開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)方案細(xì)節(jié)詳解

1、開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)詳解1、電源設(shè)計(jì)項(xiàng)目前期各個(gè)參數(shù)注意細(xì)節(jié)dls3HgonrBC1 ecrr醫(yī) brnd|C7lOOnF.'MVM0FlL0 口315W2MV13<kiF?SVmm4zBA&416 邨TOS1(E*25Cfll?1%SFH«iU4BE-H9EVCC:ivfr h. JDftOTHTuT OflJvER TEA1B33 CTR. (SOB GNDG1C2C3WuF.'3.3rFZ.?iF；40啊50 叫63CVManuring Coritms5pQ UMTP4TT4IAinitial PermeabiiitYIdKHz 藥1CH < 0

2、.4A/23nO±2S%2400 ±2&%Amplrtude Parmesbilhv殆宅 2SKHz 200mT/& 30U0?3DC0H = il<WAAv2S=CmT51QA510SatiFaliwt Flux Den&itv100七39Q4嘶礙Br2沆mTlOO110flemanmeattltJT&560較硬力HeAMHt3Coercivety1OXC96.&站礙Rev Core LoselOOKM200mT2沆卿B00100TKWin341G300t2050Gd00電欝p fiesistMiy亶m0.56.5'S

3、fKTcCkmb TenpeJHuret曲20呦弓密珈 制卯jkfl/mmIO34.8k WA 所剁找*"r恃性.真破期掐誨典罕乩刮芒t環(huán)raix i3aQfKie value cd孌4 are llI vmIlm. Sample cote. F31 13 6借鑒下NXP的這個(gè)TEA1832圖紙做個(gè)說(shuō)明。分析里面的電路參數(shù)設(shè) 計(jì)與優(yōu)化并做到認(rèn)證至量產(chǎn)。 在所有的元器件中盡量選擇公司倉(cāng)庫(kù) 里面的元件，和量大的元件，方便后續(xù)降成本拿價(jià)格。貼片電阻采用0603的5%, 0805的5%, 1%，貼片電容容值越大價(jià)格越咼，設(shè)計(jì)時(shí)需考慮1、輸入端，F(xiàn)USB選擇需要考慮到I人2T參數(shù)。保險(xiǎn)絲的分類

4、，快斷，慢斷，電流，電壓值，保險(xiǎn)絲的認(rèn)證是否齊全。保險(xiǎn)絲前的安規(guī) 距離2. 5mm以上。設(shè)計(jì)時(shí)盡量放到3mn以上。需考慮打雷擊時(shí)，保 險(xiǎn)絲I2T是否有余量，會(huì)不會(huì)打掛掉。2、這個(gè)圖中可以增加個(gè)壓敏電阻，一般采用14D471,也有采用561 的，直徑越大抗浪涌電流越大，也有增強(qiáng)版的10S471, 14S471等，一般14D471打1KV, 2KV雷擊夠用了，增加雷擊電壓就要換成 MOW GDTT。有必要時(shí)，壓敏電阻外面包個(gè)熱縮套管。3、NTC這個(gè)圖中可以增加個(gè)NTC有的客戶有限制冷啟動(dòng)浪涌電 流不超過(guò)60A 30A, NTC的另一個(gè)目的還可以在雷擊時(shí)扛部分電壓， 減下MOSFE的壓力。選型時(shí)注意

5、NTC勺電壓，電流，溫度等參數(shù)。4、共模電感，傳導(dǎo)與輻射很重要的一個(gè)濾波元件，共模電感有環(huán) 形的高導(dǎo)材料5K, 7K, OK, 12K 15K,常用繞法有分槽繞，并繞， 蝶形繞法等，還有UU型，分4個(gè)槽的ET型。這個(gè)如果能共用老機(jī)種 的最好，成本考慮，傳導(dǎo)輻射測(cè)試完成后才能定型。5、X電容的選擇，這個(gè)需要與共模電感配合測(cè)試傳導(dǎo)與輻射才能定容值，一般情況為功率越大 X電容越大。6、如果做認(rèn)證時(shí)有輸入L, N的放電時(shí)間要求，需要在X電容下放 2并2串的電阻給電容放電。7、橋堆的選擇一般需要考慮橋堆能過(guò)得浪涌電流，耐壓和散熱， 防止雷擊時(shí)掛掉。8 VCC的啟動(dòng)電阻，注意啟動(dòng)電阻的功耗，主要是耐壓值，

6、1206的一般耐壓200V, 0805一般耐壓150V,能多留余量比較好。9、輸入濾波電解電容，一般看成本的考慮，輸出保持時(shí)間的10mS 按照電解電容容值的最小情況 80 %容值設(shè)計(jì)，不同廠家和不同的設(shè) 計(jì)經(jīng)驗(yàn)有點(diǎn)出入，有一點(diǎn)要注意普通的電解電容和扛雷擊的電解電容，電解電容的紋波電流關(guān)系到電容壽命， 這個(gè)看品牌和具體的系列 了。10、輸入電解電容上有并聯(lián)一個(gè)小瓷片電容， 這個(gè)平時(shí)體現(xiàn)不出來(lái) 用處，在做傳導(dǎo)抗擾度時(shí)有效果。11、RCD吸收部分，R的取值對(duì)應(yīng)MOSFE上的尖峰電壓值，如果采 用貼片電阻需注意電壓降額與功耗。 C一般取102/103 1KV的高壓 瓷片，整改輻射時(shí)也有可能會(huì)改為薄膜電

