黑河關(guān)于成立IGBT器件公司策劃書（模板范文）

1、CMC·泓域咨詢 /黑河關(guān)于成立IGBT器件公司策劃書黑河關(guān)于成立IGBT器件公司策劃書xx有限公司報告說明xx有限公司主要由xxx有限責任公司和xx（集團）有限公司共同出資成立。其中：xxx有限責任公司出資610.50萬元，占xx有限公司55%股份；xx（集團）有限公司出資500萬元，占xx有限公司45%股份。根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資21242.67萬元，其中：建設投資17122.13萬元，占項目總投資的80.60%；建設期利息357.01萬元，占項目總投資的1.68%；流動資金3763.53萬元，占項目總投資的17.72%。項目正常運營每年營業(yè)收入42200.00萬元，綜合總

2、成本費用34378.11萬元，凈利潤5720.09萬元，財務內(nèi)部收益率19.96%，財務凈現(xiàn)值6759.52萬元，全部投資回收期6.04年。本期項目具有較強的財務盈利能力，其財務凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。IGBT是一個電路開關(guān)，透過開關(guān)控制改變電壓。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一個三端器件，也是重要的分立器件分支，屬于分立器件中的全控型器件，可以同時控制開通與關(guān)斷，具有自關(guān)斷的特征，即是一個非通即斷的開關(guān)。第三代半導體物理特性相較于iSi在工作頻率、抗高溫和抗高壓具備較強的優(yōu)勢。半導體材料領域至今經(jīng)歷了多個發(fā)展階段，相較而言，

3、第三代半導體在工作頻率、抗高溫和抗高壓等方面更具優(yōu)勢。第一代半導體材料主要包括硅（Si）和鍺（Ge），于20世紀40年代開始登上舞臺，目前主要應用于大規(guī)模集成電路中。但硅材料的禁帶寬度窄、電子遷移率低，且屬于間接帶隙結(jié)構(gòu)，在光電子器件和高頻高功率器件的應用上存在較大瓶頸，因此其性能已難以滿足高功率和高頻器件的需求。目錄第一章 籌建公司基本信息9一、 公司名稱9二、 注冊資本9三、 注冊地址9四、 主要經(jīng)營范圍9五、 主要股東9公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)11公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)11公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)12公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)12六、 項目概況13七、 激發(fā)民營經(jīng)濟發(fā)展活力14第二章 市

4、場分析17一、 模塊封裝為核心競爭力之一，適用于各種高電壓場景17二、 家電行業(yè)是IGBT器件的穩(wěn)定市場18三、 電動化+數(shù)字互聯(lián)帶動功率模擬芯片、控制芯片、傳感器需求提升19第三章 項目背景及必要性21一、 汽車半導體量價齊升，市場空間正快速擴大21二、 國內(nèi)IGBT模塊百億級市場空間，占全球40%以上24三、 IGBT結(jié)構(gòu)不斷升級，協(xié)同第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新25四、 推動科技成果高質(zhì)量轉(zhuǎn)化30五、 項目實施的必要性30六、 新能源應用驅(qū)動IGBT快速增長31七、 IGBT基本情況34第四章 公司成立方案37一、 公司經(jīng)營宗旨37二、 公司的目標、主要職責37三、 公司組建方式38四、 公司管

5、理體制38五、 部門職責及權(quán)限39六、 核心人員介紹43七、 財務會計制度44第五章 發(fā)展規(guī)劃48一、 公司發(fā)展規(guī)劃48二、 主要任務49三、 晶圓產(chǎn)能持續(xù)緊缺，IGBT供不應求或延續(xù)較長時間51四、 IGBT供貨周期與價格均有增長，供不應求難以緩解52五、 新能源汽車：IGBT是核心零部件，單車價值量達到上千人民幣53六、 IGBT技術(shù)發(fā)展歷程及趨勢55第六章 法人治理59一、 股東權(quán)利及義務59二、 董事61三、 高級管理人員65四、 監(jiān)事67第七章 風險分析69一、 項目風險分析69二、 公司競爭劣勢74第八章 項目選址方案75一、 項目選址原則75二、 建設區(qū)基本情況75三、 提升區(qū)域

6、技術(shù)創(chuàng)新能力79四、 完善科技創(chuàng)新體制機制80五、 持續(xù)開展營商環(huán)境整治提升工程80第九章 環(huán)境保護方案82一、 編制依據(jù)82二、 建設期大氣環(huán)境影響分析82三、 建設期水環(huán)境影響分析85四、 建設期固體廢棄物環(huán)境影響分析85五、 建設期聲環(huán)境影響分析85六、 環(huán)境管理分析86七、 結(jié)論88八、 建議88第十章 經(jīng)濟效益評價89一、 經(jīng)濟評價財務測算89營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表89綜合總成本費用估算表90固定資產(chǎn)折舊費估算表91無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表92利潤及利潤分配表93二、 項目盈利能力分析94項目投資現(xiàn)金流量表96三、 償債能力分析97借款還本付息計劃表98第十一章 建設

7、進度分析100一、 項目進度安排100項目實施進度計劃一覽表100二、 項目實施保障措施101第十二章 項目投資分析102一、 投資估算的依據(jù)和說明102二、 建設投資估算103建設投資估算表105三、 建設期利息105建設期利息估算表105四、 流動資金106流動資金估算表107五、 總投資108總投資及構(gòu)成一覽表108六、 資金籌措與投資計劃109項目投資計劃與資金籌措一覽表109第十三章 項目綜合評價說明111第十四章 附表附件113主要經(jīng)濟指標一覽表113建設投資估算表114建設期利息估算表115固定資產(chǎn)投資估算表116流動資金估算表116總投資及構(gòu)成一覽表117項目投資計劃與資金籌措

8、一覽表118營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表119綜合總成本費用估算表120固定資產(chǎn)折舊費估算表121無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表121利潤及利潤分配表122項目投資現(xiàn)金流量表123借款還本付息計劃表124建筑工程投資一覽表125項目實施進度計劃一覽表126主要設備購置一覽表127能耗分析一覽表127第一章 籌建公司基本信息一、 公司名稱xx有限公司（以工商登記信息為準）二、 注冊資本1110萬元三、 注冊地址黑河xxx四、 主要經(jīng)營范圍經(jīng)營范圍：從事IGBT器件相關(guān)業(yè)務（企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營項目，開展經(jīng)營活動；依法須經(jīng)批準的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準后依批準的內(nèi)容開展經(jīng)營活動；不得從事本市產(chǎn)業(yè)政

