材料制備技術(shù)復(fù)習(xí)題

1、材料制備技術(shù)復(fù)習(xí)題（應(yīng)用化學(xué)2010級碩士研究生用）1簡述鮑林離子晶體結(jié)構(gòu)的規(guī)則。第一章62頁 圍繞每一陽離子，形成一個陰離子配位多面體，陰、陽離子的間距決定于它們的半徑之和，而陽離子的配位數(shù)取決于它們的半徑之比。靜電價規(guī)則。在一個穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)中，從所有相鄰接的陽離子到達(dá)一個陰離子的靜電鍵的總強度，等于陰離于的電價數(shù)。對于一個規(guī)則的配位多面體面言，中心陽離子到達(dá)每一配位陰離子的靜電鍵強度S，等于該陽離子的電荷數(shù)Z除以它的配位數(shù)n，即SZn。以螢石(CaF2)為例，Ca2+的配位數(shù)為8，則Ca F鍵的靜電強度為S2814。F-的電荷數(shù)為1，因此，每一個F-是四個CaF配位立方體的公有角頂?；蛘?/p>

2、說F離子的配位數(shù)是4。在配位結(jié)構(gòu)中，兩個陰離子多面體以共棱，特別是共面方式存在時，結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性便降低。對于電價高而配位數(shù)小的陽離子此效應(yīng)更顯著；當(dāng)陰、陽離子的半徑比接近于該配位多面體穩(wěn)定的下限值時，此效應(yīng)更為顯著在一個含有不同陽離子的晶體中，電價高而配位數(shù)小的那些陽離子，不趨向于相互共有配位多面體的要素。2解釋類質(zhì)同像并指出發(fā)生類質(zhì)同像的必備條件。類質(zhì)同像是指在晶體結(jié)構(gòu)中部分質(zhì)點為其他質(zhì)點所代換，晶格常數(shù)變化不大，晶體結(jié)構(gòu)保持不變的現(xiàn)象。如果相互代換的質(zhì)點可以成任意的比例，稱為完全的類質(zhì)同像。如果相互的代換只局限于一個有限的范圍內(nèi)，則稱為不完全類質(zhì)同像。當(dāng)相互代換的質(zhì)點電價相同時稱為等價類質(zhì)同

3、像，如果相互代換的質(zhì)點電價不同，則稱為異價類質(zhì)同像，此時，必須有電價補償，以維持電價的平衡質(zhì)點大小相近。電價總和平衡相似的化學(xué)鍵性。熱力學(xué)條件：除考慮決定類質(zhì)同像的內(nèi)因外，還要考慮外部條件的影響。3缺陷反應(yīng)表示方法和缺陷反應(yīng)方程式的基本原則 (1)缺陷化學(xué)符號 為了表示晶體中可能出現(xiàn)的不同類型的缺陷，有必要采用方便的、統(tǒng)一的整套符號來表示各種點缺陷。目前采用得最廣泛的表示法是克羅格文克(Kroger-Vink)符號，它已成為國際上通用的符號。在克羅格-文克符號系統(tǒng)中，用一個主要符號來表示缺陷的名稱，具體符號是：空位缺陷用V，雜質(zhì)缺陷則用該雜質(zhì)的元素符號表示，異類雜質(zhì)用F，電子缺陷用e表示；空穴

4、(電子空缺)用h表示。缺陷符號右下角的符號是標(biāo)志缺陷在晶體中所占的位置：用被取代的原子的元素符號表示的缺陷是處于該原子所在的點陣格位上；用字母i表示的缺陷是處于晶格點陣的間隙位置。在缺陷符號的右上角標(biāo)明缺陷所帶有效電荷的符號：“×”表示缺陷是中性，“”表示缺陷帶有正電荷，“”表示缺陷帶有負(fù)電荷。一個缺陷總共帶有幾個單位的電荷，則用幾個這樣的符號。有效電荷不同于實際電荷，有效電荷相當(dāng)于缺陷及其四周的總電荷減去理想晶體中同一區(qū)域處的電荷之差。對于電子和空穴而言，它們的有效電荷與實際電荷相等。在原子晶體中，如硅、鍺的晶體，因為正常晶格位上的原子不帶電荷，所以帶電的取代雜質(zhì)缺陷的有效電荷就等

