生干擾。振蕩器體及變壓器：工作時(shí)會(huì)在周圍輻

13、射高頻電磁波。靜電放電和 I/O 端的干擾：經(jīng)過(guò)信號(hào)線和連接器，外界 的電磁干擾進(jìn)入電子設(shè)備，內(nèi)部干擾源向外輻射。 北京郵電大學(xué)呂英華 30 2005年6月 保證電磁兼容性元件、部件級(jí)的電磁干擾來(lái)源于元件之間的電磁耦合，通常由元器件的分布電氣參數(shù)決定強(qiáng) 弱。性質(zhì)屬于近區(qū)電磁場(chǎng)的作用，用電路的概 念建模，有電容、電感耦合或公共阻抗的耦 合。 設(shè)備級(jí)的電磁干擾與電磁環(huán)境，電子設(shè)備之間 和電子設(shè)備內(nèi)部的電磁耦合有關(guān)。 綜合系統(tǒng)和系統(tǒng)級(jí)用系統(tǒng)論方法： 1、系統(tǒng)的電磁干擾、耦合和敏感性描述，測(cè)量和實(shí)驗(yàn)。 2、系統(tǒng)電磁兼容建模。3、確立參數(shù)指標(biāo)。4、合理組織。 業(yè)務(wù)級(jí)的電磁兼容 : 各種組織方法 ,如無(wú)線

14、電管 理委員會(huì)等。北京郵電大學(xué)呂英華 31 2005 年6月電磁拓?fù)浞治龇╪ 把一個(gè)系統(tǒng)分解為相對(duì)簡(jiǎn)單的有機(jī)組成部分n在電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)EM目標(biāo)的主要技術(shù)是在干擾源和敏感設(shè)備之間設(shè)置屏障：將需要防護(hù)的 區(qū)域用封閉的金屬體包圍起來(lái)，在電磁穿透點(diǎn) 加裝適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)器件。n 電磁場(chǎng)等強(qiáng)度區(qū)的幾何分布關(guān)系就稱為系統(tǒng)的電磁拓?fù)錉顟B(tài)或電磁拓?fù)鋱Dn 等電位面的方法和電力線和磁力線方法n 電磁拓?fù)鋱D上有電磁能量密度電壓、電流、頻 率和功率等參數(shù)。北京郵電大學(xué)呂英華 32 2005年6月透入屏蔽外區(qū)電纜屏蔽 S2Vo1 6V1 機(jī)身屏蔽S1 2005年6月V2 孔縫透入（門 ,窗等 ） 電路 S3V3 北京郵電大學(xué)

15、呂英華 入射 EMI 能量直接注入點(diǎn) 天線33 電磁耦合順序圖 n 造成當(dāng)前的電磁拓?fù)錉顟B(tài)的原因及維持系統(tǒng)中 不同電磁拓?fù)錉顟B(tài)之間秩序的耦合關(guān)系或動(dòng)態(tài) 平衡關(guān)系，這種分析的過(guò)程展開(kāi)就給出電磁耦 合順序圖n 電磁耦合順序描述的是電磁波傳播的過(guò)程，耦 合的過(guò)程。導(dǎo)行電磁波；交變電磁波。n 電磁耦合順序圖可以根據(jù)基本的傳輸方程、波 動(dòng)方程、已有的樣板研究成果以及基本的電磁 過(guò)程的模板的分解和迭加的方法進(jìn)行。n 電磁耦合順序圖應(yīng)該標(biāo)示出相應(yīng)的耦合參量、 傳輸參量、通道特性、電容、電阻、電感、信 號(hào)波形、天線增益和方向圖等。 北京郵電大學(xué)呂英華 34 2005 年6月 設(shè)計(jì)基本過(guò)程 把系統(tǒng)分解為相對(duì)簡(jiǎn)單

16、的組成部分1. 功能板2. 背板3. 機(jī)架與機(jī)柜 4.器件布局 在干擾源和敏感設(shè)備之間設(shè)置屏障1. 金屬屏蔽 2. 濾波器 3. 接地印制線條 4. 護(hù)溝 電磁干擾的出入點(diǎn)（POE配置防護(hù)器件限 制EMI經(jīng)過(guò)這些PO進(jìn)入1.濾波器2.磁環(huán)3.墊圈4.共模緩存放大器 5.光電 配合電磁兼容設(shè)計(jì)、問(wèn)題排查性測(cè)試，驗(yàn)證 達(dá)到電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)測(cè)試 達(dá)到電磁兼容指標(biāo)的花費(fèi)最小是設(shè)計(jì)準(zhǔn)則。北京郵電大學(xué)呂英華 電磁干擾作用源分析干擾三個(gè)要素： 磁干擾作用的途徑。 及防護(hù)措施。35 2005 年 6月1、干擾源的大小和特性。3、設(shè)備對(duì)電磁干擾的敏感度2、電r >>輻射干擾：遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)近區(qū)場(chǎng) 2pl產(chǎn)生

