項(xiàng)目半導(dǎo)體二極管的檢測(cè)與識(shí)別教學(xué)提綱

1、電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別項(xiàng)目半導(dǎo)體二極管的檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別【項(xiàng)目實(shí)施器材項(xiàng)目實(shí)施器材】（1）電子產(chǎn)品：功率放大器若干臺(tái)，兩人配備一臺(tái)。）電子產(chǎn)品：功率放大器若干臺(tái)，兩人配備一臺(tái)。（2）各種類型、不同規(guī)格的新二極管若干。）各種類型、不同規(guī)格的新二極管若干。（3）各種類型、不同規(guī)格的已經(jīng)損壞的二極管若干（可到）各種類型、不同規(guī)格的已經(jīng)損壞的二極管若干（可到電子產(chǎn)品維修部尋找）。電子產(chǎn)品維修部尋找）。（4）每?jī)蓚€(gè)人配備指針式萬(wàn)用表和數(shù)字式萬(wàn)用表各一只。）每?jī)蓚€(gè)人配備指針式萬(wàn)用表和數(shù)字式萬(wàn)用表各一只?！卷?xiàng)目實(shí)施步驟項(xiàng)目實(shí)施步驟】（1）拆卸功率放大器外殼

2、，觀看其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，認(rèn)識(shí)各種類）拆卸功率放大器外殼，觀看其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，認(rèn)識(shí)各種類型的二極管，識(shí)讀二極管上的各種數(shù)字和其他標(biāo)志。型的二極管，識(shí)讀二極管上的各種數(shù)字和其他標(biāo)志。（2）用萬(wàn)用表對(duì)電路板上的二極管進(jìn)行在線檢測(cè)。）用萬(wàn)用表對(duì)電路板上的二極管進(jìn)行在線檢測(cè)。（3）用萬(wàn)用表對(duì)與電路板上型號(hào)和規(guī)格相同的新二極管進(jìn)）用萬(wàn)用表對(duì)與電路板上型號(hào)和規(guī)格相同的新二極管進(jìn)行離線檢測(cè)，并分析比較在線檢測(cè)與離線檢測(cè)的結(jié)果。行離線檢測(cè)，并分析比較在線檢測(cè)與離線檢測(cè)的結(jié)果。（4）完成在項(xiàng)目實(shí)訓(xùn)報(bào)告中要求的操作，將操作結(jié)果填入）完成在項(xiàng)目實(shí)訓(xùn)報(bào)告中要求的操作，將操作結(jié)果填入相應(yīng)的表格中。相應(yīng)的表格中。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別

3、電子元器件檢測(cè)與識(shí)別常用半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 將所有的物質(zhì)按照導(dǎo)電性能進(jìn)行分類，可以分將所有的物質(zhì)按照導(dǎo)電性能進(jìn)行分類，可以分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體三類。為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體三類。導(dǎo)體：導(dǎo)體：自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體導(dǎo)體，金屬一，金屬一般都是導(dǎo)體。般都是導(dǎo)體。絕緣體：絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為絕緣體絕緣體，如橡皮、，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體：半導(dǎo)體：另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為之間，稱為半導(dǎo)體半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、，如鍺、硅

4、、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等氧化物等電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別 半導(dǎo)體是制作晶體二極管、晶體三極管、場(chǎng)效應(yīng)管和集成電路的材料。導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)：導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)：摻雜性、熱敏摻雜性、熱敏性和光敏性性和光敏性 半導(dǎo)體的電阻率隨著溫度的升高而下降，即溫度升高，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力增強(qiáng)。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力受摻入雜質(zhì)的影響顯著，即在半導(dǎo)體材料中摻入微量雜質(zhì)（特定的元素），電阻率下降，導(dǎo)電能力增強(qiáng)。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨著光照強(qiáng)度的增強(qiáng)而增強(qiáng)。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別 常用的半導(dǎo)體材料有硅（元素符號(hào)為Si）和鍺（元素符號(hào)為Ge）兩種。 純凈的半導(dǎo)體純凈的

5、半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。因?yàn)榘雽?dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)是晶體結(jié)構(gòu)，所以又稱為半導(dǎo)體晶體。用半導(dǎo)體材料做成的二極管、三極管又稱為晶體二極管、晶體三極管。本征半導(dǎo)體電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)GeGeSiSi 現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原子都處在正四面體的中心，而四個(gè)其它陣，每個(gè)原子都處在正四面體的中心，

6、而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個(gè)原子與其相臨的原子原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個(gè)原子與其相臨的原子之間形成之間形成共價(jià)鍵共價(jià)鍵，共用一對(duì)價(jià)電子。，共用一對(duì)價(jià)電子。硅和鍺的晶硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)體結(jié)構(gòu)：電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)共價(jià)鍵共共價(jià)鍵共用電子對(duì)用電子對(duì)+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4表示原子表示原子核內(nèi)質(zhì)子核內(nèi)質(zhì)子電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為束縛電子束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為自自由電子由

7、電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。定結(jié)構(gòu)。共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。則排列，形成晶體。+4+4+4+4電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別+4+4+4+4自由電子自由電子空穴空穴束縛電子束縛電子電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理+4+4+4+4+4+4+4+4在其它力的作用下，在其它力的作用下，