7、容效果好。 D般用FR107FR207整改輻射時(shí)也有改為1N4007的情況或者其他的慢管，或者在 D上套磁珠（K5A K5C等材質(zhì)）。小功率電源，RC可以采用TVS管替 代，女口 P6KE160等。12、MOSFE的選擇，起機(jī)和短路情況需要注意 SOA高溫時(shí)的電流 降額，低溫時(shí)的電壓降額。一般 600V 2 - 12A足夠用與100W以內(nèi)的 反激，根據(jù)成本來(lái)權(quán)衡選型。整改輻射時(shí)很多方法沒(méi)有效果的時(shí)候， 換個(gè)MOSFE就過(guò)了的情況經(jīng)常有。13、MOSFE的驅(qū)動(dòng)電阻一般采用10R+ 20R,阻值大小對(duì)應(yīng)開(kāi)關(guān)速 度，效率，溫升。這個(gè)參數(shù)需要整改輻射時(shí)調(diào)整。14、MOSFE的GATE到SOURC端需要

8、增加一個(gè)10K 100K的電阻 放電。15、MOSFE的SOURC到 GND之間有個(gè)Isense電阻，功率盡量選 大，盡量采用繞線無(wú)感電阻。功率小，或者有感電阻短路時(shí)有遇到過(guò) 炸機(jī)現(xiàn)象。16、Isense電阻到IC的Isense增加1個(gè)RC取值1K, 331，調(diào) 試時(shí)可能有作用，如果采用這個(gè)TEA1832電路為參考，增加一個(gè)C并 聯(lián)至U GND17、不同的IC外圍引腳參考設(shè)計(jì)手冊(cè)即可，根據(jù)自己的經(jīng)驗(yàn)在IC引腳處放濾波電容。18更改前：變壓器的設(shè)計(jì)，反激變壓器設(shè)計(jì)論壇里面討論很多， 不多說(shuō)。還是考慮成本，盡量不在變壓器里面加屏蔽層，頂多在變壓 器外面加個(gè)十字屏蔽。變壓器一定要驗(yàn)算delta B

9、值，delta B = L興 Ipk /( N* Ae), L (uH), Ipk (A), N 為初級(jí)砸數(shù)(T), Ae (mm2 有興趣驗(yàn)證這個(gè)公式可以在最低電壓輸入，輸出負(fù)載不斷增加，看到變壓器飽和波形，飽和時(shí)計(jì)算結(jié)果應(yīng)該是 500mT左右。變壓器的VCC 輔助繞組盡量用2根以上的線并繞，之前很大批量時(shí)有碰到過(guò)有幾個(gè) 輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時(shí) VCC過(guò)壓的情況，2跟以上的VCC 輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差異大這個(gè)問(wèn)題。18更改后：變壓器的設(shè)計(jì)，反激變壓器設(shè)計(jì)論壇里面討論很多， 不多說(shuō)。還是考慮成本，盡量不在變壓器里面加屏蔽層，頂多在變壓 器外面加個(gè)十字屏蔽。變壓器一定要驗(yàn)算

10、delta B值，防止高溫時(shí)磁 芯飽和。delta B = L* Ipk /( N* Ae)，L (uH)，Ipk (A)，N 為初級(jí) 砸數(shù)(T)，Ae(mm2。(參考TDG公司的磁芯特性(100C )飽和磁通 密度390mT剩磁55mT所以AB值一般取330mT以內(nèi)，出現(xiàn)異常情 況不飽和，一般取值小于300mT以內(nèi)。我之前做反激變壓器取值都是 小于0. 3的)附，學(xué)習(xí)zhangyiping的經(jīng)驗(yàn)(所以一般的磁通密度選擇1500高斯，變壓器小的可以選大一些，變壓器大的要選小一些， 頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。)變壓器的VCC1助繞組盡量用2根以上的線并繞，之前很大批量時(shí) 有碰到過(guò)有幾個(gè)輔

11、助繞組輕載電壓不夠或者重載時(shí) vcc過(guò)壓的情況， 2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差異大這個(gè)問(wèn)題。附注：有興趣驗(yàn)證這個(gè)公式的話，可以在最低電壓輸入，輸出負(fù)載 不斷增加，看到變壓器飽和波形，飽和時(shí)計(jì)算結(jié)果應(yīng)該是500mT左右(25 C時(shí)，飽和磁通密度 510mT。借鑒TDG的磁芯基本特征圖。19、輸出二極管效率要求高時(shí)，可以采用超低壓降的肖特基二極管， 成本要求高時(shí)可以用超快恢復(fù)二極管。20、輸出二極管并聯(lián)的RC用于抑制電壓尖峰，同時(shí)也對(duì)輻射有抑 制。21、 光耦與431的配合，光耦的二極管兩端可以增加一個(gè) 1K 3K 左右的電阻，Vout串聯(lián)到光耦的電阻取值一般在 100歐姆一1

