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文檔簡介
1、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版清華大學(xué)電子學(xué)教研組編童詩白華成英主編自測題與習(xí)題解答目錄第1章常用半導(dǎo)體器件 3第2章基本放大電路 14第3章多級放大電路 31第4章集成運算放大電路 41第5章放大電路的頻率響應(yīng) 50第6章放大電路中的反饋 60第7章信號的運算和處理 74第8章波形的發(fā)生和信號的轉(zhuǎn)換 90第9章功率放大電路 114第10章直流電源 126#第1章常用半導(dǎo)體器件自測題一、 判斷下列說法是否正確,用伙”和 V”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1) 在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為 P型半導(dǎo)體。(V )(2) 因為N型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負電。(X )(3) PN結(jié)
2、在無光照、無外加電壓時,結(jié)電流為零。(V )(4) 處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運動形成的。(X )(5) 結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵一源電壓應(yīng)使柵一源間的耗盡層承受反向電壓,才能保證其Rgs大的特點。(V )若耗盡型N溝道MOS管的Ugs大于零,則其輸入電阻會明顯變小。(X )二、選擇正確答案填入空內(nèi)。(1) PN結(jié)加正向電壓時,空間電荷區(qū)將A 。A.變窄 B.基本不變 C.變寬(2) 穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在C 。A.正向?qū)˙.反向截止C.反向擊穿(3) 當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時,發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為B 。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏
3、(4) Ugs=0V時,能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有A、C 。A.結(jié)型管 B.增強型MOS管C.耗盡型MOS管三、 寫出圖TI.3所示各電路的輸出電壓值,設(shè)二極管導(dǎo)通電壓Ud=0.7V。?<-O+Tnz©+O.圖 T1.3解:Uoi=1.3V, Uo2=0V, Uo3=-1.3V, Uo4=2V, Uo5=1.3V, Uo6=-2V。四、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值 Uz=6V ,穩(wěn)定電流的最小值lzmin = 5mA。求圖TI.4所示電路3中Uoi和Uo2各為多少伏。(b)圖 T1.4解:左圖中穩(wěn)壓管工作在擊穿狀態(tài),故Uoi=6V。右圖中穩(wěn)壓管沒有擊穿,故UO2= 5V。五、電路如圖T
4、1.5所示,Vcc=15V,-= 100,試問:(1) Rb=50k.時,Uo=?若T臨界飽和,貝U Rb=?解: (1)IB =VBB Ube =26A ,Rblc = 0|B =2.6mA,Uo 二Vcc -IcRc =2/。Ibs "cs/ 28.6'AVBB -U be 一I BS=45.5kf 15六、測得某放大電路中三個 MOS管的三個電極的電位如 表TI.6所示,它們的開啟 電壓也在表中。試分析各管的工作狀態(tài)(截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)),并填入表內(nèi)。表 T1.6AvV 口呂號U GS(th)/VUs/VUg/VUd/V工作狀態(tài)T14-513恒流區(qū)T2-4331
5、0截止區(qū)T3-4605可變電阻區(qū)解:因為三只管子均有開啟電壓,所以它們均為增強型MOS管。根據(jù)表中所示各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài),如表TI.6最后一欄所示。習(xí)題1.1選擇合適答案填入空內(nèi)。(1)在本征半導(dǎo)體中加入(A )元素可形成N型半導(dǎo)體,加入(C )元素可形成P型半導(dǎo) 體。A.五價B.四價C.三價(2)當(dāng)溫度升高時,二極管的反向飽和電流將(A)。A.增大B.不變C.減?。?)工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)Ib從12 uA增大到22 uA時,lc從ImA變?yōu)?mA,那么它的B約為(C )。A. 83B.91C.100當(dāng)場效應(yīng)管的漏極直流電流Id從2mA變?yōu)?mA時,它的低頻跨導(dǎo)gm將
6、(A )。A.增大;B.不變;C.減小1.2電路如圖P1.2所示,已知Ui =10sint(v),試畫出Ui與u。的波形。設(shè)二極管導(dǎo)通電壓可忽略不計。圖 P1.2解:ui與u°的波形如 解圖PI.2所示。1.3電路如圖P1.3所示,已知ui =5si nt(v),二極管導(dǎo)通電壓 Ud=0.7V。試畫出ui與u°的波形圖,并標(biāo)出幅值。1.4電路如圖P1.4所示,二極管導(dǎo)通電壓 交流信號可視為短路; ui為正弦波,有效值為 的有效值為多少?解:二極管的直流電流Ud=0.7V,常溫下Ut : 26mV,電容C對10mV。試問二極管中流過的交流電流Id =(V -Ud)/R =2.