5、于該雜質(zhì)離子的實際電荷。 在化合物晶體中，缺陷的有效電荷一般是不等于其實際電荷的。例如從含有少量CaCl2的NaCl晶體中，可以發(fā)現(xiàn)有少量的Ca2+離子取代了晶格位上的Na+離子，同時也有少量的Na+離子格位空位。這兩種點缺陷可以分別用符號CaNa·和 V Na+ 來表示。(2)缺陷反應(yīng)方程式的基本原則 質(zhì)量平衡：缺陷反應(yīng)方程式兩邊的物質(zhì)的質(zhì)量應(yīng)保持平衡。注意缺陷符號的下標(biāo)只是表示缺陷位置，對質(zhì)量平衡無作用，如VA只表示A位置上空位，它不存在質(zhì)量。位置關(guān)系：在化合物MaXb中，M位置的數(shù)目必須永遠(yuǎn)與X位置的數(shù)目成一個正確的比例。例如在Al2O3中A1:O2:3。如果在實際晶體中，M與

6、X的比例不符合位置的比例關(guān)系，表明存在缺陷。例如在Ti02中， 由于氧不足而形成Ti02-x ，此時在晶體中就生成氧空位。位置增殖：當(dāng)缺陷發(fā)生變化時，有可能引入M空位VM，也可能把VM消除。當(dāng)引入空位或消除空位時，相當(dāng)于增加或減少M格點數(shù)。但發(fā)生這種變化時，要服從格點數(shù)比例關(guān)系。引起格點增殖的缺陷有：VM、VX、MM、MX、XM、XX等。不發(fā)生格點增殖的缺陷有：e、h·、Mi、Xi等。例如:發(fā)生肖特基缺陷時，晶體中原子遷移到晶體表面(用S表示表面格點，如M原子從晶體內(nèi)遷移到表面時，可用MS表示)，在晶體內(nèi)留下空位，增加了格點數(shù)目。但這種增殖在離子晶體中是成對出現(xiàn)的，因而它是服從格點數(shù)

7、比例關(guān)系的。電中性。在缺陷反應(yīng)前后，晶體必須保持電中性，即缺陷反應(yīng)方程式兩邊的有效電荷應(yīng)該相同。例如:TiO2-x的反應(yīng)可寫成 2TiO22TiTi十VO··十300十 ½ 02或 2TiTi十4OO 2TiTi十VO··十300十 ½ 02 晶體中的氧以氧分子形式逸出，同時在晶體中產(chǎn)生帶正電荷的氧空位和與符號相反的帶負(fù)電荷的TiTi來保持電中性，方程式兩邊總有效電荷都等于零。 TiTi可以看成是Ti4+還原為Ti3+，Ti3+占據(jù)了Ti4+ 的位置，出現(xiàn)一個有效負(fù)電荷，而晶體中出現(xiàn)了一個氧空位。表面位置：在產(chǎn)生肖特基缺陷時，晶格中原

8、子遷移到晶體表面，在晶體內(nèi)部留下空位的同時，增加了晶格點陣結(jié)點的位置數(shù)目。由于跑到表面的正負(fù)離子及其引起的空位總是成對或按化學(xué)計量關(guān)系出現(xiàn)，所以位置關(guān)系保持不變。例如在MgO中，鎂離子和氧離子離開各自所在的位置，遷移到晶體表面或晶界上，反應(yīng)式如下： MgMg十OO VMg十VO··十MgMg(S)十OO(S) 也可寫成：0 VMg十VO·· 式中0表示無缺陷狀態(tài)。4溶膠-凝膠法與其他合成方法相比較都具有哪些優(yōu)點？(1)由于溶膠凝膠法中所用的原料首先被分散在溶劑中而形成低教度的溶液，因此就可以在很短的時間內(nèi)獲得分子水平上的均勻性，在形成凝膠時，反應(yīng)物之間很

9、可能是在分子水平上被均勻地混合。 (2)由于經(jīng)過溶液反應(yīng)步驟，那么就很容易均勻定量地?fù)饺胍恍┖哿吭?，實現(xiàn)分子水平上的均勻摻雜。 (3)與固相反應(yīng)相比，溶液中化學(xué)反應(yīng)更易進(jìn)行，而且僅需較低的合成溫度。一般認(rèn)為，溶膠凝肢體系中組分的擴(kuò)散是在納米范圍內(nèi)，而固相反應(yīng)時組分?jǐn)U散是在微米范圍內(nèi)，因此反應(yīng)溫度較低，容易進(jìn)行。 (4)選擇合適的條件可以制備出各種新型材料。5簡述用微乳液法制備納米Fe2O3超微粉的原理，并寫出制備流程工藝。 微乳液法利用在微乳波的乳滴中的化學(xué)反應(yīng)生成固體，以制得所需的超微粉末。由于微乳滴中水體積及反應(yīng)物濃度可以控制，單分散性好，可控制成核，控制生長，因而可獲得各種粒徑的單分散

