人教版化學(xué)選修三重點(diǎn)強(qiáng)化

1、1V1·重點(diǎn)強(qiáng)化教案本節(jié)內(nèi)容選修三重難點(diǎn)精析重點(diǎn)難點(diǎn)1.分子中心原子的雜化類(lèi)型及分子的立體構(gòu)型2.分類(lèi)比較晶體的熔沸點(diǎn)3.常見(jiàn)的晶體模型的考察4.晶胞的相關(guān)結(jié)構(gòu)考察與計(jì)算（配位數(shù)、密度、相關(guān)的計(jì)算等）教學(xué)內(nèi)容一、 基礎(chǔ)回顧【難點(diǎn)一 分子中心原子的雜化類(lèi)型及分子的立體構(gòu)型】1.價(jià)層電子對(duì)互斥理論電子對(duì)數(shù)成鍵對(duì)數(shù)孤電子對(duì)數(shù)電子對(duì)立體構(gòu)型（VSEPR）分子立體構(gòu)型實(shí)例鍵角220直線型330三角形21440正四面體形3122（1）價(jià)層電子對(duì)互斥理論說(shuō)明的是價(jià)層電子對(duì)的立體構(gòu)型（也可以叫VSEPR模型），而分子的立體構(gòu)型是指成鍵電子對(duì)的立體構(gòu)型，不包括孤電子對(duì)。（2）孤電子對(duì)數(shù)的計(jì)算公式： （

2、a-xb）/2 2.常見(jiàn)物質(zhì)的雜化類(lèi)型和立體模型化學(xué)式孤電子對(duì)數(shù)鍵電子對(duì)數(shù)價(jià)層電子對(duì)數(shù)VSEPR模型名稱(chēng)分子或離子的立體模型名稱(chēng)中心原子的雜化類(lèi)型CO2ClO-HCN乙炔 / / / /H2OH2SSO2BF3SO3CO32-NO3-HCHONH3NCl3H3O+SO32-ClO3-CH4NH4+SO42-PO43-金剛石/石墨/CH2=CH2/C6H6/CH3COOH/*等電子體原子結(jié)構(gòu)相似，如CO2是直線形分子，CNS- 、NO2+、N3-與CO2是等電子體，所以分子結(jié)構(gòu)均為直線形，中心原子均采用sp雜化?！倦y點(diǎn)二 分類(lèi)比較晶體的熔沸點(diǎn)】晶體類(lèi)型物質(zhì)類(lèi)別及舉例晶體的熔、沸點(diǎn)比較及舉例分子晶

3、體所有的非金屬氫化物（如水、硫化氫）、部分非金屬單質(zhì)（如鹵素X2）、部分非金屬氧化物（如CO2、SO2）、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)的有機(jī)物（有機(jī)鹽除外）（1） 分子間作用力越大，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高；具有氫鍵的分子晶體，熔沸點(diǎn)異常地高（試比較H2O、H2S、H2Se和H2Te的熔沸點(diǎn)高低并說(shuō)明原因） （2） 組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越高，（試比較SnH4、CH4、SiH4和GeH4的熔沸點(diǎn)） （3） 組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)（相對(duì)分子質(zhì)量接近），分子的極性越大，其熔沸點(diǎn)越 。如： （4）同分異構(gòu)體的芳香烴，其熔沸點(diǎn)的順序?yàn)椋亨?gt;間>對(duì)位化合物原子晶體部分非金屬單質(zhì)