7、6mA其動態(tài)電阻:圖 P1.4rD <-UT /1 D =10故動態(tài)電流的有效值:|d =Ui/rD : 1 mA1.5現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管,穩(wěn)壓值分別是6V和8V,正向?qū)妷簽?0.7V。試問:若將它們串聯(lián)相接,則可得到幾種穩(wěn)壓值?各為多少?(2)若將它們并聯(lián)相接,則又可得到幾種穩(wěn)壓值?各為多少?解:串聯(lián)相接可得 4種:1.4V; 14V ; 6.7V; 8.7V。(2) 并聯(lián)相接可得2種:0.7V ; 6V。1.6已知圖Pl.6所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓Uz =6V,最小穩(wěn)定電流IZmin =5mA,最大穩(wěn)定電流 Lmax =25mA。分別計算Ui為10V、15V、35V三種情況下輸出電
8、壓 U。的值;若U| =35V時負載開路,則會出現(xiàn)什么現(xiàn)象?為什么?75D遷脇Q陸解:(1)只有當(dāng)加在穩(wěn)壓管兩端的電壓大于其穩(wěn)壓值時,輸出電壓才為6V。 U| =10V 時,UORU| =3.3V ;R+Rl圖 Pl.6RU|=15V 時,UO - U|=5V ;R RlUI -35V 時,UORUI 11.7V UZ , UO=UZ=6V 。R + R_0.1當(dāng)負載開路時,Iz_U| -Uz-R= 29mA | z max =25mA ,故穩(wěn)壓管將被燒毀。1.7在圖Pl.7所示電路中,發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓 Ud =1.5V,正向電流在 515mA時才能正常工作。 試問:(1)開關(guān)S在什么位置時
9、發(fā)光二極管才能發(fā)光?(2)R的取值范圍是多少?o + r(TV)解:(1)S閉合。(2) R的范圍為:Rmin - (V - U d ) / I d max 233::Rmax =(V -Ud)/I D min 700'.1圖 P1.71.8現(xiàn)測得放大電路中兩只管子兩個電極的電流如圖P1.8所示。分別求另一電極圖 Pl.8解圖Pl.8#解:答案如解圖Pl.8所示。放大倍數(shù)分別為 飛=1mA/10A =100和“ =5mA/100A = 501.9測得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖P1.9所示。在圓圈中畫出管子,并說明它們是硅管還是鍺管。圖 P1.99#解:如解圖1.9。SiSiGc
10、tie#解圖1.91.10電路如圖P1.10所示,晶體管導(dǎo)通時Ube = 0.7V , 3=50。試分析 Vbb 為 0V、#1V、3V三種情況下T的工作狀態(tài)及輸出電壓 Uo的值。解:當(dāng)Vbb =0時,T截止,U° =12V(2)當(dāng)Vbb =1V時,因為1 BQVBB _U BEQRb= 60AI cq 二-I bq 二 3 mA#圖 P1.10Uo =Vcc TcqRc =9V#所以T處于放大狀態(tài)。Vbb LJ beq當(dāng)VBB3時,因為"十,Icq =2|bq =23mAL lCsUces -11.3mA ,所以 T 處于飽和狀態(tài)。Rc1.11電路如圖PI.11所示,晶體
11、管的3=50 , Ube =0.2V ,飽和管壓降 UC ES =°V ;穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 Uz = 5V ,正向?qū)妷?U d = 0.5V。試問:當(dāng) ul =0V 時 uO = ?;當(dāng) 5 - -5V 時 uO = ?解:當(dāng)U| =0V時,晶體管截止,穩(wěn)壓管擊穿,Uo - U z = _5V o+ I0H2當(dāng)q二-5V時,晶體管飽和,uo = -0.1V o因為:圖P1.11u -UIb = =480#A, lc| =0|Ib =24mA, Uec=Vcc- lc RC"Rb1.12分別判斷圖Pl.12所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。(a)(b)(c)十G
12、V解:(a)可能;(b)可能;(c)不能;(d)不能,T的發(fā)射結(jié)會因電流過大而損壞。(e)可能。1.13已知放大電路中一只 N溝道場效應(yīng)管三個極 、 的電位分別為4V、 8V、12V,管子工作在恒流區(qū)。試判斷它可能是哪種管子(結(jié)型管、MOS管、增強型、耗盡型),并說明、與G、S、D的對應(yīng)關(guān)系。解:管子可能是增強型管、耗盡型管和結(jié)型管, 三個極、與G、S、D的對應(yīng)關(guān)系如解圖Pl.13所示。解圖Pl.131.14已知場效應(yīng)管的輸出特性曲線如 圖Pl.14所示,畫出它在恒流區(qū)的轉(zhuǎn)移特性解圖Pl.14解:在場效應(yīng)管的恒流區(qū)作橫坐標(biāo)的垂線(如解圖Pl.14 (a)所示),讀出其與各條曲 線交點的縱坐標(biāo)值