10、的納米粒子。另外如不除去表面活性劑，納米粒子可均勻分散在多種有機(jī)溶劑中形成分散體系，以利于研究其光學(xué)特性及表面活性劑等介質(zhì)的影響。制備技術(shù)是取一定量的金屬鹽溶液如Fe3+溶液，在表面活性劑如十二烷基苯磺酸鈉或硬脂酸鈉的存在下，加入有機(jī)溶劑，形成微乳液，再通過加入沉淀劑或其他反應(yīng)試劑，生成微粒相，分散于有機(jī)相中，除去其中的水分，即得到含化合物微粒的有機(jī)溶膠。加熱400即可將表面活性劑除去，以制得納米粒子。通過控制反應(yīng)物與表面活性劑劑量之比、沉淀劑用量、pH值等，以獲得不同顆粒尺寸的產(chǎn)物。6當(dāng)今國際社會公認(rèn)材料、能源和信息是現(xiàn)代文明的三大支柱。就你所掌握的知識，談?wù)勀銓υ搯栴}的理解和認(rèn)識。7結(jié)合你

11、自己的學(xué)位論文研究方向，談?wù)劜牧现苽浼夹g(shù)這門課還應(yīng)該講述哪些內(nèi)容。1簡述鮑林離子晶體結(jié)構(gòu)的規(guī)則。 圍繞每一陽離子，形成一個陰離子配位多面體，陰、陽離子的間距決定于它們的半徑之和，而陽離子的配位數(shù)取決于它們的半徑之比 靜電價規(guī)則。在一個穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)中，從所有相鄰接的陽離子到達(dá)一個陰離子的靜電鍵的總強度，等于陰離于的電價數(shù)。對于一個規(guī)則的配位多面體面言，中心陽離子到達(dá)每一配位陰離子的靜電鍵強度S，等于該陽離子的電荷數(shù)Z除以它的配位數(shù)n，即SZn。靜電價規(guī)則，對于規(guī)則多面體配位結(jié)構(gòu)是比較嚴(yán)格的規(guī)則，因為，它必須滿足靜電平衡的原理。在配位結(jié)構(gòu)中，兩個陰離子多面體以共棱，特別是共面方式存在時，結(jié)構(gòu)的穩(wěn)

12、定性便降低。 在一個含有不同陽離子的晶體中，電價高而配位數(shù)小的那些陽離子，不趨向于相互共有配位多面體的要素。在一個晶體中，本質(zhì)不同的結(jié)構(gòu)組元的種類，傾向于為數(shù)最少。這一規(guī)則也稱為節(jié)省規(guī)則。2解釋類質(zhì)同像并指出發(fā)生類質(zhì)同像的必備條件。 類質(zhì)同像是指在晶體結(jié)構(gòu)中部分質(zhì)點為其他質(zhì)點所代換，晶格常數(shù)變化不大，晶體結(jié)構(gòu)保持不變的現(xiàn)象。如果相互代換的質(zhì)點可以成任意的比例，稱為完全的類質(zhì)同像。如果相互的代換只局限于一個有限的范圍內(nèi)，則稱為不完全類質(zhì)同像當(dāng)相互代換的質(zhì)點電價相同時稱為等價類質(zhì)同像，如果相互代換的質(zhì)點電價不同，則稱為異價類質(zhì)同像，此時，必須有電價補償，以維持電價的平衡，如A13+代替Si4+的同

13、時伴隨著Ca2+代替Na+等。類質(zhì)同像的形成，必須具備下列條件：質(zhì)點大小相近。相互代替的原子(離子)有近似的半徑如以r1和r2表示相互代換的原于(離子)半徑。根據(jù)經(jīng)驗數(shù)據(jù)： (r1-r2 )/r215，完全類質(zhì)同像； (r1-r2 )/r2 =1525，一般為有限的代換，在高溫的條件下完全類質(zhì)同像； (r1-r2 )/r2=2540，在高溫條件下形成有限的代換，低溫條件下不能形成類質(zhì)同像。在元素周期表中，從左上方到右下方的對角線方向上，元素的陽離子半徑相近，一般右下方的高價元素易置換左上方的低價元素，從而形成異價類質(zhì)同像的對角線法則。電價總和平衡。在離子化合物中，類質(zhì)同像代換前后，離子電價總和