12、K之間。 431上的C與RC用于調(diào)整環(huán)路穩(wěn)定，動(dòng)態(tài)響應(yīng)等。22、Vout的檢測(cè)電阻需要有1mA左右的電流，電流太小輸出誤差 大，電流太大，影響待機(jī)功耗。23、輸出電容選擇，輸出電容的紋波電流大約等于輸出電流，在選擇電容時(shí)紋波電流放大1. 2倍以上考慮。24、2個(gè)輸出電容之間可 以增加一個(gè)小電感，有助于抑制輻射干擾，有了小電感后，第一個(gè)輸 出電容的紋波電流就會(huì)比第二個(gè)輸出電容的紋波電流大很多，所以很多電路里面第一個(gè)電容容量大，第二個(gè)電容容量較小。25、 輸出Vout端可以增加一個(gè)共模電感與104電容并聯(lián)，有助于 傳導(dǎo)與輻射，還能降低紋波峰峰值。26、 需要做恒流的情況可以采用專業(yè)芯片，AP431

13、0或者TSM103等 類似芯片做，用431 + 358都行，注意VCC勺電壓范圍，環(huán)路調(diào)節(jié)也 差不多。27、有多路輸出負(fù)載情況的話，電源的主反饋電路一定要有固定輸 出，或者假負(fù)載，否則會(huì)因?yàn)轳詈?，burst模式等問(wèn)題導(dǎo)致其他路輸 出電壓不穩(wěn)定。28、初級(jí)次級(jí)的大地之間有接個(gè) 丫電容，一般容量小 于或等于222,則漏電流小于0. 25mA不同的產(chǎn)品認(rèn)證對(duì)漏電流是 有要求的，需注意。算下來(lái)這么多，電子元器件基本能定型了，整個(gè)初略的BOM可以評(píng) 審并參考報(bào)價(jià)了。BOM中元器件可以多放幾個(gè)品牌方便核成本。如客 戶有特殊要求，可以在電路里面增加功能電路實(shí)現(xiàn)。如不能實(shí)現(xiàn)，尋 找新的IC來(lái)完成，相等功率和頻

14、率下，IC的更改對(duì)外圍器件影響不 大。如客戶溫度范圍的要求比較高，對(duì)應(yīng)元器件的選項(xiàng)需要參考元器 件使用溫度和降額使用。2、電源PCB設(shè)計(jì)階段應(yīng)注意的細(xì)節(jié)1、PCB對(duì)應(yīng)的SCH網(wǎng)絡(luò)要對(duì)應(yīng)，方便后續(xù)更新，花不了多少時(shí)間 的。2、PCB的元器件封裝，標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)里面的按實(shí)際情況需要更改，貼片元件焊盤加大；插件元件的孔徑比元件管腳大0. 3mm焊盤直徑大于孔0. 8mm以上，焊盤大些方便焊接，元器件過(guò)波峰焊也容易上錫， PCBT家做出來(lái)也不容易破孔。還有很多細(xì)節(jié)的東西多了解些對(duì)生產(chǎn) 是很大的功勞啊。3、安規(guī)的要求在PCB上的體現(xiàn)，保險(xiǎn)絲的安規(guī)輸入到輸出距離 3mm 以上，保險(xiǎn)絲帶型號(hào)需要印在 PCB上。PC

15、B勺板材也有不同的安規(guī)要求，對(duì)應(yīng)需要做的認(rèn)證與供應(yīng)商溝通能否滿足要求。相應(yīng)的認(rèn)證編號(hào)需印到PCB上。初級(jí)到次級(jí)的距離 8mn以上，Y電容注意選擇Y1還 是Y2的，跨距也要求8mm以上，變壓器的初級(jí)與次級(jí)，用擋墻或者 次級(jí)用三層絕緣線飛線等方法做爬電距離。4、橋堆前L, N走線距離2. 5mn以上，橋堆后高壓+,距離2. 5mm 以上。走線為大電流回路先走，面積越小越好。信號(hào)線遠(yuǎn)離大電流走線，避免干擾，IC信號(hào)檢測(cè)部分的濾波電容靠近IC,信號(hào)地與功率 地分開(kāi)走，星形接地，或者單點(diǎn)接地，最后匯總到大電容的“-”弓I 腳，避免調(diào)試時(shí)信號(hào)受干擾，或者抗擾度出狀況。5、IC方向，貼片元器件的方向，盡量放

16、到整排整列，方便過(guò)波峰 焊上錫，提高產(chǎn)線效率，避免陰影效應(yīng)，連錫，虛焊等問(wèn)題出現(xiàn)。6、打AI的元器件需要根據(jù)相應(yīng)的規(guī)則放置元器件，之前看過(guò)一個(gè)日本的PCB焊盤做成水滴狀，AI元件的引腳剛好在水滴狀的焊盤上，7、PCB上的走線對(duì)輻射影響比較大，可以參考相關(guān)書籍。還有1種情況，PCB當(dāng)單面板布線，弄完后，在頂層敷整塊銅皮接大電容地, 抑制傳導(dǎo)和輻射很有效果。8布線時(shí)，還需要考慮雷擊，ESD時(shí)或其他干擾的電流路徑，會(huì) 不會(huì)影響IC。3、電源調(diào)試階段應(yīng)注意的細(xì)節(jié)1、 萬(wàn)用表先測(cè)試主電流回路上的二極管，MOSFET有沒(méi)有短路， 有沒(méi)有裝反，變壓器的感量與漏感是否都有測(cè)試， 變壓器同名端有沒(méi) 有繞錯(cuò)。2、