8、空穴吸引附近的電子空穴吸引附近的電子來(lái)填補(bǔ)，這樣的結(jié)果來(lái)填補(bǔ)，這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移，相當(dāng)于空穴的遷移，而空穴的遷移相當(dāng)于而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的移動(dòng)，因此正電荷的移動(dòng)，因此可以認(rèn)為空穴是載流可以認(rèn)為空穴是載流子。子。本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子自由電子和和空穴空穴。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)，導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)，溫度是影響半導(dǎo)體性溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個(gè)重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一能的一個(gè)重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的

9、一大特點(diǎn)。大特點(diǎn)。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。 本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成：本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成： 1. 1. 自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流。自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流。 2. 2. 空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流。空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流。（在本征半導(dǎo)體中（在本征半導(dǎo)體中 自由電子和空穴成對(duì)出現(xiàn)自由電子和空穴成對(duì)出現(xiàn), ,同同時(shí)又不斷的復(fù)合）時(shí)又不斷的復(fù)合）電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別幾個(gè)名詞 半導(dǎo)體硅元素和鍺元素的單個(gè)原子都是半導(dǎo)體硅元素和鍺元素的單個(gè)原子都是4 4價(jià)元素，其原子結(jié)構(gòu)為相對(duì)穩(wěn)定的共價(jià)健價(jià)元素，其原子結(jié)構(gòu)為相對(duì)穩(wěn)定的共價(jià)健結(jié)構(gòu)。所

10、以在室溫下有少數(shù)的價(jià)電子可以結(jié)構(gòu)。所以在室溫下有少數(shù)的價(jià)電子可以從原子的熱運(yùn)動(dòng)中獲得能量，掙脫共價(jià)健從原子的熱運(yùn)動(dòng)中獲得能量，掙脫共價(jià)健的束縛，成為帶負(fù)電荷的的束縛，成為帶負(fù)電荷的自由電子自由電子；在原；在原來(lái)的位置上留下一個(gè)帶正電荷的空位，這來(lái)的位置上留下一個(gè)帶正電荷的空位，這個(gè)空位稱為個(gè)空位稱為空穴空穴。在本征半導(dǎo)體中自由電。在本征半導(dǎo)體中自由電子和空穴是成對(duì)出現(xiàn)的稱為子和空穴是成對(duì)出現(xiàn)的稱為電子空穴對(duì)。電子空穴對(duì)。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別 在外加電壓的作用下，電子和空穴在外加電壓的作用下，電子和空穴都參與導(dǎo)電，所以電子和空穴都稱為都參與導(dǎo)電，所以電子和空穴都稱為載流子載流

11、子。兩種載流子所帶的電量相等、。兩種載流子所帶的電量相等、極性相反，對(duì)外不顯電性。自由電子極性相反，對(duì)外不顯電性。自由電子與空穴相遇時(shí)也會(huì)中和，稱為與空穴相遇時(shí)也會(huì)中和，稱為復(fù)合復(fù)合。 常溫下本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力差，要常溫下本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力差，要提高它的導(dǎo)電能力，必須摻入微量的提高它的導(dǎo)電能力，必須摻入微量的雜質(zhì)（特定元素），這就是雜質(zhì)（特定元素），這就是雜質(zhì)半導(dǎo)雜質(zhì)半導(dǎo)體。體。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流

12、子濃度大大增加。雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。P P 型半導(dǎo)體：型半導(dǎo)體：空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（空穴半導(dǎo)體）。稱為（空穴半導(dǎo)體）。N N 型半導(dǎo)體：型半導(dǎo)體：自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（電子半導(dǎo)體）。也稱為（電子半導(dǎo)體）。雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別N N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的五價(jià)元素磷，在硅或鍺晶體中摻入少量的五價(jià)元素磷，晶體中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，磷原晶體中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，磷原子的最外層有五個(gè)價(jià)電子，其中四個(gè)與相鄰子的最外

13、層有五個(gè)價(jià)電子，其中四個(gè)與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵，必定多出一個(gè)電的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵，必定多出一個(gè)電子，這個(gè)電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)子，這個(gè)電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動(dòng)的帶正電的離子。動(dòng)的帶正電的離子。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別+4+4+4+4+5+5+4+4多余多余電子電子磷原子磷原子N N 型半導(dǎo)體中型半導(dǎo)體中的載流子是什的載流子是什么？么？1.1.由磷原子提供的電子，濃度與磷原子相同。由磷原子提供的電子，濃度與磷原子相同。2.2.本征半導(dǎo)體中成對(duì)產(chǎn)生的電子和空穴。本征半導(dǎo)體中成對(duì)產(chǎn)生

14、的電子和空穴。摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。自由電子稱為由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。自由電子稱為多數(shù)載流多數(shù)載流子子（多子多子），空穴稱為），空穴稱為少數(shù)載流子少數(shù)載流子（少子少子）。）。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別P P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)元素，如硼（或在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)元素，如硼（或銦），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最銦），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最外層有三個(gè)價(jià)電子，與相鄰的外層有三個(gè)價(jià)電子，與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共

