業(yè)界名詞SEM(SCANNINGELECTRONMICROSCOPE)電子顯微鏡EM最常用之運(yùn)作方式為發(fā)射電子束方式

1、157 SEM (SCANNING ELECTRON MICROSCOPE )電子顯微鏡 EM 最常 用之運(yùn)作方式為發(fā)射電子束方式(EMISSIVE MODE )，電子油燈絲放出，而由530KV之電壓加速，再經(jīng)過電磁透鏡使電子束聚集照射至試片表面。 一般使通過掃描線圈之電流同時(shí)通過相對應(yīng)之陰極射線管偏折電子束，而 在螢光幕上產(chǎn)生相似而較大之掃描動(dòng)作，達(dá)到放大之作用。掃描式電子顯 微鏡的解像能介于光學(xué)顯微鏡與穿透式電子顯微鏡之間，可用于檢驗(yàn)固體 試片，由于視野縱深長，可顯示清晰三度空間像。158 SELECTIVITY 選擇性1.定義：兩種材料，分別以相同的酸液或 電漿作蝕刻，其兩種蝕刻率之比值

2、謂之。例如復(fù)晶電漿蝕刻：對復(fù)晶之蝕 刻率為2000?/min對氧化層之蝕刻率為 200 ?/min則復(fù)晶對氧化層之選擇 性：SS=2000?/min/200 ?/min=10選擇性越高表示蝕刻特性越好。一般干事 實(shí)刻選擇性較化學(xué)濕蝕刻為差，吾人取較高的選擇性之目的即在于電漿蝕 刻專心蝕刻該蝕刻之氧化層，而不會(huì)商道上層光阻或下層氧化層，以確保蝕刻之完整性。159 SILICIDE硅化物一般稱為硅化物(Silicide)，指耐火金屬(Refratory Metal )之硅化物，如鈦()、鎢(W )、鉬(Mo )等與元素硅(Si)結(jié)合而成之化合物(TiSi2、Wsi2、MoSi2 )。硅化物應(yīng)用在組

3、件之 目的，主要為降低金屬與硅接口卜閘極或晶體管串聯(lián)之阻抗，以增加組件之性能。以鈦之硅化物為例。160 SILICIDE金屬硅化物1.定義：Silicide通常指金屬硅化物，為金屬與硅之化合物。2.目的：在微電子工業(yè)硅晶集成電路中主要用為2-1導(dǎo)體接觸(Ohmic Contact) 2-2 單向能阻接觸(Schottky Barrier Contact ) 2-3 低阻閘極(Gate Electrode) 2-4 組件間通路(Interconnect)在 VLSI (超大 規(guī)模集成電路)時(shí)代中，接面深度及接口接觸面積分別降至次微米及12學(xué)習(xí)必備歡迎下載平方毫米，以往廣泛應(yīng)用為金屬接觸的Al，由

4、于嚴(yán)重的川入半導(dǎo)體問題，在VLSI中不再適用。再加上其它技術(shù)及應(yīng)用上的需求，金屬硅化物在集 成電路工業(yè)上曰亦受到重視。由于集成電路中之金屬硅化物限于近貴重（Pt, Pd、Co、Ni、）及高溫金屬（Ti、W、Mo、Ta）硅化物。161 SILICON硅硅SI （全文SILICON ）為自然界元素之一種，意即我們所使用的硅芯片組成元素，再元素周期表中排行14,原子量28.09,以結(jié)晶狀態(tài)存在（重復(fù)性單位細(xì)胞組成）,每一單位細(xì)胞為由一個(gè)硅原子在 中心與其它4個(gè)等為硅原子所組成之四面體（稱為鉆石結(jié)構(gòu)）如圖標(biāo)中心原子以其4個(gè)外圍共價(jià)電子與鄰近之原子其原型或其價(jià)件之結(jié)合。硅元素 之電子傳導(dǎo)特性介于金屬導(dǎo)體