9、策禁止和限制類項目的經(jīng)營活動。）五、 主要股東xx有限公司主要由xxx有限責任公司和xx（集團）有限公司發(fā)起成立。（一）xxx有限責任公司基本情況1、公司簡介企業(yè)履行社會責任，既是實現(xiàn)經(jīng)濟、環(huán)境、社會可持續(xù)發(fā)展的必由之路，也是實現(xiàn)企業(yè)自身可持續(xù)發(fā)展的必然選擇；既是順應經(jīng)濟社會發(fā)展趨勢的外在要求，也是提升企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力的內(nèi)在需求；既是企業(yè)轉(zhuǎn)變發(fā)展方式、實現(xiàn)科學發(fā)展的重要途徑，也是企業(yè)國際化發(fā)展的戰(zhàn)略需要。遵循“奉獻能源、創(chuàng)造和諧”的企業(yè)宗旨，公司積極履行社會責任，依法經(jīng)營、誠實守信，節(jié)約資源、保護環(huán)境，以人為本、構(gòu)建和諧企業(yè)，回饋社會、實現(xiàn)價值共享，致力于實現(xiàn)經(jīng)濟、環(huán)境和社會三大責任的有機統(tǒng)

10、一。公司把建立健全社會責任管理機制作為社會責任管理推進工作的基礎，從制度建設、組織架構(gòu)和能力建設等方面著手，建立了一套較為完善的社會責任管理機制。公司在“政府引導、市場主導、社會參與”的總體原則基礎上，堅持優(yōu)化結(jié)構(gòu)，提質(zhì)增效。不斷促進企業(yè)改變粗放型發(fā)展模式和管理方式，補齊生態(tài)環(huán)境保護不足和區(qū)域發(fā)展不協(xié)調(diào)的短板，走綠色、協(xié)調(diào)和可持續(xù)發(fā)展道路，不斷優(yōu)化供給結(jié)構(gòu)，提高發(fā)展質(zhì)量和效益。牢固樹立并切實貫徹創(chuàng)新、協(xié)調(diào)、綠色、開放、共享的發(fā)展理念，以提質(zhì)增效為中心，以提升創(chuàng)新能力為主線，降成本、補短板，推進供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革。2、主要財務數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月201

11、8年12月資產(chǎn)總額8368.396694.716276.29負債總額2819.612255.692114.71股東權(quán)益合計5548.784439.024161.59公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入33349.8226679.8625012.36營業(yè)利潤8188.106550.486141.08利潤總額7434.365947.495575.77凈利潤5575.774349.104014.55歸屬于母公司所有者的凈利潤5575.774349.104014.55（二）xx（集團）有限公司基本情況1、公司簡介面對宏觀經(jīng)濟增速放緩、結(jié)構(gòu)調(diào)整的新常態(tài)，公司在企業(yè)法人治

12、理機構(gòu)、企業(yè)文化、質(zhì)量管理體系等方面著力探索，提升企業(yè)綜合實力，配合產(chǎn)業(yè)供給側(cè)結(jié)構(gòu)改革。同時，公司注重履行社會責任所帶來的發(fā)展機遇，積極踐行“責任、人本、和諧、感恩”的核心價值觀。多年來，公司一直堅持堅持以誠信經(jīng)營來贏得信任。公司自成立以來，堅持“品牌化、規(guī)?；?、專業(yè)化”的發(fā)展道路。以人為本，強調(diào)服務，一直秉承“追求客戶最大滿意度”的原則。多年來公司堅持不懈推進戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型和管理變革，實現(xiàn)了企業(yè)持續(xù)、健康、快速發(fā)展。未來我司將繼續(xù)以“客戶第一，質(zhì)量第一，信譽第一”為原則，在產(chǎn)品質(zhì)量上精益求精，追求完美，對客戶以誠相待，互動雙贏。2、主要財務數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019

13、年12月2018年12月資產(chǎn)總額8368.396694.716276.29負債總額2819.612255.692114.71股東權(quán)益合計5548.784439.024161.59公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入33349.8226679.8625012.36營業(yè)利潤8188.106550.486141.08利潤總額7434.365947.495575.77凈利潤5575.774349.104014.55歸屬于母公司所有者的凈利潤5575.774349.104014.55六、 項目概況（一）投資路徑xx有限公司主要從事關(guān)于成立IGBT器件公司的投資建設與運營

14、管理。（二）項目提出的理由IGBT既有MOSFET的開關(guān)速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點，又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，是電力電子領域較為理想的開關(guān)器件。IGBT可以看做由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）組成的復合功率半導體器件。BJT即三極管，是電流驅(qū)動器件，基本結(jié)構(gòu)是兩個背靠背的PN結(jié)，基極和發(fā)射極之間的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，基極和集電極之間的PN結(jié)稱為集電結(jié)，通過控制輸入電壓和基極電流可以使三極管出現(xiàn)電流放大或開關(guān)效應。MOSFET是電壓型驅(qū)動器件，以常用的N溝道MOS管為例，通過在P型半導體上方加入金屬板和絕緣

15、板，即柵極，在使用中保持源級和漏級電壓不變，柵極加正電壓，MOS管呈導通狀態(tài)，降低柵極電壓，MOS管呈關(guān)閉狀態(tài)。由于柵極所帶來的電容效應，使得MOS管只需要很小的驅(qū)動功率即可實現(xiàn)高速的開關(guān)作用。BJT通態(tài)壓降小、載流能力大，但驅(qū)動電流小，MOSFET驅(qū)動功率小、快關(guān)速度快，但導通壓降大、載流密度小。IGBT可以等效為MOS管和BJT管的復合器件，在保留MOS管優(yōu)點的同時增加了載流能力和抗壓能力，自20世紀80年代末開始工業(yè)化應用以來發(fā)展迅速，成為電力電子領域中最重要的功率開關(guān)器件之一，在6500V以下的大功率高頻領域逐漸取代了晶閘管和功率MOSFET器件。七、 激發(fā)民營經(jīng)濟發(fā)展活力優(yōu)化民營經(jīng)濟

