掠入射小角X射線散射論文掠入射小角X射線散射 同步輻射 納米多孔薄膜 聚倍半硅氧烷 微孔結(jié)構(gòu)

1、掠入射小角X射線散射論文：同步輻射掠入式小角X射線散射PPSQ納米多孔薄膜微孔形態(tài)學研究【中文摘要】近年來,在眾多低介電材料中,硅基無機-有機雜化材料得到了半導體工業(yè)的青睞,其中倍半硅氧烷(Silsesquioxane:SSQ)是能夠替代CVD二氧化硅作為絕緣層的低介電常數(shù)材料之一。為了克服SEM、TEM及AFM等傳統(tǒng)的表征手段對孔徑尤其在亞納米范圍時的多孔薄膜形貌表征清晰度的不足；在傳統(tǒng)小角X射線散射(SAXS)掃描模式的基礎(chǔ)上,本論文利用同步輻射光源掠入式小角X射線散射(GISAXS)掃描模式,對多孔薄膜微孔形態(tài)學進行分析和研究。本文制備了兩個具有納米多孔的聚苯基硅氧烷(PPSQ, pol

2、yphenylsilsesquioxane)薄膜系列,通過AFM (Atomic Force Microscopy)、FESEM (Field Emission Scanning Electron Microscope)和SEM(Scanning Electron Microscope)對多孔薄膜進行表征,發(fā)現(xiàn)薄膜中孔洞分布均勻,沒有明顯的連孔現(xiàn)象,表明所選致孔劑與PPSQ基材料共混性良好；并且確定孔洞為發(fā)生SAXS散射的散射主體。利用同步輻射掠入式小角X射線散射對納米多孔薄膜進行了測試,結(jié)合同步輻射小.【英文摘要】In recent years, silicon-based organic-

3、inorganic hybrid materials in a number of low-k dielectric materials, has been favored by the semiconductor industry, Which silsesquioxane (Silsesquioxane:SSQ) is to replace CVD silicon dioxide as an insulating layer of low-k dielectric materials. In order to overcome the traditional characterizatio

4、n methods such as SEM, TEM and AFM, morphology characterization of porous thin films lack clarity, especially in the sub-nanometer range pore size of porous films. In this p.【關(guān)鍵詞】掠入射小角X射線散射 同步輻射 納米多孔薄膜 聚倍半硅氧烷 微孔結(jié)構(gòu)【英文關(guān)鍵詞】Grazing-incidence small angle X-ray scattering Synchrotron radiation Nano-porous

5、 films Polysilsesquioxane Porous structure【索購全文】聯(lián)系Q1：138113721 Q2：139938848【目錄】同步輻射掠入式小角X射線散射PPSQ納米多孔薄膜微孔形態(tài)學研究摘要4-5Abstract5目錄6-7第一章 引言7-211.1 選題背景7-81.2 倍半硅氧烷類低介電性能材料8-121.3 同步輻射小角X射線散射概述12-161.4 本文的研究內(nèi)容16-17參考文獻17-21第二章 薄膜的制備與表征方法21-252.1 薄膜的制備21-232.2 薄膜的表征儀器及方法23-24參考文獻24-25第三章 薄膜的表征結(jié)果與討論25-333.1 致孔劑為Tween-20的多孔薄膜形貌表征結(jié)果與討論25-293.2 致孔劑為P-2的多孔薄膜表征結(jié)果與討論29-323.3 本章小結(jié)32參考文獻32-33第四章 PPSQ基系列多孔薄膜的GISAXS分析33-594.1 致孔劑為Tween-20的多孔薄膜分析結(jié)果與討論33-