5、與絕緣體材料之間（故稱為半導(dǎo)體材料）,人類可經(jīng)由溫度之變化、能量之激發(fā)及雜質(zhì)參入后改變其傳導(dǎo)特性，再配合 了適當(dāng)?shù)闹瞥滩襟E，便產(chǎn)生許多重要的電子組件，運(yùn)用在人類的曰常生活 中。162 SILICON NITRIDE 氯化硅氮化硅是 SixNY 的學(xué)名。這種材料跟二氧化硅有甚多相似處。氮化硅通常用低壓化學(xué)氣相沉積法或電漿化學(xué)氣 相沉積法所生成。前者所得之薄膜品質(zhì)較佳，通常作IC隔離氧化技術(shù)中的阻隔層，而后者品質(zhì)較差，但因其沉積時(shí)溫度甚低可以作IC完成主結(jié)構(gòu)后的保護(hù)層。163 SMS （ SEMICODUCTOR MANUFACTURING SYSTEMS ） 半導(dǎo)體制造系統(tǒng) 此SMS -半導(dǎo)體制

6、造系統(tǒng)為德州儀器公司（TI）為輔助半導(dǎo)體的生產(chǎn)制造而發(fā)展出的 一一計(jì)算機(jī)軟件系統(tǒng)，其主要功能包含有：1）制程變更控制2）制程數(shù)據(jù)搜集與統(tǒng)計(jì)圖表 3）制程與操作規(guī)格制定 4）機(jī) 臺維護(hù)追蹤5）生產(chǎn)計(jì)劃制定6）線上統(tǒng)計(jì)報(bào)表7）在制品操作與追蹤 8）自 動(dòng)化系統(tǒng)接口164 SOFT WARE, HARD WARE 軟件，硬件1.定義：大略而言，所謂硬件可泛指像PC-BOARD ,機(jī)臺外殼等一些零組件；而軟件一般指運(yùn)用程 序，指令一套完整之控制系統(tǒng)，可經(jīng)由程序、指令之修改而修改，以人為 例子，軟件就好比腦中之記憶、思想，可控制整個(gè)身體各部分之動(dòng)作，而 硬件就好比人的手、足、眼、耳等器官；由以上之比喻，

7、可知道軟件、硬 件是相輔相成，缺一不可。近來尚有一種介于Software、Hardware之間，稱為Firm-Ware，他的功用，就相當(dāng)于把軟件寫入硬件 (比如PROM)，以 加快速度，因此軟、硬件間的區(qū)分也變得較不明顯了。165 )旋制氧化硅 旋制氧化硅(Spin on Glass)是利用旋制芯片，將含有硅化物之溶液均勻地平涂與芯片上，在利用加熱 方式與溶劑驅(qū)離，并將固體硅化物硬化程穩(wěn)定之非晶相氧化硅。其簡單流 程如下：旋轉(zhuǎn)平涂 t加熱燒烤t高溫硬化(450C)旋制氧化硅是應(yīng)用在 組件制造中，金屬層間之平坦化(Planization )。以增加層與層之間的結(jié)合特性，避免空洞之形成及膜之剝裂。

8、166 ) 縮小型 J 形腳包裝IC因外腳彎成“ J字形，且外伸長度較一般I.C.為小兒得名。是記憶I.C.的普遍化包裝形態(tài)，為配合表面粘著技術(shù)的高集積度要求而誕生。167 SOLVENT溶劑1.兩種物質(zhì)相互溶解成一種均勻的物質(zhì)時(shí)，較少 的物質(zhì)被稱為溶質(zhì)，較多的物質(zhì)被稱為溶劑。例如：糖溶解于水中，變成糖水，則糖為溶質(zhì)，水為溶劑，緩和的結(jié)果稱為溶液。2.溶劑分有機(jī)溶劑與無機(jī)溶劑兩種：2-1有機(jī)溶劑：分子內(nèi)含有碳原子的稱為有機(jī)溶劑，例 如丙酮 (CH3COCH3 )、IPA ( CH3CHOHCH3 )。2-2無機(jī)溶劑：分子內(nèi)不 含有碳原子的稱為無機(jī)溶劑，例如硫酸(H2SO4)，氫氟酸(HF) 3

9、.在FIB內(nèi)所通稱的溶劑，一般是只有機(jī)溶液而言。168 SPECIFICATION (SPEC)規(guī)范規(guī)范是公司標(biāo)準(zhǔn)化最重要的項(xiàng)目 之一，它規(guī)定了與生產(chǎn)有關(guān)事項(xiàng)的一切細(xì)節(jié)，包括機(jī)臺操作、潔凈室、設(shè)備、保養(yǎng)、材料、工具及配件、品管、可靠性、測試等等。IC制造流程復(fù)雜。唯有把所有事項(xiàng)鉅細(xì)靡遺的規(guī)范清楚并確實(shí)遵照規(guī)范執(zhí)行，檢討規(guī) 范是否合理可行，相關(guān)規(guī)范是否有沖突，已達(dá)自主管理及全員參與標(biāo)準(zhǔn)化 之目的。169 SPICE PARAMETER SPIC 參數(shù)1.定義：SPICE是一個(gè)分析非線性DC、非線性瞬間AC和線性AC行為的電路仿真程序。其由各種不同的半 導(dǎo)體組件模式計(jì)算之，有DIODES、BJTS