16、發(fā)展的政策環(huán)境、市場環(huán)境、法治環(huán)境和創(chuàng)業(yè)環(huán)境，進一步消除各種隱性壁壘，實施民營企業(yè)提升工程和商（協(xié)）會培育工程，支持引導民營企業(yè)發(fā)展壯大。放寬民間投資市場準入，鼓勵民間資本進入基礎設施、市政公用事業(yè)等領域。持續(xù)開展減費降稅，清理規(guī)范涉企政府性基金、經(jīng)營服務性收費和行政事業(yè)性收費，對保留的收費項目及時主動向社會公開。協(xié)調(diào)金融機構(gòu)加大對民營企業(yè)的信貸支持，完善中小企業(yè)信用擔保體系，鼓勵開展無抵押、純信用的普惠金融業(yè)務，發(fā)展供應鏈融資，拓寬初創(chuàng)企業(yè)和小微企業(yè)低成本融資渠道。積極開展創(chuàng)業(yè)技能、企業(yè)管理等培訓，加快民營企業(yè)家隊伍建設。構(gòu)建親清新型政商關(guān)系，建立政企常態(tài)化溝通渠道，完善企業(yè)投訴處理機制，健

17、全企業(yè)家權(quán)益保護制度。（三）項目選址項目選址位于xx（待定），占地面積約44.00畝。項目擬定建設區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。（四）生產(chǎn)規(guī)模項目建成后，形成年產(chǎn)xx個IGBT器件的生產(chǎn)能力。（五）建設規(guī)模項目建筑面積54166.93，其中：生產(chǎn)工程34542.68，倉儲工程10521.16，行政辦公及生活服務設施4293.42，公共工程4809.67。（六）項目投資根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資21242.67萬元，其中：建設投資17122.13萬元，占項目總投資的80.60%；建設期利息357.01萬元，占項目總投資的1.68%；

18、流動資金3763.53萬元，占項目總投資的17.72%。（七）經(jīng)濟效益（正常經(jīng)營年份）1、營業(yè)收入（SP）：42200.00萬元。2、綜合總成本費用（TC）：34378.11萬元。3、凈利潤（NP）：5720.09萬元。4、全部投資回收期（Pt）：6.04年。5、財務內(nèi)部收益率：19.96%。6、財務凈現(xiàn)值：6759.52萬元。（八）項目進度規(guī)劃項目建設期限規(guī)劃24個月。（九）項目綜合評價此項目建設條件良好，可利用當?shù)刎S富的水、電資源以及便利的生產(chǎn)、生活輔助設施，項目投資省、見效快；此項目貫徹“先進適用、穩(wěn)妥可靠、經(jīng)濟合理、低耗優(yōu)質(zhì)”的原則，技術(shù)先進，成熟可靠，投產(chǎn)后可保證達到預定的設計目標。

19、第二章 市場分析一、 模塊封裝為核心競爭力之一，適用于各種高電壓場景IGBT根據(jù)使用電壓范圍可分為低壓、中壓和高壓IGBT。按照使用電壓范圍，可以將IGBT分為低壓、中壓和高壓三大類產(chǎn)品，不同電壓范圍對應著不同的應用場景。低壓通常為1200V以下，主要用于低消耗的消費電子和太陽能逆變器領域；中壓通常為1200V2500V，主要用于新能源汽車、風力發(fā)電等領域；高壓通常為2500V以上，主要用于高壓大電流的高鐵、動車、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機等領域。IGBT根據(jù)封裝形式可分為IGBT分立器件、IGBT模塊以及IPM。從封裝形式上來看，IGBT可以分為IGBT分立器件、IGBT模塊和IPM三大類產(chǎn)品。IG

20、BT分立器件指一個IGBT單管和一個反向并聯(lián)二極管組成的器件；IGBT模組指將多個（兩個及以上）IGBT芯片和二極管芯片以絕緣方式組裝到DBC基板上，并進行模塊化封裝；IPM則指將功率器件（主要為IGBT）和驅(qū)動電路、過壓和過流保護電流、溫度監(jiān)視和超溫保護電路等外圍電路集成再一起生產(chǎn)的一種組合型器件。IGBT。模塊的封裝工藝主要分為焊接式和壓接式。IGBT在工作過程中或產(chǎn)生一定的損耗，當每個IGBT芯片在工作過程中產(chǎn)生的損耗只集中在1平方厘米左右的面積向外傳播時，這樣的高熱流密度對器件的安全有效工作而言則成為一個巨大的挑戰(zhàn)，所以，IGBT需要依靠一定的封裝形式以便進行散熱，從而保證產(chǎn)品可靠性。

21、IGBT模塊的封裝工藝主要分為焊接式與壓接式。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則多采用壓接式封裝工藝。壓接式IGBT結(jié)構(gòu)與焊接式IGBT結(jié)構(gòu)差別較大，且壓接式IGBT封裝結(jié)構(gòu)還可細分為凸臺式和彈簧式，彈簧式壓接型封裝結(jié)構(gòu)的專利由ABB公司持有，東芝、Westcode、Dynex等公司則采用凸臺式封裝結(jié)構(gòu)。二、 家電行業(yè)是IGBT器件的穩(wěn)定市場變頻空調(diào)、冰箱、洗衣機的核心控制部件是變頻控制器，它承擔了電機驅(qū)動、PFC功率校正以及相關(guān)執(zhí)行器件的變頻控制功能。而變頻控制器很重要的一環(huán)就是IPM模塊，IPM將功率器件芯片（IGBT+FRD或高壓MOSFET）、控制IC和無源

22、元件等這些元器件高密度貼裝封裝在一起，通過IPM，MCU就能直接高效地控制驅(qū)動電機，配合白家電實現(xiàn)低能耗、小尺寸、輕重量及高可靠性的要求。中國作為全球最大的家電市場和生產(chǎn)基地，IPM的應用潛力十分強勁。以空調(diào)行業(yè)為例，根據(jù)產(chǎn)業(yè)在線的數(shù)據(jù)，2020年我國變頻空調(diào)銷量達7485萬臺，同比增長10.02%，并且未來變頻空調(diào)有望在空調(diào)市場進一步滲透，面向變頻空調(diào)應用的IGBT的市場空間將十分廣闊。同時，作為變頻白色家電的另外兩大市場，變頻冰箱和變頻洗衣機市場增速顯著。2020年，中國變頻冰箱銷量為2507萬臺，同比增長26.38%，中國變頻洗衣機銷量為2627萬臺，同比增長0.91%。三、 電動化+數(shù)