14、應(yīng)保持平衡。對于異價類質(zhì)同像，電價的補償可通過下列方式。一是電價較高的陽離子被數(shù)量較多的低價陽離子代換。如云母中3Mg代換2Al；磁黃鐵礦中2Fe3+代換3Fe2+，在晶體結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)缺位結(jié)構(gòu)；二是高價陽離子代換低價陽離子的同時，另有低價陽離子代換高價陽離子，即離子成對的代換以求得電價的補償。如斜長石中Na，Si置換Ca、Al。三是高價陽離子置換低價陽離子伴隨著高價陰離子代換低價陰離子。如磷灰石中Ce3+代換Ca伴隨著O代換F。四是低價陽離子代換高價陽離子，所虧損的電價出附加陽離子來補償。如綠柱擊中Li代換Be，所虧損的正電荷由附加陽離子Cs來補償。熱力學(xué)條件：除考慮決定類質(zhì)同像的內(nèi)因外，還要考

15、慮外部條件的影響。 溫度升高類質(zhì)同像代換的程度增大，溫度下降則類質(zhì)同像代換減弱。如高溫下磁鐵礦FeFe2O4-鈦鐵礦FeTiO3形成固溶體；壓力的增大，有時會限制類質(zhì)同像代換的范圍，并促使固溶體分解； 組分的濃度對類質(zhì)同像也會產(chǎn)生影響。如在磷灰石的形成過程中，若P205。濃度很大而鈣量不足時，則鍶、鈰等元素可以占據(jù)鈣的位置，從而使磷灰石中可以聚集相當(dāng)大量的稀有分散元素。3缺陷反應(yīng)表示方法和缺陷反應(yīng)方程式的基本原則(1)缺陷化學(xué)符號 為了表示晶體中可能出現(xiàn)的不同類型的缺陷，有必要采用方便的、統(tǒng)一的整套符號來表示各種點缺陷。目前采用得最廣泛的表示法是克羅格文克(Kroger-Vink)符號，它已成

16、為國際上通用的符號。 在克羅格-文克符號系統(tǒng)中，用一個主要符號來表示缺陷的名稱，具體符號是：空位缺陷用V，雜質(zhì)缺陷則用該雜質(zhì)的元素符號表示，異類雜質(zhì)用F，電子缺陷用e表示；空穴(電子空缺)用h表示。缺陷符號右下角的符號是標(biāo)志缺陷在晶體中所占的位置：用被取代的原子的元素符號表示的缺陷是處于該原子所在的點陣格位上；用字母i表示的缺陷是處于晶格點陣的間隙位置。在缺陷符號的右上角標(biāo)明缺陷所帶有效電荷的符號：“×”表示缺陷是中性，“”表示缺陷帶有正電荷，“”表示缺陷帶有負(fù)電荷。一個缺陷總共帶有幾個單位的電荷，則用幾個這樣的符號。(2)缺陷反應(yīng)方程式的基本原則 質(zhì)量平衡：缺陷反應(yīng)方程式兩邊的物質(zhì)

17、的質(zhì)量應(yīng)保持平衡。注意缺陷符號的下標(biāo)只是表示缺陷位置，對質(zhì)量平衡無作用，如VA只表示A位置上空位，它不存在質(zhì)量。 位置關(guān)系：在化合物MaXb中，M位置的數(shù)目必須永遠(yuǎn)與X位置的數(shù)目成一個正確的比例。例如在Al2O3中A1:O2:3。如果在實際晶體中，M與X的比例不符合位置的比例關(guān)系，表明存在缺陷。例如在Ti02中， 由于氧不足而形成Ti02-x ，此時在晶體中就生成氧空位。位置增殖：當(dāng)缺陷發(fā)生變化時，有可能引入M空位VM，也可能把VM消除。當(dāng)引入空位或消除空位時，相當(dāng)于增加或減少M格點數(shù)。但發(fā)生這種變化時，要服從格點數(shù)比例關(guān)系。引起格點增殖的缺陷有：VM、VX、MM、MX、XM、XX等。不發(fā)生格