15、價(jià)鍵時(shí)，產(chǎn)半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)空穴。這個(gè)空穴可能吸生一個(gè)空穴。這個(gè)空穴可能吸引束縛電子來(lái)填補(bǔ)，使得硼原引束縛電子來(lái)填補(bǔ)，使得硼原子成為不能移動(dòng)的帶負(fù)電的離子成為不能移動(dòng)的帶負(fù)電的離子。子。+4+4+4+4+3+3+4+4空穴空穴硼原子硼原子P P 型半導(dǎo)體中空穴是多子，型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子。電子是少子。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的符號(hào)三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的符號(hào)P P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體+N N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別總結(jié) 本征半導(dǎo)體中受激產(chǎn)生的電子很少。 N型半導(dǎo)體中電子是多子，其中大部分是摻雜提供的電子，N型半導(dǎo)體

16、中空穴是少子，少子的遷移也能形成電流，由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子。近似認(rèn)為多子與雜質(zhì)濃度相等。 P型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別比較雜質(zhì)雜質(zhì)元素多子少子主要導(dǎo)電載流子N型型半導(dǎo)體半導(dǎo)體五價(jià)磷自由電子空穴 自由 電子P型型半導(dǎo)體半導(dǎo)體三價(jià)硼空穴自由電子 空穴電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別P 電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別P P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體N N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體+擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)E E漂移運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬。荷區(qū)逐漸加寬。內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)，漂移

17、運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空間電越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。荷區(qū)變薄?？臻g電荷區(qū)，空間電荷區(qū)，也稱耗盡層。也稱耗盡層。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別漂移運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體N N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體+擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)E E所以擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，所以擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒(méi)有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒(méi)有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。度固定不變。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別+空間空間電荷電荷區(qū)區(qū)N型區(qū)型區(qū)P型區(qū)型區(qū)電位電位VV0電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別 注意注意1.

18、空間電荷區(qū)中沒(méi)有載流子?？臻g電荷區(qū)中沒(méi)有載流子。2.2.空間電荷區(qū)中內(nèi)電場(chǎng)阻礙空間電荷區(qū)中內(nèi)電場(chǎng)阻礙P P區(qū)區(qū)中的空穴中的空穴. .N N 區(qū)區(qū) 中的電子（中的電子（都是多子都是多子）向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)（）向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)（擴(kuò)散擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)運(yùn)動(dòng)）。）。3. P 區(qū)中的電子和區(qū)中的電子和 N區(qū)中的空穴（區(qū)中的空穴（都是少都是少），），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別(1) 加正向電壓（正偏）加正向電壓（正偏）電源正極接電源正極接P區(qū)，負(fù)極接區(qū)，負(fù)極接N區(qū)區(qū) 外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相反。外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相反。 外電場(chǎng)削弱內(nèi)電場(chǎng)

19、外電場(chǎng)削弱內(nèi)電場(chǎng)耗盡層變窄耗盡層變窄 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)多子多子擴(kuò)散形成正向電流擴(kuò)散形成正向電流I I F F+P型半導(dǎo)體+N型半導(dǎo)體+WER空間電荷區(qū)內(nèi)電場(chǎng)E正向電流正向電流PNPN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦噪娮釉骷z測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別(2) (2) 加反向電壓加反向電壓電源正極接電源正極接N N區(qū)區(qū)，負(fù)極接，負(fù)極接P P區(qū)區(qū) 外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相同。外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相同。 外電場(chǎng)加強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)加強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng)耗盡層變寬耗盡層變寬漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)少子漂移形成反向電流少子漂移形成反向電流I I R R+內(nèi)電場(chǎng)+E+EW+空 間 電 荷 區(qū)+

20、R+IRP PN N電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別 在一定的溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一在一定的溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一定的，故定的，故I IR R基本上與外加反壓的大小無(wú)關(guān)，所以稱為基本上與外加反壓的大小無(wú)關(guān)，所以稱為反向飽和電流。但反向飽和電流。但I(xiàn) IR R與溫度有關(guān)。與溫度有關(guān)。 電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別漂移運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體N N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體+擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)E E所以擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，所以擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒(méi)有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚相當(dāng)于兩個(gè)

21、區(qū)之間沒(méi)有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。度固定不變。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別+空間空間電荷電荷區(qū)區(qū)N型區(qū)型區(qū)P型區(qū)型區(qū)電位電位VV0電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別 注意注意1.空間電荷區(qū)中沒(méi)有載流子。空間電荷區(qū)中沒(méi)有載流子。2.2.空間電荷區(qū)中內(nèi)電場(chǎng)阻礙空間電荷區(qū)中內(nèi)電場(chǎng)阻礙P P區(qū)區(qū)中的空穴中的空穴. .N N 區(qū)區(qū) 中的電子（中的電子（都是多子都是多子）向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)（）向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)（擴(kuò)散擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)運(yùn)動(dòng)）。）。3. P 區(qū)中的電子和區(qū)中的電子和 N區(qū)中的空穴（區(qū)中的空穴（都是少都是少），），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。電子

22、元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別(1) 加正向電壓（正偏）加正向電壓（正偏）電源正極接電源正極接P區(qū)，負(fù)極接區(qū)，負(fù)極接N區(qū)區(qū) 外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相反。外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相反。 外電場(chǎng)削弱內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)削弱內(nèi)電場(chǎng)耗盡層變窄耗盡層變窄 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)多子多子擴(kuò)散形成正向電流擴(kuò)散形成正向電流I I F F+P型半導(dǎo)體+N型半導(dǎo)體+WER空間電荷區(qū)內(nèi)電場(chǎng)E正向電流正向電流PNPN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦噪娮釉骷z測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別(2) (2) 加反向電壓加反向電壓電源正極接電源正極接N N區(qū)區(qū)，負(fù)極接，負(fù)極接P P區(qū)區(qū) 外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相同。外

