SiP器件的物理破壞性試驗(yàn)

1、SiP器件的物理破壞性試驗(yàn)產(chǎn)于SOP24生產(chǎn)線2。封裝體內(nèi)部有HT6221芯片，8050晶體管，47歐姆電阻和1K歐姆電阻。樣品由正常儲(chǔ)存條件下儲(chǔ)存100天的產(chǎn)品取出。當(dāng)然，選擇的樣品通過(guò)了所有的功能測(cè)試。III. 試驗(yàn)1、 C型掃描聲學(xué)顯微鏡預(yù)先檢測(cè)樣品用Sonoscan掃描。D6000，從頂部和背面兩邊到界面分層進(jìn)行檢測(cè)。檢測(cè)遵循MIL-STD-1580B標(biāo)準(zhǔn)。紅色區(qū)域表示界面分層。和如下成型前的圖片比較，分層出現(xiàn)在8050晶體管和電阻部位。圖1、樣品的C型掃描聲學(xué)顯微鏡圖像 IC 活性層和模塑料(a)，元件和引腳合金層粘結(jié)(b)C型掃描聲學(xué)顯微鏡圖像顯示每個(gè)功能樣品的活性層和粘結(jié)層沒(méi)有分

2、層，但是在電阻成型化合物和晶體成型化合物中發(fā)現(xiàn)分層。圖2 成型前的樣品圖片2、 可靠性試驗(yàn)和結(jié)果表1、試驗(yàn)項(xiàng)目和試驗(yàn)條件 項(xiàng)目 試驗(yàn)條件第一組 前提條件 260無(wú)鉛再流焊，3個(gè)循環(huán) HTSL第二組 （高溫儲(chǔ)存壽命） 150 1000小時(shí)第三組 TS（熱沖擊） -55+150，每個(gè)周期6分鐘，720個(gè)循環(huán)第四組 THB（高溫高濕偏置） 85，85RH，n源都是分層3。解決這些缺點(diǎn)的措施是選擇合適的模塑料化合物，其表現(xiàn)出更高的MSL和CTE與引線框架材料匹配。V.結(jié)論比較測(cè)試結(jié)果，SiP性能可靠性優(yōu)于單芯片封裝器件。這些試驗(yàn)揭示了再流焊對(duì)可靠性影響最大，其次是熱沖擊。 失效分析說(shuō)明了影響SiP器件可靠性的主要原因是模塑料材料和引線框架之間的匹配，類似于單芯片封裝。結(jié)論是，如果我們選擇合適的材料，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝，SiP不會(huì)降低封裝的可靠性，也就是，其影響能降至非常低的水平。然而全面的解決辦法水平，SiP當(dāng)然比PCB的解決辦法更合適，因?yàn)樗芎艽蟪潭壬虾?jiǎn)化程序。參考文獻(xiàn)：1、 Wu J h, Anderson M J,COLLER D等，射頻SIP技術(shù)創(chuàng)新通過(guò)一體化A.電子封裝技術(shù)第五次國(guó)際會(huì)議C。新澤西州, 美國(guó), 2003, 484-4912、 朱軍山，金玲，吳勝平，基于SOP的SiP/*/本文檔為3A學(xué)習(xí)網(wǎng)宣傳資料，