18、點增殖的缺陷有：e、h·、Mi、Xi等。例如:發(fā)生肖特基缺陷時，晶體中原子遷移到晶體表面(用S表示表面格點，如M原子從晶體內(nèi)遷移到表面時，可用MS表示)，在晶體內(nèi)留下空位，增加了格點數(shù)目。但這種增殖在離子晶體中是成對出現(xiàn)的，因而它是服從格點數(shù)比例關(guān)系的。電中性。在缺陷反應(yīng)前后，晶體必須保持電中性，即缺陷反應(yīng)方程式兩邊的有效電荷應(yīng)該相同。表面位置：在產(chǎn)生肖特基缺陷時，晶格中原子遷移到晶體表面，在晶體內(nèi)部留下空位的同時，增加了晶格點陣結(jié)點的位置數(shù)目。由于跑到表面的正負(fù)離子及其引起的空位總是成對或按化學(xué)計量關(guān)系出現(xiàn)，所以位置關(guān)系保持不變。(3)基本類型 弗倫克爾缺陷。二價間隙離子用Mi表示

19、，則弗倫克爾缺陷反應(yīng)如下： MM× Mi· ·十VM反弗倫克爾缺陷 弗倫克爾缺陷雖然一般是由半徑較小的金屬離子造成的，但仍然存在著一種可能性，即由半徑較大的非金屬離子來形成。典型的例子如CaF2晶體中的Fi。這種缺陷稱為反弗倫克爾缺陷，有時也簡稱為弗倫克爾缺陷。 XX× Xi · ·十VX 肖特基缺陷：肖特基缺陷和弗倫克爾缺陷之間的一個重要差別就是肖特基缺陷的生成需要一個晶界、位錯或表面之類的晶格上混亂的區(qū)域。例如在MgO中，鎂離子和氧離子必須離開各自的位置，遷移到表面或晶界上，反應(yīng)如下： 0 VMg十VO·· 締

20、合中心：一個帶電的點缺陷也可能與另一個帶有相反符號的點缺陷相互締合成一組或一群，這種缺陷把發(fā)生締合的缺陷放在括號內(nèi)來表示，記作(VMVX ··) 。在有肖特基缺陷和弗倫克爾缺陷的晶體中，有效電荷符號相反的點缺陷之間，存在著一種庫侖力，受其作用缺陷就會產(chǎn)生一種締合作用。 VM十VX· (VMVX·)此外，在AB2O4尖晶石鐵氧體材料中，A與部分B可以互調(diào)位置，形成B(AB)O4反尖晶石結(jié)構(gòu)。 MM× + XX× MX× + XM× ; AA ×十BB × AB ×十BA × 陰

21、離子缺位型缺陷：這是一種由于在化學(xué)組成上偏離化學(xué)計量而產(chǎn)生的缺陷。如Ti02-x由于環(huán)境中氧不足，TiO2晶體中的氧逸出到大氣中，晶體中產(chǎn)生帶正電的氧空位，為達(dá)到電中性，在氧空位上束縛了兩個自由電子使部分Ti4+還原為Ti3+。這些電子并不屬于某一固定的Ti4+ ，在電場作用下，它可以從一個位置遷移到另一凡是一個陰離子空位形成的正電荷與受其束縛的一個金屬原子電離產(chǎn)生的電子所形成的一種缺陷又稱F-色心。這種晶體缺陷對可見光選擇性的吸收可使晶體著色。 其缺陷反應(yīng)式可寫為： XX × VX × + ½ X2(g) VX × VX· + e VX VX

22、··+ e 如缺陷反應(yīng)按上述過程充分進(jìn)行反應(yīng)，則下式成立： XX × VX··+2e + ½ X2 (g)陽離子空位型缺陷：這種非化學(xué)計量缺陷有正離子空位存在，為了保持電中性，在正離子空位周圍捕獲電子空穴，具有這類缺陷的材料為p型半導(dǎo)體。如Fe1-xO，隨鐵離子空位不斷形成，它的密度和晶胞也減小，為了保持電價平衡，兩個Fe3+離子代替了三個Fe2+離子，同時在晶體中形成一個正離子空位。其缺陷反應(yīng)如下。 ½ X2(g) VM×十XX× ; VM× VM 十h· ; VM VM 十h