23、電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相同。 外電場(chǎng)加強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)加強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng)耗盡層變寬耗盡層變寬漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)少子漂移形成反向電流少子漂移形成反向電流I I R R+內(nèi)電場(chǎng)+E+EW+空 間 電 荷 區(qū)+R+IRP PN N電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別 在一定的溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一在一定的溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一定的，故定的，故I IR R基本上與外加反壓的大小無(wú)關(guān)，所以稱為基本上與外加反壓的大小無(wú)關(guān)，所以稱為反向飽和電流。但反向飽和電流。但I(xiàn) IR R與溫度有關(guān)。與溫度有關(guān)。 電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)加正向電

24、壓導(dǎo)通 圖圖1-1 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?將PN結(jié)按照?qǐng)D1-1（a）所示接上電源稱為加正向電壓，加正向電壓時(shí)阻擋層（PN結(jié)）變窄，電阻變小，電流增大，稱為PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。 電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別PN結(jié)的單向?qū)щ娦?將PN結(jié)按照?qǐng)D1-1（b）所示接上電源稱為加反向電壓，加反向電壓時(shí)阻擋層（PN結(jié)）變寬，電阻變大，電流減小，稱為PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。 綜上所述，當(dāng)PN結(jié)加正向電壓時(shí)會(huì)導(dǎo)通，加反向電壓時(shí)會(huì)截止，這就是PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?PNPN結(jié)加反向電壓結(jié)加反向電壓截止截止 電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別綜上所述，當(dāng)PN結(jié)加正向電壓時(shí)會(huì)導(dǎo)通，加反向電壓時(shí)會(huì)截止，這就是

25、PN結(jié)的單向?qū)щ娦?。P接高電位、N接低電位，PN結(jié)正偏導(dǎo)通P接低電位、N接高電位，PN結(jié)反向截止PN結(jié)小結(jié)電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別晶體二極管圖電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別晶體二極管的結(jié)構(gòu) 用外殼把一個(gè)PN結(jié)封裝起來(lái)，從P區(qū)和N區(qū)各引出一個(gè)電極，就組成一個(gè)晶體二極管，簡(jiǎn)稱二極管，用VD表示。示意圖如圖1-2（a）所示。圖（b）是晶體二極管的電路符號(hào)。 圖圖1-2 晶體二極管電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別引線引線外殼線外殼線觸絲線觸絲線基片基片點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型PN結(jié)結(jié)面接觸型面接觸型PN二極管的電路符號(hào)：二極管的電路符號(hào)：陽(yáng)極陽(yáng)極+陰極陰極-電子元器件檢測(cè)與識(shí)

26、別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別晶體二極管的分類 晶體二極管種類很多 按照制造材料的不同分為硅二極管和鍺二極管。 按照用途分為整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、開(kāi)關(guān)二極管等。 按照制造工藝分類有點(diǎn)接觸型、面接觸型、平面型等。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別 2.2.1 二極管的結(jié)構(gòu)、類二極管的結(jié)構(gòu)、類型及符號(hào)型及符號(hào) 將一個(gè)PN結(jié)封裝起來(lái)，引出兩個(gè)電極，就構(gòu)成半導(dǎo)體二極管，也稱晶體二極管。其電路中的表示符號(hào)如圖2-11a所示。二極管的外形如圖2-1b所示。(a) 二極管的表示符號(hào) (b) 二極管的外型陽(yáng)極陰極圖2-11 半導(dǎo)體二極管(a)(b)陰極陰極陽(yáng)極陽(yáng)極電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)

27、與識(shí)別二極管的結(jié)構(gòu)示意圖 二極管的結(jié)構(gòu)有三種，點(diǎn)接觸型、面接觸型、平面型，如圖2-12所示。陽(yáng)極引線陰極引線鋁金屬小球金銻合金底座N型硅PN結(jié)N型鍺片觸絲引線圖 2-12 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)示意圖外殼(a) 點(diǎn)接觸型(b) 面接觸型(c) 平面型陽(yáng)極引線陰極引線N型硅P型硅(a)(b)(c)點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型面接觸型面接觸型平面型平面型電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別2二極管的特性二極管的特性伏安特性伏安特性：二極：二極管的導(dǎo)電性能由加在管的導(dǎo)電性能由加在二極管兩端的電壓和二極管兩端的電壓和流過(guò)二極管的電流來(lái)流過(guò)二極管的電流來(lái)決定，這兩者之間的決定，這兩者之間的關(guān)系稱為二極管的伏關(guān)系稱為

28、二極管的伏安特性。硅二極管的安特性。硅二極管的伏安特性曲線如圖所伏安特性曲線如圖所示。示。特性曲線特性曲線1.1半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別 二極管兩端的電壓u（單位為伏）與電流i（單位為安）之間的變化規(guī)律稱為晶體二極管的伏安特性。通常用曲線來(lái)表示二極管的伏安特性，這條曲線稱為伏安特性曲線。伏安特性曲線可以通過(guò)實(shí)驗(yàn)的方法得到，測(cè)試電路如下圖1-3所示。 圖1-3 晶體二極管伏安特性測(cè)試 電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別 正向?qū)ǎ寒?dāng)外加電壓大于死區(qū)電壓后，電流隨電壓正向?qū)ǎ寒?dāng)外加電壓大于死區(qū)電壓后，電流隨電壓增大而急劇增大，二極管導(dǎo)通。增大而急劇增