13、及 Ugs值,建立i° =f(UGs)坐標(biāo)系,描點,連線,即可得到轉(zhuǎn)移 特性曲線,如 解圖Pl.14 (b)所示。1.15電路如 圖P1.15所示,T的輸出特性如 圖Pl.14 所示,分析當(dāng)* =4V、8V、12V 三種情況下場效應(yīng)管分別工作在什么區(qū)域。5V,根據(jù)圖Pl.15所解:根據(jù)圖P1.14所示T的輸出特性可知,其開啟電壓為 示電路可知UGS二U|。當(dāng)U|=4V時,Ugs小于開啟電壓,故 T截止。當(dāng)Ui=8V時,設(shè)T工作在恒流區(qū),根據(jù)輸出特性可知 iD : 0.6mA,管壓降 Uds >Vdd -ioRd : 10V,因此, UGD = UGS _ UDS -2V,小于開
14、啟電壓,說明假設(shè)成立,即 T工作在恒流區(qū)。圖 Pl.15當(dāng)U| =12V時,由于Vdd =12V,必然使T工作在可變電阻區(qū)。(b)DD(c)圖 P1.16(d)1.16分別判斷圖Pl.16所示各電路中的場效應(yīng)管是否有可能工作在恒流區(qū)。11#解:(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。#補充1.電路如補圖P1、(b)所示,穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 Uz =3V , R的取值合適,Ui的波形如圖(C)所示。試分別畫出Uoi和u°2的波形。補圖P1解:波形如下圖所示補充2.在溫度20°C時某晶體管的Icbo =2A,試問溫度是60°C時的Icbo二? 解:ICBO60
15、“CBO20 2 4 =224 =32A。補充3.有兩只晶體管,一只的3=200 , Iceo=2004A ;另一只的3=100Iceo =ioa,其它參數(shù)大致相同。你認為應(yīng)選用哪只管子?為什么?解:選用3=100 , Iceo MIOPIA的管子,因其3適中,Leo較小,因而溫度穩(wěn)定性較另一只管子好。補充4.電路如補圖P4所示,試問3大于多少時晶體管飽和?解:取UCES U BE,若管子飽和,則VCC UE=VCC We,即 Rb 二卞&Fc所以,Rb =100時,管子飽和。補圖P4Rc15第2章基本放大電路自測題一在括號內(nèi)用 “訝” “x表明下列說法是否正確。1只有電路既放大電流又
16、放大電壓,才稱其有放大作用。(X2.可以說任何放大電路都有功率放大作用。(力3放大電路中輸出的電流和電壓都是有源元件提供的。(X4電路中各電量的交流成分是交流信號源提供的。(X5放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作。(“6由于放大的對象是變化量,所以當(dāng)輸入直流信號時,任何放大電路的輸出都毫無 變化。(X7只要是共射放大電路,輸出電壓的底部失真都是飽和失真。(X試分析 圖T2.2各電路是否能放大正弦交流信號,簡述理由。設(shè)圖中所有電容對交流信號均可視為短路。(b)(c)扎hL j-itf V(d)(e)斗卜(g)(h)(i)圖 T2.2解:圖(a)不能。Vbb將輸入信號短路。圖(b)可以。圖
17、(c)不能。輸入信號與基極偏置是并聯(lián)關(guān)系而非串聯(lián)關(guān)系。圖(d)不能。晶體管基極回路因無限流電阻而燒毀。圖(e)不能。輸入信號被電容C2短路。圖(f)不能。輸出始終為零。圖(g)可能。圖(h)不合理。因為 G-S間電壓將大于零。圖(i)不能。因為T截止。三在圖T2.3所示電路中,已知 VCC =12V ,晶體管3 =100, Rb =10011。填空:要求先填文字表達式后填得數(shù)。(1)當(dāng)Ui =0V時,測得Ubeq =0.7V,若要基極電流Ibq =20A,則Rb和R之和Rb =( (Vcc _U beq ) / I bq )& ( 565 );而若測得 U ceq = 6V ,則 Rc
18、 = ( (Vcc _u CEQ ) / I BQ )& ( 3 )。(2)若測得輸入電壓有效值 U i二5mV時,輸出電壓有效值 U。-0.6V ,do6若負載電阻尺值與R,相等,則帶上圖 T2.3則電壓放大倍數(shù)丸=(-Uo/Uj )&( -120 )。負載后輸出電壓有效值 U 0 =(RlUo )=( 0.3 )V 。Rl +Rc四、 已知圖T2.3所示電路中VCC =12V,R, =3k ,靜態(tài)管壓降Uceq =6V,并在輸出端加負載電阻 Rl,其阻值為3 k 1。選擇一個合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的最大不失真輸出電壓有效值Uom叫 A );A.2VB.3VC.6V