4、（如金剛石、硅、晶體硼），部分非金屬化合物（如SiC、SiO2）由共價(jià)鍵形成的原子晶體中，原子的半徑小的鍵長(zhǎng)短，鍵能大，晶體的熔沸點(diǎn)越高。（試比較金剛石、碳化硅、硅和石英的熔沸點(diǎn)高低） 離子晶體金屬氧化物（如NaCl）、強(qiáng)堿、絕大部分鹽一般來(lái)說(shuō)，陰、陽(yáng)離子所帶的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，其離子晶體的熔沸點(diǎn)就越高。（試比較MgCl、NaCl、MgO和CsCl的熔沸點(diǎn)高低） 金屬晶體金屬單質(zhì)與合金（如Na、Al、Fe、青銅）一般來(lái)說(shuō)，金屬半徑越小，離子所帶電荷數(shù)越多，其金屬鍵越強(qiáng)，金屬的熔沸點(diǎn)也就越高，如第A族的金屬熔沸點(diǎn)高低為： 【難點(diǎn)三 常見(jiàn)的晶體模型的考察】（強(qiáng)化記憶?。?. 原子晶體（金剛

5、石與二氧化硅） (1) 金剛石晶體中，每個(gè)C與另外 個(gè)C形成共價(jià)鍵，C-C之間的夾角是 ，最小的環(huán)是 元環(huán)。含有1molC的金剛石中，形成的共價(jià)鍵有 mol。（2） SiO2晶體中，每個(gè)Si與 個(gè)O成鍵，每個(gè)O與 個(gè)Si成鍵，最小的環(huán)是 元環(huán)，在“硅氧”四面體中，處于中心的是 Si原子。*試比較金剛石和石墨的熔沸點(diǎn)高低？2. 離子晶體 （1）NaCl型：在晶體中，每個(gè)Na+同時(shí)吸引 個(gè)Cl-，每個(gè)Cl-同時(shí)吸引 個(gè)Na+,配位數(shù)為 。每個(gè)晶胞含 和Na+和 個(gè)Cl-；與Na+等距且最近的Na+有 個(gè)，與Cl-等距且最近的Cl-有 個(gè)。（2）CsCl型：在晶體中，每個(gè)Cs+同時(shí)吸引 個(gè)Cl-，每

6、個(gè)Cl-同時(shí)吸引 個(gè)Cs+,配位數(shù)為 。每個(gè)晶胞含 和Cs+和 個(gè)Cl-；與Cs+等距且最近的Cs+有 個(gè)，與Cl-等距且最近的Cl-有 個(gè)。（3）CaF2型：在晶體中，每個(gè)Ca+同時(shí)吸引 個(gè)F-，配位數(shù)為 ，每個(gè)F-同時(shí)吸引 個(gè)Ca+,配位數(shù)為 。每個(gè)晶胞含 和Ca+和 個(gè)F-；與Ca+等距且最近的Ca+有 個(gè)，與F-等距且最近的F-有 個(gè)。3.金屬晶體簡(jiǎn)單立方堆積-Po：配位數(shù)為 ，空間占用率 ，每個(gè)晶胞含 個(gè)原子。體心立方堆積-K型（Na、K、Fe）：配位數(shù)為 ，空間占用率 ，每個(gè)晶胞含 個(gè)原子。六方最密堆積-Mg型（Mg、Zn、Ti）：配位數(shù)為 ，空間利用率 ，每個(gè)晶胞含 個(gè)原子。面心

7、立方堆積-Cu型（Cu、Ag、Au）：配位數(shù)為 ，空間利用率 ，每個(gè)晶胞含 個(gè)原子。二、 典例分析【例題一 高考選修三基本題型】鈣鈦礦晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示（1）該晶體結(jié)構(gòu)中氧、鈦、鈣的離子個(gè)數(shù)比是 ，化學(xué)式可表示為 （2）在該物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)中，每個(gè)鈦離子周?chē)c它最接近且距離相等的鈦離子、鈣離子各有 、 個(gè)（3）若鈣、鈦、氧三元素的相對(duì)原子質(zhì)量分別為a，b，c，晶體結(jié)構(gòu)圖中正方體邊長(zhǎng)(鈦原子之間的距離)為dnm（1nm=10-9m），則該晶體的密度為 g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示）【提升訓(xùn)練】氮化硼（BN）是一種重要的功能陶瓷材料。以天然硼砂為起始物，經(jīng)過(guò)一系列反應(yīng)可以得到BF3和BN，如