17、影響，電和磁的作用是分別進(jìn)行的，表現(xiàn)為 電壓和電流。感應(yīng)電荷和電流的分布是關(guān)鍵因素近區(qū)輻射場(chǎng)I2p r2 2D >>p3米， 100兆赫約 0.5 米 電場(chǎng)經(jīng)耦合電容、磁場(chǎng)經(jīng)互感 2 2D 需要采用全波解 l < r <l北京郵電大學(xué)呂英華 2005年 6月3610k1k 10010 波阻抗 2005年6月 電場(chǎng)占優(yōu)區(qū) E. 1 2 非對(duì)稱場(chǎng)區(qū) E . 1r 2H 無(wú)功近場(chǎng)區(qū) . 1 r3 磁場(chǎng)占優(yōu)區(qū)無(wú)功輻射近場(chǎng)區(qū)輻射近場(chǎng)區(qū)近場(chǎng)區(qū)0.1 到源點(diǎn)的歸一化距離 北京郵電大學(xué)呂英華 平面波區(qū)1r E .H實(shí)測(cè)值. 1 r377歐姆 轉(zhuǎn)變區(qū) 遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)10 137 輻射發(fā)射傳播規(guī)律

18、 電偶極子輻射 小電流環(huán)輻射 孔縫的輻射l 2 2 w P ) ( ( ) p = 40 I m 24 P m 高阻抗大電流的電路趨于良好的輻射體；低阻抗線路趨 向于成為接收器和轉(zhuǎn)發(fā)器。這種作用取決于線路的自感、 互感和電容的大小。U (wl)90l2北京郵電大學(xué)呂英華 2005年6月lS2 w) ( )l2 2 160p I (2 238電感耦合傳導(dǎo)干擾的傳播規(guī)律 導(dǎo)體 2Z1 Z22V2C2gZ21電容耦合導(dǎo)體 1C12C V1 1g 電容耦合 V2Q1 導(dǎo)體 1C12 h1 dh1鏡象-Q1= jvC 1 12 2V R12Q2導(dǎo)體2-Q2e2北京郵電大學(xué)呂英華 = jwM I1 200

19、5年6月 h2h2地面 39電容耦合原理C V1 1g導(dǎo)體 1Z1C12Z21 北京郵電大學(xué)呂英華 導(dǎo)體 2Z22V 2C2g2005年6月40電感耦合原理導(dǎo)線回路 1 導(dǎo)線回路 2 V1Z21(a) 互感耦合示意圖 北京郵電大學(xué)呂英華 I1Z1M12V22005年6月Z2241電感耦合與電感耦合的區(qū)別 + - -i=j wC 12V1e =j coM12i1Z21 Z22 Z22 Z21互感耦合時(shí)干擾為電動(dòng)勢(shì)電容耦合時(shí)干擾為電流源北京郵電大學(xué)呂英華 42 2005年6月區(qū)別電感耦合與電感耦合的測(cè)量電路VR2 R1 將導(dǎo)線兩端都接電阻，然后在導(dǎo)線一端的電阻 上測(cè)量電壓，同時(shí)減小另一端所接的電阻

20、。如 果電阻減小時(shí),V增大則該影響為互感耦合；如 果電阻減小時(shí),V減小則該影響為電容耦合。 北京郵電大學(xué)呂英華 43 2005 年6月V = 12 公共阻抗耦合 入地電流的場(chǎng)J I IrE= = =s 2 2 ps p r r 2 2地電位差的形成- = F - 1 F2rI 1 2p(r 1 2)1 r北京郵電大學(xué)呂英華Ir12005年6月OIJ=sE sr2 44 n2. 印刷電路板布線設(shè)計(jì) 印刷電路板允許噪聲分配 數(shù)字信號(hào)及設(shè)計(jì)頻率范圍 印制線長(zhǎng)度要求 n n3. 電子設(shè)備及多層印制板接地設(shè)計(jì) 多層印制板接地設(shè)計(jì)原理 多層印制板接地方式 多層印制板接地電路 多層印制板接地隔離技術(shù) n 第

21、三節(jié)電子組裝設(shè)計(jì)1. 電子設(shè)備組裝設(shè)計(jì)概述n 邏輯分區(qū) 器件布局3-W和 20H原 則 鏡像對(duì)銷和隔離技術(shù)北京郵電大學(xué)呂英華 45 2005 年6月 邏輯分區(qū)劃分的單元之間的互連線數(shù)目最小 組裝設(shè)計(jì)、圖形設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單易行 故障容易診斷 線路規(guī)則發(fā)熱量最小 器件數(shù)目、插板數(shù)目最少 重復(fù)使用率高 采用標(biāo)準(zhǔn)件 邏輯功能有擴(kuò)展余地（1）組裝器件數(shù)和輸入輸出引線數(shù)目在容許范 圍內(nèi)組裝密度最大。（2）（3）（4）（5）（6）（7）（8）（9） 通常首先人工地進(jìn)行邏輯劃分；然后再用計(jì)算機(jī) 進(jìn)行概算或檢查邏輯劃分 北京郵電大學(xué)呂英華 46 2005 年6月1 8底板或背板上的插接件或子板布局IC、 LSI 及分立