17、開(kāi)始上電，我的習(xí)慣是先上100V的低壓，PWM沒(méi)有輸出。用示波器看VCC PWM腳，VCCh升到啟動(dòng)電壓，PWM沒(méi)有輸出。檢查各引 腳的保護(hù)功能是否被觸發(fā)，或者參數(shù)不對(duì)。找不到問(wèn)題，查看IC的上電時(shí)序圖，或者IC的datasheet里面IC啟動(dòng)的條件。示波器使用 時(shí)需注意，3芯插頭的地線要拔掉，不拔掉的話最好采用隔離探頭掛 波形，要不怎么炸機(jī)的都不知道。用 2個(gè)以上的探頭時(shí)，2根探頭的 COM端接同1個(gè)點(diǎn)，避免影響電路，或者夾錯(cuò)位置燒東西。3、IC啟動(dòng)問(wèn)題解決了，PWM有輸出，發(fā)現(xiàn)啟動(dòng)時(shí)變壓器嘯叫。掛MOSFE的電流波形，或者看Isense腳底波形是否是三角波，有可能 是飽和波形，有可能是方波

18、。需重新核算 B,還有種情況，VCC繞組與主繞組繞錯(cuò)位置。也有輸出短路的情況，還有RCD吸收部分的問(wèn) 題，甚至還碰到過(guò)TVS壞了短路的情況。4、輸出有了，但是輸出電壓不對(duì)，或者高了，或者低了。這個(gè)需 要判斷是初級(jí)到問(wèn)題，還是次級(jí)的問(wèn)題。掛輸出二極管電壓電流波形， 是否是正常的反激波形，波形不對(duì)，估計(jì)就是同名端反了。檢查光耦 是否損壞，光耦正常，采用穩(wěn)壓管+ 1K電阻替換431的位置，即可 判斷輸出反饋431部分，或者恒流，或者過(guò)載保護(hù)等保護(hù)的動(dòng)作。常 見(jiàn)問(wèn)題，光耦腳位畫錯(cuò)，導(dǎo)致反饋到不了前級(jí)。431封裝弄錯(cuò)，一般431的封裝有2種，腳位有鏡像了的。同名端的問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致輸出電壓 不對(duì)。5、輸出電壓

19、正常了，但是不是精確的 12V或者24V,這個(gè)時(shí)候一 般采用2個(gè)電阻并聯(lián)的方式來(lái)調(diào)節(jié)到精確電壓。采樣電阻必須是 1% 或者0. 5%。6、輸出能帶載了，帶滿載變壓器有響聲，輸出電壓紋波大。掛PWM 波形，是否有大小波或者開(kāi)幾十個(gè)周期，停幾十個(gè)周期，這樣的情況 調(diào)節(jié)環(huán)路。431上的C與RC現(xiàn)在的很多IC內(nèi)部都已經(jīng)集成了補(bǔ)償， 環(huán)路都比較好調(diào)整。環(huán)路調(diào)節(jié)沒(méi)有效果，可以計(jì)算下電感感量太大或 者太小，也可以重新核算Isense電阻，是否IC已經(jīng)認(rèn)為Isense電 阻電壓較小，IC工作在brust mode可以更改Isense電阻阻值測(cè)試。7、高低壓都能帶滿載了，波形也正常了。測(cè)試電源效率，輸入90V

20、與264V時(shí)效率盡量做到一致（改占空比，匝比），方便后續(xù)安規(guī)測(cè)試 溫升。電源效率一般參考老機(jī)種效率，或者查能效等級(jí)里面的標(biāo)準(zhǔn)參 考。8輸出紋波測(cè)試，一般都有要求用 47uF + 104,或者10uF + 104 電容測(cè)試。這個(gè)電解電容的容值影響紋波電壓， 電容的高頻低阻特性（不同品牌和系列）也會(huì)影響紋波電壓。示波器測(cè)試紋波時(shí)探頭上用 彈簧測(cè)試探頭測(cè)試可以避免干擾尖峰。輸出紋波搞不定的情況下，可 以改容量，改電容的系列，甚至考慮采用固態(tài)電容。9、輸出過(guò)流保護(hù)，客戶要求精度高的，要在次級(jí)放電流保護(hù)電路， 要求精度不高的，一般初級(jí)做過(guò)流保護(hù)，大部分IC都有集成過(guò)流或者過(guò)功率保護(hù)。過(guò)流保護(hù)一般放大 1

21、. 1 1. 5倍輸出電流。最大輸 出電流時(shí)，元器件的應(yīng)力都需要測(cè)試，并留有余量。電流保護(hù)如增加 反饋環(huán)路可以做成恒流模式，無(wú)反饋環(huán)路一般為打嗝保護(hù)模式。 做好 過(guò)流保護(hù)還需要測(cè)試滿載+電解電容的測(cè)試， 客戶端有時(shí)提出的要求 并未給出是否是容性負(fù)載，能帶多大的電容起機(jī)測(cè)試了后心里比較有10、輸出過(guò)壓保護(hù)，穩(wěn)定性要求高的客戶會(huì)要求放 2個(gè)光耦，1個(gè) 正常工作的，一個(gè)是做過(guò)壓保護(hù)的。無(wú)要求的，在 VCC勺輔助繞組處 增加過(guò)壓保護(hù)電路，或者IC里面已經(jīng)有集成的過(guò)壓保護(hù)，外圍器件很少11、過(guò)溫保護(hù)一般要看具體情況添加的， 安規(guī)做高溫測(cè)試時(shí)對(duì)溫度 都有要求，能滿足安規(guī)要求溫度都還可以，除非環(huán)境復(fù)雜或者異