19、當(dāng)Ui -1mV時,若在不失真的條件下,減小Rw,則輸出電壓的幅值將(C );A.減小B.不變C.增大在Ui =1mV時,將Rw調(diào)到輸出電壓最大且剛好不失真,若此時增大輸入電壓,則輸出電壓波形將(B );A.頂部失真B.底部失真C.為正弦波若發(fā)現(xiàn)電路出現(xiàn)飽和失真,則為消除失真,可將(B )。A. Rw減小B. Rc減小C. Vcc減小五、現(xiàn)有直接耦合基本放大電路如下:A.共射電路B.共集電路C.共基電路D.共源電路E.共漏電路它們的電路分別如 圖2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4 (a)>2.6.2和2.6. 9(a)所示;設(shè)圖中R:: Rb,且Icq、Idq均相等。選擇正確答案填
20、入空內(nèi),只需填 A、B、(1)輸入電阻最小的電路是(C),最大的是(D、E );輸出電阻最小的電路是(B);(3)有電壓放大作用的電路是(A、C、D );(4)有電流放大作用的電路是(A、B、D、E );(5)高頻特性最好的電路是(C);(6)輸入電壓與輸出電壓同相的電路是(B、C、E );反相的電路是(A、D )六、未畫完的場效應(yīng)管放大電路如圖T2.6所示,試將合適的場效應(yīng)管接入電路,使之能夠正常放大。要求給出兩種方案。19解:根據(jù)電路接法,可分別采用耗盡型 N溝道和P溝道MOS管,如解圖T2.6所示。O#圖 T2.6解圖T2.6習(xí)題2.1分別改正圖P2.1所示各電路中的錯誤,使它們有可能放
21、大正弦波信號。要 求保留電路原來的共射接法和耦合方式。(c) (d)圖 P2.1解:將-Vcc改為+Vcc。(b) 在+Vcc與基極之間加 Rb。(c) 將Vbb反接,且在輸入端串聯(lián)一個電阻。(d) 在Vbb支路加Rb,在-Vcc與集電極之間加 Rc。設(shè)所有電容對交流信號均可2.2畫出圖P2.2所示各電路的直流通路和交流通路。 視為短路。(c)解:將電容開路、變壓器線圈短路即為直流通路,圖略。 圖P2.2所示各電路的交流通路如 解圖P2.2所示;解圖P2.22.3分別判斷圖P2.2(a)、(b)所示兩電路各屬哪種放大電路,并寫出Q、A、 F和R的表達式。解:圖(a):VCC - U BEQRR
22、2(1 亦ICQ“BQU CEQ =Vcc-(1 JIbqRc。21#兒:譽,R 叫,R°=R2R3圖(b):dflWc Seq/MRsOf 】,Icq = :Ibq,U CEQ - VC _ 1 CQ R4 _ 1 EQ R1。AuRi,R 二尺亙,Ro 二民。rbe112.4電路如圖P2.4 (a)所示,圖(b)是晶體管的輸出特性,靜態(tài)時Ubeq = 0.7V。利用圖解法分別求出Rl二玉和Rl =3卍.】時的靜態(tài)工作點和最大不失真輸出電壓Uom (有效值)。(a)(b)圖 P2.4解:空載時:Ibq =20A, Icq =2mA,UcEQ =6V ;最大不失真輸出電壓峰值約為5.
23、3V,有效值約為3.75V 。帶載時:Ibq =20A, Icq =2mA,UcEQ =3V ;最大不失真輸出電壓峰值約為2.3V,有效值約為1.63V。如解圖P2.4所示。解圖P2.4圖P2.52.5在圖P2.5所示電路中,已知晶體管的3=80, rbe=1k Q,Uj=20mV,靜態(tài)時23#U BEQ - 0.7V , U CEQ - 4V ,IbQ =20、A。判斷下列結(jié)論是否正確,在括號內(nèi)打“V和4200 (X20 1080 5 “a400 ( X120 -1k' 120:3k“(X Au45.71 ( X0.7丄807.5“c 丫代200 (W1 R 07 k i = 35k
24、1(X0.02(8) R : 1k(“(9) Ro = 5k1(V(11)US : 20mV(X(10) Rq 二 2.5k1(X(12)Us : 60 mV (V)#2.6電路如圖P2.6所示,已知晶體管3=120 , Ube=0.7V,飽和管壓降 Uces=0.5V。在下列情況下,用直流電壓表測量晶體管的集電極電位,應(yīng)分別為多少?(1)正常情況;(2)Rb1短路;(3)Rb1開路;(4)Rb2開路;(5)Rb2短路;(6)Rc短路;解: IVCC Ube 一匹=174163 =11A,lc J:Ib =132mA ,Rb2Rb1 U c - Vcc _ lc Rc - 8-3V o(2)
