絕緣柵型場效應(yīng)管.

1、4.3場效應(yīng)管放大電踣4.3場效應(yīng)管放大電路一、FET的直流偏置及靜態(tài)分析直流偏置電路 靜態(tài)工作點二、FET放大電路的小信號模型分析法FET小信號模型動態(tài)指標(biāo)分析三種基本放大電路的性能比較場效應(yīng)管 放大電踣1.直流偏置電路一、FET的直流偏置及靜態(tài)分析與晶體管放大器相似，靜態(tài)工作點的設(shè)置對放大器的性能至關(guān)重要。在場效應(yīng)管放大器中，由于結(jié)型場效應(yīng)管與耗盡型MOS場效應(yīng)管s=0時，丘工0,故可采用自偏壓方式。對于增強型MOSFET,采用分壓式自偏壓電路。R自偏壓電阻(b)分壓式自偏壓電路(a)自偏壓可以用兩種辦法確定直流工作點, 一種是圖解法，另一種是解析法。一、FET的直流偏置及靜態(tài)分析4.3場

2、效應(yīng)管放大電路2.靜態(tài)工作點的確定(a)自偏壓(1)圖解法畫出N溝道場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移 特性，對于自偏壓方式，柵源回 路直流負載線方程為在轉(zhuǎn)移特性坐標(biāo)上畫岀該負載線 方程如圖所示。分別求出JFET的工作 點為0點，耗盡型MOSFET的工作點 為02點，而與增強型MOSFET轉(zhuǎn)移特 性則無交點。4.3場效應(yīng)管放大電路一、FET的直流偏置及靜態(tài)分析式(2)自偏壓電路2 靜態(tài)工作點的確定(2)解析法己知電流方式及柵源直流負 載線方程，聯(lián)立求解即可求得工 作點。例如：VGS= "式(1)己知將式(1)代入式(2),個根，舍去不合理的一個根,“DS = 1)1) (Rd + R)解一個b的二次方程

3、，有兩 下合理的一個根便是僉。式(3)將厶Q代入式(2)這樣便可解出Q點的s、Zhx VDS o4.3場效應(yīng)勞放大即踣（b）分壓式自偏壓（1）圖解法一、FET的直流偏置及靜態(tài)分析3OkOGl o1»- 4 0.01 u柵源回路直流負載線方程為R、叫一匕"KlQ對于三種不同類型的場效應(yīng)管 的工作點分別為0（JFET）、02 （耗盡型MOSFET）及 （增強型 M0SFET ）。這里要特別注意的是, 對JFET,心2過大，或太小，都 含導(dǎo)致工作點不合適，如圖虛線所 ZJ O4.3場效應(yīng)勞放大電路1直流偏置電路（2）解析法2忌分壓式自偏壓電路 ；DX）KQl01瓦0°心

4、 2L，WGS一、FET的直流偏置及靜態(tài)分析己知由=匕-vs = + 心,V "bS 二/°（心+尺）<鼻（1 -滬）v pC2S分壓式自偏壓電路可解出Q點的Vgs、斤八VDS4.3場效應(yīng)管放大電路二、FET放大電路的小信號模型分析法1FET小信號模型(a) FET在共源雌時的雙口網(wǎng)絡(luò)S(b)幽模型4.3場效應(yīng)管 一 放大電踣 一、FET放大電路的小信號模型分析法2動態(tài)指標(biāo)分析與晶體管放大器相似，場效應(yīng)管放大器也有共源、共漏、共柵等三種基本組態(tài)電路。(1)共源放大器破話 二、FET放大電路的小信號模型分析法2 動態(tài)指標(biāo)分析g（1）共源放大器°可豪戸a）中頻電

5、壓增益+£ = Vgs 十 =£ 戸十 g *" Vfts R " i Rg Rz小信號等效電路" I+gmRb）輸入電阻R“+(Rgi / R &2) 1R i q Rj3 + ( Rgi /Rff2)c）輸出電阻RoRd4.3器劉劭例題：共漏極放大電路如圖示。試求中頻電壓增益.輸入電阻和輸出電阻。解：（1）中頻小信號模型（2）中頻電壓增益 由匕=心）V,= f + 程5(R心)= <:1 + gm (尺 «,.)陷（尺心） 可-i + gm（/e心）（3）輸入電阻共她電略的小仏號毎效電賂i»bv4.3場效應(yīng)管放大電路（4）輸出電阻R-譏求Ro的電路圖所以肌=于=T宀=RII g ID4.3場效應(yīng)管放大電賂組態(tài)對應(yīng)關(guān)系:三、三種基本放大電路的性能比較BJTFET電壓增益:CE：CC：CB：CECCCBBJTFET_gnJRd 尺 1丿（1 + 0）（心血）rte +（1+ 戸）（«.）rn 也心）：1 +弘心）0 （匕心）CG： g（心4.3場效應(yīng)管=放大電踣、三種基本放大電路的性能比較輸入電阻：BJ