29、大，二極管導(dǎo)通。 死區(qū)：當(dāng)正向電壓較小時(shí)，正向電流極小，二極管呈死區(qū)：當(dāng)正向電壓較小時(shí)，正向電流極小，二極管呈現(xiàn)很大的電阻，如現(xiàn)很大的電阻，如 OA 段，通常把這個(gè)范圍稱為死區(qū)。段，通常把這個(gè)范圍稱為死區(qū)。 死區(qū)電壓：死區(qū)電壓：導(dǎo)通電壓：導(dǎo)通電壓： = =onV0.2 V 0.3 V （Ge）0.6 V 0.7 V （Si）結(jié)論：正偏時(shí)電阻小，具有非線性。結(jié)論：正偏時(shí)電阻小，具有非線性。（1）正向特性（二極管正極電壓大于負(fù)極電壓）正向特性（二極管正極電壓大于負(fù)極電壓）1.1半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 = =( (Si）V 0.2V 5 . 0TV( (Ge）電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)

30、別 反向擊穿反向擊穿：若反向電壓不斷增大到一定數(shù)值時(shí)，反向：若反向電壓不斷增大到一定數(shù)值時(shí)，反向電流就會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。電流就會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。 反向飽和電流反向飽和電流：當(dāng)加反向電壓時(shí)，二極管反向電流很：當(dāng)加反向電壓時(shí)，二極管反向電流很小，而且在很大范圍內(nèi)不隨反向電壓的變化而變化，故稱為小，而且在很大范圍內(nèi)不隨反向電壓的變化而變化，故稱為反向飽和電流。反向飽和電流。（2）反向特性（二極管負(fù)極電壓大于正極電壓）反向特性（二極管負(fù)極電壓大于正極電壓）普通二極管不允許出現(xiàn)此種狀態(tài)。普通二極管不允許出現(xiàn)此種狀態(tài)。結(jié)論：反偏電阻大，存在電擊穿現(xiàn)象。結(jié)論：反偏電阻大，存在

31、電擊穿現(xiàn)象。二極管屬于非線性器件二極管屬于非線性器件 1.1半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別3半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)（1）最大整流電流最大整流電流 IF： 二極管長(zhǎng)時(shí)間工作時(shí)允許通過(guò)的最大直流電流。二極管長(zhǎng)時(shí)間工作時(shí)允許通過(guò)的最大直流電流。 二極管正常使用時(shí)允許加的最高反向電壓。二極管正常使用時(shí)允許加的最高反向電壓。 使用時(shí)應(yīng)注意流過(guò)二極管的正向最大電流不能大于這個(gè)使用時(shí)應(yīng)注意流過(guò)二極管的正向最大電流不能大于這個(gè)數(shù)值，否則可能損壞二極管。數(shù)值，否則可能損壞二極管。（2）最高反向工作電壓最高反向工作電壓 VRM使用中如果超過(guò)此值，二極管將有被

32、擊穿的危險(xiǎn)。使用中如果超過(guò)此值，二極管將有被擊穿的危險(xiǎn)。1.1半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別二極管特性曲線測(cè)試 電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別 圖1-4 晶體二極管伏安特性曲線 晶體二極管特性曲線電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別曲線分析 正向特性正向特性 只有當(dāng)正向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，才有明顯的正向只有當(dāng)正向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，才有明顯的正向電流，這個(gè)電壓數(shù)值稱為電流，這個(gè)電壓數(shù)值稱為“門限電壓門限電壓”或或“死區(qū)電壓死區(qū)電壓”用用U UT T表示。對(duì)于表示。對(duì)于硅管硅管U UT T為為0.60.60.80.8伏伏；對(duì)于；對(duì)于鍺管鍺管U UT

33、 T為為0.20.20.30.3伏伏。一般情況下，從曲線近似直線部分作切。一般情況下，從曲線近似直線部分作切線，切線與橫坐標(biāo)的交點(diǎn)即為線，切線與橫坐標(biāo)的交點(diǎn)即為U UT T。 隨著電壓隨著電壓u u的增加，電流的增加，電流i i按照指數(shù)的規(guī)律增加，按照指數(shù)的規(guī)律增加，當(dāng)當(dāng)電流較大時(shí)，電流隨著電壓的增加幾乎直線上升電流較大時(shí)，電流隨著電壓的增加幾乎直線上升。 不論硅管還是鍺管，不論硅管還是鍺管，即使工作在最大允許電流，管即使工作在最大允許電流，管子兩端的電壓降一般也不會(huì)超過(guò)子兩端的電壓降一般也不會(huì)超過(guò)1.51.5伏，伏，這是晶體二極這是晶體二極管的特殊結(jié)構(gòu)所決定的。管的特殊結(jié)構(gòu)所決定的。電子元器