25、Rbi 短路,l c =IB -0 , Uc = 15V o(3) Rbi開路,臨界飽和基極電流I Bs =滄 UES : 23.7A ,實際基極電流l B = cc U be =174a oRb2由于 I B l BS ,管子飽和, Uc =UcES =0.5V o(4) Rb2開路,無基極電流,Uc二Vcc =15V o(5) Rb2短路,發(fā)射結(jié)將燒毀,Uc可能為15V o(6) Rc 短路,Uc =VCC =15V o2.7電路如圖P2.7所示,晶體管的3 =80 , rbb' =1001】。分別計算Rl =:和Rl 二 3k11 時的 Q 點、Au、Ri 和 Ro o解:在空載
26、和帶負載情況下,電路的靜態(tài)電流、rbe均相等,它們分別為:1 BQVcc -U BEQU BEQRbRsI cq = - I bq -1.76mA26mVrbe - rbb' (1-)一.1-3k,11 EQ空載時,靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻分別為:Uceq 二Vcc -IcqRc : 6.2V ; Au& : -308rbeR 二 Rbhe rbe :T.3k"; 九區(qū) A -93% + RsRo 二 R = 5k1Rl =3k'T時,靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)分別為:UceqVcc Tcq(Rc Rl) : 2.3VRl +Rc人二侃 Rl
27、) :. -115Aus :亠Au : -34.7rberbe RsR = Rb / % h % 匸 1 3k: :Ro = Rc = 5k: 。2.8若將圖P2.7所示電路中的NPN管換成PNP管,其它參數(shù)不變,則為使電路 正常放大電源應(yīng)作如何變化?Q點、Au、R和Ro變化嗎?如變化,則如何變化?若輸出電壓波形底部失真,則說明電路產(chǎn)生了什么失真,如何消除?解:由正電源改為負電源;Q點、Au、R和Ro不會變化;輸出電壓波形底部失真對應(yīng)輸入信號正半周失真,對 PNP管而言,管子進入截止區(qū),即產(chǎn)生了截止失真; 減小Rb。2.9已知圖P2.9所示電路中,晶體管3=100, rbe=1.4k Q。(1
28、)現(xiàn)已測得靜態(tài)管壓降 Uceq=6V,估算Rb;若測得Ui和U。的有效值分別為1mV和100mV,則負載電阻Rl為多少?2.10在圖P2.9所示電路中,設(shè)靜態(tài)時lcQ=2mA,晶體管飽和管壓降27Uces =0.6V。試問:當(dāng)負載電阻 Rl=::和Rl =3k時,電路的最大不失真輸出電 壓各為多少伏?解:由于 ICQ - 2mA,所以 U CEQ =Vcc -IcqRc - 6V??蛰d時,輸入信號增大到一定幅值,電路首先出現(xiàn)飽和失真。故omU CEQ - U CES:3.82 V#Rl =3k時,當(dāng)輸入信號增大到一定幅值,電路首先出現(xiàn)截止失真。故U om#2.11電路如圖P2.11所示,晶體管
29、 3=100, rbb =100 Qo(1) 求電路的Q點、Au、Ri和Ro;若改用3=200的晶體管,貝U Q點如何變化?若電容Ce開路,則將引起電路的哪些動態(tài)參數(shù)發(fā)生變化?如何變化?#解:(1)靜態(tài)分析:#EQU BQU BQ - U BEQRf R-1mAIbq 邑=10A1 + p#0(RcRl)_rbe (1JRf.U CEQ = VCC _ 1 EQ (Rc Rf Re)= 5.7V圖 P2.11動態(tài)分析:rbe 譏,(12.73<-1 EQ#R 二鳳1鳳2仏(1)Rf : 3.7k 3=200 時,UbqVcc =2V (不變);Ieq二空歸=1mA (不變);Ibq 也=
30、5A (減?。?;Q Rf RQ 1:U CEQ = Vcc _IeQ(Rc Rf Re5.7V (不變)。Ce開路時,Au0(RcRl)rbe (1)(Re Rf)饕.92 (減?。?;R = Rb1 /Rb2 % (1)(Re Rf) 4.11 (增大);R, = Rc =5k' "(不變)。2.12電路如圖P2.12所示,晶體管的3=80 , rbe=1k Qo#(1)求出Q點; 分別求出Rl=8和R_=3k Q時電路的Au、R和R。解:求解Q點:1 BQVCC -U BEQRb(V ' )Re:32.3AI eq =(V -)Ibq 2.61mAU CEQ = V
31、cc "I EQ Re7.17V(2)求解放大倍數(shù)和輸入、輸出電阻:Rl=8時;Aj 二一0.996rbe (1 JReR =Rbrbe (1JRe 110k'1RL=3k。時;(i)")7.992rbe (1:)(ReRL)R =Rb/rbe (1)(&) : 76k-輸出電阻:尺譏時“rbe"2.13電路如圖P2.13所示,晶體管的3 =60 , rbb =1000。(1)求解Q點、Au、Ri和Ro設(shè)Us = 10mV (有效值),問Ui =?,U若C3開路,則Ui =?,Uo解:(1) Q占:八、1 BQ皐(罷3 Ao圖 P2.13IC Q
