tanner L-edit 軟件基本操作知識

1、.1一、一、Tanner軟件簡介：軟件簡介： Tanner Pro 是一套集成電路設(shè)計軟件，包括是一套集成電路設(shè)計軟件，包括 S-Edit, T-Spice, W-Edit, L-Edit與與 LVS, 各軟件的主要功各軟件的主要功能整理如表能整理如表 1.1 所示。所示。 .2Tanner軟件簡介Tanner Pro的設(shè)計流程可以用右圖 1.1 來表示。.3三、Tanner軟件的安裝 詳細(xì)安裝過程可以參看我編寫的Tanner13.0安裝流程（13.0版圖在windows7里面可以安裝，下面表格為Tanner對電腦的要求）三、使用L_edit繪制版圖（1）打開 L-Edit 程序：在“開始”菜

2、單“程序”里可以找到，也可以在桌面創(chuàng)建快捷方式。（2）出現(xiàn)界面如下（3）L-Edit 會自動將工作文件命名為 Layoutl.sdb 并顯示在窗口的標(biāo)題欄上，如上圖所示（4）文件-保存，保存在自己所選目錄下，注意不含中文，這里選擇E:L_edit，并命名為EX1。三、使用L_edit繪制版圖（5）取代設(shè)定：選擇“文件”-“替換設(shè)置”，從Browse選擇“D:Program FilesTanner EDAL-Edit and LVSSPRLightsLayoutlights.tdb”，主要是采用其內(nèi)的DRC信息、layers信息。三、使用L_edit繪制版圖（6）編輯組件L-Edit 編輯方式是

3、以組件(Cell)為單位而不是以文件(File)為單位的，每一個文件可有多個 Cell, 而每一個 Cell 可表示一種電路布局圖或說明， 每次打開新文件時也自動打開一個 Cell 并將之命名為 Ce110其中，編輯畫面中的十字為坐標(biāo)原點。三、使用L_edit繪制版圖（7）環(huán)境設(shè)定：繪制布局圖，必須要有確實的大小，因此繪圖前先要確認(rèn)或設(shè)定坐標(biāo)與實際長度的關(guān)系。選擇“設(shè)置”命令，打開 “設(shè)計” 對話框，在其中的 Technology 選項卡中出現(xiàn)使用技術(shù)的名稱、單位與設(shè)定，本范例中的技術(shù)單位 Technology units 為以 Lambda 為單位， 而Lambda單位與內(nèi)部單位Intern

4、al Unit的關(guān)系可在Technology setup選項組中進行設(shè)定，我們設(shè)定一個 Lambda 為1000個 Internal Unit，也設(shè)定一個 Lambda 等于一個 Micron。三、使用L_edit繪制版圖（8）選擇繪圖形狀：繪制布局圖，除了選擇要繪制的圖層外，還要在 Drawing 工具欄中選擇繪圖方式，如右圖所示：三、使用L_edit繪制版圖（9）選擇繪圖形狀：繪制布局圖，除了選擇要繪制的圖層外，還要在 Drawing 工具欄中選擇繪圖方式，如圖 10.9 所示，例如，選擇工具，按鼠標(biāo)左鍵拖曳可畫方形。如要繪制一個方形的 Poly 圖層，橫向占據(jù)1個格點(1um), 縱方向

5、占據(jù) 10 個格點(10um)，結(jié)果如圖，注意左下角有狀態(tài)欄，標(biāo)明繪制的形狀、圖層、寬度(W)、高度(H)、面積(A)與周長(P)。按住“Home”鍵可以全屏顯示三、使用L_edit繪制版圖（10）設(shè)計規(guī)則檢查：由于繪制的圖樣是要制作集成電路的掩膜圖樣，必須配合設(shè)計規(guī)則繪制圖層，才能確保制程時的效率。 選擇 工具-DRC 命令， 打開 Design Rule Check 對話框，如右圖所示，報錯“最小寬度少于兩個Lambda”三、使用L_edit繪制版圖（11）檢查錯誤：打開“設(shè)置”-DRC設(shè)置，則可以觀看詳細(xì)的設(shè)計規(guī)則， 從Rules list列表框中選擇3.1 Poly Minimum W

6、idth 選項中可以觀看該條設(shè)計規(guī)則設(shè)定poly最小寬度為2個lambda，依此修改poly寬度為2個lambda，那么如何修改呢？三、使用L_edit繪制版圖（12）修改對象：可選擇編輯-編輯物項命令，在 Show box 表框中選擇 bottom left corner and dimensions選項，如圖 所示，再將 Width 微調(diào)框改為2.000，單擊“確定”按鈕，即可修改完成。也可以利用 Alt 鍵加鼠標(biāo)拖曳的方式來修改對象大小。修改寬度為兩個格點后，再進行設(shè)計規(guī)則檢查，這時已無錯誤三、使用L_edit繪制版圖（13）修改對象：可選擇編輯-編輯物項命令，在 Show box 表框