23、字互聯(lián)帶動功率模擬芯片、控制芯片、傳感器需求提升半導體是汽車發(fā)展趨勢（電驅(qū)化、數(shù)字互聯(lián)）的核心。汽車在電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化的發(fā)展過程中，半導體是發(fā)展的核心支撐。1）電驅(qū)化（電動化），電動與混動汽車的發(fā)展要求動力傳動系統(tǒng)向電氣化邁進，其中由電池、電機、電控組成的三電系統(tǒng)主要以功率半導體為主，包含IGBT、MOSFET等。2）數(shù)字互聯(lián)（智能化、網(wǎng)聯(lián)化），智能化發(fā)展帶動具備AI計算能力的主控芯片市場規(guī)模快速成長；此外智能與網(wǎng)聯(lián)相輔相成，核心都是加強人車交互，除了加強計算能力的主控芯片外，傳感器、存儲也是核心的汽車半導體，包含自動化駕駛的實現(xiàn)使傳感器需求提升、數(shù)據(jù)量的增加帶動存儲的數(shù)量和容量的需求提

24、升。汽車半導體絕對值在增長，從分類中功率半導體價值量增加幅度最大。新能源汽車相比傳統(tǒng)燃油車，新能源車中的功率半導體價值量提升幅度較大。按照傳統(tǒng)燃油車半導體價值量417美元計算，功率半導體單車價值量達到87.6美元，按照FHEV、PHEV、BEV單車半導體價值量834美元計算，功率半導體單車價值量達到458.7美元，價值量增加四倍多。第三章 項目背景及必要性一、 汽車半導體量價齊升，市場空間正快速擴大純電動車有望成為未來新能源汽車發(fā)展的主要方向。新能源汽車根據(jù)發(fā)動機主要可以分為HEV（混合電動汽車）、PHEV（插電式混合電動汽車）、BEV（純電動汽車）。其中，HEV是最常見的混合動力類型，它的動

25、力驅(qū)動方式可以通過使用燃料的發(fā)動機和帶有電池的電動機。PHEV電池容量比較大，由較長的純電續(xù)航里程，且有充電接口，一般需要專用的供電樁進行供電，在電能充足的時候，采用電動機驅(qū)動車輛，而電能不足時，發(fā)動機發(fā)電給動力電池。BEV則不需要燃油機，只需要依靠電池提供能量，所以會配置較大容量的電池。BEV的優(yōu)勢在于零排放。受益于國家的雙碳計劃，BEV有望成為未來新能源汽車發(fā)展的主要方向。中國新能源汽車銷量增速高于全球，02020年中國新能源汽車銷量達到7136.7萬輛。根據(jù)EV-volumes公布的數(shù)據(jù)，2014年全球新能源汽車銷量為32.1萬輛，2020年達到324萬輛，2014-2020年復合增長率

26、為47%；根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會公布的數(shù)據(jù)，2014年中國新能源汽車銷量為7.5萬輛，2020年達到136.7萬輛，2014-2020年復合增長率為62%；整體來看全球與中國新能源汽車銷量皆快速增長，且中國的增速高于全球。雙碳計劃促進新能源汽車發(fā)展，新能源汽車的碳減排潛力相較傳統(tǒng)燃油車更具優(yōu)勢。國內(nèi)要實現(xiàn)雙碳目標，可能性路徑包括中國工業(yè)和公路交通等領域加速電氣化、加速部署可再生電源等零碳電源等。受益于雙碳目標，新能源汽車替代傳統(tǒng)燃油車已是大勢所趨。在車輛使用階段，新能源汽車的碳減排潛力有明顯優(yōu)勢。純電動汽車與油車相比，單車運行階段減排比例介于243%。若電動汽車的電耗降低，新能源電力使用比例提高

27、，新能源汽車減排量比例還會進一步提升。2021年上半年全球新能源汽車銷量同比接近翻倍，全球各國家銷量皆大幅度提升。根據(jù)EV-volumes預測，2021年全球新能源汽車銷量預計達到640萬，相較于2020年同比增長98%。全球輕型汽車市場已從2020年上半年的-28%的低迷中部分恢復，同比增長28%。2021年上半年部分地區(qū)新能源汽車由于基數(shù)較低因此呈倍數(shù)增長，歐洲同比增長157%，中國同比增長197%，美國同比增長166%，其余市場同比增長達到95%；除日本外，所有主要市場在今年上半年的電動汽車銷量和份額均創(chuàng)下新紀錄。中國新能源汽車滲透率預計在2025年達到20%,預計中國新能源汽車銷量超過

28、600萬輛。國務院辦公廳印發(fā)新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(20212035年)提出，新能源汽車新車銷售量達到汽車新車銷售總量的20%左右；此外中汽協(xié)預測2025年中國汽車銷量或到3000萬輛，根據(jù)保守線性推算，我們預計2025年中國新能源汽車銷量達到600萬輛，年復合增速達到34.4%。根據(jù)中汽協(xié)預測未來五年中國新能源汽車銷量年均增速40%以上的預測，2025年新能源汽車銷量預計達到735萬輛。2020年新能源汽車半導體價值量4834美金。根據(jù)英飛凌、IHS、AutomotiveGroup等多家機構(gòu)測算，2020年FHEV、PHEV、BEV單車半導體的成本到了834美元，相較于傳統(tǒng)燃油車的汽車半導體

29、價值417美元，單車半導體價值量翻倍成長；相較于48V輕混合車，單車半導體價值量增加45.8%。預計2025年，48V輕混車、FHEV/PHEV/BEV銷量分別將達到1880萬輛、2100萬輛，基于2020年單車半導體BOM靜態(tài)測算，2025年車用半導體市場規(guī)模將達到282.7億美元。新能源汽車半導體價值量持續(xù)增加，保守估計52025年中國市場規(guī)模達到070億美元。隨著汽車電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化發(fā)展，半導體在單車上的整體價值也越來越高，根據(jù)Gartner預測的數(shù)據(jù)，2024年單輛汽車中的半導體價值有望超過1000美元，根據(jù)前四年的年復合增長率預測，預計2025年達到1046美元，中國2025年

