模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬綜合試卷12(附答案)

1、.模擬綜合試卷12 答案一、填空（ 24 分，每空 1 分）1半導(dǎo)體中存在兩種載流子，分別為電子和 空穴。雜質(zhì)半導(dǎo)體分為兩種，分別為N 型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。2、雙極性晶體三極管工作于放大模式的外部條件是發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。3從信號(hào)的傳輸途徑看，集成運(yùn)放由輸入級(jí) 、中間級(jí)、 輸出級(jí)、偏置電路這幾個(gè)部分組成。4某放大器的下限角頻率L ，上限角頻率H ，則帶寬為（ H -L ）/2Hz。5共發(fā)射極電路中采用恒流源做有源負(fù)載是利用其交流電阻大 的特點(diǎn)以獲得較高增益。6在 RC 橋式正弦波振蕩電路中，當(dāng)滿足相位起振條件時(shí)，則其中電壓放大電路的放大倍數(shù)要略大于 3 才能起振。7電壓比較器工作時(shí)，在輸

2、入電壓從足夠低逐漸增大到足夠高的過程中，單限比較器的輸出狀態(tài)發(fā)生 1 次躍變，遲滯比較器的輸出狀態(tài)發(fā)生1次躍變。8、乙類推挽放大器的主要失真是交越失真 ，要消除此失真，應(yīng)改用 甲乙 類推挽放大器。9 、負(fù)反饋系統(tǒng)產(chǎn)生自激的條件是，相應(yīng)的振幅條件是，相位條件是。10、若三級(jí)放大電路中 A =A =30dB， A =20dB，則其總電壓增益為4倍。80 dB ，折合為 10U1U2U311、差分放大電路， 若兩個(gè)輸入信號(hào)uI1 uI2 ，則輸出電壓， uO；若 u I1，u I 2=80 V= 0V=100 V則差模輸入電壓 uId= 20；共模輸入電壓uIc= 90。VV二、按要求選其中正確的一

3、項(xiàng)填入括號(hào)（26 分，每小題 2 分）1當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流I s 將增大，是因?yàn)榇藭r(shí)PN結(jié)內(nèi)部的。（ B ）A 多數(shù)載流子濃度增大B少數(shù)載流子濃度增大C 多數(shù)載流子濃度減小D少數(shù)載流子濃度減小2、晶體三極管的各極電流是由（C ）形成的。A 、多數(shù)載流子B、少數(shù)載流子C、兩種載流子D、熱運(yùn)動(dòng)3、若要提高某放大器的輸入電阻且使輸出電壓穩(wěn)定，可以加入下列負(fù)反饋：( B )A 、電流串聯(lián)B、電壓串聯(lián)C、電流并聯(lián)D、電壓并聯(lián)4、在某放大電路中，測(cè)的三極管三個(gè)電極的靜態(tài)電位分別為12V，3.7V ，3V，則它是（ A ）。ANPN 型硅管B.NPN型鍺管C.PNP型硅管D.PNP型鍺管

4、5. RC橋式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成, 即 RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)和（D）。;.A、基本共射放大電路B、基本共集放大電路C、反相比例運(yùn)算電路D、同相比例運(yùn)算電路6、直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因主要是（C）。A 電阻阻值有誤差B晶體管參數(shù)的分散性C 晶體管參數(shù)受溫度影響D受輸入信號(hào)變化的影響7、 某只硅穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓Vz = 4v，其兩端施加的電壓分別為+5v（正向偏置）和 5v（反向偏置）時(shí)，穩(wěn)壓管兩端的最終電壓分別為（D）。A +5v 和-5vB -5v和+4vC +4v和-0.7vD +0.7v和-4v8、差分放大電路的長(zhǎng)尾電阻的主要功能是（A ），而提高共模抑制比。A 抑制共