22、常情 況，需要增加過(guò)溫保護(hù)電路。12、啟動(dòng)時(shí)間，一般要求為2S,或者3S內(nèi)起機(jī)，都比較好做，待 機(jī)功耗做到很低功率的方案，一般IC都考慮好了。沒(méi)有什么問(wèn)題。13、上升時(shí)間和過(guò)沖，這個(gè)通過(guò)調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)和環(huán)路響應(yīng)實(shí)現(xiàn)。14、負(fù)載調(diào)整率和線性調(diào)整率都是通過(guò)調(diào)節(jié)環(huán)路響應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。15、保持時(shí)間，更改輸入大電容容量即可。16、輸出短路保護(hù)，現(xiàn)在IC的短路保護(hù)越做越好，一般短路時(shí)，IC的VCC輔助繞組電壓低，IC靠啟動(dòng)電阻供電，IC啟動(dòng)后，Isense 腳檢測(cè)過(guò)流會(huì)做短路保護(hù)，停止 PWM輸出。一般在264V輸入時(shí)短路 功率最大，短路功率控制住2W以內(nèi)比較安全。短路時(shí)需要測(cè)試MOSFET 的電流與電壓，并通過(guò)

23、查看 MOSFE的SOA圖（安全工作區(qū)）對(duì)應(yīng)短 路是否超出設(shè)計(jì)范圍。17、空載起機(jī)后，輸出電壓跳。有可能是輕載時(shí) VCC勺輔助繞組感 應(yīng)電壓低導(dǎo)致，增加VCC繞組匝數(shù)，還有可能是輸出反饋環(huán)路不穩(wěn)定， 需要更新環(huán)路參數(shù)。18帶載起機(jī)或者空載切重載時(shí)電壓起不來(lái)。重載時(shí)，VCC輔助繞組電壓高，需查看是否過(guò)壓，或者是過(guò)流保護(hù)動(dòng)作。還有變壓器設(shè)計(jì)時(shí)按照正常輸出帶載設(shè)計(jì)，導(dǎo)致重載或者過(guò)流保護(hù) 前變壓器飽和。19、元器件的應(yīng)力都應(yīng)測(cè)試，滿載、過(guò)載、異常測(cè)試時(shí)元器件應(yīng)力都應(yīng)有余量，余量大小看公司規(guī)定和成本考慮。性能測(cè)試與調(diào)試基本完成。調(diào)試時(shí)把自己想成是設(shè)計(jì)這顆IC的人，就能好好理解IC的 工作情況并快速解決問(wèn)

24、題。這些全都按記憶寫的，有點(diǎn)亂，有些沒(méi)有記錄到，后續(xù)想到了再補(bǔ)上。4、EMC等測(cè)試之前的注意細(xì)節(jié)1、溫升測(cè)試，45 C烤箱環(huán)境，輸入90, 264時(shí)變壓器磁芯，線包 不超過(guò)110C, PCB在130C以內(nèi)。其他的元器件具體值參考下安規(guī) 要求，溫度最難整的一般都是變壓器。2、絕緣耐壓測(cè)試DC500V阻值大于100應(yīng)，初次級(jí)打AC3000V寸 間60S,小于10mA產(chǎn)線量產(chǎn)可以打 AC3600V 6S。建議采用直流電 壓DC4242丁耐壓。耐壓電流設(shè)置10mA測(cè)試過(guò)程中測(cè)試儀器報(bào)警， 要檢查初次級(jí)距離，初級(jí)到外殼，次級(jí)到外殼距離，能把測(cè)試室拉上 窗簾更好，能快速找到放電的位置的電火花。3、對(duì)地阻抗

25、，一般要小于0. 1Q，測(cè)試條件電流40A。4、ESD一般要求接觸4K,空氣8K,有個(gè)電阻電容模型問(wèn)題。一般會(huì)把等級(jí)提高了打，打到最高的接觸 8K,空氣15K。打ESD0寸，共模 電感底下有放電針的話，放電針會(huì)放電。電源的ESD還會(huì)在散熱器與 不同元器件之間打火，一般是距離問(wèn)題和PCB勺layout問(wèn)題。打ESD 打到15K把電源打壞就知道自己做的電源能抗多大的電壓，做安規(guī)認(rèn)證時(shí)，心里有底。如果客戶有要求更高的電壓也知道怎么處理。參考 EN61000- 4-2。5、EFT這個(gè)沒(méi)有出現(xiàn)過(guò)問(wèn)題2KU參考EN61000- 4-4。6、雷擊，差模1K,共模2K,采用壓敏14D471,有輸入大電解， 走

26、線沒(méi)有大問(wèn)題基本PASS碰到過(guò)雷擊不過(guò)的情況，小功率 5Vy 10W 的打掛了，采用能抗雷擊的電解電容。單極PFC做反激打掛了 MOSFET 在輸入橋堆后加入二極管與電解電容串聯(lián)，電容吸收能量。 LED電源 打2K與4K的情況，4KV就要采用壓敏電阻+ GD啲形式。參考EN61000 4-5。EFT ESD SURG有A, B, C等級(jí)。一般要A等級(jí)：干擾對(duì)電源無(wú) 影響。7、低溫起機(jī)。一般便宜的電源，溫度范圍是0 45C,貴的，工業(yè)類，或者LED什么的有要求40C 60C，甚至到85C。 40C 的時(shí)候輸入NTC增大了 N倍,輸入電解電容明顯不夠用了，ESR很艮大， 還有PFC如果用500V的