30、新能源汽車預計達到600-700萬量，經(jīng)測算中國新能源汽車半導體市場規(guī)模在2025年有望達到62.8億-73.2億美元。汽車半導體國產(chǎn)化率僅10%，前八大歐美日企業(yè)占整體市場的63%。根據(jù)ICVTank數(shù)據(jù)，2019年汽車半導體前八大企業(yè)為歐美日公司，包含恩智浦、英飛凌、瑞薩半導體、意法半導體、德州儀器等，占整體市場規(guī)模的63%。從自主汽車芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模來看，歐美日占據(jù)整體市場的93%，歐洲、美國和日本公司分別占37%、30%和25%市場份額；中國公司僅為3%，根據(jù)中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟數(shù)據(jù)顯示，國內(nèi)汽車行業(yè)中車用芯片自研率僅占10%，國內(nèi)汽車芯片市場基本被國外企業(yè)壟斷，并且具備90%的替

31、代空間。二、 國內(nèi)IGBT模塊百億級市場空間，占全球40%以上根據(jù)英飛凌年報，2019年英飛凌模塊產(chǎn)品全球市占率35.6%，斯達半導2.5%，英飛凌IGBT器件產(chǎn)品市占率32.5%，士蘭微2.2%。2019年斯達半導IGBT模塊營業(yè)收入7.6億元，士蘭微IGBT器件營業(yè)收入約1億元，由此可推算2019年全球IGBT模塊市場規(guī)模約300億元，IGBT器件市場規(guī)模約45億元。根據(jù)ASMC研究顯示，全球IGBT市場規(guī)模預計在2022年達到60億美元，全球IGBT市場規(guī)模在未來幾年時間仍將繼續(xù)保持穩(wěn)定增長的勢頭。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)和頭豹研究院數(shù)據(jù)整理，2014年，我國IGBT行業(yè)市場規(guī)模為79.8億元

32、，預測到2020年，我國IGBT行業(yè)將實現(xiàn)197.7億元的收入，年復合增長率達16.32%。預計到2023年中國IGBT行業(yè)整體市場規(guī)模有望達到290.8億元，市場前景廣闊。根據(jù)Yole預測，2024年我國行業(yè)IGBT產(chǎn)量預期達到0.78億只，需求量達到1.96億只，仍存在巨大供需缺口。IGBT市場長期被英飛凌、富士電機等海外公司壟斷，英飛凌占據(jù)絕對領先的地位。2019年英飛凌模塊產(chǎn)品全球市占率35.6%，器件產(chǎn)品全球市占率32.5%，IGBT模塊領域國內(nèi)斯達半導是唯一進入前十的企業(yè)，市占率2.5%，IGBT器件領域國內(nèi)士蘭微是唯一進入前十的企業(yè)，市占率2.2%。國內(nèi)產(chǎn)品供需不平衡，“國產(chǎn)替代

33、”將是未來IGBT行業(yè)發(fā)展的主要方向。三、 IGBT結(jié)構(gòu)不斷升級，協(xié)同第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新IGBT是一個電路開關(guān)，透過開關(guān)控制改變電壓。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一個三端器件，也是重要的分立器件分支，屬于分立器件中的全控型器件，可以同時控制開通與關(guān)斷，具有自關(guān)斷的特征，即是一個非通即斷的開關(guān)。IGBT擁有柵極G（Gate）、集電極C（Collector）和發(fā)射極E（Emitter），其開通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間的電壓UGE決定；在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通

34、。IGBT結(jié)合了TMOSFET與與TBJT的優(yōu)勢。IGBT結(jié)合了MOSFET與BJT的優(yōu)點，既有MOSFET的開關(guān)速度快，輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點，又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，此外為了提升IGBT耐壓，減小拖尾電流，結(jié)構(gòu)相對復雜。IGBT被各類下游市場廣泛使用，是電力電子領域較為理想的開關(guān)器件。IGBT工藝與設計難度高，產(chǎn)品生命周期長。IGBT芯片結(jié)構(gòu)分為正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。從80年代初到現(xiàn)在，IGBT正面技術(shù)從平面柵（Planar）迭代至溝槽柵(Trench)，并演變?yōu)槲喜郏∕icroPat

35、ternTrench）；背面技術(shù)從穿通型（PT,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演變?yōu)閳鼋刂剐停‵S,FieldStop）。技術(shù)的迭代對改善IGBT的開關(guān)性能和提升通態(tài)降壓等性能上具有較大幫助，但是實現(xiàn)這些技術(shù)對于工藝有著相當高的要求，尤其是薄片工藝（8英寸以上的硅片當減薄至100200um后極易破碎）以及背面工藝（因正面金屬熔點的限制，所以背面退火激活的難度大），這也是導致IGBT迭代速度較慢。此外，IGBT產(chǎn)品具有生命周期長的特點，以英飛凌IGBT產(chǎn)品為例，該產(chǎn)品已迭代至第七代，但其發(fā)布于2000年代初的第三代IGBT芯片技術(shù)在3300

36、V、4500V、6500V等高壓應用領域依舊占據(jù)主導地位，其發(fā)布于2007年的第四代IGBT則依舊為目前使用最廣泛的IGBT芯片技術(shù)，其IGBT4產(chǎn)品的收入增長趨勢甚至持續(xù)到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散熱功能是IGBT未來發(fā)展趨勢。英飛凌作為全球IGBT龍頭企業(yè)，產(chǎn)品技術(shù)已成為本土廠商的對標。截至2021年，英飛凌產(chǎn)品已迭代至第七代。其中，第五代與第六代均屬于第四代的優(yōu)化版（第五代屬于大功率版第四代，第六代屬于高頻版第四代）。IGBT器件需要承受高電壓和大電流，對于穩(wěn)定性、可靠性要求較高。未來，IGBT會朝著更小尺寸、更大晶圓、更薄厚度發(fā)展，并通過成本、功率密度、結(jié)溫、可靠性等方

37、面的提升來實現(xiàn)整個芯片結(jié)束的進步。此外，IGBT模塊的未來趨勢也將朝著更高的熱導率材料、更厚的覆銅層、更好的集成散熱功能和更高的可靠性發(fā)展。第三代半導體物理特性相較于iSi在工作頻率、抗高溫和抗高壓具備較強的優(yōu)勢。半導體材料領域至今經(jīng)歷了多個發(fā)展階段，相較而言，第三代半導體在工作頻率、抗高溫和抗高壓等方面更具優(yōu)勢。第一代半導體材料主要包括硅（Si）和鍺（Ge），于20世紀40年代開始登上舞臺，目前主要應用于大規(guī)模集成電路中。但硅材料的禁帶寬度窄、電子遷移率低，且屬于間接帶隙結(jié)構(gòu)，在光電子器件和高頻高功率器件的應用上存在較大瓶頸，因此其性能已難以滿足高功率和高頻器件的需求。新材料推進新產(chǎn)品發(fā)展，