7、中選擇 bottom left corner and dimensions選項，如圖 所示，再將 Width 微調(diào)框改為2.，單擊“確定”按鈕，即可修改完成。也可以利用 Alt 鍵加鼠標(biāo)拖曳的方式來修改對象大小。修改為寬度為兩個格點后，再進行設(shè)計規(guī)則檢查，這時已無錯誤三、使用L_edit繪制版圖（13）修改對象：此已經(jīng)無錯誤三、使用L_edit繪制版圖（14）繪制多邊型：在長方形 Poly旁間隔 1 個格點處，選擇 Drawing 工具欄中的多邊形工具，可利用鼠標(biāo)左鍵拖曳并點出多邊型的端點，單擊結(jié)束，如右圖三、使用L_edit繪制版圖（14）設(shè)計規(guī)則檢查DRC報錯，查看DRC設(shè)置，發(fā)現(xiàn)兩個相鄰

8、poly之間距離最小為2個lambda三、使用L_edit繪制版圖（15）改錯、移動對象：點中多邊形，選擇菜單欄中的“畫”，然后“移動至.”，如右圖設(shè)置x為1.000，即右移一格即可或者選中多邊形后，按住鼠標(biāo)中間鍵不放向右移動一格也可。再做DRC檢查則無錯誤。四、使用L_edit繪制pmos版圖（1）選取圖層：在畫面左邊有一個 Layers 面板，其中有一個下拉列表，可選取要繪制的圖層，例如，Poly, 則Layers 面板會選取代表 Poly圖層的紅色。在 L-Edit 中的 Poly圖層 代表制作集成電路中多晶硅(Poly Silicon)所需要的掩膜圖樣。 本范例繪制 PMOS 布局圖會

9、用到的圖層包括(N Well 圖層)、(Active 圖層)、(N Select 圖層)、(P Select 圖層)、(Poly 圖層)、(Metal1 圖層)、(Metal 2 圖層)、(Active Contact圖層)、(Via 圖層)，其各自的繪制四、使用L_edit繪制pmos版圖（2）繪制 N Well 圖層：L-Edit 編輯環(huán)境編輯環(huán)境是預(yù)設(shè)在是預(yù)設(shè)在 P 型基板上，故讀者不需要定型基板上，故讀者不需要定義出義出 P型基板范圍，而在 P型基板上制作 PMOS 的第一步，流程上要先做出 N Well 區(qū)，即需要設(shè)計掩膜以限定 N Well 的區(qū)域。繪制 N Well 布局圖必須先

10、了解是使用哪種流程的設(shè)計規(guī)則，本范例是使用MOSIS/ORBIT 2.0U SCNA Design Rules觀看 N Well繪制要遵守的設(shè)計規(guī)則。可選擇工具-DRC Setup 命令， 打開 Setup Design Rules對話框(或單擊按鈕)， 再從其中的 Rules list列表框選擇 1.1 Well Minimum Width 選項， 可知 N Well 的最小寬度有 10 個 Lambda 的要求四、使用L_edit繪制pmos版圖（2）繪制 N Well 圖層（接前一張）： 選選取取 Layers 面板下拉面板下拉列表中的列表中的 N Well 選選項，使工具被選取，項，使

11、工具被選取，再從再從 Drawing 工具工具欄中選欄中選擇工具，在 Cell0 編輯窗口畫出占據(jù)橫向 24 格縱向 15 格的方形 N Well，如右圖 ：四、使用L_edit繪制pmos版圖（3）截面觀察：L-Edit 有一個觀察截面的功能，可觀察利用該布局圖設(shè)計出的組件的制作流程與結(jié)果。選擇 工具-截面 命令(或單擊按鈕)，利用“pick”選擇需要的截面，點擊OK即可以了，注意process define file選擇D:Program FilesTanner EDAL-Edit and LVSSPRLightsLayoutlights.xst四、使用L_edit繪制pmos版圖（4）繪

12、制Active 圖層： 設(shè)計了 N Well 的布局區(qū)域之后， 接著設(shè)計有源區(qū)(Active)圖層圖樣，Active 圖層在流程上的意義是定義 PMOS 或 NMOS 的范圍，Active 以外的地方是厚氧化層區(qū)(或稱為場氧化層)，故需要設(shè)計掩膜以限定 Active 的區(qū)域，但要注意 PMOS 的 Active 圖層要繪制在 N Well 圖層之內(nèi)。注意知 Active 的最小寬度有 3 個Lambda 的要求。這里大小為 橫向10格縱向5格四、使用L_edit繪制pmos版圖（5）設(shè)計規(guī)則檢查，報錯為“Not Selected Active”，查看設(shè)計規(guī)則，Active 圖層必須要與 P S