27、MOSFE也是有點(diǎn)危險(xiǎn)的（低溫時(shí) MOSFE的 耐壓值變低）。之前碰到過(guò)90V輸入的時(shí)候輸出電壓跳，或者是 LED 閃幾次才正常起來(lái)。增加輸入電容容量，改小 NTC增加VCC電容， 軟啟動(dòng)時(shí)間加長(zhǎng)，初級(jí)限流（輸入容量不夠，導(dǎo)致電壓很低，電流很 大，觸發(fā)保護(hù)）從1. 2倍放大到1. 5倍，IC的VCC繞組增加2T輔 助電壓抬高；查找保護(hù)線路是否太極限，低溫被觸發(fā)（如PFC過(guò)壓易被觸發(fā)）。5、傳導(dǎo)整改注意細(xì)節(jié)基本性能和安規(guī)基本問(wèn)題解決掉，剩下個(gè)傳導(dǎo)和輻射問(wèn)題。這個(gè)時(shí) 候可以跟客戶談后續(xù)價(jià)格，自己優(yōu)化下線路。跟安規(guī)工程師確認(rèn)安規(guī)問(wèn)題，跟產(chǎn)線的工程師確認(rèn)后續(xù)PCB上元器件是否需要做位置的更 改，產(chǎn)線是

28、否方便操作等問(wèn)題?；蛘哂写?AI，過(guò)回流焊波峰焊的問(wèn) 題，及時(shí)對(duì)元器件調(diào)整。1、傳導(dǎo)和輻射測(cè)試大家看得比較多，論壇里面也講的多，實(shí)際上 這個(gè)是個(gè)砸錢的事情。砸錢砸多了，自然就會(huì)了，整改也就快了。能改的地方就那么幾個(gè)。1、這個(gè)里面看不見(jiàn)的，特別重要的就算是PCB 了，有厲害的可以找到PC吐的線，割斷，換個(gè)走線方式就可以搞掉 3個(gè)dB,余量就有了。2、一般看到筆記本電源適配器，接電腦的部分就有個(gè)很丑的砣， 這個(gè)就是個(gè)EMI濾波器，從適配器出線的部分到筆記本電腦這么長(zhǎng)的 距離，可以看成是1條天線，增加一個(gè)濾波器，就可以濾除損耗。所 以一般開(kāi)關(guān)電源的輸出端有一個(gè)濾波電感，效果也是一樣的。a 41020

29、40 too 200 400 1GFREQ UE NC 丫 (MHz)ZRXLZ f R, AND Xl vs, FREQUENCY eooo0 1800E 1600§ 14002 12QOLLIoiUJrL.n100(800600400a do3、輸入濾波電感，功率小的，UU型很好用，功率大的基本用環(huán)型 和ET型。公司有傳導(dǎo)實(shí)驗(yàn)室或者傳導(dǎo)儀器的倒是可以有想法了就去 折騰下。要是要去第三方實(shí)驗(yàn)室的就比較痛苦了， 光整改材料都要帶 一堆。濾波電感用高導(dǎo)的10K材料比較好，對(duì)傳導(dǎo)輻射抑制效果都不 錯(cuò)，如果傳導(dǎo)差的話，可以改12K 15K的，輻射差的話可以改5K, 7K的材質(zhì)。4、輸入X電

30、容，能用小就用小，主要是占地方。這個(gè)要配合濾波 電感調(diào)整的。5、Y電容，初次級(jí)沒(méi)有裝Y電容，或者Y電容很小的話一般從150K 30M都是飄的，或者飛出限值了的，裝個(gè) 471 222就差不多了。Y 電容的接法直接影響傳導(dǎo)與輻射的測(cè)試數(shù)據(jù)， 一般為初級(jí)地接次級(jí)的 地，也有初級(jí)高壓，接次級(jí)地，或者放2個(gè)丫電容初級(jí)高壓和初級(jí)地都接次級(jí)的地，沒(méi)有調(diào)好之前誰(shuí)也說(shuō)不準(zhǔn)的。Y電容上串磁珠，對(duì)10MHZ上有效果，但也不全是。每個(gè)人調(diào)試傳導(dǎo)輻射的方法和方式 都有差異機(jī)種也不同，問(wèn)題也不同，所以也許我的方法只適合我自己 用。無(wú)丫方案大部分是靠改變變壓器來(lái)做的，而且功率不好做大。6、MOSFE吸收，DS直接頂多能接個(gè)

31、221，要不溫度就太高了，一 般47pF, 1OOpF。RCD吸收，可以在C上串個(gè)10-47Q電阻吸收尖峰。 還可以在D上串10- 100Q的電阻，MOSFE的驅(qū)動(dòng)電阻也可以改為 100Q以內(nèi)。7、輸出二極管的吸收，一般采用 RC吸收足夠了。8變壓器，變壓器有銅箔屏蔽和線屏蔽，銅箔屏蔽對(duì)傳導(dǎo)效果好， 線屏蔽對(duì)輻射效果好。至于初包次，次包初，還有些其他的繞法都是 為了好過(guò)傳導(dǎo)輻射。9、對(duì)于PFC做反激電源的，輸入部分還需要增加差模電感。一般 用棒形電感，或者鐵粉芯的黃白環(huán)做。10、整改傳導(dǎo)的時(shí)候在10- 30MHz部分盡量壓低到有15- 20dB余 量，那樣輻射比較好整改。開(kāi)關(guān)頻率一般在65KH