32、= - I BQ 1. 8 6mA29UcEQ'V Cb 1 (E QR,cR e4. 5 6VAu、Ri和Ro的分析:26mV ,% Fb,(1)952門,1 EQ人一®型,_95rbeR 二 Rb / 忑 “ 952 門,Ro設(shè)Us = 10mV (有效值),則=3.2mV ;Uo5 =304mV若C3開路,則:R 二 Rb%(1-)Re51.3k11丸一/一1.5Re= 9.6mV ,Uo=人 Uj = 14.4mV。2.14改正圖P2.14所示各電路中的錯誤,使它們有可能放大正弦波電壓。要求 保留電路的共漏接法。A.,rio+1IQ比QJL(b)1 HnTNo聽A?L
33、R.(c)J(d)PnT&1 L,.嚴Itrith1c解:源極加電阻Rs ;(c)輸入端加耦合電容; 改正電路如解圖 P2.14所示。(b)漏極加電阻Rd ;(d)在Rg支路加-Vgg,+ vdd改為Vdd(c)(d)解圖P2.14(b)、c)2.15已知圖P2.21 (a)所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性分別如圖 所示。(1)利用圖解法求解Q點;(2)利用等效電路法求解3110(C)TV圖 P2.15解:(1)在轉(zhuǎn)移特性中作直線UGS二-i°Rs,與轉(zhuǎn)移特性的交點即為Q點;讀出坐標(biāo)值,得出Idq “mA,UGSQ-2V。如解圖P2.15(a)所示。在輸出特性中作直流負
34、載線UdS 二 Vdd -iD(RdRs),與 U GSQ-2V的那條輸33#出特性曲線的交點為 Q點,Udsq 3V。如解圖P2.21(b)所示。(2) 首先畫出交流等效電路(圖略),然后進行動態(tài)分析。gm =D U DS =yj I DSS I DQ = 1 mV / VCUGSU GS(off )Au二-gmRd=5 ;Ro=Rd二 5k12.16已知圖P2.16(a)所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖(b)所示。#求解電路的Q點和Au 。#Hi L4Q6FCCZV)LO kQ圖 P2.16#解:(1)求Q點:根據(jù)電路圖可知, Ugsq =Vgg =3V。從轉(zhuǎn)移特性查得,當(dāng)Ugsq =3V
35、時的漏極電流:I DQ二 1mA因此管壓降U DSQ =Vdd _ I DQ R = 5V。(2)求電壓放大倍數(shù):2i gm. 1 DQ1 DO - 2mA/V ,U GS(th)Au= -gmRd»20#2.17電路如圖P2.17所示。(1)若輸出電壓波形底部失真,則可采取哪些措施?若輸出電壓波形頂部失真,則可采取哪些措施?(2)若想增大AJ ,則可采取哪些#措施?解:(1)輸出電壓波形底部失真, 類似于NPN型三極管的飽和失真, 應(yīng)降低Q, 故可減小R2或增大Ri、Rs;若輸出電壓波形頂部失真,則與上述相反,故可增大R2或減小Ri、Rs。(2)若想增大AJ,就要增大漏極靜態(tài)電流以
36、增大gm,故可增大R2或減小Ri、Rs。2.18圖P2.18中的哪些接法可以構(gòu)成復(fù)合管?標(biāo)出它們等效管的類型(如NPN型、PNP型、N溝道結(jié)型)及管腳(b、e、c、d、g、s )。(e)解:(a)不能。(b)不能。圖 P2.18(c) 構(gòu)成NPN型管,上端為集電極,中端為基極,下端為發(fā)射極。(d) 不能。(e)不能。(f) 構(gòu)成PNP型管,上端為發(fā)射極,中端為基極,下端為集電極。構(gòu)成NPN型管,上端為集電極,中端為基極,下端為發(fā)射極。35第3章多級放大電路自測題一、現(xiàn)有基本放大電路:A.共射電路B.共集電路C.共基電路D.共源電路E.共漏電路根據(jù)要求選擇合適電路組成兩級放大電路。(1)要求輸入
37、電阻為1k Q至2k Q,電壓放大倍數(shù)大于 3000,第一級應(yīng)采用(A ),第二 級應(yīng)采用(A )。要求輸入電阻大于10MQ ,電壓放大倍數(shù)大于 300 ,第一級應(yīng)采用(D ),第二級應(yīng) 采用(A )。要求輸入電阻為100k 4200k Q,電壓放大倍數(shù)數(shù)值大于100 ,第一級應(yīng)采用(B ),第二級應(yīng)采用(A )。要求電壓放大倍數(shù)的數(shù)值大于10 ,輸入電阻大于10MQ ,輸出電阻小于100 Q,第一級應(yīng)采用(D ),第二級應(yīng)采用(B )。設(shè)信號源為內(nèi)阻很大的電壓源,要求將輸入電流轉(zhuǎn)換成輸出電壓,且Aui1000,輸出電阻Ro< 100,第一級應(yīng)采用采用(C ),第二級應(yīng)(B )。二、選擇