34、件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別 反向特性 反向電流很小。而且相同溫度下，硅管比鍺管的反向電流更小。 反向擊穿之前，反向電流基本不隨反向電壓的變化而變化，所以這個(gè)電流稱為反向飽和電流。用IS表示。 反向飽和電流隨著溫度的上升而按照指數(shù)的規(guī)律增長(zhǎng)。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別 反向擊穿特性 當(dāng)反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流將急劇增加，這種現(xiàn)象稱為當(dāng)反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流將急劇增加，這種現(xiàn)象稱為擊穿現(xiàn)象擊穿現(xiàn)象。對(duì)應(yīng)于電流突變的這一點(diǎn)的電壓稱為對(duì)應(yīng)于電流突變的這一點(diǎn)的電壓稱為反向擊穿電壓反向擊穿電壓，用，用UBUB表示。表示。 可見(jiàn)二極管特性是可見(jiàn)二極管特性是單向?qū)щ娦詥蜗?/p>

35、導(dǎo)電性。陰極陽(yáng)極接高電位、陰極接低電位，二極管正偏導(dǎo)通陽(yáng)極低電位、陰極高電位，二極管反向截止虛擬實(shí)驗(yàn)演示電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別晶體二極管的主要參數(shù) l 最大整流電流最大整流電流I IF F 允許流過(guò)二極管的平均電流的最大值。正常允許流過(guò)二極管的平均電流的最大值。正常工作時(shí)二極管的電流工作時(shí)二極管的電流I ID D應(yīng)該小于應(yīng)該小于I IF F。l 最高反向工作電壓最高反向工作電壓U UR R 允許加在二極管上反向電壓的最大值。一般允許加在二極管上反向電壓的最大值。一般情況下取情況下取U UR R為為U UB B（反向擊穿電壓）的一半。（反向擊穿電壓）的一半。l 最高工作頻率最高

36、工作頻率f fM M 指二極管工作頻率的上限值。主要由指二極管工作頻率的上限值。主要由PNPN結(jié)的結(jié)的電容決定。外加信號(hào)的頻率超過(guò)二極管的最高工電容決定。外加信號(hào)的頻率超過(guò)二極管的最高工作頻率時(shí)，二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫淖黝l率時(shí)，二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫捏w現(xiàn)。體現(xiàn)。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別特殊二極管 1.1.穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管UIIZIZmax UZ IZ穩(wěn)壓穩(wěn)壓誤差誤差曲線越陡，曲線越陡，電壓越穩(wěn)電壓越穩(wěn)定。定。+-UZ電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別 2.光電二極管 光電子系統(tǒng)的突出優(yōu)點(diǎn)：抗干擾能力強(qiáng)，可大量傳輸信息，且傳輸功耗小，工作可靠，而光信

37、號(hào)與電信號(hào)之間的接口需要由一些特殊的光電子器件來(lái)完成。如：光敏二極管、發(fā)光二極管電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別光敏二極管 光敏二極管與普通PN結(jié)二極管類似，但在其PN結(jié)處，有玻璃窗口能接收外部的光照，PN結(jié)在反向偏置下工作，它的反向電流隨光照強(qiáng)度增加而上升。主要特點(diǎn)：反向電流與照度成正比。無(wú)光照時(shí)，反向電流很小，稱其為暗電流；有光照時(shí)，反向電流很大，稱其為光電流。IU照度增加照度增加電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別發(fā)光二極管有正向電流流過(guò)時(shí)，發(fā)出一定波長(zhǎng)范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見(jiàn)波段的光，它的電特性與一般二極管類似。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別項(xiàng)目

38、相關(guān)知識(shí)項(xiàng)目相關(guān)知識(shí) 半導(dǎo)體器件是近半導(dǎo)體器件是近60年來(lái)發(fā)展起來(lái)的新型電子器件，具有體積小、重年來(lái)發(fā)展起來(lái)的新型電子器件，具有體積小、重量輕、耗電省、壽命長(zhǎng)、工作可靠等一系列優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用十分廣泛。常用二量輕、耗電省、壽命長(zhǎng)、工作可靠等一系列優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用十分廣泛。常用二極管的外型和封裝形式如圖極管的外型和封裝形式如圖4.1所示。所示。圖圖4.1 常用二極管的外型和封裝形式常用二極管的外型和封裝形式電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別圖圖4.1 常用二極管的外型和封裝形式（續(xù)）常用二極管的外型和封裝形式（續(xù)）電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別知識(shí)知識(shí)1 國(guó)產(chǎn)二極管型號(hào)命名法國(guó)產(chǎn)二極管型號(hào)命

39、名法第一部分第一部分第二部分第二部分第三部分第三部分第四部分第四部分第五部分第五部分用數(shù)字表示器件的電用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目極數(shù)目用字母表示器件的材料和類性用字母表示器件的材料和類性用字母表示器件的用途用字母表示器件的用途用數(shù)字表示序號(hào)用數(shù)字表示序號(hào)用字母表示規(guī)格用字母表示規(guī)格符號(hào)符號(hào)意義意義符號(hào)符號(hào)意義意義符號(hào)符號(hào)意義意義意義意義意義意義2二極管二極管AN型，鍺材料型，鍺材料P小信號(hào)管小信號(hào)管反映了極限參數(shù)、直流反映了極限參數(shù)、直流參數(shù)和交流參數(shù)的差別參數(shù)和交流參數(shù)的差別反映承受反向擊反映承受反向擊穿電壓的程度，穿電壓的程度，其規(guī)格號(hào)為其規(guī)格號(hào)為A、B、C、D。其中。其中A承受的反向擊穿承

