半導(dǎo)體器件(二極管三極管場(chǎng)效應(yīng)管差動(dòng)放大電路集成運(yùn)放)解讀

1、半導(dǎo)體基本知識(shí)和半導(dǎo)體器件（二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、集成運(yùn)放）一、選擇題:1、PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，A.不變 B.變寬2、PN結(jié)外反正向電壓時(shí)，A.不變 B.變寬3、當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流部的（）A.多數(shù)載流子濃度增大B.C.多數(shù)載流子濃度減小D.4、PN結(jié)反向向偏置時(shí)，其內(nèi)電場(chǎng)被（A.削弱B.增強(qiáng)C.不變其空間電荷區(qū)（）OC.變窄D.無(wú)法確定其空間電荷區(qū)（）OC.變窄D.無(wú)法確定Is將增大，是因?yàn)榇藭r(shí)PN結(jié)內(nèi)少數(shù)載流子濃度增大 少數(shù)載流子濃度減小 ）。D.不確定5、在絕對(duì)零度（0K）和沒(méi)有外界激發(fā)時(shí)，本征半導(dǎo)體中（）載流子。6、C.7、9、A.有B.沒(méi)有C.少數(shù)D.多數(shù)集成

2、運(yùn)放的輸入級(jí)采用差分放大電路是因?yàn)榭梢裕ˋ.減小溫漂B.增大放大倍數(shù)提高輸入電阻D.減小輸出電阻以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏狀態(tài)的。A光電二極管 B、發(fā)光二極管 C、變?nèi)荻O管 D、穩(wěn)壓管 當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，（A.發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反偏C.發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正偏穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時(shí)，其工作在）。B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏）,A.正向?qū)▍^(qū)10、抑制溫漂（零漂）A.差放11、在某放大電路中， 則這只三極管是（C.反向擊穿區(qū) ）電路。D.功率放大B.反向截止區(qū) 最常用的方法是采用（B.正弦C.數(shù)字測(cè)得三極管三個(gè)電極的靜態(tài)電位分別為D.不確定A. NPN型硅管B.N

3、PN型鍺管C.PNP型硅管D.PNP型鍺管12、 某場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如右圖所示，該管為（） A. P溝道增強(qiáng)型MOS管 B.P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管C.N溝道增強(qiáng)型MOS管D.N溝道耗盡型MOS管0 V, -10 V , -9.3 V ,O13、通用型集成運(yùn)放的輸入級(jí)采用差動(dòng)放大電路，這是因?yàn)樗模?A .輸入電阻高C.共模抑制比大B.輸出電阻低D.電壓放大倍數(shù)大14、如右圖所示復(fù)合管，已知V1的A = 30, V2的P2 = 50,則復(fù)合后的喲為（）oA. 1500B.80C.50D.3015、發(fā)光二極管發(fā)光時(shí)，工作在（A.正向?qū)▍^(qū)B .反向截止區(qū) C.反向擊穿區(qū)16、當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管反向

4、飽和電流將（A.增大B.減小C.不變17、場(chǎng)效應(yīng)管起放大作用時(shí)應(yīng)工作在漏極特性的（A.非飽和區(qū)B.飽和區(qū)C.截止區(qū)18、穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時(shí)，其工作在（A.正向?qū)▍^(qū)B .反向截止區(qū)）。19、集成運(yùn)放電路采用直接耦合方式是因?yàn)锳.可獲得較高增益C.在集成工藝中難于制造大電容20、測(cè)得BJT各電極對(duì)地電壓為：Vb=4.7V，（。狀態(tài)。A.截止B.飽和C.放大21、 FET（?？刂破骷.電流 B.電壓C.電場(chǎng)22、通常要求運(yùn)算放大器帶負(fù)載能力強(qiáng)，A.電阻大 B.功率大23、二極管的電流方程是（D .不確定D.等于零D.擊穿區(qū)C. 反向擊穿區(qū) D.飽和區(qū)（ ）B.可使溫漂變小D. 可以增大輸入電阻V

5、c=4.3V, Ve=4V ,則該 BJT工作在D.無(wú)法確定C.電壓高）。uC. IS （e T 1）D.磁場(chǎng)在這里，負(fù)載的大小是指負(fù)載（D.功率小uB.lseVT）控制器件。B.電壓 C.電場(chǎng)A. Iseu24、FET（ A.電流25、三極管工作在飽和狀態(tài)的條件是（A.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏C.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏26、測(cè)得工作在放大狀態(tài)的BJT三個(gè)管腳-3V，則1、2、3腳對(duì)應(yīng)的三個(gè)極是（A.ebc B.ecb C. cbe27、穩(wěn)壓二極管是利用PN結(jié)的（D.磁場(chǎng)）。B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏1、2、3對(duì)地電位分別為0V，-0.2V，D.bec)。A.單向?qū)щ娦?/p>