22、器件在印制板上的布局 LSI 功能布局功能塊內(nèi)的單元布局 邊緣引線的選擇和匹配電阻引線的布局選擇器件布局（1）（2）（3）（4）（5） 此項(xiàng)要進(jìn)行布局優(yōu)化，目的是為下一步的布線作業(yè) 創(chuàng)造良好條件。一般情況中，優(yōu)化可以按布線總長(zhǎng) 度最短進(jìn)行。此外，還要考慮布線條件、電路設(shè)計(jì) 基準(zhǔn)、可加工性和可維修性。要使布線圖即均勻又 不過(guò)分集中和分散，減小串?dāng)_和縮短信號(hào)傳送時(shí)間 等等。北京郵電大學(xué)呂英華 47 2005 年6月 印制板布線方法（1）引線對(duì)的設(shè)計(jì)。把同一信號(hào)網(wǎng)中的引線分解為 引線與引線的組合。通常有連續(xù)布線、分叉布線 （輻射布線）、中間分叉布線或無(wú)規(guī)則布線。（ 2）多層布線。通常遵守如下規(guī)則：除

23、器件和IC 的引線外不允許有金屬化孔、器件必須固定在金屬化 孔上、金屬化孔可以設(shè)置在任意位置上。引線對(duì)傾角相近的安排在同一層，采用橫豎（X, Y）布線技術(shù)，把X/Y層成對(duì)地安排布線層。（ 3）確定布線次序。通常采用先入為主的原則，選 擇不影響或?qū)竺娌季€影響小的引線對(duì)開(kāi)始并以此 為順序；或選擇布線自由度小的先布，并以此為順 序。優(yōu)先考慮以下情形：北京郵電大學(xué)呂英華 48 2005 年6月A 信號(hào)傳送時(shí)間必須固定或不得超出規(guī)定值的線B 不能單獨(dú)布線的，如邊緣引線C 在布線密的區(qū)域中，布線長(zhǎng)度短的線D 不能用單線而需要用雙絞線或同軸線的布線E布線長(zhǎng)度短的線F 引線對(duì)或信號(hào)網(wǎng)內(nèi)擴(kuò)展裕度小的部分（ 4

24、）確定布線路徑：有試探法、單元?jiǎng)澐址?、通?法、飽和區(qū)法、動(dòng)態(tài)法等。對(duì)于先前已經(jīng)有的布線妨 礙后面布線的情形，通常首先要切除妨礙布線的布 線，然后先確定被妨礙的布線路徑，之后再重新修改 被切除的布線路徑。（ 5）單獨(dú)布線：不能在印制圖中布線的引線對(duì)作為 單獨(dú)布線處理，多采用串行布線法。北京郵電大學(xué)呂英華 49 2005 年6月n 噪聲指標(biāo)分配的設(shè)計(jì) n 標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范防電磁泄漏型更高滿足滿足相應(yīng)的規(guī)范 FCC CIS PR VDE DOC VCC、 MIL-STD、RCTA，軍用型比商用為 5-10倍；加固型 比軍用型還高2-3倍； 一般電子設(shè)備和系統(tǒng)要求D i iR為影響因子，C為耦合系數(shù)D i

25、電爆系統(tǒng)要求 其中，P為干擾源強(qiáng)度，CNACSEM5100P (f)-P( f)36dB P=P R CP (f)- 3 P(f) 20dB時(shí)間分配和傳輸延遲檢查：首先計(jì)算出起點(diǎn)、中點(diǎn)和終點(diǎn)連續(xù)路徑的延時(shí)，然后抽 取延時(shí)最大和最小的路徑，給出輸出的延時(shí)時(shí)間。其中 包括元件本身固有的、負(fù)載造成的、布線引起的等等。 根據(jù)邏輯確定時(shí)間配合要求和時(shí)序分配要求。北京郵電大學(xué)呂英華 50 2005年6月噪聲分配指標(biāo)計(jì)算n首先將主要來(lái)源的噪聲按均等的原則分配噪 聲。例如：電源噪聲、邏輯器件工作時(shí)引起的 電源線壓降、數(shù)據(jù)線不匹配造成的反射、線間 串?dāng)_、外來(lái)輻射噪聲拾取，這五項(xiàng)各給20%勺 指標(biāo)。n然后再根據(jù)實(shí)