38、合適答案填入空內(nèi)。(1)直接耦合放大電路存在零點漂移的原因是(C、D )。A 電阻阻值有誤差B 晶體管參數(shù)的分散性C 晶體管參數(shù)受溫度影響D 電源電壓不穩(wěn)(2)集成放大電路采用直接耦合方式的原因是(C )。A .便于設(shè)計B.放大交流信號C.不易制作大容量電容(3)選用差動放大電路的原因是(A )。A 克服溫漂B 提高輸入電阻C.穩(wěn)定放大倍數(shù)(4)差動放大電路的差模信號是兩個輸入端信號的(A ),共模信號是兩個輸入端信號的(C )。A.差B.和C.平均值用恒流源取代長尾式差動放大電路中的發(fā)射極電阻,將使單端電路的(B )。A 差模放大倍數(shù)數(shù)值增大B 抑制共模信號能力增強C差模輸入電阻增大(6)互
39、補輸出級采用共集形式是為了使(C )。A.放大倍數(shù)的數(shù)值大B.最大不失真輸出電壓大 C.帶負載能力強、電路如圖T3 3所示,所有晶體管均為硅管,B均為200, rbb =200。,靜態(tài)時U beq :0.7V。試求:靜態(tài)時Ti管和T2管的發(fā)射極電流。若靜態(tài)時Uo .0,則應(yīng)如何調(diào)節(jié) Rc2的值才能使Uo =0 ?若靜態(tài)Uo =0V,則Rc2 = ?,電壓放大倍數(shù)為多少?解:(1)T3 管的集電極電流 Ic3 =(Uz -UbEQ3)/Re3 = 0.3mA靜態(tài)時T|管和T2管的發(fā)射極電流I ei = I E2 = 0.15mA(2)若靜態(tài)時UO0,則應(yīng)減小Rc2。uI =0 時 uO =0,
40、T4管的集電極電流 lCQ4 二 Vee / 艮4 = 0.6mA。Rc2的電流及其阻值分別為:*2= G -丨 B4 二 IC2:ICQ4-0.147mA,I E4RE4 +|U BEQ4 Rc2 二I R=2:6.8k'1電壓放大倍數(shù)求解過程如下:2lOkD(-6V)(+12V)MHDa車)7¥丫1葉聶500Qb (i)26mVI EQ235k'.1圖T3 3b(1嚴譏I EQ48.9k' 1Au1九尺2/嘰(F)止2rbe21 8. 3Au2rbe4(V JRe4:-18.339#Au =兒1此2 : -335#習(xí)題3.1判斷圖P3.1所示各兩級放大電路
41、中Ti和T2管分別組成哪種基本接法的放大電路。設(shè)圖中所有電容對于交流信號均可視為短路。CiT“I&SOOkQJ瓦|5kOl3¥ 九 一 0#(e)解:(a)共射,共基(b)共射,共射(c)共射,共射(d)共集,共基(e)共源,共集(f)卄直 共、基,共集圖 P3.1#3.2設(shè)圖P3.2所示各電路的靜態(tài)工作點均合適,分別畫出它們的交流等效電路,#并寫出Au、Ri和Ro的表達式。HH+ Ibb rIt.1C(a)(b)解:圖示各電路的交流等效電路如解圖P3.2所示。各電路的 A、Ri和Ro的表達式分別為:(b):A _jR2he2 (12円3»R +%(12)&
42、 ;be2(1TR3 'R = R1rbe1 ;RoW*_卜(l+Bl)(R2R3rbe2)-rbei(1 l)(R2R3rbe2)(嚴rbe2R 二 R/b1 (廠 1 )R2 R3 b/e/2) 尺=R441A:lR2rbe2 (12九2R3(C) : Aurbe1 ' R1rbe2 *(1*P2)rdR = R1rbe1 ;= R3#(d) : Au =-gm(R4R6R7rbe2) )rbe2Ri = R| / R2R3 ; Ro = R8/?l b:o»121 hr曠be 2:(C)°” II fgm %丿電-0(d)解圖P3.23.3基本放大電路
43、如 圖P3.3(a)、(b)所示,圖虛線框內(nèi)為電路I, 圖(b)虛線框內(nèi)為電路n。由電路i、n組成的多級放大電路如圖作。試說明圖(c)、(d)、(e)所示電路中(1) 哪些電路的輸入電阻較大;(2) 哪些電路的輸出電阻較?。?c)、(d)、(e)所示,它們均正常工(c)(b)哪個電路的電壓放大倍數(shù)最大。43#解:(1)圖(d)、(e)所示電路的輸入電阻比較大;(2) 圖(c)、(e)所示電路的輸出電阻比較??;(3) 圖(e)所示電路的電壓放大倍數(shù)最大。3.4電路如圖P3.1(a) (b)所示,晶體管的B均為150,忑均為2 1 , Q點合適。求解Au、R和尺。解:在圖(a)所示電路中Aui =
44、rbe212Au2 =-=225;be1rbe2Au = Au1 代2-225R =/ R2 / rbe( <- 1.35k二;R)= & = 3k;.。在圖(b)所示電路中.人1=(尺仏),_136 ; AU2遲75rbe1rbe2 Au 二心幾2 : 10200R =(R R2R3)rbei ”2k;Ro= R4 = 1 k1.1#3.5電路如圖P3.I (c)、(e)所示,晶體管的 B均為200 ,忑均為3k。場效應(yīng)管 的gm為15mS ; Q點合適。求解人、R和民。解:在圖(c)所示電路中1 ( R3 / be 2 )2R4Au1125 ; Au2133.3rbe1rbe