10、 JFET S MOSFETS 等，利用此種模式計(jì)算仿真實(shí)際半導(dǎo)體電路的工作情形。而使用于這些模型上的 計(jì)算參數(shù)統(tǒng)稱SPICE參數(shù)。目前由于公司使用之模式為HSPICE Level 2 ,故一般常說之 SPICE參數(shù)，即指Design Rules所提供之HSPICE Level 2中 MOSFET所用到的參數(shù)。170 ( SPREADING RESISTENCE ANALYSIS )展布電阻分析 在 下列一些情況，可利用 方法來得到其 Resisitivity : (1) n on n+ layer, p on p+ layer(2) n on p layer, p on n layer(3)

11、 depth profiling(4) lateral profiling(5) very small areas 在測量 Resistivity 的方式有很多， 但若 要降低校正，則一定要使用到Point-Contact Probe的展布電阻。171 SPUTTERING濺鍍 濺鍍乃是帶能量的離子撞擊物體，致使表面的原子飛散出來，附著于基板上形成薄膜之現(xiàn)象。當(dāng)所加電流為直流時(shí)，稱為直流濺鍍(D.C SPUTTERING ):所加電流為射頻時(shí)，稱為射頻賤鍍 (RADIO FREQUENCY SPUTTERING )?；诮?jīng)濟(jì)及效率觀點(diǎn)，氬氣為最 常使用之氣體。當(dāng)氬氣被快速電子碰撞時(shí)產(chǎn)生氬離子，

12、此時(shí)電子數(shù)目增加 并且同時(shí)受電場再加速，以便再次進(jìn)行游離反應(yīng)，如此不去如同雪崩(AVALANCHE ) 一樣產(chǎn)生輝光放電( GLOW DIS CHARGE ),氬氣離子 受陰極(靶材)吸引，加速碰撞靶材，將表面原子打出而吸附在基本上。由于濺鍍有薄膜厚度容易控制、組織均勻、表面相當(dāng)平滑等優(yōu)點(diǎn)，因此被 電子工業(yè)廣泛地使用。172 SSER( SYSTEM SOFT ERROR RATE TEST) 系統(tǒng)暫時(shí)性失效比 率測試Soft Error為所有發(fā)揮性組件之共有特性。對 DRAM而言，每記憶 細(xì)胞(Memory Cell )所存電荷(charge-to-sense)存在一刻開關(guān)的接面(junct

13、ion)，以空乏(depleted)的狀態(tài)存在。當(dāng)該細(xì)胞有高能粒子源(e.g. a-particle From molding compound )，使所存電荷消失或減少至U無法偵 測時(shí)，該細(xì)胞便暫時(shí)消失。173 STEP COVERAGE階梯覆蓋 STEP COVERAGE系冷指芯片上各 層次間各項(xiàng)薄膜、沉積材料等，當(dāng)覆蓋、跨越過底下層次時(shí)，由于底下層 次高低起伏不一及有線條粗細(xì)變化，會(huì)造成此薄膜、沉積材料在產(chǎn)品部分區(qū)域(如高低起伏交界處)覆蓋度會(huì)變差，此變差的程度，即為STEP COVERAGE一般系以厚度變化比表示： STEP COVERAGE =厚 度最薄處/厚度 最厚處此比例越接近

14、1越佳，反之越差，正常言均應(yīng)達(dá) 50 %以上。174 STEPPER步進(jìn)式對準(zhǔn)機(jī)1.定義：Stepper (步進(jìn)式對準(zhǔn)機(jī))系Stepprojection aligner 之簡稱。Stepper 與 Project aligner 原理類似，只是將 每片芯片分為2060次曝光完成。Stepper使用自動(dòng)對準(zhǔn)，不但迅速、精確， 且可使用計(jì)算機(jī)計(jì)算、補(bǔ)償。對準(zhǔn)方式可分為Global、Die by Die、Advanced Global Alignment，此三種方式均可補(bǔ)償因芯片形變造成之對準(zhǔn)不良(如 Run in/Run out )。Stepper亦可按縮影比例，分為 1X、5X、10X三 種。以

