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1、東北大學(xué)15年12月考試?電力電子電路?期末考核作業(yè)標(biāo)準(zhǔn)答案 注:請您單面打印,使用黑色或藍(lán)色筆,手寫完成作業(yè)。杜絕打印,抄襲作業(yè)。一、單項(xiàng)選擇題每題2分,共10分1. 場效應(yīng)管三個(gè)電極分別為( )。A.
2、 發(fā)射極,基極,集電極; B.第一基極,發(fā)射極,第二基極;C. 源極,柵極,漏極; D.陰極,門極,陽極。2. 電壓與電流波形相同的是
3、; 。A. 三相半波整流電路,電阻性負(fù)載B. 三相半波整流電路,電感性負(fù)載C. 單相全控橋式整流電路,電感性負(fù)載D. 帶續(xù)流二極管的單相半控橋式整流電路,電感性負(fù)載3. 三相橋式全控整流電路,大電感負(fù)載,變壓器副側(cè)繞組的電流有效值I2是
4、160; 。A. B. C. D. 4. 三相半波可控整流電路,電阻性負(fù)載,
5、 是ud波形連續(xù)和斷續(xù)的分界點(diǎn)。A. 30° ° ° °5. 自然換流點(diǎn)在相電壓波形正半周輪廓線交點(diǎn)的電路是
6、60; 。A. 三相零式共陰極組整流電路 C.三相橋式全控整流電路 二、多項(xiàng)選擇題每題4分,共20分1. 全控型電力電子器件有
7、60; 。A. Thyristor、GTR、P-MOSFET、IGBT B.GTR、P-MOSFET、IGBT、IGCTC.IGBT、MCT、GTR、GTO
8、 D.Power Diode、MCT、GTO、IGBT2. 是電流控制型電力電子器件。A. GTR、GTO B.TRIAC、GTRC.P-MOSF
9、ET、IGBT D.GTO、TRIAC3. 交流調(diào)功電路 &
10、#160; 。A. 通過改變接通周波數(shù)與斷開周波數(shù)的比值來調(diào)節(jié)負(fù)載所消耗的平均功率; B. 靠改變移相觸發(fā)角來改變輸出功率; C. 將電源接通幾個(gè)周波,再斷開幾個(gè)周波; D. 每個(gè)周期的控制觸發(fā)角固定不變。 4. 造成逆變失敗的原因是 。 A.
11、60;交流電源缺相或斷電; B. 晶閘管損壞擊穿、短路等;C. 觸發(fā)器故障脈沖喪失、脈沖不整齊、脈沖相序不對、脈沖延遲、觸發(fā)功率過小及逆變角過小等。 D. 晶閘
12、管額定電壓太高。5. 三相橋式全控整流電路,觸發(fā)信號(hào)應(yīng)采用 。A. 寬脈沖 B.窄脈沖 C.雙寬脈沖 三、每題5分,共20分1. 列舉出三種晶閘管變流裝置的過電壓保護(hù)方法。2. P-MOSFET的輸出特性分為哪三個(gè)區(qū)域?3. 三相橋式全控整流電路,晶閘管承受的最大正、反向電壓為多少? 4. 無源逆變電路分為電壓型和電流型兩種的依據(jù)是什么? 四共10分額定電流為IF=100A的晶閘管,當(dāng)導(dǎo)通角分別為90o,180o時(shí),允許的晶閘管峰值電流各為多少? 五共20分三相半波可控電路,U2=100V,E=30V,Rå=1W,L=。分別求出b=90o時(shí)和b=60o時(shí)的Idb值。六共20分三相全控橋式變流電路,反
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