32、z看傳導(dǎo)的時(shí)候可以看到65K的倍頻位置， 一般都有很高的值?？傊簜鲗?dǎo)的現(xiàn)象可以看成是功率器件的開(kāi)關(guān)引起的振蕩在輸入線 上被放大了顯示出來(lái)，避免振蕩信號(hào)出去就要避免高頻振蕩， 或者把 高頻振蕩吸收掉，損耗掉，以至于顯示出來(lái)的時(shí)候不超標(biāo)。6、輻射整改注意細(xì)節(jié)1、PCB的走線按照布線規(guī)則來(lái)做即可。當(dāng) PCB有空間的時(shí)候可以 放2個(gè)Y電容的位置：初級(jí)大電容的+到次級(jí)地；初級(jí)大電容到次 級(jí)地，整改輻射的時(shí)候可以調(diào)整。2、 對(duì)于2芯輸入的，Y電容除了上述接法還可以在L, N輸入端， 保險(xiǎn)絲之后接成丫型，再接次級(jí)的地，3芯輸入時(shí)，Y電容可以從輸 入輸出地接到輸入大地來(lái)測(cè)試。3、磁珠在輻射中間很重要，以前用

33、過(guò)的材料是 K5A K5C磁珠的阻抗曲線與磁芯大小和尺寸有關(guān)。 如圖所示，不同的磁珠對(duì)不同的頻 率阻抗曲線不同。但是都是把高頻雜波損耗掉，成了熱量（30MH500MHZ。一般MOSFET輸出二極管，RCD吸收的D,橋堆，丫電容都 可以套磁珠來(lái)做測(cè)試。4、輸入共模電感：如果是2級(jí)濾波，第一級(jí)的濾波電感可以考慮 用0. 5-5mH左右的感量，蝶形繞法，5K10K材質(zhì)繞制，第一級(jí)對(duì) 輻射壓制效果好。如果是3芯輸入，可以在輸入端進(jìn)線處用三層絕緣 線在K5A等同材質(zhì)繞3 10圈，效果巨好。5、輸出共模電感，一般采用高導(dǎo)磁芯 5K- 10K的材料，特殊情況 輻射搞不定也可以改為K5A等同材質(zhì)。6、MOSF

34、ETS極上串入磁珠，輸入電阻加大，DS直接并聯(lián)22 220pF 高壓瓷片電容可以改善輻射能量，也可以換不同電流值的 MOS或者 不同品牌的MOSFE測(cè)試。7、輸出二極管，二極管上套磁珠可以改善輻射能量。二極管上的 RC吸收也對(duì)輻射有影響。也可以換不同電流值來(lái)測(cè)試，或者更換品 牌8、RCD吸收，C更改容量，R改阻值，D可以用FR107 FR207改為 慢管，但是需要注意慢管的溫度。 RCD里面的C可以串小阻值電阻。9、VCC的繞組上也有二極管，這個(gè)二極管也對(duì)輻射影響大，一般 采取套磁珠，或者將二極管改為1N4007或者其他的慢管。10、最關(guān)鍵的變壓器。能少加屏蔽就少加屏蔽，沒(méi)辦法的情況也只能改變

35、壓器了。變壓器里面的銅箔屏蔽對(duì)輻射影響大， 線屏蔽是最有 效果的。一般改不動(dòng)的時(shí)候才去改變壓器。11、 輻射整改時(shí)的效率。套滿磁珠的電源先做測(cè)試，PASS勺情況, 再逐個(gè)剪掉磁珠。fail的情況，在輸入輸出端來(lái)套磁環(huán)，判斷輻射信號(hào)是從輸入還是輸出發(fā)射出來(lái)的。套了磁環(huán)還是fail的話，證明輻射能量是從板子上出來(lái)的。這個(gè) 時(shí)候要找實(shí)驗(yàn)室的兄弟搞個(gè)探頭來(lái)測(cè)試，看看是哪個(gè)元器件輻射的能 量最大，哪個(gè)原件在超出限值的頻率點(diǎn)能量最高，再對(duì)對(duì)應(yīng)的元件整 改。輻射的現(xiàn)象可以看成是功率器件在高速開(kāi)關(guān)情況下， 寄生參數(shù)引起 的振蕩在不同的天線上發(fā)射出去，被天線接收放大了顯示出來(lái)，避免 振蕩信號(hào)出去就要避免咼頻振蕩