15、最常見之 5X為例，光罩上一條 5u之直線，曝在芯片上，僅 1卩而175 SURFACE STATES表面狀態(tài)1.定義：表面狀態(tài)是介在Si-SiO2接口的政電荷，也叫做Interface States。形成表面狀態(tài)的原因，是作氧化步驟 時(shí)Si會(huì)從表面移去而與 02反應(yīng)。當(dāng)氧化停止時(shí)，有些離子Si會(huì)留在靠近 接口處。這些為完全鍵結(jié)的 Si離子會(huì)沿著表面形成一條正電荷QSS。電荷大小決定于下列因素：氧化速度、后續(xù)熱處理步驟及Crystal Orientation。在 111 表面，良好的氧化步驟下，其表面狀態(tài)密度約為 5×10 10 charges/ cm 2 (= 5×101

16、0q )。而對于 100的表 面狀態(tài)密度約為 111表面的1/3。176 SWR ( SPECIAL WORK REQUEST ) SWR 為特殊工作要求單。生產(chǎn)線為了區(qū)劃正常流程芯片和工程實(shí)驗(yàn)芯片，將工程師依規(guī)定申請實(shí)驗(yàn) 的芯片批稱為SWR Lot ,通常SWR Lot是用來解決制程問題，或評估新機(jī)器、制程而試作的芯片。177 TARGET靶一般用在金屬濺鍍(SPUTTERING )也就是以某種材 料致造成各種形狀，因此靶當(dāng)作金屬薄膜濺鍍之來源。178 TDDB (TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN ) 介電 質(zhì)層崩貴的時(shí)間依存性 利用介電質(zhì)崩潰時(shí)間 (T

17、ime to Breakdown ) TBD與 外加電場(電壓)的線性模型，作加速測試(Accelerated Test),對產(chǎn)品(介 電 質(zhì)) 壽 命 (Life Time ) 作一估 算。TBD ae pEox .(1)AF= e B(Eext -Eop) (2)Life Time = T-50* AF (3)179 TECN(TEMPORARY ENGINEERING CHANGE NOTICE )臨時(shí)性 制程變更通知 隨時(shí)工程變更通知(ECN)為工程師為了廣泛收集資料，或 暫時(shí)解決制程問題，而做的制程變更，此一臨時(shí)性的變更將注明有效期限，以利生產(chǎn)作業(yè)180 TEOS (TETRAETH

18、YLOR THOSILICATE )四乙基氧化硅 1.化學(xué)式：Si (OC2 H5)4，與常溫下偉業(yè)體態(tài)。2.用途：與經(jīng)化學(xué)反應(yīng)后，可生成一層二氧化硅，在IC里通常被當(dāng)作絕緣層使用。3.反應(yīng)方式：-高溫低壓分解反應(yīng)-高溫加入觸某媒分解反應(yīng)-電漿促進(jìn)分解反應(yīng)181 THRESHOLD VILTAGE 臨界電壓 定義：當(dāng)我們在 MOS晶體管之 源極(Source)和汲極(Drain )加一個(gè)固定偏壓后， 再開始調(diào)整閘極(Gate) 對基質(zhì)(Substrate)的電壓，當(dāng)閘極電壓超過某一個(gè)值之后，源極和汲極就會(huì)產(chǎn)生電流而導(dǎo)通，則我們就稱此時(shí)的閘極電壓稱為臨界電壓(Threshold Voltage)

19、。NMOS 晶體管的臨界電壓相對于基質(zhì)為正。PMOS晶體管的臨界電壓相對于基質(zhì)為負(fù)。一般在制程上我們會(huì)影響臨界電壓的因素主要有二：A閘極氧化層厚度：Gate Oxide越厚，則VT (絕對值)越 高。B基質(zhì)滲雜的濃度：VT值入Dose越高，則VT越高。182 THROUGH PUT 產(chǎn)量1.定義：Through Put為單位工時(shí)之產(chǎn)出量，例如某機(jī)器每小時(shí)生產(chǎn) 100片，則稱其Through Put為100片/每小時(shí)。如 果每天運(yùn)作21小時(shí)，則每天的 Through Put為2100片/天。IC工業(yè)系許多 昂貴且精密的設(shè)備投資，故必須充分利用，維持生產(chǎn)的順暢，發(fā)揮其最大 的效能。故高的 Thro