26、際情況調(diào)整比例。注意：噪聲相 加取正交矢量和，即n 2 2 21 2 I= I + + + I I L北京郵電大學(xué)呂英華 51 2005年6月t數(shù)字信號(hào)的頻譜安排trt0AdT等腰梯形周期脈沖，時(shí)鐘信號(hào)波形北京郵電大學(xué)呂英華 52 2005年6月Tr 0 n單靖辮3戳.t a o t + t a o t p V(t)=V C + + cos 2p f n c 0 an n c / e o 10T Te o sin np T e u T t = t + t e u (t t + )e u 0 r e u tT r 0 t np r np sin np rT (t t + )T右.璣.53 200

27、56§160 f=1/ nd 10dB 0=2Ad120 0= 2A/ 冗f80 4010倍頻20dB線MH 0.01 0.1 1 10 100 1000北京郵電大學(xué)呂英華54 2005年6月 諧波幅值2005年6月1Cn . 2V0t時(shí)鐘信號(hào)的譜包絡(luò)特性t P r北京郵電大學(xué)呂英華0 Cn C . n2V0 2Vp2ft2 2 r 頻率55平頂升余弦脈沖波形 北京郵電大學(xué)呂英華 56 2005 年6月 n 平頂升余弦脈沖波形和頻譜= (t i )I w = ) (= f1 f2 2(t f3 .I . 0 1+ cos wt p - j2 I02.p (t+ cos p (t. t

28、2 10.tp1 w = 2pf12 w = 2pf2. - t )uu.t. - t -t ).tsin(2005年6月 t 3 w = 2pf3 2 / . - t -t < tt t t < < p w.t ) t. - t ) 1 ( -.tuu.2 2 t .sin2005年6月5859 2005 年 6月60 2005 年 6月61 2005 年 6月62 2005 年 6月北京郵電大學(xué)呂英華 57 平頂升余弦脈沖波形的譜包絡(luò) 北京郵電大學(xué)呂英華 北京郵電大學(xué)呂英華 北京郵電大學(xué)呂英華 北京郵電大學(xué)呂英華 北京郵電大學(xué)呂英華 波形對(duì)電路影響n 對(duì)任意脈沖形狀的噪聲

29、，低頻干擾水 平只取決于脈沖的面積 n 其高頻干擾水平取決于重復(fù)周期和上 升或下降時(shí)間 n 高頻分量的幅度并不只取決于上升或 下降時(shí)間還與變化率有關(guān) n 寬帶與窄帶干擾影響的換算dB（窄帶）-=20log （PRR以 MH為單位）dB MHz（寬帶）m m V V北京郵電大學(xué)呂英華 63 2005 年6月tr td < 2印制線長(zhǎng)度要求 必須滿足三個(gè)基本要求：1、輻射條件 L<<=l2、3、傳輸延遲條件電源壓降要求 0 0DIDV=RI' D + I L lDt北京郵電大學(xué)呂英華 64 2005 年6月 無(wú)源器件的頻率特性及等效電路 北京郵電大學(xué)呂英華 65 2005

30、 年6月 北京郵電大學(xué)呂英華 66 2005 年6月 樓宇布線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)主交叉連接點(diǎn)800m光20003000 水平交叉連接點(diǎn) TC 90mWA WA工作間300m 1500m 2500m 主干線TC 北京郵電大學(xué)呂英華 中介交叉連接點(diǎn) 2005年6月 500mTC67電磁兼容分層設(shè)計(jì) 與辦公樓布線類比n主接地點(diǎn)n樓間干線2005年6月n工作區(qū)n接地總線n接入設(shè)備北京郵電大學(xué)呂英華n 交叉連接設(shè)備n層間電纜n本樓設(shè)備間681層2層4層（2個(gè)布線層）6層（4個(gè)布線層）6層（4個(gè)布線層）6層（3個(gè)布線層）8層（6個(gè)布線層）8層（4個(gè)布線層）10層（ 6個(gè)布線層）2005年6月 印制板布線的層間安排

31、 4 3 2 1S2PS1GP G S2S1G S3 S2S1P G S2S1P G S2G S3S2S1G G S2S1G S3S2S16 5P S4S4S3G S 3P S4P S3P G北京郵電大學(xué)呂英華8 7S6S5G S4S5S4G注釋 10低速設(shè)計(jì)通常用于十 千周以下很難設(shè)計(jì)高信號(hào)阻抗 和低電源阻抗低速高電源阻抗只有S2用于任選高要求信號(hào)設(shè)計(jì)51 S2直用于較低速信 號(hào)52 S3可用于任選高速 信號(hào)，有較差的電源 阻抗EM（性能最好EM（性能最好，S4對(duì)電源噪聲敏感S6 69 北京郵電大學(xué)呂英華 70 2005 年6月 n尺寸為400 mm x 200 mm.有16個(gè)存儲(chǔ)模塊 存儲(chǔ)