38、高壓高頻領域適用SiC。碳化硅在絕緣破壞電場界強度為硅的10倍，因此SiC可以以低電阻、薄膜厚的漂移層實現(xiàn)高耐壓，意味著相同的耐壓產(chǎn)品SiC的面積會比Si還要小，比如900VSiC-MOSFET的面積是Si-MOSFET的1/35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的產(chǎn)品，SiC可以做到1700V以上且低導通電阻。Si為了改善高耐壓化所帶來的導通電阻增大主要采用IGBT結(jié)構(gòu)，但由于其存在開關(guān)損耗大產(chǎn)生發(fā)熱、高頻驅(qū)動受到限制等問題，所以需借由改變材料提升產(chǎn)品性能。SiC在MOSFET的結(jié)構(gòu)就可實現(xiàn)高耐壓，因此可同時實現(xiàn)高耐壓、低導通電阻、高速，即使在1200V或更高的擊穿電壓下也可以

39、制造高速MOSFET結(jié)構(gòu)。SiCMTOSFET具備一定優(yōu)勢，但成本較高。就器件類型而言，SiCMOSFET與SiMOSFET相似。但是，SiC是一種寬帶隙（WBG）材料，其特性允許這些器件在與IGBT相同的高功率水平下運行，同時仍然能夠以高頻率進行開關(guān)。這些特性可轉(zhuǎn)化為系統(tǒng)優(yōu)勢，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的熱耗散。然而，受制于制造成本和產(chǎn)品良率影響，SiC產(chǎn)品價格較高。由于Si越是高耐壓的組件、每單位面積的導通電阻變高(以耐壓的約22.5倍增加)，因此600V以上的電壓則主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少數(shù)載子之正孔于漂移層內(nèi)，比MOSFET可降低導通電阻，另一方面由于少數(shù)載

40、子的累積，斷開時產(chǎn)生尾電流、造成開關(guān)的損耗。SiC由于漂移層的電阻比Si組件低，不須使用傳導度調(diào)變，可用高速組件構(gòu)造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻，可實現(xiàn)開關(guān)損耗的大幅削減與冷卻器的小型化。SiC在制造和應用方面又面臨很高的技術(shù)要求，因此SiCMosfet價格較SiIGBT高。根據(jù)功率器件的特性，不同功率器件的應用領域各有不同。雖然IGBT結(jié)合了MOSFET與BJT的優(yōu)勢，但三者根據(jù)各自的器件性能優(yōu)勢，都有適合的應用領域。BJT更強調(diào)工作功率，MOSFET更強調(diào)工作頻率，IGBT則是工作功率與頻率兼具。BJT因其成本優(yōu)勢，常被用于低功率低頻率應用市場，MOSFET適用于中功率高頻率應用市場

41、，IGBT適用于高功率中頻率應用市場。高功率密度的IGBT在性能、可靠性等方面將繼續(xù)發(fā)展，因此在較長一段時間內(nèi)仍會是汽車電動化的主流器件。SiC組件具有高壓、高頻和高效率的優(yōu)勢，在縮小體積的同時提高了效率，相關(guān)產(chǎn)品則主要用于高壓高頻領域。部分IGBT廠商已開始布局SiC產(chǎn)業(yè)。SiC具有較大發(fā)展?jié)摿?，已吸引多家功率器件廠商進行布局。英飛凌于2018年收購德國廠商Siltectra，彌補自身晶體切割工藝，又于2018年12月與Cree簽署長期協(xié)議，保證自身光伏逆變器和新能源汽車領域的產(chǎn)品供應，旗下CoolSiC系列產(chǎn)品已走入量產(chǎn)。2019年，意法半導體與Cree簽署價值2.5億美元的長單協(xié)議，且收

42、購了瑞典SiC晶圓廠商NorstelAB，以滿足汽車和工業(yè)客戶對MOSFET與二極管的需求。2021年，意法半導體宣布造出8英寸SiC晶圓。此外，斯達半導、華潤微、等本土廠商也已在SiC領域布局。四、 推動科技成果高質(zhì)量轉(zhuǎn)化加強創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈、資金鏈和政策鏈的有效銜接和深度合作，支持科技成果引進、消化吸收和再創(chuàng)新，依托科淘網(wǎng)黑河科技成果轉(zhuǎn)化平臺，全力打通科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化通道。加強“眾創(chuàng)空間孵化器加速器”科技企業(yè)孵化體系建設，大力培育發(fā)展現(xiàn)代科技服務機構(gòu)和技術(shù)經(jīng)紀人隊伍，提升科技合作與技術(shù)交易服務水平，引導支持大學生和科技人員領辦創(chuàng)辦科技型企業(yè)，推動科技型企業(yè)質(zhì)量和數(shù)量雙提升，加快實現(xiàn)高新技術(shù)企

43、業(yè)倍增目標。五、 項目實施的必要性（一）提升公司核心競爭力項目的投資，引入資金的到位將改善公司的資產(chǎn)負債結(jié)構(gòu)，補充流動資金將提高公司應對短期流動性壓力的能力，降低公司財務費用水平，提升公司盈利能力，促進公司的進一步發(fā)展。同時資金補充流動資金將為公司未來成為國際領先的產(chǎn)業(yè)服務商發(fā)展戰(zhàn)略提供堅實支持，提高公司核心競爭力。六、 新能源應用驅(qū)動IGBT快速增長雙碳計劃為光伏、風電打開廣闊發(fā)展前景。除了新能源汽車，IGBT也常被用于光伏、風電等新能源領域。受益于雙碳計劃，光伏與風電將迎來廣闊的成長空間。根據(jù)國務院印發(fā)的關(guān)于完整準確全面貫徹新發(fā)展理念做好碳達峰碳中和工作的意見所提出的目標當中，非化石能源消