20、ugh Put為我們評估機(jī)器設(shè)備的一項(xiàng)很重要的因素之 一。除了設(shè)備上發(fā)揮其最大產(chǎn)能外，必須要配合人為的力量：如流程安排、故障排除、等，亦即必須 人機(jī)一體”才能發(fā)揮生產(chǎn)的整體效益，達(dá)到最 高的生產(chǎn)力。183 TMP( TI MEMORY PROTOTYPE,TMS -X TI MEMORY STANDARD PRODUCT ) TI 記憶產(chǎn)品樣品(原型), TI內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品 在TI的產(chǎn)品出貨控制(Productor Outgoing Control )中，學(xué)習(xí)必備歡迎下載以Qualification （資格審定）為期里程碑：Qual以前：均為TMP產(chǎn)品。Qual以后：分為TMS4，TMS-B，T

21、MS-C及Special，其可靠度保證。184 TOX氧化層厚度 TOX系THICKNESS OF OXIDE 之縮寫，即一般所謂氧化層厚度。通常于氮化硅蝕刻、復(fù)晶及接觸窗蝕刻完，均需作TOX之測量。藉以確認(rèn)該層次蝕刻完是否有過蝕刻或蝕刻不足之現(xiàn)象。185 TROUBLE SHOOTING 故障排除1.定義：在生產(chǎn)過程，因?yàn)?M , 即設(shè)備、材料、人為、方法等，造成之一切問題而阻礙生產(chǎn)，例如：機(jī)器當(dāng)機(jī)、制程異常 等。工程人員解決以上發(fā)生的問題，使這些 障礙”肖弭 于無形謂之Trouble Shooting，故障排除。186 UNDERCUT底切度1.定義：所謂 底切度”（Undercut）,乃

22、是蝕刻時(shí)的專用術(shù)語，簡單的說，Undercut便是原來所定義出來的圖形間偏離度的大小。對于等向性蝕刻（Isotropic Etching ） Undercut較大，而對于完 全非等向性蝕刻（Full Anisotropic Etching ），其 Undercut等于零，亦即能 忠實(shí)地將原圖形復(fù)制出來。187 UNIFORMITY 均勻度1.定義：均勻度 Uniformity 是一種測量值的 平均分布。藉以表示芯片內(nèi)各測量點(diǎn)的數(shù)值或是芯片與芯片間其測量值的變化。在IC制程中，常用以表示薄膜厚度，線寬（C.D）在整片芯片內(nèi)或芯片間的分布。其表示方法如下：如測量芯片內(nèi)上中下左右與5點(diǎn)數(shù)據(jù)，5點(diǎn)平均

23、值X=X1 + X2+X3+X4+X5/5 均勻度 Uniformity = X m a x -X m 1m/2X×100 %例如測量 T0x厚度共五點(diǎn)分布如下：510、525、540、 515、520?則均勻度=540-510/2×522 （平均值）×100 % = 2.8 % 均勻度越小，表示各點(diǎn)變化越小。亦即表示芯片制程品質(zhì)較佳，也是制程 能力越好的表現(xiàn)188 VACUUM真空1.定義：真空系針對大氣而言一特定空間內(nèi)的部分氣體被排出，其大氣小于一大氣壓。表示真空的單位相當(dāng)多，在大氣的情況下，通稱為一大氣壓，也可表示為 760torr或760mmHg或14.7

24、psi。真空 技術(shù)中將真空一壓力大小分為四個(gè)區(qū)域：A粗略真空(Rough Vacuum)B中 對繪空(Medium Vacuum) C 高真空(High Vacuum) D 超高真空(Ultra- High Vacuum)2.方法：在不同真空，氣體流動(dòng)的形式與傳導(dǎo)性等 均有所差異，簡略而言：在粗略真空氣體的流動(dòng)稱之為黏滯流(Viscous Flow )。其氣體分子間碰撞頻繁，且運(yùn)動(dòng)具有方向性；在高真空 或超高真空范圍，氣體流動(dòng)稱為分子流(Molecular Flow )，其氣體分子間碰撞較少，且少于氣體與管壁碰撞的次數(shù)，氣體分子運(yùn)動(dòng)為隨意方向，不 受抽氣方向影響。在熱導(dǎo)性方面：中對繪空之壓力范

