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文檔簡介
1、氰化鍍銀電鍍工藝 OTSTAR AG 推薦配方OTSTAR AG A BRIGHTNER 1) OTSTAR A 銀光亮粉 , 4.5-6.5 G/L 最佳 5G/L 2) 化學(xué)純 氫氧化鉀 80-100 G/L 最佳 90 G/L 3)OTSTAR B 銀光亮粉 0-10 G/L 最佳 5 G/L 4) 化學(xué)
2、純 硫酸鉀 10-25 G/L 最佳 18.5 G/L BALANCE 去離子水 配制程序 ,先加入50% 體積含量的去離子水, 然后逐漸加入 2)溶液開始放熱,保持溫度70-80 C 加入3) 溶解完全后再加入4 ) 完全溶解后 再加入 1) 充分攪拌2個小時至完全溶解用去離子水補足體 積 。OTSTAR AG B CARRIER 1)OTSTAR B&
3、#160; 銀光亮粉 60-100 G/L 最佳 100 G/L 2) 去離子水 BALANCE . OTSTAR AG 光亮鍍銀工藝 一工藝特點 1為非金屬光亮劑,鍍層厚度可達100m,且表面光亮如鏡; 2鍍層光亮柔軟,經(jīng)防銀變色劑處理后,抗變色性能好,可焊性好。貯存一年以 上,鍍層幾乎不變色,可焊性也良好;
4、160; 3鍍層純度高,極適用于電器和電子工業(yè),如可分離連接器、重型觸點、插頭和 插座、高頻元件; 4. 鍍層導(dǎo)電性能好,接觸電阻小,而且耐磨; 5. 鍍層的光亮區(qū)較寬,低電流密度區(qū)也能獲得滿意的光亮度; 6. 操作簡單,鍍液性能穩(wěn)定,可以在鎳層、青銅和黃銅等銅基體上電鍍,適用于 掛鍍及滾鍍; 7. 經(jīng)濟效益顯著,由于鍍銀后不需要浸亮處理,鍍層厚度可以減??; 8. 電流密度高,沉積速度快
5、,生產(chǎn)效率明顯提高。二鍍層特性 純度 99.9 % 硬度
6、60; 100 130 Vickers 鍍層密度 105m · dm2 陰極效率
7、; 67 mg / A · min 鍍1m所需時間:1A / dm2 1.5 min10A / dm2
8、0; 9.5 sec100A / dm2 0.95 sec三所需設(shè)備 鍍槽
9、 PYREX 、PTFE 、PP 、PVC 及聚乙炔等纖維制造 冷卻及加熱 可用不銹鋼、陶瓷、鈦或PTFE 等加熱筆或冷卻管 過濾 使用PP 濾芯連續(xù)過濾,濾芯使用前必須在8090的KOH
10、60; (20 g/L)浸洗一小時,徹底沖洗后方可使用。 整流器 波紋系數(shù)3,應(yīng)配有電壓、電流表和精密電流連續(xù)控
11、0; 制,推薦使用安安分計。 陽極 最佳的效果是放在鈦籃的銀角。通常用陽極袋包裹的高純
12、 度銀板、不銹鋼或白金鈦網(wǎng)均可作陽極使用。陽極與陰極 比率1 : l 。 攪拌
13、0; 視應(yīng)用情況,陰極移動及溫和機械攪拌皆可,不能使用空氣攪拌。 抽氣系統(tǒng) 如操作溫度高或陰極電流密度高,必須設(shè)有抽氣系統(tǒng)以減少氣霧。四鍍液成份功能和操作參數(shù) 銀 以氰化銀
14、鉀形式存在,其含量越高,可達到的電流密度越高。 一般陽極溶解作補充或添加氰化銀鉀維持銀含量。 氰化鉀 與銀形成絡(luò)合物,有助于提高鍍液的導(dǎo)電性和均鍍能力,可幫 &
15、#160; 助銀陽極溶解。如游離氰化鉀含量偏低,會發(fā)生陽極鈍化及低 區(qū)發(fā)霧。如使用不溶性陽極,則氰化鉀會在陽極區(qū)消耗,當電
16、; 流密度及溫度更高時,氰化鉀的消耗會更高。 氫氧化鉀 用以保持pH 在12.0 以上,抑制氰化物分解及幫助陽極溶解。 當使用不溶解陽極時,所產(chǎn)生之二氧化碳能使氫氧化鉀轉(zhuǎn)變成
17、0; 碳酸鉀。分析和定期檢查pH,來控制氫氧化鉀的含量。 添加劑A 及B 兩種光劑互相配合而產(chǎn)生最佳效果。OTSTAR AG A 是增光 劑,使鍍層產(chǎn)生鏡面效果,電鍍過程中損耗;OTSTAR AG B &
18、#160; 是結(jié)晶細化劑,通常只通過帶出損失。 溫度 對最大電流密度有直接影響。較高的溫度可允許使用較高的電 &