32、板設(shè)計(jì)的例2005 年6月北京郵電大學(xué)呂英華 71 有1 4層，安排了 7個(gè)信號(hào)層、 3個(gè)3.3 V 電源層、 1個(gè)1.5 V 電源層、兩個(gè)接地 層。銅層的厚度為0.018 mm到0.035 mm。心層和襯底層的厚度為72 2005 年 6月73 2005 年 6月74 2005 年 6月0.13mm到0.23mn，材料的介電常數(shù)為 3.9。PC毀計(jì)的復(fù)雜性主要取決于 板的層數(shù)、圖形形狀復(fù)雜度、過(guò)孔的數(shù)量和 I/O 及連接器區(qū)。 北京郵電大學(xué)呂英華 北京郵電大學(xué)呂英華 北京郵電大學(xué)呂英華 線間串音強(qiáng)度的頻率特性 與干擾信號(hào)的頻譜特性 幅 值1 pt2005年6月+20dB -40dB -20d

33、B 頻率1 pt北京郵電大學(xué)呂英華 75 兩根印制線條線間 串音強(qiáng)度隨頻率變化 +20dB串音值2005年6月0dB -20dB 頻率t p r北京郵電大學(xué)呂英華 763-W 原則 保持任何線條間距不小于三倍的印制線條寬度， 即不小于3W,可以避免兩線之間會(huì)發(fā)生電磁串?dāng)_ 北京郵電大學(xué)呂英華 77 2005 年6月 北京郵電大學(xué)呂英華 78 2005 年6月20H原則n 20-H 原理20-H 原則將印制板向空間輻射電磁能量減小到百 分之七十以下20H一般為3mr左右 北京郵電大學(xué)呂英華 79 2005 年6月 接地的功能：接地原理. 專門的良好的導(dǎo)電面、零電位、作為電壓的比較基準(zhǔn)。 . 信號(hào)電

34、路的返回電流通道，也作為電源回路的一部分。 . 配合屏蔽功能，容納各種頻率的干擾電流的通道。. 連接裸露的設(shè)備金屬外殼，保護(hù)操作人員不受到傷害。 接地產(chǎn)生的電磁干擾. 接地難以孤立完成，要有連接導(dǎo)線和導(dǎo)電平面。. 接地有回路，在外電磁波作用下產(chǎn)生感應(yīng)干擾電動(dòng)勢(shì)。 接地應(yīng)該遵守的原則. 接地導(dǎo)線以及公共母線的阻抗應(yīng)該是最小的。. 接地導(dǎo)線應(yīng)該采用橫截面為管形的接地線。. 連接質(zhì)量：接觸電阻、機(jī)械振動(dòng)、防氧化、防腐蝕 北京郵電大學(xué)呂英華 80 2005年6月 接地系統(tǒng)概述n 通常有四種接地：信號(hào)地或信號(hào)參考地、電源地、 屏蔽地和結(jié)構(gòu)地。n 實(shí)際上不存在理想的地，地平面和地線上都有一定 的電位分布，

35、不存在理想的等位面。n 接地線的長(zhǎng)度：較長(zhǎng)的地線上存在有駐波，通常在L< 0.05冊(cè),可用單點(diǎn)接地；L> 0.15冊(cè),可以用多點(diǎn)接地；0.05入< L < 0.15時(shí)，依實(shí)際情況定L一定不能是0.25泊勺整倍數(shù)。北京郵電大學(xué)呂英華 81 2005年6月接地方式n接地方式：浮地、單點(diǎn)接地、多點(diǎn)接地。n浮地：使信號(hào)地與其它導(dǎo)體相隔離，包括系統(tǒng)的結(jié) 構(gòu)地。采用變壓器隔離、光隔離和繼電器隔離等方 式。可以避免干擾信號(hào)進(jìn)入信號(hào)電路，但容易產(chǎn)生 靜電荷堆積。n單點(diǎn)接地：只有單點(diǎn)與地相接，可以消除信號(hào)地系 統(tǒng)中的干擾電流閉合回路，使干擾電流的磁影響最 小，但容易產(chǎn)生天線接受或發(fā)射效應(yīng)

36、。n多點(diǎn)接地：可以消除地線上的高頻駐波現(xiàn)象，但容 易產(chǎn)生接地回路增加電磁耦合。北京郵電大學(xué)呂英華 82 2005年6月K .p rd R = r l A2p r2=i i ii.琖.稰JLm = 0.002 H Seee和折.稰J .eLm H= 2.303 c In 0.002 e S e.璣.20056召tP f r l 2p r.2 303 c lna2S o a eW+ /+ to f s m >4S o d o 5 . 0 + 0. aW + t 2235c0 r d < uuuS e ou/ U OU83 c a 接地線拓?fù)?b( a ) 單點(diǎn)接地 ( b ) 一點(diǎn)并聯(lián)