25、圍其與壓力成正比關(guān) 系，粗略真空與高真空區(qū)域則無此關(guān)系。189 VACUUM PUMP真空幫浦 凡能將特定空間內(nèi)的氣體去除以減低 氣體分子數(shù)目，造成某種程度只真空狀態(tài)的機(jī)件，通稱為真空幫浦。目前生產(chǎn)機(jī)臺所使用的真空幫浦可分為抽吸式：旋片幫浦(ROTARY PUMP )、魯是幫浦(ROOTS PUMP)，活塞幫浦(PISTON PUMP )、擴(kuò)散幫浦(DIFFUSION PUMP )。儲(chǔ)氣式：冷凍幫浦(CRYO PUMP )、離子幫浦(ION PUMP )。190 VERNIER游標(biāo)尺1.定義：用來讀取曝光制程中，本層次與前面 層次之對準(zhǔn)情形是否良好。目前公司所用之游標(biāo)尺，在讀取之分辨率上可分為

26、每格0.2卩及每格0.1卩者。目前只用在步進(jìn)式對準(zhǔn)機(jī)中以得到更佳之 分辨率。游標(biāo)尺之設(shè)計(jì)因人而異，因此在讀取時(shí)是否方便、容易，端賴設(shè) 計(jì)上之是否周詳。191 VIA CONTACT 連接窗 VIA CONTACT連接窗，系指相同兩層 材質(zhì)之間，如 POLY (一)與 POLY (二)之間，METAL (一)與 METAL（二）之間欲直接相聯(lián)系時(shí)，必須在制程上挖出下層（如POLY （一）,METAL （一），窗來，讓上層（如 POLY （二），METAL （二）能與下層 相通）此窗即為連接窗，一般此做法系為節(jié)省晶方面積而設(shè)計(jì)，但因多了 一層的關(guān)系，制程上會(huì)較復(fù)雜，我們 DOUBLE METAL

27、或 DOUBLE POLY制程即為一例。192 VISCOSIT 丫黏度粘度一詞專用于液體，意指當(dāng)液體接受切應(yīng)力時(shí)（指作用力方向與液體表面不垂直），液體就會(huì)產(chǎn)生變形，所以便定義粘度來表示液體產(chǎn)生變形程度的大小。粘度是可以調(diào)整的，因?yàn)橐后w 受切應(yīng)力而變形是巨觀行為的表現(xiàn)，所以在液體完全兼容前提下，可以加 入不同粘度的溶劑來調(diào)整粘度。193 VLF （ VERTICAL LAMINAR FLOW ） 垂直流層 在流體的流動(dòng)狀態(tài)中，可分為層流（Laminar Flow ）及齊流（Turbulent Flow ）兩種。一名 叫Osborne Reynold的人利用一簡易的實(shí)驗(yàn)將其界定，而雷諾數(shù)即為層流

28、及齊流的界定值。一般流體流速較快者其流線（streamiline ）分子易受干擾，且雷諾數(shù)大易形成齊流，反之，則易形成層流。（雷諾數(shù)=慣性力/粘滯力）在無塵室芯片制造場所內(nèi)，其氣流為穩(wěn)定之層流，如此可將人員、機(jī)臺等所產(chǎn)生之微塵帶離。若為齊流，則微塵將滯留不去。因此在無塵室內(nèi) 機(jī)臺的布置及人員的動(dòng)作都以盡量不使空氣流線產(chǎn)生齊流為原則。194 WELL/TANK 井區(qū) WELL即井區(qū)。在IC中的組件 MOSFET （即金氧半場效晶體管），常作兩型（N及P）相接的方式，即 CMOS技術(shù)。 此時(shí)為區(qū)分這兩種不同型的MOSFET ,就須先擴(kuò)散兩個(gè)不同型的區(qū)域于IC中。此種區(qū)域即稱為 WELL區(qū)。195 WLRC （WAFER LEVEL RELIABILITY CONTROL ）晶圓層次（廠 內(nèi)）可靠度控制 WLRC是取代“En-bf-line- reliability的一種全新的可靠度監(jiān)控方式，主要分為物性(In-line Scrap ),如厚度、材料、應(yīng)力、接觸窗 覆蓋率；另有電