45、2Au =人1 Au216666.7 ; R = R rbe1 "k。;& = R =2 k0在圖(e)所示電路中AU1 =-gmR2rbe (1JR4 : PmR2 : -30Au2(1 JR4rbe(V JR4Au =Au1 入2 : -30 ; R 二 R1 =10M";Ro=R4: 253.6圖P3.6所示電路參數(shù)理想對稱,晶體管的B均為100,心=100門,U BEQ 0.7V 。試求Rw的滑動端在中點時 T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流I eq以及動態(tài)參數(shù)Ad和Rio圖 P3.6圖 P3.7TT 0解:Rw滑動端在中點時Ti管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流1 E
46、Q分析如下: Ubeq I eq Rw21 EqR; =VeeVEE -U beq I eq = -r0.517mA號2R動態(tài)參數(shù)Ad和Ri分析如下:rbe= rbb +(P)j26m 5.18kQRc乓一"(1 + 卩他/2“98I eq45#R =2rbe (1 -)Rw : 20.5k'1#3.7電路如圖P3.7所示,T1和T2兩管的B均為140, rbe均為4k Q。試問:若輸#入直流信號Un =20mV ,山2 =10mV,則電路的共模輸入電壓 Uic =?差模輸入電 壓U|d二?輸出動態(tài)電壓-uo - ?解:電路的共模輸入電壓 U|C、差模輸入電壓U|d、差模放大
47、倍數(shù) Ad和動態(tài)電壓#U|d =U|i-U|2 10mV:uO 分別為:U|C 二也 土 =15mV ;2人一遲:-175 ;2rbe二 Ai U|d = -1.75V3.8電路如圖P3.8所示,Ti和T2的低頻跨導(dǎo) 輸入電阻。gm均為10mS。試求解差模放大倍數(shù)和47#解:差模放大倍數(shù)和輸入電阻分別為:Ai-gm 尺=20 Q r =::。3.9試寫出圖P3.9所示電路Ad和Ri的近似表達式。設(shè)T和T2的電流放大系數(shù)分 別為31和也,b-e間動態(tài)電阻分別為rbe1和rbe2。解:Ad和Ri的近似表達式分別為2(尺學(xué))R =2佔(1也Ad2rbe1 (11)%23.10電路如 圖P3.10所示
48、,Ti T5的電流放大系數(shù)分別為3i3 , b-e間動態(tài)電阻分別為rbe1rbe5,寫出Au、Ri和Ro的表達式。-*_ + |:If圖 P3.10io總.t-L2V圖 P3.11解:Au、Ri和Ro的表達式分析如下:Uo. _ +R2rbe4(1:4)R5U2rbeiUO2出農(nóng)爪 (15)R7】rbe4 - (V -4)R5:UO3屯3(1QRz(1BR7AuJUq7AJ1 Au 2 Au3 ;R - rbe1rbe2 ;Ro = R7 rbe5艮1:53.11電路如圖P3.11所示。已知電壓放大倍數(shù)為 -100,輸入電壓ui為正弦波,T2和T3管的飽和壓降Uces=1V。試問:(1)在不失
49、真的情況下,輸入電壓最大有效值Umax為多少伏?若Ui= 10mV (有效值),則Uo = ?若此時 R3開路,則Uo= ?若R3短路,貝V Uo=?解:(1)最大不失真輸出電壓有效值為:UomVCC - U CES:7.78V故在不失真的情況下,輸入電壓最大有效值:Uimax =呂 肚77.8mVIAu|(2)Ui= 10mV,則 Uo= 1V (有效值)。若R3開路,則Tl和T3組成復(fù)合管,等效二3, T3可能飽和,使得U。二-11V (直 流);若R3短路,則UO =11.3V (直流)。第4章集成運算放大電路自測題一、選擇合適答案填入空內(nèi)。(1) 集成運放電路采用直接耦合方式是因為 A
50、.可獲得很大的放大倍數(shù)容(2) 通用型集成運放適用于放大A.高頻信號B.低頻信號(CB.可使溫漂小)。C.集成工藝難于制造大容量電(B )°C.任何頻率信號(3)集成運放制造工藝使得同類半導(dǎo)體管的(C49A.指標(biāo)參數(shù)準確B.參數(shù)不受溫度影響C.參數(shù)一直性好(4) 集成運放的輸入級采用差分放大電路是因為可以(A )。A.減小溫漂B.增大放大倍數(shù)C.提高輸入電阻(5) 為增大電壓放大倍數(shù),集成運放的中間級多采用(A )°A.共射放大電路B.共集放大電路C.共基放大電路二、判斷下列說法是否正確,用“和“X表示判斷結(jié)果。(1) 運放的輸入失調(diào)電壓 Uio是兩輸入端電位之差。(X(2) 運放的輸入失調(diào)電流Iio是兩輸入端電流之差。(V)
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