8、下圖所示請(qǐng)回答下列問(wèn)題：（1）由B2O3制備BN的化學(xué)方程式是 （2）基態(tài)B原子的電子排布式為 ；B和N相比，電負(fù)性較大的是 ，BN中B元素的化合價(jià)為 （3）在BF3分子中，F(xiàn)-B-F的鍵角是 ， B原子的雜化軌道類(lèi)型為 ，BF3和過(guò)量NaF作用可生成NaBF4，BF- 4的立體構(gòu)型為 （4）在與石墨結(jié)構(gòu)相似的六方氮化硼晶體中，層內(nèi)B原子與N原子之間的化學(xué)鍵為 ，層間作用力為 （5） 六方氮化硼在高溫高壓下，可以轉(zhuǎn)化為立方氮化硼，其結(jié)構(gòu)與金剛石相似，硬度與金剛石相當(dāng)，晶胞邊長(zhǎng)為361.5 pm，立方氮化硼的一個(gè)晶胞中含有 個(gè)氮原子、 個(gè)硼原子，立方氮化硼的密度是 gcm-3（只要求列算式，不必

9、計(jì)算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)為NA，上圖為金剛石晶胞）【例題二 考察常見(jiàn)晶體的基本知識(shí)點(diǎn)】(2019·全國(guó)卷·37)化學(xué)選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)碳及其化合物廣泛存在于自然界中?；卮鹣铝袉?wèn)題:(1)處于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用形象化描述。在基態(tài)14C原子中,核外存在對(duì)自旋相反的電子。(2)碳在形成化合物時(shí),其鍵型以共價(jià)鍵為主,原因是 。(3)CS2分子中,共價(jià)鍵的類(lèi)型有,C原子的雜化軌道類(lèi)型是,寫(xiě)出兩個(gè)與CS2具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子。(4)CO能與金屬Fe形成Fe(CO)5,該化合物的熔點(diǎn)為253 K,沸點(diǎn)為376 K,其固體屬于晶體

10、。(5)碳有多種同素異形體,其中石墨烯與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示:在石墨烯晶體中,每個(gè)C原子連接個(gè)六元環(huán),每個(gè)六元環(huán)占有個(gè)C原子。在金剛石晶體中,C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán),每個(gè)C原子連接個(gè)六元環(huán),六元環(huán)中最多有個(gè)C原子在同一平面?！纠}三 陌生晶胞與元素推斷】 前四周期原子序數(shù)依次增大的元素A，B，C，D中，A和B的價(jià)電子層中未成對(duì)電子均只有1個(gè)，平且A-和B+的電子相差為8；與B位于同一周期的C和D，它們價(jià)電子層中的未成對(duì)電子數(shù)分別為4和2，且原子序數(shù)相差為2回答下列問(wèn)題：（1）D2+的價(jià)層電子排布圖為 （2）四種元素中第一電離最小的是 ，電負(fù)性最大的是 （填元素符號(hào)）（3）A、B和D

11、三種元素組成的一個(gè)化合物的晶胞如圖所示該化合物的化學(xué)式為 ；D的配位數(shù)為 列式計(jì)算該晶體的密度 g·cm-3（4）A-、B+和C3+三種離子組成的化合物B3CA6，其中化學(xué)鍵的類(lèi)型有 ；該化合物中存在一個(gè)復(fù)雜離子，該離子的化學(xué)式為 ，配位體是 【變式訓(xùn)練】（1）某晶體的部分結(jié)構(gòu)為正三棱柱，這種晶體中A、B、C三種微粒數(shù)目之比為（ ）A.394 B.142 C.294 D.384（2）前些年報(bào)道的硼和鎂形成的化合物刷新了金屬化合物超導(dǎo)溫度的最高記錄。如圖所示是該化合物的晶體結(jié)構(gòu)單元：鎂原子間形成正六棱柱，且棱柱的上下底面還各有1個(gè)鎂原子，6個(gè)硼原子位于棱柱內(nèi)。則該化合物的化學(xué)式可表示為