40、受的反向擊穿電壓最低，電壓最低，B次次之之BP型，鍺材料型，鍺材料V混頻檢波器混頻檢波器CN型，硅材料型，硅材料W穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管DP型，硅材料型，硅材料C變?nèi)萜髯內(nèi)萜鱖整流管整流管S隧道管隧道管GS光電子顯示器光電子顯示器K開(kāi)關(guān)管開(kāi)關(guān)管T半導(dǎo)體閘流管半導(dǎo)體閘流管Y體效應(yīng)器件體效應(yīng)器件B雪崩管雪崩管J階躍恢復(fù)管階躍恢復(fù)管CS場(chǎng)效應(yīng)器件場(chǎng)效應(yīng)器件BT半導(dǎo)體特殊器件半導(dǎo)體特殊器件PINPIN管管GJ激光管激光管電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別知識(shí)知識(shí)2 二極管的類型與用途二極管的類型與用途 二極管的外包裝材料有塑料、玻璃和金屬二極管的外包裝材料有塑料、玻璃和金屬3種。按照二極種。按照二極管的結(jié)

41、構(gòu)材料可分為硅和鍺兩種；按制作與識(shí)別可分為點(diǎn)接管的結(jié)構(gòu)材料可分為硅和鍺兩種；按制作與識(shí)別可分為點(diǎn)接觸型和面接觸型；按用途可分為整流二極管、穩(wěn)壓二極管、觸型和面接觸型；按用途可分為整流二極管、穩(wěn)壓二極管、檢波二極管、開(kāi)關(guān)二極管、雙向二極管、變?nèi)荻O管、阻尼檢波二極管、開(kāi)關(guān)二極管、雙向二極管、變?nèi)荻O管、阻尼二極管、高壓硅堆和敏感類二極管（光敏、溫敏、壓敏、磁二極管、高壓硅堆和敏感類二極管（光敏、溫敏、壓敏、磁敏等）。敏等）。1整流二極管整流二極管 整流二極管主要用于把交流電變換成脈動(dòng)的直流電。整流整流二極管主要用于把交流電變換成脈動(dòng)的直流電。整流二極管的結(jié)構(gòu)為面接觸型，其結(jié)電容較大，因此，工作頻

42、率二極管的結(jié)構(gòu)為面接觸型，其結(jié)電容較大，因此，工作頻率范圍較窄（范圍較窄（3kHz以內(nèi)）。常用的型號(hào)有以內(nèi)）。常用的型號(hào)有2CZ型、型、2DZ型等，型等，還有用于高壓和高頻整流電路的高壓整流堆，如還有用于高壓和高頻整流電路的高壓整流堆，如2CGL型、型、DH26型、型、2CL51型等。型等。選擇整流二極管時(shí)主要考慮其最大整流電流、最高反向工作選擇整流二極管時(shí)主要考慮其最大整流電流、最高反向工作電壓是否滿足要求。常用的硅橋（硅整流組合管）為電壓是否滿足要求。常用的硅橋（硅整流組合管）為QL型型。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別 知識(shí)知識(shí)3 二極管的檢測(cè)二極管的檢測(cè)1用萬(wàn)用表測(cè)試普通二極管

43、的方法用萬(wàn)用表測(cè)試普通二極管的方法 普通二極管外殼上均印有型號(hào)和標(biāo)記。標(biāo)記方法有箭頭、普通二極管外殼上均印有型號(hào)和標(biāo)記。標(biāo)記方法有箭頭、色點(diǎn)、色環(huán)色點(diǎn)、色環(huán)3種，箭頭所指方向或靠近色環(huán)的一端為二極管的種，箭頭所指方向或靠近色環(huán)的一端為二極管的負(fù)極，有色點(diǎn)的一端為正極。若型號(hào)和標(biāo)記脫落時(shí)，可用萬(wàn)用負(fù)極，有色點(diǎn)的一端為正極。若型號(hào)和標(biāo)記脫落時(shí)，可用萬(wàn)用表的歐姆擋進(jìn)行判別。主要原理是根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦?，表的歐姆擋進(jìn)行判別。主要原理是根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦?，其反向電阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于正向電阻。具體過(guò)程如下。其反向電阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于正向電阻。具體過(guò)程如下。（1）判別極性）判別極性 將萬(wàn)用表選在將萬(wàn)用表選在“R10

44、0”擋或擋或“R1 k”擋，兩表筆分別接擋，兩表筆分別接二極管的兩個(gè)電極。若測(cè)出的電阻值較?。ü韫転閹装俚綆浊ФO管的兩個(gè)電極。若測(cè)出的電阻值較小（硅管為幾百到幾千歐姆，鍺管為歐姆，鍺管為100 1 k ），說(shuō)明是正向?qū)?，此時(shí)黑表筆），說(shuō)明是正向?qū)ǎ藭r(shí)黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的則是負(fù)極；若測(cè)出的電阻值接的是二極管的正極，紅表筆接的則是負(fù)極；若測(cè)出的電阻值較大（幾十到幾百千歐姆），為反向截止，此時(shí)紅表筆接的是較大（幾十到幾百千歐姆），為反向截止，此時(shí)紅表筆接的是二極管的正極，黑表筆接的是負(fù)極。二極管的正極，黑表筆接的是負(fù)極。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別（2）檢查好壞）

