第2講單晶硅特性

1、第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院1.1.1 硅的性質(zhì)硅的性質(zhì)硅四面體結(jié)構(gòu)硅四面體結(jié)構(gòu)10928第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院性質(zhì)性質(zhì)SiGeGaAs禁帶寬度（禁帶寬度（eV）1.120.671.43禁帶類型禁帶類型間接間接間接間接直接直接晶格電子遷移率（晶格電子遷移率（cm2/Vs）135039008600晶格空穴遷移率（晶格空穴遷移率（cm2/Vs）4801900250本征載流子濃度（本征載流子濃度（cm-3）1.4510102.410189.0106本征電阻率（本征電阻率（cm）2.310547108第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南

2、科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院面心立方（FCC）第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院 300K 300K時(shí)，硅的時(shí)，硅的a=5.4305a=5.4305 , ,鍺的鍺的a=5.6463a=5.6463 第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院硅的晶體結(jié)構(gòu)：硅的晶體結(jié)構(gòu)：第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院原子密度：原子個(gè)數(shù)原子密度：原子個(gè)數(shù)/單位體積單位體積第一章 單晶硅的特性湖

3、南科技學(xué)院a83334iSr381a返回返回第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院等效晶向（等效晶向（1 1）110及其等效晶向及其等效晶向100及其等效晶向及其等效晶向第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院等效晶向（等效晶向（2 2）111及其等效晶向及其等效晶向第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院等效晶面等效晶面100、110、111晶向分別是晶向分別是（100）、（）、（110）（）（111）晶面的法線）晶面的法線第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院金剛石結(jié)構(gòu)（100面）金剛石結(jié)構(gòu)（110面）金剛石結(jié)構(gòu)（111面）a2a3a第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院aa(100)a(110)a1/2(3/2)1/2aa1/2(111)2224141aa2342232212414aaa22422212414aaa第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章 單晶硅的特性湖南科技學(xué)院第一章