二極管符號大全

1、二極管符號大全【圖】 二極管符號參數(shù) 二極管符號意義 二極管符號參數(shù) 二極管符號意義  CT-勢壘電容Cj-結(jié)(極間)電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv-偏壓結(jié)電容Co-零偏壓電容Cjo-零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn-結(jié)電容變化Cs-管殼電容或封裝電容Ct-總電容CTV-電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比CTC-電容溫度系數(shù)Cvn-標(biāo)稱電容IF-正向直流電流(正向測試電流)。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管。硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流(平均值),硅開關(guān)二極管在

2、額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流IF(AV)-正向平均電流IFM(IM)-正向峰值電流(正向最大電流)。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH-恒定電流。維持電流。Ii-發(fā)光二極管起輝電流IFRM-正向重復(fù)峰值電流IFSM-正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)Io-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov)-正向過載電流IL-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID-暗電流IB2-單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM-發(fā)射極峰值電流IEB10-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20-雙基極單結(jié)

3、晶體管中發(fā)射極向電流ICM-最大輸出平均電流IFMP-正向脈沖電流IP-峰點電流IV-谷點電流IGT-晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD-晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM-控制極正向峰值電流IR(AV)-反向平均電流IR(In)-反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM-反向峰值電流IRR-晶閘管反向重復(fù)平均電流IDR-晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流IRRM-反向重復(fù)峰值電流IRSM-反向不

4、重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)Irp-反向恢復(fù)電流Iz-穩(wěn)定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流Izk-穩(wěn)壓管膝點電流IOM-最大正向(整流)電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流IZSM-穩(wěn)壓二極管浪涌電流IZM-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流iF-正向總瞬時電流iR-反向總瞬時電流ir-反向恢復(fù)電流Iop-工作電流Is-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流f-頻率n-電容變化指數(shù)；電容比Q-優(yōu)值(品質(zhì)因素)vz-穩(wěn)壓管電壓漂移di/dt-通態(tài)電流臨界上升率dv/dt-通態(tài)電壓臨界上升率P

5、B-承受脈沖燒毀功率PFT(AV)-正向?qū)ㄆ骄纳⒐β蔖FTM-正向峰值耗散功率PFT-正向?qū)偹矔r耗散功率Pd-耗散功率PG-門極平均功率PGM-門極峰值功率PC-控制極平均功率或集電極耗散功率Pi-輸入功率PK-最大開關(guān)功率PM-額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率PMP-最大漏過脈沖功率PMS-最大承受脈沖功率Po-輸出功率PR-反向浪涌功率Ptot-總耗散功率Pomax-最大輸出功率Psc-連續(xù)輸出功率PSM-不重復(fù)浪涌功率PZM-最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率RF(r)-正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非

6、線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量V,正向電流相應(yīng)增加I,則V/I稱微分電阻RBB-雙基極晶體管的基極間電阻RE-射頻電阻RL-負(fù)載電阻Rs(rs)-串聯(lián)電阻Rth-熱阻R(th)ja-結(jié)到環(huán)境的熱阻Rz(ru)-動態(tài)電阻R(th)jc-結(jié)到殼的熱阻r-衰減電阻r(th)-瞬態(tài)電阻Ta-環(huán)境溫度Tc-殼溫td-延遲時間tf-下降時間tfr-正向恢復(fù)時間tg-電路換向關(guān)斷時間tgt-門極控制極開通時間Tj-結(jié)溫Tjm-最高結(jié)溫ton-開通時間toff-關(guān)斷時間tr-上升時間trr-反向恢復(fù)時間ts-存儲時間tstg-溫度補償二極管的貯成溫度a-溫度系數(shù)p-發(fā)光峰值波長-光譜半寬度-單結(jié)晶

7、體管分壓比或效率VB-反向峰值擊穿電壓Vc-整流輸入電壓VB2B1-基極間電壓VBE10-發(fā)射極與第一基極反向電壓VEB-飽和壓降VFM-最大正向壓降(正向峰值電壓)VF-正向壓降(正向直流電壓)VF-正向壓降差VDRM-斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VGT-門極觸發(fā)電壓VGD-門極不觸發(fā)電壓VGFM-門極正向峰值電壓VGRM-門極反向峰值電壓VF(AV)-正向平均電壓Vo-交流輸入電壓VOM-最大輸出平均電壓Vop-工作電壓Vn-中心電壓Vp-峰點電壓VR-反向工作電壓(反向直流電壓)VRM-反向峰值電壓(最高測試電壓)V(BR)-擊穿電壓Vth-閥電壓(門限電壓)VRRM-反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓

8、)VRWM-反向工作峰值電壓Vv-谷點電壓Vz-穩(wěn)定電壓Vz-穩(wěn)壓范圍電壓增量Vs-通向電壓(信號電壓)或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓av-電壓溫度系數(shù)Vk-膝點電壓(穩(wěn)流二極管)VL-極限電壓CT-勢壘電容Cj-結(jié)(極間)電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv-偏壓結(jié)電容Co-零偏壓電容Cjo-零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn-結(jié)電容變化Cs-管殼電容或封裝電容Ct-總電容CTV-電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比CTC-電容溫度系數(shù)Cvn-標(biāo)稱電容IF-正向直流電流(正向測試電流)。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管。硅

9、堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流(平均值),硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流IF(AV)-正向平均電流IFM(IM)-正向峰值電流(正向最大電流)。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH-恒定電流。維持電流。Ii-發(fā)光二極管起輝電流IFRM-正向重復(fù)峰值電流IFSM-正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)Io-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov)-正向過載電流IL-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID-暗電流IB2-單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM-發(fā)射極

10、峰值電流IEB10-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM-最大輸出平均電流IFMP-正向脈沖電流IP-峰點電流IV-谷點電流IGT-晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD-晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM-控制極正向峰值電流IR(AV)-反向平均電流IR(In)-反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM-反向峰值電流IRR-晶閘管反向重復(fù)平均電流IDR-晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流IRRM-反向重復(fù)峰值電流IRSM-反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)Irp-反向恢復(fù)電流Iz-穩(wěn)定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流Izk-穩(wěn)壓管膝點電流IOM-最大正向(整流)電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管