6、B.反向擊穿性C.電容特性D.正向特性28、 測(cè)得工作在放大狀態(tài)的BJT三個(gè)管腳1、2、3對(duì)地電位分別為0V，-0.2V， -3V，則1、2、3腳對(duì)應(yīng)的三個(gè)極是（A. ebc B. ecb C. cbe D.bec29、半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管正常穩(wěn)壓時(shí)，應(yīng)當(dāng)工作于（A.反向偏置擊穿狀態(tài)C.正向偏置導(dǎo)通狀態(tài)30、當(dāng)超過(guò)下列哪個(gè)參數(shù)時(shí)，三極管一定被擊穿（A .集電極最大允許功耗PCM）。B.反向偏置未擊穿狀態(tài)D.正向偏置未導(dǎo)通狀態(tài)）B.集電極最大允許電流I CMD. U （BR）C EOC.集一基極反向擊穿電壓U31、若用萬(wàn)用表測(cè)二極管的正、反向電阻的方法來(lái)判斷二極管的好壞，(BR)CBO好的管子應(yīng)為（

7、）A.正、反向電阻相等C.反向電阻比正向電阻大很多倍B.正向電阻大，反向電阻小D.正、反向電阻都等于無(wú)窮大2Uo =()。A . 2VDi,B.D2,32、電路如圖1所示，設(shè)二極管D3的正向壓降忽略不計(jì)，則輸出電壓B.反向偏置未擊穿狀態(tài)D.正向偏置未導(dǎo)通狀態(tài)33、半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管正常穩(wěn)壓時(shí)，應(yīng)當(dāng)工作于（ A.反向偏置擊穿狀態(tài)C.正向偏置導(dǎo)通狀態(tài)34、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管利用柵源極間所加的（） 來(lái)改變導(dǎo)電溝道的電阻。A.反偏電壓35、場(chǎng)效應(yīng)管是屬于（?？刂菩推骷.反向電流C.正偏電壓D.正向電流A.電壓 B.電流 C.電感 D.電容36、半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管正常穩(wěn)壓時(shí)，應(yīng)當(dāng)工作于（A. 反向偏置擊穿狀態(tài)

8、B. 反向偏置未擊穿狀態(tài)C. 正向偏置導(dǎo)通狀態(tài)D. 正向偏置未導(dǎo)通狀態(tài)37、測(cè)量某硅BJT各電極的對(duì)地電壓值為Uc=6V , Ub=2V , U1.3V ，該管子工作在（）A.放大區(qū)B.截止區(qū)C.飽和區(qū)D.無(wú)法判斷38、如圖1所示復(fù)合管，已知Vi的3i = 30, V2的P2 = 50,則復(fù)合后的P約為（）。A. 1500B.80C.50D.3039、共模抑制比Kcmr越大,表明電路（0A.放大倍數(shù)越穩(wěn)定B.交流放大倍數(shù)越大C.抑制溫漂能力越強(qiáng)D.輸入信號(hào)的差模成分越大二、填空題:40、根據(jù)是否摻入雜質(zhì)，半導(dǎo)體可分為半導(dǎo)體和半導(dǎo)體兩大類。41、N溝道場(chǎng)效應(yīng)管中的載流子是，P溝道場(chǎng)效應(yīng)管中的載流

9、子是42、圖1所示處于反向截止?fàn)顟B(tài)的PN結(jié)，則a b兩區(qū)分別是PN結(jié)的區(qū)、區(qū)。5.ab5T圖143、PN結(jié)是靠多數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)和少數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)形成的。44、 PN結(jié)中內(nèi)電場(chǎng)阻止 的擴(kuò)散，推動(dòng) 的漂移運(yùn)動(dòng)。45、 二極管的特性是，場(chǎng)效應(yīng)管是控制型器件。46、 集成運(yùn)放是多級(jí)耦合放大器。47、 BJT工作在放大區(qū)時(shí)，其發(fā)射結(jié)處于 偏置，集電結(jié)處于 偏置。48、 集成運(yùn)放內(nèi)部是一個(gè)具有高放大倍數(shù)的 耦合的放大電路，故它的主要缺點(diǎn)是，為了克服這一缺點(diǎn)，輸入級(jí)一般采用電路提高放大倍數(shù)，中間級(jí)一般采用 負(fù)載，放大管多用 ；為了提高功率，輸出級(jí)常采用 互補(bǔ)對(duì)稱電路。49、 BJT是控制器件，F(xiàn)ET是控制器