12、（ ）A.MgB B.MgB2 C.Mg2B D.Mg3B2【例題四】有關(guān)晶胞的計(jì)算題專(zhuān)練*【原子坐標(biāo)參數(shù)類(lèi)考題】1.晶胞有兩個(gè)基本要素：原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置，下圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0,0,0）；B為（，0，）；C為（，0）。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為_(kāi)。晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76 pm，其密度為_(kāi)g·cm-3（列出計(jì)算式即可）。(；)；?！揪О芏阮?lèi)】1.M是第四周期元素，最外層只有1個(gè)電子，次外層的所有原子軌道均充滿電子。元素Y的負(fù)一價(jià)離子的最外層電子數(shù)與次外層的相同，M與Y形成的一種化合物的立方晶

13、胞如圖所示。該化合物的化學(xué)式為_(kāi)，已知晶胞參數(shù)a=0.542 nm，此晶體的密度為_(kāi)g·cm3。（寫(xiě)出計(jì)算式，不要求計(jì)算結(jié)果。阿伏加德羅常數(shù)為NA）CuCl 2.A、B為前三周期原子序數(shù)依次增大的兩種元素,A2-和B+具有相同的電子構(gòu)型。A和B能夠形成化合物F,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞參數(shù)a=0.566 nm,F的化學(xué)式為;晶胞中A原子的配位數(shù)為;列式計(jì)算晶體F的密度(g·cm-3) ?！窘獯稹扛鶕?jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知氧原子的個(gè)數(shù)=8×+6×=4,Na全部在晶胞中,共計(jì)是8個(gè),則F的化學(xué)式為Na2O。以頂點(diǎn)氧原子為中心,與氧原子距離最近的鈉原子的個(gè)數(shù)是8個(gè),即晶

14、胞中A原子的配位數(shù)為8。晶體F的密度=2.27 g·cm-3。3.ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm，密度為 g·cm-3（列式并計(jì)算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為 pm（列式表示）【與長(zhǎng)度相關(guān)的晶胞計(jì)算題】1.某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為_(kāi)。若合金的密度為dg/cm3，晶胞參數(shù)a=_nm3:12. MgO 具有 NaCl 型結(jié)構(gòu)（如圖），其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X 射線衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)得 MgO 的晶胞參數(shù)為 a=0.420nm

15、，則 r(O 2- )為_(kāi)nm。MnO 也屬于 NaCl 型結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)為 a' =0.448 nm，則 r(Mn 2+ )為_(kāi)nm。0.148 0.0763.晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料，具有鈣鈦礦型的立方結(jié)構(gòu)，邊長(zhǎng)為，晶胞中、分別處于頂角、體心、面心位置，如圖所示，與間的最短距離為_(kāi)，與緊鄰的個(gè)數(shù)為_(kāi)?！窘馕觥?最近的K和O是晶胞中頂點(diǎn)的K和面心的O，其距離為邊長(zhǎng)的/2倍。故。從晶胞中可以看出，在一個(gè)晶胞中與頂點(diǎn)K緊鄰的O為含有該頂點(diǎn)的三個(gè)面面心的O，即為個(gè)。由于一個(gè)頂點(diǎn)的K被八個(gè)晶胞共用，故與一個(gè)K緊鄰的O有：（個(gè)）。4.MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)（如圖），其中陰離子采用面

16、心立方最密堆積方式，X射線衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)得MgO的晶胞參數(shù)為a=0.420nm，則r（O2）為 nm。MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)為a'=0.448nm，則r（Mn2+）為 nm。（只用列出計(jì)算式）【解析】因?yàn)镺2是面心立方最密堆積方式，面對(duì)角線是O2半徑的4倍，即4r=a，解得r=(/4) ×0.420nm；MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu)，根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)，Mn2+構(gòu)成的是體心立方堆積，體對(duì)角線是Mn2+半徑的4倍，面上相鄰的兩個(gè)Mn2+距離是此晶胞的一半，因此有(/4) ×(/2) ×0.448nm?！敬鸢浮?/4) ×0.420 (/4) &