37、 ( c ) 多點(diǎn)并聯(lián) 單點(diǎn)串聯(lián)接地：最簡(jiǎn)單，但具有最大的干擾電平，低頻時(shí)用(1M以下)一點(diǎn)并聯(lián)接地：接地導(dǎo)線長(zhǎng)，難以保證接地的 低阻抗，會(huì)產(chǎn)生明顯的接地導(dǎo)線間的電磁耦合 多點(diǎn)接地：容易形成接地回路，接地回路面積 大而引入很大的電感耦合型的干擾 北京郵電大學(xué)呂英華 84 2005 年6月 數(shù)字 回路系統(tǒng)級(jí)接地 接地系統(tǒng)是不同電流的共同回流路徑，必須設(shè)計(jì)接地結(jié)構(gòu)保證電流經(jīng) 不同途徑回到原需要的電路。接地平面應(yīng)當(dāng)每隔0.05臓地一次。電源地、數(shù)字地、模擬地要分開(kāi)，最終單點(diǎn)匯接到機(jī)殼上。拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖 2005年6月電源回路 北京郵電大學(xué)呂英華 模擬回路85 0.1UF 浮地的隔離技術(shù) 1mH0.1U

38、F1mH 正態(tài)扼流圈 1mH 共態(tài)扼流圈 2005年6月北京郵電大學(xué)呂英華4700pF4700pF 共態(tài)噪聲 交流噪聲 L 采用對(duì)地平 衡輸入電路 86 光 電隔離 接地系統(tǒng) 北京郵電大學(xué)呂英華 87 2005 年6月 共模緩存放大器V+V+V- V- 接地系統(tǒng) 北京郵電大學(xué)呂英華 88 2005 年6月 多層印制板的接地 接地層與電源層緊相鄰，最好在上。 多個(gè)接地層要多處相連接。 局部接地層銅板要用螺釘直接與機(jī)架相接， 間距小于 模擬和數(shù)字的地要分開(kāi)。/ l 20 。I/O 地要與內(nèi)部地分開(kāi) 保護(hù)地線、分流地線、靜電保護(hù)回線也要直 接與機(jī)架相接或多處接地。 不要破壞接地層的完整性。 北京郵電

39、大學(xué)呂英華 89 2005 年6月 數(shù)字地 數(shù)字印制線條 數(shù)字電源 數(shù)字地?cái)?shù)字印制線條 去視頻控制器的印制線條 音頻 I/O 電路例 靜音區(qū) 模擬電源 模擬地（需要時(shí)可用為數(shù)字地） 模擬印制線條（數(shù)字線條當(dāng)上面為數(shù)字地時(shí)） 北京郵電大學(xué)呂英華 模擬信號(hào)的印制線條模擬地 模擬信號(hào)的印制線條 2005年6月90第四節(jié)多層板EM關(guān)鍵設(shè)計(jì)1. 多層印制板電磁兼容設(shè)計(jì)原則2. 各種凈化電容設(shè)計(jì)* 集成電路元件的電源保證* 電容的自諧振頻率* 電容量計(jì)算* 開(kāi)關(guān)元件的平滑電容3. 時(shí)鐘電路設(shè)計(jì)* 需要考慮的帶寬* 阻抗控制* 傳輸延遲* 容性負(fù)載的影響* 時(shí)鐘線的終端處理* 時(shí)鐘電路印制線條的布線方法*

40、減小時(shí)鐘電路輻射的方法* 時(shí)鐘電路引起的串音、保護(hù)線安排 北京郵電大學(xué)呂英華 91 2005 年6月2凈化電容設(shè)計(jì)n 根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律，印制線條的串聯(lián)電感成分 在電流突變時(shí)要產(chǎn)生相當(dāng)大的電壓降，為有效地抑制 這種電源線上的電壓波動(dòng)。n 應(yīng)在電源線上加平滑電容，這些電容象蓄水庫(kù)那樣起 了緩沖作用。它將印制線條分為若干部分使電源波動(dòng) 減到允許程度。n 對(duì)功耗較大的集成電路最好是每一塊集成電路接一個(gè) 容納電容。功耗小的要每隔幾塊接一個(gè)。n 在實(shí)際電路中可能只允許接有限個(gè)電容，此時(shí)就要把 有限個(gè)電容接到優(yōu)化的位置上。例如，有一排邏輯門 器件和開(kāi)關(guān)電路器件，只允許接n個(gè)電容，則應(yīng)該把電容接到 1處