36、，改變振蕩頻率或者把咼頻振蕩吸收 掉，損耗掉，以至于顯示出來(lái)值的時(shí)候不超標(biāo)。磁珠的運(yùn)用有個(gè)需要注意的地方，套住 MOSFE的時(shí)候，MOSFE最 好是要打K腳，套入磁珠后點(diǎn)膠固定，如果磁珠松動(dòng)，可能導(dǎo)電引起MOSFE短路。有空間的情況下盡量采用帶線磁珠。7、PCB定型改版試生產(chǎn)注意細(xì)節(jié)傳導(dǎo)輻射整改完成后，PCB可以定型了，最好按照生產(chǎn)的工藝要求 來(lái)做改善，更新一版PCB避免生產(chǎn)時(shí)碰到問(wèn)題。1、驗(yàn)證電源的時(shí)刻到了，客戶要求，規(guī)格書。電源樣品拿給測(cè)試 驗(yàn)證組做測(cè)試驗(yàn)證了。之前問(wèn)題都解決了的話，驗(yàn)證組是沒(méi)問(wèn)題的， 到時(shí)間拿報(bào)告就可以了。2、準(zhǔn)備小批量試產(chǎn)，走流程，準(zhǔn)備物料，整理 BOM與提供樣機(jī)給 生

37、產(chǎn)部同事。3、準(zhǔn)備做認(rèn)證的材料（保險(xiǎn)絲，MOSFE等元器件）與樣機(jī)以及做 認(rèn)證的關(guān)鍵元器件清單等文檔性材料。關(guān)鍵元器件清單里面的元件一 般寫3個(gè)以上的供應(yīng)商。認(rèn)證號(hào)一定要對(duì)準(zhǔn)，錯(cuò)了的話，后續(xù)審廠會(huì) 有不必要的麻煩。剩下的都是一些基本的溝通問(wèn)題了。做認(rèn)證時(shí)碰到過(guò)做認(rèn)證的時(shí)候溫升超標(biāo)了的，只能加導(dǎo)熱膠導(dǎo)出 去?；蛘咛岣咝?，把傳導(dǎo)與輻射的余量放小。這種問(wèn)題一般是自己做測(cè)試時(shí)余量留得太少，很難碰到的。4、一般認(rèn)證2個(gè)月左右能拿到的。2個(gè)月的時(shí)間足夠把試產(chǎn)做好 了。5、試產(chǎn)問(wèn)題：基本上都是要改大焊盤，插件的孔大小更改，絲印位置的更改等。6、試產(chǎn)的測(cè)試按IPS和產(chǎn)線測(cè)試的規(guī)章制度完成。碰到過(guò)裸板耐壓打不

38、過(guò)的，原因竟然是把裸板放在綠色的靜電皮上 操作；也有是麥拉片折痕處貼的膠帶磨損了。7、輸入有大電容的電源，需要要求測(cè)試的工序里面增加一條，測(cè) 試完畢給大電容放電的一個(gè)操作流程。8試產(chǎn)完成后開(kāi)個(gè)試產(chǎn)總結(jié)會(huì)，試產(chǎn) PASS PCB可以開(kāi)模了。量 產(chǎn)基本上是不會(huì)找到研發(fā)工程師了，頂多就是替代料的事宜。9、做完一個(gè)產(chǎn)品，給自己寫點(diǎn)總結(jié)什么的，其中的經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)，或 者是有點(diǎn)失敗的地方，或者是不同IC的特點(diǎn)。項(xiàng)目做多了，自然就 會(huì)了。整個(gè)開(kāi)發(fā)過(guò)程中都是一個(gè)團(tuán)隊(duì)的協(xié)作， 所以很厲害的工程師，溝通 能力也是很強(qiáng)的，研發(fā)一個(gè)產(chǎn)品要跟很多部門打交道， 技術(shù)類的書要 看，技術(shù)問(wèn)題也要探討，同時(shí)溝通與禮儀方面的知識(shí)也要

39、學(xué)習(xí)，有這 些前提條件，開(kāi)發(fā)起來(lái)也就容易多了。8 20年經(jīng)驗(yàn)資深工程師的感慨我順便提一下，上面原理圖中18的此飽和是500MT即5000高斯， 0，5特斯拉，普通鐵氧體到不了 5000吧，頂多4000,好像才3500 吧，所以一般的磁通密度選擇1500高斯，變壓器小的可以選大一些， 變壓器大的要選小一些，頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。從我干開(kāi)關(guān)電源近二十年，算是老手了，我非常深有體會(huì)的是，開(kāi) 關(guān)電源最難的是環(huán)路參數(shù)，非常不好確定，普遍不大穩(wěn)定就是環(huán)路沒(méi) 有調(diào)好，這個(gè)是一個(gè)大問(wèn)題了，太多搞不定的就是這個(gè)問(wèn)題了，還有 變壓器參數(shù)的選擇也是一個(gè)難點(diǎn)，有人說(shuō)變壓器的分量非常大，確定 多少匝比，規(guī)格，如果鐵損線損一樣最好，絞在一起了，無(wú)法確定哪 個(gè)多哪個(gè)少了，還有，如何確定磁通密度多少為最合適，也是非常難 了，這個(gè)多年的經(jīng)驗(yàn)非常重要，許多人變壓器不懂設(shè)計(jì)，還有，風(fēng)鈴 可以磁通大一些，自冷要小一些，都不是一件容易的事情?，F(xiàn)在是很多人知識(shí)匱乏，沒(méi)有無(wú)線電技術(shù)的知識(shí)，那一些新手根本 不懂，把PCB布成整齊的非常隨意的任意走線了，很像精細(xì)，那根本 胡鬧，不能用的版了，新一代的知識(shí)多元化，誘惑太大了，什么人都 可以上大學(xué)了，比如一些職高的普高沒(méi)畢業(yè)的人也上大學(xué)了， 應(yīng)試教 育也是大問(wèn)題，人才質(zhì)量不行了，什么也不懂的人多了，他們照