模擬電子技術(shù)大學期末考試題及答案六

1、模擬電子技術(shù)模擬試題六一、選擇題（每空2分 共30分） 1、三端集成穩(wěn)壓器CW7812的輸出電壓是（ ）。 A、12V B、5V C、9V 2、用直流電壓表測得放大電路中某三極管各管腳電位分別是2V、6V、2.7V，則三個電極分別是（ ），該管是（ ）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（PNP） E、（NPN） 3、共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為（ ）失真，下半周失真時為（ ）失真。 A、飽和 B、截止 C、交越 D、頻率 4、差分放大電路是為了（ ）而設置的。 A、穩(wěn)定Au B、放大信號 C、抑制零點漂移 5、共模抑制比是差分放大電路的一個主要

2、技術(shù)指標，它反映放大電路（ ）能力。 A、放大差模抑制共模 B、輸入電阻高 C、輸出電阻低 6、LM386是集成功率放大器，它可以使電壓放大倍數(shù)在（ ）之間變化。 A、020 B、20200 C、2001000 7、單相橋式整流電容濾波電路輸出電壓平均值Uo=（ ）Uz A、0.45 B、0.9 C、1.2 8、當集成運放線性工作時，有兩條分析依據(jù)（ ）（ ）。 A、U-U+ B、I-I+0 C、U0=Ui D、Au=1 9、對功率放大器的主要要求有（ ）（ ）（ ）。 A、U0高， B、P0大 C、效率高 D、Ri大 E、波形不失真 10、振蕩器的輸出信號最初由（ ）而來的。 A、基本放大器

3、 B、選頻網(wǎng)絡 C、干擾或噪聲信號 二 、填空題（每空1分 ，共32分）1、空穴為（ ）載流子。自由電子為（ ）載流子的雜質(zhì)半導體稱為P型半導體。2、PN結(jié)的P型側(cè)接高電位，N型側(cè)接低電位稱為（ ）反之稱為（ ）3、由漂移形成的電流是反向電流，它由（ ）栽流子形成，其大小決定于（ ），而與外電場（ ）。4、穩(wěn)定二極管穩(wěn)壓時是處于（ ）偏置狀態(tài)，而二極管導通時是處于（ ）偏置狀態(tài)。5、晶體三極管的集電極電流Ic=( ) 所以它是（ ）控制元件。6、當溫度升高時三極管的反向飽和電流I CBO（ ）所以Ic也（ ) 。 7、為了穩(wěn)定三極管放大電路靜態(tài)工作點，采用（ ）負反饋。為穩(wěn)定交流輸出電壓，采用

4、（ ）負反饋，為了提高輸入電阻采用（ ）負反饋.。8、負反饋使放大電路增益下降，但它可以（ ）通頻帶（ ）失真。9、反饋導數(shù)F=（ ）。反饋深度是（ ）。10、差分放大電路能夠抑制（ ）信號，放大（ ）信號。11、OCL電路是（ ）電源互補功放，OTL是（ ）電源互補功放。12、用低頻信號改變高頻信號的相位稱為（ ）。低頻信號稱為（ ）、高頻信號稱為（ ）。13、晶體管電流放大系數(shù)是頻率的函數(shù)，隨著頻率的升高而（ ）。共基極電路比共射極電路高頻特性（ ）。14、振蕩電路的平衡條件是（ ），（ ）反饋才能滿足振蕩電路的相位平衡條件。15在橋式整流電阻負載時，理想二極管承受的最高反壓是（ ）。三、

5、分析計算題（共38分）1、已知：電路如圖所示V1、V2為理想二極管。求：1）哪只二極管導通 2）UAO=？（6分） 2、已知：電路如圖所示 Vcc=12V RB1=40k RB2=20k Rc=RL=2kRE=1.65k UBEQ=0.7V C1=C2=20F rbe=1.5K =100 CE=10F（取小數(shù)點后一位）求：1）ICQ 2)UCEQ 3)Au 4)Ri 5)Ro (10分)3、已知：電路如圖所示U1=1V U2=2V求(1）U01=? 2)U0(6分)4、已知：RC振蕩電路如下圖所示 R=7.9K C=0.02F R1=5K求： 1）fo 2）Rt冷態(tài)電阻 3）指明Rt的溫度特性（9分）5、已知：電路如圖IQ=5mA R1=500 R2=0.4K求：輸出電壓Uo （7分）試題六答案一、選擇題（每空2分 共30分）1、A 2、C E 3、B A 4、C 5、A6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C二、填空（每空1分 共32分）1、多數(shù) 少數(shù)2、正偏 反偏3、少數(shù) 溫度 無關(guān)4、反向 正向5、 電流6、增加 也增加7、直流 電壓 串聯(lián)8、擴展 減少9、Xf/Xo 1+AF10、共模 差模11、雙 單12、調(diào)相 調(diào)制 載波13、下降 好14、AF=1 正15、2U2三、分析與計算題（共38分）6分 1、1）V2導通 2