5、模信號(hào)；B抑制差模信號(hào)；C 放大共模信號(hào)；D既抑制共模信號(hào)又抑制差模信號(hào)；9、組合放大電路的輸出級(jí)采用射極輸出方式是為了使（D）。A 電壓放大倍數(shù)高B輸出電流小C輸出電阻增大D帶負(fù)載能力強(qiáng)10、由 NPN型三極管組成的基本共射放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不當(dāng)時(shí)，輸出波形容易產(chǎn)生失真， Q點(diǎn)偏高時(shí)的失真叫做失真，對(duì)應(yīng)的輸出電壓波形將出現(xiàn)失真。（ B ）A 飽和；頂部B飽和；底部 C截止；底部D截止；頂部11、當(dāng)我們想要放大頻率為10KHZ以上的信號(hào)時(shí)，應(yīng)采用（B）濾波器。A、低通B、高通C、帶阻 D、帶通12、石英晶體振蕩頻率穩(wěn)定的原因是（B ）A 體積小B品質(zhì)因數(shù)高 C 振蕩頻率高D有兩個(gè)振蕩頻率

6、iD /mA513、某場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示，該管為（D ）。AP 溝道增強(qiáng)型 MOS管B、P 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管C、N 溝道增強(qiáng)型 MOS管 D 、N溝道耗盡型 MOS管三 、電路分析（ 16 分）- 40uGS/V;.1、判斷圖 3.1.1 ，圖 3.1.2 電路的反饋極性與組態(tài)（6 分）圖 3.1.1（瞬時(shí)極性標(biāo)圖1 上）電流并聯(lián)負(fù)反饋2、判斷電路工作狀況（ 10 分）（ 1）圖 3.2.1 電路如下圖示，請(qǐng)回答問題：圖 1 電路無（填有或無）放大作用。簡(jiǎn)單說明理由：因電容隔直作用，該電路中基極靜態(tài)偏置電流為零，所以放大電路處于截止?fàn)顟B(tài)，無法對(duì)交流信號(hào)進(jìn)行放大。圖 3.1.2（瞬時(shí)極性

7、標(biāo)圖2 上）電壓串聯(lián)負(fù) 反饋+V CCR2R1+C1圖 3.2.1（ 2）圖 3.2.2 電路如下圖示，試判斷各三極管分別工作在截止區(qū)、放大區(qū)還是飽和區(qū)，并說明理由。圖 3.2.2解：圖 A、晶體管為 PNP，因發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏，所以三級(jí)管工作在放大區(qū)；圖 B、晶體管為 NPN，因發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏，所以三級(jí)管工作在截止區(qū)；圖 C、晶體管為 PNP，因發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)偏置電壓為零伏，所以三級(jí)管工作在臨界飽和區(qū)；四、電路分析和計(jì)算（ 34 分）1、如下圖所示的電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路中，假設(shè)集成運(yùn)放的開環(huán)電壓放大倍數(shù)A=100000，電阻;.R1 = 2 K，RF = 18 K。（ 15

8、分）1) 估算反饋系數(shù)和反饋深度；2) 估算閉環(huán)放大倍數(shù)；3) 如果開環(huán)電壓放大倍數(shù)的相對(duì)變化量為± 10%，求閉環(huán)電壓放大倍數(shù)的相對(duì)變化量。圖 4.1解：該電路為電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路，1）反饋系數(shù)為 FR120.1 ；反饋深度為1。R1 RF218AF 100002）因反饋類型為電壓串聯(lián)負(fù)反饋，所以閉環(huán)放大倍數(shù)即為閉環(huán)電壓放大倍數(shù)。A fA10000010AF1100000 0.113）因 dA10% ，所以閉環(huán)電壓放大倍數(shù)的相對(duì)變化量為dA fA1dA1( 10%)0.001%Af1AFA1 1000000.12、下圖示放大電路中，已知三極管的100， rbb 300， Rb560

9、k、 RC3k ，VCC 12V ， RL3k。（12 分）+V CC（ 1）試估算靜態(tài)工作點(diǎn)；RbRCC2（ 2）計(jì)算三極管的 rbe 值；+C1（ 3）求出中頻時(shí)的電壓放大倍數(shù)、輸入+RLU O電阻和輸出電阻；U i-圖 4.2解：（1） I BQVCCU BEQ12V0.02mAI CQI BQ 100 0.02 2mARb560KUCEQVCCICQR12VC2 3 6;.（ 2） rbe rbb (1 )2626300 1011.6KI EQ2（ 3）中頻時(shí)的電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻為（微變等效電路不提供）AuRL1003K / 3Krbe94 Ri Rb / rbe 560K / 1.6K 1.6K1.6KRORC 3K3、試推導(dǎo)圖 4.3 反相輸入求和電路的求和表達(dá)式。 （7