17、#215;(/2) ×0.448【百分率相關(guān)計(jì)算】1.GaAs的熔點(diǎn)為1238，密度為g·cm-3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類(lèi)型為_(kāi),Ga與As以_鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1，原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_(kāi)。原子晶體；共價(jià)鍵；。三、 針對(duì)練習(xí)（課后作業(yè)）1.在下列有關(guān)晶體的敘述中錯(cuò)誤的是（ ）A.分子晶體中，一定存在極性共價(jià)鍵B.原子晶體中，只存在共價(jià)鍵C.金屬晶體的熔沸點(diǎn)差別很大D.稀有氣體的原子能形成分子晶體

18、2.下列有關(guān)晶體結(jié)構(gòu)的敘述中，不正確的是（ ）A.冰晶體中，每個(gè)水分子與周?chē)罱?個(gè)水分子通過(guò)氫鍵相吸引，并形成四面體B.干冰晶體中，每個(gè)晶胞平均含有8個(gè)氧原子C.金剛石晶體中，碳原子與C-C鍵之比為12D.二氧化硅晶體中，最小環(huán)是由6個(gè)硅原子組成的六元環(huán)3.下列有關(guān)離子晶體的數(shù)據(jù)大小比較不正確的是（ ）A.熔點(diǎn)：NaFMgF2AlF3B.晶格能：NaFNaClNaBrC.陰離子的配位數(shù)：CsClNaClCaF2D.硬度：MgOCaOBaO4.有關(guān)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)和組成如圖所示，下列說(shuō)法中不正確的是（ ）A.在NaCl晶體中，距Na+最近的Cl-形成正八面體B.該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為EF或FEC

19、.在CO2 晶體中，一個(gè)CO2 分子周?chē)?2個(gè)CO2 分子緊鄰D.在碘晶體中，碘分子的排列有兩種不同的方向5.下圖為CaF2、H3BO3（層狀結(jié)構(gòu)，層內(nèi)的H3BO3分子通過(guò)氫鍵結(jié)合）、金屬銅三種晶體的結(jié)構(gòu)示意圖，請(qǐng)回答下列問(wèn)題： （1）圖所示的CaF2晶體中與Ca2+最近且等距離的F-數(shù)為 ，圖中未標(biāo)號(hào)的銅原子形成晶體后周?chē)罹o鄰的銅原子數(shù)為 （2）圖所示的物質(zhì)結(jié)構(gòu)中最外能層已達(dá)8電子結(jié)構(gòu)的原子是 ，H3BO3晶體中B原子個(gè)數(shù)與極性鍵個(gè)數(shù)比為 （3）金屬銅具有很好的延展性、導(dǎo)電性、傳熱性，對(duì)此現(xiàn)象最簡(jiǎn)單的解釋是用 理論（4）三種晶體中熔點(diǎn)最低的是 （填化學(xué)式），其晶體受熱熔化時(shí)，克服的微粒之

20、間的相互作用為 （5）已知兩個(gè)距離最近的Ca2+核間距離為a×10-8cm，結(jié)合CaF2晶體的晶胞示意圖，CaF2晶體的密度為 （列出表達(dá)式，MCaF2= 78 g·mol-1）6.VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：（1）S單質(zhì)的常見(jiàn)形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是 （2）O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?（3）Se原子序數(shù)為 ，其核外M層電子的排布式為 （4）H2Se的酸性比H2S （填“強(qiáng)”或“弱”）。氣態(tài)SeO3分子的立

21、體構(gòu)型為 ，SO2- 3離子的立體構(gòu)型為 （5）H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.2×10-2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋?zhuān)篐2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因 H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因 （6） ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm，密度為 g·cm-3（列式并計(jì)算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為 pm（列式表示）7.（2019新課標(biāo)三卷）37化學(xué)