41、、3+ n 1 2n +12n 2n-1 +1北京郵電大學(xué)呂英華 92 2005 年6月L C 高于自諧振頻率時(shí)，電容器呈電感性阻抗 改善自諧振頻率特性大容量電容器與小容量電容器并聯(lián)的方法。 當(dāng)大容量的電容器達(dá)到諧振點(diǎn)時(shí)，小容量的電容器尚未達(dá)到諧振點(diǎn) 仍然起主導(dǎo)旁路作用。并聯(lián)電容的容量應(yīng)當(dāng)相差兩個(gè)數(shù)量級(jí)VLSI高速元件的邊沿速率較高時(shí)就會(huì)產(chǎn)生RF電流。通常要再加并聯(lián)電容以消除電源噪聲，這種高頻退耦電容的典型值為0.1并聯(lián) 0.001 。對(duì)50MH系統(tǒng)及更高的時(shí)鐘頻率，使用 0.01并聯(lián)100 PF。每十個(gè)邏輯器件加一個(gè)大容量的電容器，通常選取10微法到 100微法之間的數(shù)值。數(shù)字電路的電容設(shè)計(jì)

42、印制線條電容單面約 0.1-0.3PF/cm, 多層印制線條約 0.3-2PF/cm 電容的自諧振頻率陶瓷電容器的v = 1引線大約有6mr長(zhǎng)，會(huì)引入15nH的電感 北京郵電大學(xué)呂英華 93 2005年6月 電容器件使用考慮n當(dāng)VLSI高速元件的邊沿速率較高時(shí)就會(huì)產(chǎn)生RF電流。當(dāng)信號(hào)邊沿時(shí)間tr小于5ns時(shí)，必須加退耦電容，這種高頻退耦電容 的典型值為0.1并聯(lián)0.001。對(duì)50MH系統(tǒng)及更高的時(shí)鐘頻 率，使用0.01并聯(lián)100PF。n 以上是對(duì)多層板而言的，對(duì)單層和雙層板，加入退耦電容 時(shí)，必須控制接地環(huán)路效應(yīng)。對(duì)多層板來(lái)講可將退耦電容加 在任何地方的元件的電源接線端附近，因?yàn)殡娫窗鍖?duì)地有很

43、 大的分布電容，而元件自身和退耦電容都連到接地板上去。n平滑電容對(duì)EM沒(méi)有本質(zhì)上改進(jìn)作用，只用來(lái)作能量存儲(chǔ)以 便維持直流電壓和電流。平滑電容都放在下述地方：每一個(gè)LSI和VLSI元件放一個(gè)，電源到印制板的引線連接器、子板 周邊設(shè)備和次級(jí)電路的 I/O 連接器的電源終端、耗電大時(shí)電 路和元件附近、最遠(yuǎn)的位置的輸入功率連接器、高密度元件 且遠(yuǎn)離de輸入連接器的地方、時(shí)鐘電路產(chǎn)生附近。這個(gè)電容 的耐壓要留有百分之五十的裕量。北京郵電大學(xué)呂英華 94 2005年6月選擇電容器件n 電容的介質(zhì)材料的溫度特性越好電容的性能也越好。n SMT表面貼裝電容有很小的等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）

44、。一般地ESL<10nH ESR<0.5。當(dāng)使用退耦電容時(shí) 最主要的是減小引線長(zhǎng)度 （電感），把電容器盡量靠近元件的 位置放置。n Z5U材質(zhì)穩(wěn)定介電系數(shù)高，電容容量大，自諧振頻率可達(dá)到 1MH冇20MHz自諧振頻率以上這種電容性能變壞（介電損失增大 ) 。因而最高只可用到 50MHz。n NPO材質(zhì)具有很好的高頻特性，NPO的溫度特性也很穩(wěn)定，但介電常數(shù)較低，電容值小。這種電容一般不用在10MH以下。n當(dāng)將Z5U和NPOl容并聯(lián)時(shí)，具有高介電常數(shù)的 Z5U能降低 具有較低介電常數(shù)但頻率特性更穩(wěn)定的 NPOfe容的品質(zhì)。低 于50MHZ寸最好只采用低感的 Z5Ut容。北京郵電大學(xué)呂

45、英華 95 2005年6月 表面貼裝電容的阻抗特性北京郵電大學(xué)呂英華 96 2005年6月 合理選擇電容可減小高頻n電容量可依下述過(guò)程確定：(1)(2)(3)(4)(5)北京郵電大學(xué)呂英華 97 2005年6月計(jì)算出所有的邏輯門器件和開(kāi)關(guān)電路器件同時(shí)動(dòng)作的最大拉電流。 計(jì)算此時(shí)最大的電源噪聲允許值 , 由芯片工作要求確定。 計(jì)算允許的最大的共路阻抗。最大的共路阻抗可由 DI 計(jì)算 假設(shè)使用有實(shí)心鏡像金屬板并且 Xmax 放在電源和接地板之間。計(jì)算由電源到板的相互連接線的電抗 Lpsw,并把這一數(shù)值加入其中以確定容納電容量在臨界頻率以下，用導(dǎo)線連接較好。高于就需要加容納電容。其值為： 決定臨界頻