44、費比重會持續(xù)提升，同時要構(gòu)建綠色低碳循環(huán)發(fā)展經(jīng)濟體系，這也將為國內(nèi)光伏風電等清潔能源帶來廣闊的發(fā)展機遇。IGBT在光伏市場中主要應用于光伏逆變器。逆變器是太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中的關(guān)鍵部分，是將直流電轉(zhuǎn)化為用戶可以使用的交流電的必要過程，也是太陽能和用戶之間相聯(lián)系的必經(jīng)之路。采用IGBT作為太陽能光伏發(fā)電關(guān)鍵電路的開關(guān)器件有助于減少整個系統(tǒng)不必要的損耗，使其達到最佳工作狀態(tài)。所以，光伏逆變器通常采用IGBT。光伏逆變器出貨量增長帶動IGBT需求提升。根據(jù)BNEF數(shù)據(jù)，2019年底累計光伏裝機容量超過風電裝機，成為僅次于煤炭、天然氣、水電的全球第四大發(fā)電來源。受益于各國對新能源的推廣，全球光伏新增裝

45、機量GW級市場增大，帶動光伏逆變器需求快速增加。20132019，全球光伏逆變器量從39GW增長至127GW，年復合增長率達到22%，且預計將于2025年增長至327GW。IGBT作為光伏逆變器中的重要構(gòu)成部件，市場規(guī)模也將隨光伏逆變器需求量增長而擴大。光伏逆變器主要可分為集散式、集中式和組串式。集中式光伏逆變器的設備功率在50KW630KW之間，采用大電流IGBT；組串式光伏逆變器功率小于100KW，IGBT被用于其功率開關(guān)零部件。同樣的功率下，組串式光伏逆變器數(shù)量多于集中式光伏逆變器。隨著組串式逆變器應用占比的提升，光伏用IGBT數(shù)量有望有所增長。IGBT在風電市場中主要應用于風電變流器。

46、風電變流器作為風力發(fā)電機組的關(guān)鍵部件之一，可以使風機處于最佳發(fā)電狀態(tài)，同時將風力發(fā)電機發(fā)出的頻率、幅值不穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換為頻率、幅值穩(wěn)定的、且符合電網(wǎng)要求的電能后并入電網(wǎng)。IGBT是風電變流器的重要部件之一，變流器可通過提高IGBT等功率器件的耐壓和容量來提高風電系統(tǒng)的功率等級。IGBT用量將隨風電變流器需求瓦數(shù)增長而增加。隨著碳中和相關(guān)政策的逐步出臺，我國風力發(fā)電將迎來新一輪機遇，根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院預測，20212025，我國風力發(fā)電量將從82944.8億千瓦時增長至99707.9億千瓦時。風電的普及也將帶動風電變流器需求的增長。更多的風電變流器需求量也意味著風電市場對IGBT的需求量將大幅增

47、長。因此，IGBT用量將隨著風電普及而提升。變頻家電滲透率提升促進TIGBT用量增長。近年來，我國白色家電產(chǎn)品銷量已趨于穩(wěn)定。冰箱銷量保持在8000萬臺左右，洗衣機銷量保持在6000萬臺以上，空調(diào)銷量保持在14000萬臺以上。雖然白電整體銷量已趨于平緩，但變頻家電的滲透率的增長仍為IGBT用量帶來了提升空間。家電用變頻器內(nèi)置IGBT，截至2019年，空調(diào)、冰箱以及洗衣機的變頻占比分別為59.4%、46.8%以及39.7%，仍有較大成長空間。因此，家電用IGBT市場有望隨著變頻家電滲透率的提升而進一步擴大。工控用IGBT數(shù)量將隨下游需求增長而增加。在工控市場，IGBT是電焊機重要的零部件之一。在

48、電焊機的逆變部分，由于IGBT工作電流大，可采用半橋逆變的形式，以IGBT作為開關(guān)，使其開通與關(guān)閉由驅(qū)動信號控制。根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，20152020，中國電焊機產(chǎn)量從572萬臺增長至1109萬臺。IGBT在軌道交通中被廣泛使用。軌道車輛廣泛采用IGBT模塊來構(gòu)成牽引變流器以及輔助電源系統(tǒng)的恒壓恒頻（CVCF）逆變器，IGBT模塊的電壓等級通常在1200V6500V。軌道車輛中的所運用的逆變器主要為三點式逆變器和二點式逆變器。日本用于700系電動車組的為三點式主變流器，采用大功率平板型IGBT（2500V/1800A），整流器和逆變器的每個橋臂可用1個IGBT元件，從而使IGBT組件在

49、得到簡化的同時，功率單元總體結(jié)構(gòu)也變得緊湊。而我國引進法國Alstom公司的200km/h動車組中，則用IGBT構(gòu)成二點式逆變器。動車產(chǎn)能趨于平穩(wěn)，不同動車類型所需IGBT用量各有不同。近年來，我國動車組的產(chǎn)能趨于穩(wěn)定，但隨著我國高速鐵路網(wǎng)規(guī)模的擴張，預計動車組需求量將繼續(xù)增長，并帶動軌道交通用IGBT數(shù)量提升。此外，為滿足不同需求，我國高鐵動車組也被分為兩個速度等級200250公里/小時以及300350公里/小時。其中，200250公里/小時速度等級的有CRH1、CRH2、CRH5型，300350公里/小時速度等級有CRH2-300、CRH3等。七、 IGBT基本情況電力電子技術(shù)是以電子（弱

50、電）為手段去控制電力（強電）的技術(shù)，使電網(wǎng)的工頻電能最終轉(zhuǎn)換成不同性質(zhì)、不同用途的電能，以適應不同用電裝臵的不同需求。電力電子技術(shù)以電子學、電力學和控制論相互交叉結(jié)合為基礎，研究電能的變換和利用，廣泛應用于高壓直流輸電、電力機車牽引、交直流轉(zhuǎn)換、電加熱、電解等各種領域中。電力電子器件是電力電子技術(shù)的核心。電力電子器件即功率半導體器件，也稱為功率電子器件，是進行功率處理的半導體器件。典型的功率處理功能包括變頻、變壓、變流、功率放大、功率管理等，是電力電子裝臵的心臟。雖然功率器件在整臺電力電子裝臵中的價值通常不會超過總價值的20%-30%，但對整機的總價值、尺寸、總量、動態(tài)性能、過載能力、耐用性和

51、可靠性起著十分重要的作用。IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導型器件，被譽為電力電子行業(yè)里的“CPU”。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管，是國際上公認的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。IGBT作為工業(yè)控制及自動化領域的核心元器件，能夠根據(jù)信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現(xiàn)精準調(diào)控的目的，被稱為現(xiàn)代電力電子行業(yè)里的“CPU”，廣泛應用于電機節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等眾多領域。IGBT既有MOSFET的開關(guān)速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開