10、件。50、 用萬(wàn)用表的歐姆檔對(duì)二極管進(jìn)行正反兩次測(cè)量， 若兩次讀數(shù)都為X,則此二 極管;若兩次讀數(shù)都接近零，則此二極管;若讀數(shù)一次很大，一次讀數(shù)小，則此二極管51、設(shè)如圖3電路中,D1為硅二極管，D2為鍺二極管，則D1處于狀態(tài),D2處于狀態(tài)，輸出電壓Uo為伏。52、BJT工作在截止區(qū)時(shí)，其發(fā)射結(jié)處于置，集電結(jié)處于偏置。.狀態(tài)，因此它的輸入電阻比雙極型三53、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管輸入回路PN結(jié)處于_ 極管的輸入電阻，集電結(jié)54、晶體三極管的輸出特性曲線一般分為三個(gè)區(qū)， 即: 要使三極管工作在放大區(qū)必須給發(fā)射結(jié)加 加 55、測(cè)得工作在放大電路中的晶體管三個(gè)電極電位Ui，U2，U3分別為，Ui =6V,U2

11、 =11.3V,U3 =12V，J則此管是型三極管，材料為O56、理想運(yùn)放有“虛短”即指和“虛斷”即指兩個(gè)重要特性，“虛57、5&作用是利用PN結(jié)的特性。地”的特殊情況。二極管最主要的特性是.在選用整流二極管時(shí)，主要應(yīng)考慮參數(shù) 、。59、 在室溫下，某三極管的|CBO=8 3，P=70，穿透電流為 mA 。另一只三極管的電流值：IB = 20MA 時(shí) IC = 1.18m A、Ib= 80MA 時(shí) Ic = 4.78m A，該管的 P = 。60、整流二極管的整流作用是利用 PN結(jié)的特性，穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓三、判斷題:61、運(yùn)放的輸入失調(diào)電壓Uio是兩輸入端電位之差。（）62、63、因?yàn)镹型半導(dǎo)體的

12、多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。 （） 本征半導(dǎo)體溫度升高后，自由電子數(shù)目增多，空穴數(shù)基本不變。64、 P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是空穴，因此，P型半導(dǎo)體帶正電。65、本征半導(dǎo)體不帶電，P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。66、N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是空穴，少數(shù)載流子是自由電子。67、P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是空穴，少數(shù)載流子是自由電子。(（ ）68、BJT的P值越大，放大能力越強(qiáng)，但在選用BJT時(shí)，并不是P值越大越好。（）69、發(fā)射結(jié)處于反偏的BJT，它一定工作在截止區(qū)。（）70、 BJT是由兩個(gè)PN結(jié)組合而成的，所以將兩個(gè)二極管對(duì)接，也可以當(dāng)BJT使 用。（）71、BJT的輸入電阻rbe是對(duì)

13、交流而言的一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻，在小信號(hào)情況下為常數(shù)。（）72、在三極管放大電路的三種基本組態(tài)中，共集電極放大電路帶負(fù)載的能力最強(qiáng)。（ ）73、 二極管的反向偏置電壓升高時(shí)，其正向電阻增大。（）74、 處于放大狀態(tài)的晶體管其基極電流同場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電流差不多。（）75、三極管是雙極型管，屬于電流控制器件；場(chǎng)效應(yīng)管是單極性管，屬于電壓控制器件。（） 76、在運(yùn)放電路中，閉環(huán)增益Qf是指廣義的放大倍數(shù)。（）7、二極管的反向偏置電壓升高時(shí)，其正向電阻增大。（）80、小功率晶體二極管2CP12的正向電流在20mA的基礎(chǔ)上增加1倍，它的兩 端壓降也增加1倍。（）81、 雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管都是電流控制型器件。（82、 處于線性工作狀態(tài)的實(shí)際集成運(yùn)放， 在實(shí)現(xiàn)信號(hào)運(yùn)算時(shí)，兩個(gè)輸入端對(duì)地的 直流電阻必須相等，才能防止輸入偏置電流帶來(lái)誤差。（四、分析作圖題:83、畫出圖中各電路的Uo波形。設(shè)Ui=iosin 3 t（V）,且二極管具有理想特性。-OUo2DUi匕立R10K QD R l!10K Q-O10K Q LJ Uo1O84、電路如圖（a）、（b）所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ= 3V, R的取值合適，Ui的 波形如圖（C）