13、elect 圖層或 N Select 重疊，而不能單獨存在，否則設(shè)計規(guī)則檢查會有錯誤。（6）繪制 P Select 圖層，注意Active 的邊界要與 P Select 的邊界至少要有兩個 Lambda 的距離，這是環(huán)繞(Surround)規(guī)則。這里畫橫向 18 格， 縱向 9 格。要注意的是 Active 與 P Select交集處被定義為 pdiff層，pdiff與 N Well 也有一個環(huán)繞規(guī)則，pdiff的邊界與 N Well 的邊界至少要距離 5 個 Lambda。四、使用L_edit繪制pmos版圖（7）標(biāo)尺工具的使用：點擊90標(biāo)尺，數(shù)一下格子，則很容易得出邊長四、使用L_edit

14、繪制pmos版圖（8）繪制 Poly圖層：接下來繪制 Poly圖層，Poly圖層在流程上的意義是定義成長多晶硅(Poly Silicon)，需要設(shè)計掩膜以限定多晶硅區(qū)域。同樣，繪制 Poly圖層必須先了解是使用哪種流程的設(shè)計規(guī)則，Poly的最小寬度有兩個 Lambda 的要求。這里畫出橫向 2 格，縱向 7 格四、使用L_edit繪制pmos版圖（9）設(shè)計規(guī)則檢查： 有兩個相同錯誤，錯誤，Poly圖層必須延伸出Active區(qū)域有最小兩個Lambda，而這里只有一個，因此增長為2個即可四、使用L_edit繪制pmos版圖（10）繪制 Active Contact 圖層:：PMOS 的源區(qū)、基區(qū)各

15、要接上電極，才能在其上加入偏壓。各組件之間的信號傳遞，也需要靠金屬線連接，在最底層的金屬線是以 Metal1 圖層表示。在金屬層制作之前，組件會被沉積上一層絕緣層(氧化層)，為了讓金屬能接觸至擴散區(qū)(源極與極汲)，必須在此絕緣層上蝕刻出一個接觸孔，此接觸孔是為了能使金屬層能與擴散區(qū)接觸，Metal1 與擴散區(qū)之間的接觸孔以 Active Contact 圖層表示，查閱設(shè)計規(guī)則，發(fā)現(xiàn)其寬度限定為兩個 Lambda 的大小，這里繪畫為 橫向兩格、 縱向兩格四、使用L_edit繪制pmos版圖（11）設(shè)計規(guī)則（每步之后必須要做DRC），按照提示操作、修改四、使用L_edit繪制pmos版圖（12）繪

16、制 Metal1 圖層：NMOS 的源極與汲極都要接上電極，才能在其上加入偏壓，各組件之間的信號傳遞也需要靠金屬線連接，在最底層的金屬線以 Metal1 圖層表示。Metal1 有最小寬度的限制，其寬度限定最小為 3 個 Lambda，在 Cell0編輯窗口的 Active Contact周圍畫出占據(jù)橫向 4格、縱向 4 格的方形左右兩個擴散區(qū)各畫一個 Metal1 區(qū)塊四、使用L_edit繪制pmos版圖（12）重新命名： 將 Cell0 的名稱重新命名， 可選擇 單元重命名 命令， 打開 Rename Cell0 對話框，將 cell 名稱改成 pmos，就此，pmos繪制完畢四、使用L_

17、edit繪制pmos版圖（13）nmos繪制與pmos相似，只是不需要繪制N well。其中， Active寬為 14 個格點， 高為 5 個格點； Poly寬為 2 個格點， 高為 9 個格點； N Select寬為 18 個格點，高為 9個格點；兩個 Active Contact 寬皆為2個格點，高皆為 2 個格點；兩個 Metal1 寬皆為 4 個格點，高皆為 4 個格點。 四、使用L_edit繪制pmos版圖（14）轉(zhuǎn)化：將反相器布局圖成果轉(zhuǎn)化成 T-Spice文件，可選擇 工具Extract Setup命令 (或單擊按鈕)，打開Setup Extract 對話框，單擊其中的 按鈕，在彈出的對話框中Browser選擇D:Program FilesTanner EDAL-Edit and LVSSPRLightsLayoutlights.ext，再到 Output 選項卡，SPICE include statement 文本框輸入“include E