46、率，在此頻率以下采用導(dǎo)線連接是合適的。并且當(dāng)所有的 門電路同時(shí)動(dòng)作時(shí)，電源供應(yīng)噪聲應(yīng)小于允許值。電源供電線(PSW)的阻抗的計(jì)算是比較困難的環(huán)節(jié)，通常已有現(xiàn)成的理論或經(jīng)驗(yàn)公式。psw max (2 ) psw nDV XmaxF =X Lpbypass psw C L =1 (2 ) p 北京郵電大學(xué)呂英華 98 2005 年6月DIDVDI= 100nH max X2pLpsw12pFpswXmaxESL)。因此超過(guò)159KHZ寸宜加容納電容，應(yīng)選取 10100。 計(jì)算中最困難的是計(jì)算電源引線的等效串聯(lián)電感（ = 1 . 0 W2p100nH= 10mF 舉例例：設(shè)PCB有100個(gè)CMO門（

47、N），每個(gè)開(kāi)關(guān)電路元件增加 10PF的 容性負(fù)載，時(shí)鐘周期時(shí)間為5ns,電源供電線電感為100nH。= NC DvDt . 0 = 100VDVX max Lpsw Fpsw Cbulk n2005年6月100 PF ) 10 (5 = 0.1W 5V ns159KHz北京郵電大學(xué)呂英華（ 最大峰值浪涌電流 ） A = 0 . 1（ 可以從器件的最大噪聲容限查出 ） （可以允許的等效電源內(nèi)阻） （設(shè)計(jì)手冊(cè)可查出計(jì)算公式） （不加電容時(shí)適用的最高頻率）（應(yīng)該加的容納電容值）99時(shí)鐘電路的電磁兼容設(shè)計(jì) 需要考慮的帶寬阻抗控制 傳輸延遲容性負(fù)載的影響 退耦電容設(shè)計(jì)3 4時(shí)鐘線的終端處理 時(shí)鐘電路印制

48、線條的布線方法 減小時(shí)鐘電路輻射的方法 時(shí)鐘電路引起的串音、保護(hù)線安排北京郵電大學(xué)呂英華 100 2005 年6月rX 需要考慮的帶寬 時(shí)鐘電路設(shè)計(jì)要考慮的基本帶寬為 t pdpd . pf . te.Z0r max =9 t北京郵電大學(xué)呂英華f max =其中 t 是時(shí)鐘信號(hào)的邊沿時(shí)間 , 應(yīng)該考慮更寬的帶寬為 lengthcm = 1.017 e r0 pt r0 L = Z 2C cm tr lmax = 7 f significant = 10 f max1 max 22pfC tr t pd 2005年6月= 10001 0101W 埋入介質(zhì)的微帶線2005年6月阻抗控制ZoZoZ0

49、 =Z0 =87+1.414 e r8741 . 1 E1 ( 802YZee 1- ee.北京郵電大學(xué)呂英華55 . 13 998 . 5 ) ) ln(H 98 . 5 ) ln(u.ln60 67 . 0 p£ K £ 65+ )8 . 0 ( + wT )102 t pdC0當(dāng) t 0 2= 1000 pd傳輸延遲 線條的傳播時(shí)延可以按下式估算 = 1.017 t pd .-eO ltr 0.475Er 未加容性負(fù)荷的印制線條PF/長(zhǎng)度時(shí)t pd > t 要考慮傳輸時(shí)延效應(yīng)，考慮阻抗匹配67 . 0 +2005年6月= l L Co pd = L0C北京郵電大

50、學(xué)呂英華0 Z = 0 (ns/ft)00LC0 103北京郵電大學(xué)呂英華 104 2005 年6月 北京郵電大學(xué)呂英華 105 2005 年6月V ) (x 容性負(fù)載的影響 設(shè)分布式容性負(fù)荷為 則時(shí)延為- V + = d C接入容性負(fù)荷的印制線條 的波阻抗可以用下式計(jì)算 阻抗不匹配的程度用反射系數(shù)表達(dá) 接收端實(shí)際獲得的時(shí)鐘電位為 + V ) (x ) (x = 接收端實(shí)際獲得的時(shí)鐘將會(huì)發(fā)生延遲、扭斜、抖動(dòng)等，就 會(huì)使時(shí)鐘信號(hào)在噪音的作用下發(fā)生低于觸發(fā)域值發(fā)生功能 失效的現(xiàn)象，此時(shí)就必須進(jìn)行阻抗匹配。北京郵電大學(xué)呂英華t pd+ 0 = tpd 1 +ZO0 = rI x - (Z0CdC0- Zc + ZcZ) Z I ) (x ( c2005年6月Cd C0 106 nV H o 4.69 W Inc Z098.5 8.0V 12V 10 + 2 ace87 +1.41 98.58.0 87 e + T of017 475PdV w2把狎吾T .衡甧T .總?：M.音/場(chǎng)皆T .埃In +1.41ns ft / = 1.73 4.69 / 73 . 1 C