52、關(guān)損耗小的優(yōu)點，又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，是電力電子領域較為理想的開關(guān)器件。IGBT可以看做由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）組成的復合功率半導體器件。BJT即三極管，是電流驅(qū)動器件，基本結(jié)構(gòu)是兩個背靠背的PN結(jié)，基極和發(fā)射極之間的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，基極和集電極之間的PN結(jié)稱為集電結(jié)，通過控制輸入電壓和基極電流可以使三極管出現(xiàn)電流放大或開關(guān)效應。MOSFET是電壓型驅(qū)動器件，以常用的N溝道MOS管為例，通過在P型半導體上方加入金屬板和絕緣板，即柵極，在使用中保持源級和漏級電壓不變，柵極加正電壓，MOS管呈導通狀態(tài)，降低柵極電壓，MOS管呈關(guān)

53、閉狀態(tài)。由于柵極所帶來的電容效應，使得MOS管只需要很小的驅(qū)動功率即可實現(xiàn)高速的開關(guān)作用。BJT通態(tài)壓降小、載流能力大，但驅(qū)動電流小，MOSFET驅(qū)動功率小、快關(guān)速度快，但導通壓降大、載流密度小。IGBT可以等效為MOS管和BJT管的復合器件，在保留MOS管優(yōu)點的同時增加了載流能力和抗壓能力，自20世紀80年代末開始工業(yè)化應用以來發(fā)展迅速，成為電力電子領域中最重要的功率開關(guān)器件之一，在6500V以下的大功率高頻領域逐漸取代了晶閘管和功率MOSFET器件。第四章 公司成立方案一、 公司經(jīng)營宗旨憑借專業(yè)化、集約化的經(jīng)營策略，發(fā)揮公司各方面的優(yōu)勢，創(chuàng)造良好的經(jīng)濟效益，為全體股東提供滿意的經(jīng)濟回報。二

54、、 公司的目標、主要職責（一）目標近期目標：深化企業(yè)改革，加快結(jié)構(gòu)調(diào)整，優(yōu)化資源配置，加強企業(yè)管理，建立現(xiàn)代企業(yè)制度；精干主業(yè)，分離輔業(yè)，增強企業(yè)市場競爭力，加快發(fā)展；提高企業(yè)經(jīng)濟效益，完善管理制度及運營網(wǎng)絡。遠期目標：探索模式創(chuàng)新、制度創(chuàng)新、管理創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)發(fā)展新思路。堅持發(fā)展自主品牌，提升企業(yè)核心競爭力。此外，面向國際、國內(nèi)兩個市場，優(yōu)化資源配置，實施多元化戰(zhàn)略，向產(chǎn)業(yè)集團化發(fā)展，力爭利用3-5年的時間把公司建設成具有先進管理水平和較強市場競爭實力的大型企業(yè)集團。（二）主要職責1、執(zhí)行國家法律、法規(guī)和產(chǎn)業(yè)政策，在國家宏觀調(diào)控和行業(yè)監(jiān)管下，以市場需求為導向，依法自主經(jīng)營。2、根據(jù)國家和地方產(chǎn)業(yè)

55、政策、IGBT器件行業(yè)發(fā)展規(guī)劃和市場需求，制定并組織實施公司的發(fā)展戰(zhàn)略、中長期發(fā)展規(guī)劃、年度計劃和重大經(jīng)營決策。3、深化企業(yè)改革，加快結(jié)構(gòu)調(diào)整，轉(zhuǎn)換企業(yè)經(jīng)營機制，建立現(xiàn)代企業(yè)制度，強化內(nèi)部管理，促進企業(yè)可持續(xù)發(fā)展。4、指導和加強企業(yè)思想政治工作和精神文明建設，統(tǒng)一管理公司的名稱、商標、商譽等無形資產(chǎn)，搞好公司企業(yè)文化建設。5、在保證股東企業(yè)合法權(quán)益和自身發(fā)展需要的前提下，公司可依照公司法等有關(guān)規(guī)定，集中資產(chǎn)收益，用于再投入和結(jié)構(gòu)調(diào)整。三、 公司組建方式xx有限公司主要由xxx有限責任公司和xx（集團）有限公司共同出資成立。其中：xxx有限責任公司出資610.50萬元，占xx有限公司55%股份；

56、xx（集團）有限公司出資500萬元，占xx有限公司45%股份。四、 公司管理體制xx有限公司實行董事會領導下的總經(jīng)理負責制，各部門按其規(guī)定的職能范圍，履行各自的管理服務職能，而且直接對總經(jīng)理負責；公司建立完善的營銷、供應、生產(chǎn)和品質(zhì)管理體系，確立各部門相應的經(jīng)濟責任目標，加強產(chǎn)品質(zhì)量和定額目標管理，確保公司生產(chǎn)經(jīng)營正常、有效、穩(wěn)定、安全、持續(xù)運行，有力促進企業(yè)的高效、健康、快速發(fā)展?？偨?jīng)理的主要職責如下：1、全面領導企業(yè)的日常工作；對企業(yè)的產(chǎn)品質(zhì)量負責；向本公司職工傳達滿足顧客和法律法規(guī)要求的重要性；2、制定并正式批準頒布本公司的質(zhì)量方針和質(zhì)量目標，采取有效措施，保證各級人員理解質(zhì)量方針并堅持

57、貫徹執(zhí)行；3、負責策劃、建立本公司的質(zhì)量管理體系，批準發(fā)布本公司的質(zhì)量手冊；4、明確所有與質(zhì)量有關(guān)的職能部門和人員的職責權(quán)限和相互關(guān)系；5、確保質(zhì)量管理體系運行所必要的資源配備；6、任命管理者代表，并為其有效開展工作提供支持；7、定期組織并主持對質(zhì)量管理體系的管理評審，以確保其持續(xù)的適宜性、充分性和有效性。五、 部門職責及權(quán)限（一）綜合管理部1、協(xié)助管理者代表組織建立文件化質(zhì)量體系，并使其有效運行和持續(xù)改進。2、協(xié)助管理者代表，組織內(nèi)部質(zhì)量管理體系審核。3、負責本公司文件（包括記錄）的管理和控制。4、負責本公司員工培訓的管理，制訂并實施員工培訓計劃。5、參與識別并確定為實現(xiàn)產(chǎn)品符合性所需的工作環(huán)境，并對工作環(huán)境中與產(chǎn)品符合性有關(guān)的條件加以管理。（二）財務部1、參與制定本公司財務