23、83;如缺陷反應(yīng)按上述過程進(jìn)行反應(yīng)，則下式成立。 ½ X2(g) VM 十2h·十XX× 從上式可見，正離子空位帶負(fù)電，為了保持電中性，兩個電子空穴被吸引到VM周圍，形成V-色心可使晶體產(chǎn)生顏色。陽離子間隙型缺陷：Zn1+xO和Cd1+xO具有這種類型缺陷，過剩的金屬離子進(jìn)入間隙位置，它是帶正電的，為了保持電中性，等價的電子被束縛在間隙正離子周圍，這也是一種色心，其缺陷反應(yīng)如下。MM × +XX × Mi × + ½ X2(g) Mi × Mi·+e Mi· Mi··+e 如

24、反應(yīng)按上述過程進(jìn)行，則有如下反應(yīng)式： MM × +XX × Mi··+ 2e + ½ X2(g) 因此，氧化鋅在一定條件下可制成n型半導(dǎo)體材料，且氧化鋅電導(dǎo)率對氧分壓極其敏感，隨著氧分壓增大，其電導(dǎo)率迅速減小，可用做氣敏材料。陰離子間隙型缺陷：由子陰離子一般較大，不易擠入間隙位置，所以這種類型并不常見，U02-x具有這樣的缺陷。由于陰高子過剩形成填隙陰離子，為了保持電中性，在其近鄰引入正電荷，相應(yīng)的正離子升價。電子空穴不局限于特定的正離子，它在電場中會運動而導(dǎo)電，所以這種材料是p型半導(dǎo)體。其缺陷反應(yīng)可表示為： ½ X2(g) Xi &

25、#215; ；Xi × Xi 十h· ； Xi Xi 十h· 如按上述反應(yīng)進(jìn)行，則有如下反應(yīng)式： ½ X2(g) Xi 十2h· 4溶膠-凝膠法與其他合成方法相比較都具有哪些優(yōu)點？ 溶膠凝膠方法屬于無機(jī)合成的一種，所制備的材料化學(xué)純度高、均勻性好，可用于制備玻璃、涂料、纖維和薄膜等多種類型的材料，其合成工藝特點如下。(1)由于溶膠凝膠法中所用的原料首先被分散在溶劑中而形成低教度的溶液，因此就可以在很短的時間內(nèi)獲得分子水平上的均勻性，在形成凝膠時，反應(yīng)物之間很可能是在分子水平上被均勻地混合。 (2)由于經(jīng)過溶液反應(yīng)步驟，那么就很容易均勻定量地?fù)饺?/p>

26、一些痕量元素，實現(xiàn)分子水平上的均勻摻雜。 (3)與固相反應(yīng)相比，溶液中化學(xué)反應(yīng)更易進(jìn)行，而且僅需較低的合成溫度。一般認(rèn)為，溶膠凝肢體系中組分的擴(kuò)散是在納米范圍內(nèi)，而固相反應(yīng)時組分?jǐn)U散是在微米范圍內(nèi)，因此反應(yīng)溫度較低，容易進(jìn)行。 (4)選擇合適的條件可以制備出各種新型材料。5簡述用微乳液法制備納米Fe2O3超微粉的原理，并寫出制備流程工藝。 制備技術(shù)是取一定量的金屬鹽溶液如Fe3+溶液，在表面活性劑如十二烷基苯磺酸鈉或硬脂酸鈉的存在下，加入有機(jī)溶劑，形成微乳液，再通過加入沉淀劑或其他反應(yīng)試劑，生成微粒相，分散于有機(jī)相中，除去其中的水分，即得到含化合物微粒的有機(jī)溶膠。加熱400即可將表面活性劑除去，以制得納米粒子。 可通過控制反應(yīng)物與表面活性劑劑量之比、沉淀劑用量、pH值等，以獲得不同顆粒尺寸的產(chǎn)物。6當(dāng)今國際社會公認(rèn)材料、能源和信息是現(xiàn)代文明的三大支柱。就你所掌握的知識，談?wù)勀銓υ搯栴}的理解和認(rèn)識. 當(dāng)今國際社會公認(rèn)材料、能源和信息是現(xiàn)代文明的三大支柱。而且，從現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)發(fā)展的過程可以看到，每一項重大的新技術(shù)的發(fā)現(xiàn)，都有賴于材料新技術(shù)的發(fā)展。例如，半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)促進(jìn)了電子工業(yè)的迅速發(fā)展，基于硅、鍺等半導(dǎo)體材料的大型集成電路的問世，使計算機(jī)的運算速率大大加快，而體積和質(zhì)量卻大大減少。目前，在大型