19、#160; 流密度,并可幫助陽極溶解,但也可加速鍍液老化。 攪拌 對于增大電流密度很重要,并可減小陽極極化及溶液老化,建 議的電流密度通常是在一定
20、的攪拌條件下。五鍍液配方及操作條件 單 位范 圍最 佳金屬銀(以氰化銀鉀加入)g/L20 4030氰化鉀(游離) 掛鍍g/L90 150120 滾鍍g/L90 200150氫氧化鉀g/L5 107.5OTSTAR AG Aml/L 20OTSTAR AG Bml/L 10pH 12 12.5 溫
21、度 掛鍍20 4025 滾鍍18 3020電流密度 掛鍍A/dm20.5 41
22、60; 滾鍍A/dm20.2 0.50.5 陽極陰極比 掛鍍 l : l 2 : l> 2:1
23、160; 滾鍍 l : l 2 : l> 1:1攪拌 陰極移動 陽極套材料 滌綸、尼龍 陰極效率mg/A·min 67以1A/dm2鍍1m 所需時間sec 100以0.5A/dm2鍍1m 所需時間sec 200銀消耗量g/AH 4.0陽極 純銀板或銀粒放在陽極袋內(nèi) 六鍍液配制 添加金屬銀可用氰化銀鉀(54銀)或氰化銀(80 %)。如用氰化銀,則每克銀要 附加0.6g/L 氰化鉀。
24、 鍍液配制程序:1. 先洗凈鍍槽,注入純水或蒸餾水至一半所需容量,加熱至30,加入氫氧化鉀 及氰化鉀,攪拌至完全溶解; 2加入預(yù)先在純水溶解的銀鹽(氰化銀鉀)。如用氰化銀,可直接加入鍍槽內(nèi); 3待上列原料完全溶解后,加入光亮劑,攪拌至均勻地溶解在鍍液內(nèi); 4加熱至適當溫度及調(diào)整至正確容量; 注意:如果不是使用分析純的氰化鉀,則需在第1 步后進行活性碳處理。七鍍液維護 1鍍液中銀和氰化鉀的含量消經(jīng)常分析補充,維護在最佳濃度; 用銀陽極 OTST
25、AR AG A消耗量為0.5 L/1000Ah 。OTSTAR AG B只是 帶出消耗。如銀陽正常溶解,銀含量可自動維持。當鍍液停止使 用時,必須移開陽極。在不同的使用情況,光劑消耗及帶 水損耗亦有不同,故定期分析鍍液及鍍層測試方能達到最佳電鍍效果。
26、 用不溶解陽極 用不溶解陽極時,要定期加入銀鹽以補充金屬銀的消耗, 同時OTSTAR AG A的消耗亦增加,需定期添加氫氧化鉀
27、60; 以保持pH在12.5 以上。添加量根據(jù)設(shè)備不同而不同。尤 其是在陽極區(qū)攪拌不充分的情況下,應(yīng)使用連續(xù)活性碳處
28、 理。為 避免產(chǎn)生過量的游離氰,補充銀時必須用氰化銀 (80 銀),添加時必須預(yù)先溶解在小量鍍液內(nèi),然后再加 入鍍液內(nèi)。 2OTSTAR AG
29、 A 和OTSTAR AG B 可根據(jù)其消耗率進行補充; OTSTAR AG A 掛鍍 ml/Ah 0.25 l 滾鍍 ml/Ah 0.25 l OTSTAR AG B 掛鍍 ml/Ah
30、; 0.03 0.1 滾鍍 ml/Ah 0.05 0.15 3零件鍍銀前先預(yù)鍍銀,特別是鍍鎳件,采用預(yù)鍍銀工藝,一方面可減少鍍銀槽 的污染,另一方面保證鍍層結(jié)合力。
31、60;4配制氰化銀鉀方法:以配1 L 為例,將50.24g 硝酸銀和19.2g 氰化鉀分別溶 解,在不斷攪拌下混合并在暗處靜置2小時后過濾,用蒸餾水清洗沉淀,直至 濾液中保證無銀為止(稀鹽酸檢驗無自色混濁)。八預(yù)鍍銀配方及工藝條件 金屬銀(以氰化銀鉀加入) g/L l 2 氰化鉀
32、; g/L 70 90 溫度
33、; 室溫 電流密度 A/dm2
34、60; l 2 陽極材料 不銹鋼板 電鍍時間
35、; sec 5 10九分析方法 1銀 ? 移取2mL溶液于300mL錐形瓶中; ? 在通風櫥中,準確加入10mL濃硫酸和
36、10mL濃硝酸; ? 煮沸,直至形成的硫化銀溶解; ? 冷卻,小心加入100mL蒸餾水和約2mL 20g/L硫酸鋁鐵溶液; ? 冷卻。 ? 用0.1N硫氫酸鉀溶液滴定至棕色為終點,記下體積數(shù)A毫升。
37、60; ? 計算: A × 5.4 = g/L銀 A × 6.7 = g/L氰化銀 A × 10 = g/L氰化銀鉀 2游離氰化物
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