45、檢查好壞 通過(guò)測(cè)量正、反向電阻可判斷二極管的好壞。一般小功率硅通過(guò)測(cè)量正、反向電阻可判斷二極管的好壞。一般小功率硅二極管正向電阻為幾千歐姆到幾兆歐姆，鍺管約為二極管正向電阻為幾千歐姆到幾兆歐姆，鍺管約為100 1 k 。（3）判別硅、鍺管）判別硅、鍺管 若不知被測(cè)的二極管是硅管還是鍺管，可根據(jù)硅、鍺管的導(dǎo)若不知被測(cè)的二極管是硅管還是鍺管，可根據(jù)硅、鍺管的導(dǎo)通壓降不同的原理來(lái)判別。將二極管接在電路中，當(dāng)其導(dǎo)通通壓降不同的原理來(lái)判別。將二極管接在電路中，當(dāng)其導(dǎo)通時(shí)，用萬(wàn)用表測(cè)其正向壓降時(shí)，用萬(wàn)用表測(cè)其正向壓降,硅管一般為硅管一般為0.60.7 V,鍺管為鍺管為0.10.3 V。也可以用數(shù)字表直接測(cè)

46、量二極管的正向壓降，馬上判斷出該也可以用數(shù)字表直接測(cè)量二極管的正向壓降，馬上判斷出該二極管的材料。二極管的材料。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別2用萬(wàn)用表測(cè)試穩(wěn)壓管的方法（1）極性的判別）極性的判別 與普通二極管的判別方法相同。與普通二極管的判別方法相同。（2）檢查好壞）檢查好壞 將萬(wàn)用表置于將萬(wàn)用表置于“R10 k”擋，黑表筆接穩(wěn)壓管的擋，黑表筆接穩(wěn)壓管的“”極，極，紅筆接穩(wěn)壓管的紅筆接穩(wěn)壓管的“+”，若此時(shí)的反向電阻很?。ㄅc使用，若此時(shí)的反向電阻很?。ㄅc使用“R1 k”擋時(shí)的測(cè)試值相比校），說(shuō)明該穩(wěn)壓管正常。因擋時(shí)的測(cè)試值相比校），說(shuō)明該穩(wěn)壓管正常。因?yàn)槿f(wàn)用表為萬(wàn)用表“R10 k”

47、擋的內(nèi)部電壓都在擋的內(nèi)部電壓都在9 V以上，可達(dá)到被以上，可達(dá)到被測(cè)穩(wěn)壓管的擊穿電壓，使其阻值大大減小。測(cè)穩(wěn)壓管的擊穿電壓，使其阻值大大減小。3用萬(wàn)用表測(cè)試雙向二極管的方法（1）將萬(wàn)用表置于）將萬(wàn)用表置于“R1 k”擋或擋或“R10 k”擋，測(cè)量雙向擋，測(cè)量雙向二極管的正反向電阻。因?yàn)殡p向二極管的轉(zhuǎn)折電壓值均在二極管的正反向電阻。因?yàn)殡p向二極管的轉(zhuǎn)折電壓值均在20 V以上，所以測(cè)量一個(gè)正常的雙向二極管的正、反向電阻以上，所以測(cè)量一個(gè)正常的雙向二極管的正、反向電阻的阻值都應(yīng)是無(wú)窮大。的阻值都應(yīng)是無(wú)窮大。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別（2）外加電源測(cè)量法。）外加電源測(cè)量法。 給雙向二極管

48、外加一個(gè)能高于雙向二極管轉(zhuǎn)折電壓的給雙向二極管外加一個(gè)能高于雙向二極管轉(zhuǎn)折電壓的電源，一般小管子電源，一般小管子50 V就夠了。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表的電流就夠了。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表的電流擋串接在電路中，逐漸增加電源電壓，當(dāng)電流表的指針有擋串接在電路中，逐漸增加電源電壓，當(dāng)電流表的指針有較明顯擺動(dòng)時(shí)，就說(shuō)明該雙向二極管導(dǎo)通了，此時(shí)的電壓較明顯擺動(dòng)時(shí)，就說(shuō)明該雙向二極管導(dǎo)通了，此時(shí)的電壓就可認(rèn)為是雙向二極管的轉(zhuǎn)折電壓。就可認(rèn)為是雙向二極管的轉(zhuǎn)折電壓。然后再改變電源的極性，可測(cè)出雙向二極管另一方向的然后再改變電源的極性，可測(cè)出雙向二極管另一方向的轉(zhuǎn)折電壓。兩次轉(zhuǎn)折電壓值的差，即為轉(zhuǎn)折電壓偏差值轉(zhuǎn)折電壓。兩次轉(zhuǎn)折電壓值的差，即為轉(zhuǎn)折電壓偏差值 UB，雙向二極管的轉(zhuǎn)折電壓偏差值，雙向二極管的轉(zhuǎn)折電壓偏差值 UB越小越好。越小越好。電子元器件檢測(cè)與識(shí)別電子元器件檢測(cè)與識(shí)別技能與技巧技能與技巧 穩(wěn)壓管與普通二極管的區(qū)分方法穩(wěn)壓管與普通二極管的區(qū)分方法常用穩(wěn)壓管的外形與普通小功率整流二極管的外形基本相似。當(dāng)其殼體常用穩(wěn)壓管的外形與普通小功率整流二極管的外形基本相似。當(dāng)其殼體上的型號(hào)標(biāo)記清楚時(shí)，可根據(jù)型號(hào)加以鑒別。當(dāng)其型號(hào)標(biāo)志脫落時(shí)