22、選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（15分）砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽(yáng)能電池的材料等?；卮鹣铝袉?wèn)題：（1）寫(xiě)出基態(tài)As原子的核外電子排布式_。（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga_As，第一電離能Ga_As。（填“大于”或“小于”）（3）AsCl3分子的立體構(gòu)型為_(kāi)，其中As的雜化軌道類(lèi)型為_(kāi)。（4）GaF3的熔點(diǎn)高于1000，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9，其原因是_。（5）GaAs的熔點(diǎn)為1238，密度為g·cm-3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類(lèi)型為_(kāi),Ga與As以_鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa g·mol-1 和MAs g·

23、mol-1，原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_(kāi)?！靖呖颊骖}檢測(cè)】（定時(shí)完成+自我評(píng)分）1.（2019全國(guó)卷）化學(xué)選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（15分）研究發(fā)現(xiàn)，在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)（CO2+3H2=CH3OH+H2O）中，Co氧化物負(fù)載的Mn氧化物納米粒子催化劑具有高活性，顯示出良好的應(yīng)用前景?；卮鹣铝袉?wèn)題：（1）Co基態(tài)原子核外電子排布式為_(kāi)。元素Mn與O中，第一電離能較大的是_，基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)較多的是_。（2）CO2和CH3OH分子中C原子的雜化形式分別為_(kāi)和_。（3）在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)所涉及的4

24、種物質(zhì)中，沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)開(kāi)，原因是_。（4）硝酸錳是制備上述反應(yīng)催化劑的原料，Mn(NO3)2中的化學(xué)鍵除了鍵外，還存在_。（5）MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)（如圖），其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X射線衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)得MgO的晶胞參數(shù)為a=0.420 nm，則r(O2-)為_(kāi)nm。MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)為a' =0.448 nm，則r(Mn2+)為_(kāi)nm?！敬鸢浮浚?）1s22s22p63s23p63d74s2或Ar3d74s2 O Mn（2）sp sp3（3）H2O>CH3OH>CO2>H2H2O與CH3OH均為極性分子，H2O中氫鍵比甲醇多；C

25、O2與H2均為非極性分子，CO2分子量較大、范德華力較大（4）離子鍵和鍵（或鍵） （5）0.148 0.0762.（2019全國(guó)卷）化學(xué)選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（15分）鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉?wèn)題：（1）元素K的焰色反應(yīng)呈紫紅色，其中紫色對(duì)應(yīng)的輻射波長(zhǎng)為_(kāi)nm（填標(biāo)號(hào)）。A404.4B553.5 C589.2D670.8 E766.5（2）基態(tài)K原子中，核外電子占據(jù)最高能層的符號(hào)是_，占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為_(kāi)。K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低，原因是_。（3）X射線衍射測(cè)定等發(fā)現(xiàn)，I3As

26、F6中存在離子。離子的幾何構(gòu)型為_(kāi)，中心原子的雜化形式為_(kāi)。（4）KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料，具有鈣鈦礦型的立方結(jié)構(gòu)，邊長(zhǎng)為a=0.446 nm，晶胞中K、I、O分別處于頂角、體心、面心位置，如圖所示。K與O間的最短距離為_(kāi)nm，與K緊鄰的O個(gè)數(shù)為_(kāi)。（5）在KIO3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中，I處于各頂角位置，則K處于_位置，O處于_位置。3.（2019全國(guó)卷）化學(xué)選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（15分）我國(guó)科學(xué)家最近成功合成了世界上首個(gè)五氮陰離子鹽(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl（用R代表）?；卮鹣铝袉?wèn)題：（1）氮原子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式（電子排布圖）為 。（2）元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個(gè)電子形成氣態(tài)負(fù)一價(jià)離子時(shí)所放出的能量稱(chēng)作第一電子親和能（E1）。第二周期部分元素的E1變化趨勢(shì)如圖（a）所示，其中除氮元素外，其他元素的E