晶體振蕩器使用注意事項(xiàng)

1、晶體振蕩器使用注意事項(xiàng)使用Epson Toyocom產(chǎn)品時，需要觀察產(chǎn)品規(guī)范或類別中所指定的工作條1. 抗沖擊Epson Toyocom公司的晶體產(chǎn)品設(shè)計可抵抗物理沖擊，但在某些環(huán)境下晶體產(chǎn)品也會受到損壞，比如從桌子上掉落或者在安裝過程受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品受到?jīng)_擊，確保重新檢查產(chǎn)品特性。 2. 耐焊接熱除SMD產(chǎn)品之外，Epson Toyocom公司的所有晶體產(chǎn)品利用+180C 到 +200C熔點(diǎn)的焊料。加熱包裝材料至+150C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配

2、置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。 （1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品型號焊接條件 柱面式 C-類型，C-2-類型，C-4-類型，HTS-206+280 C或低于最大值5 s 請勿加熱封裝材料超過+150 C 柱面式 CA-301 DIP SG-51 / 531, SG-8002DB / DC, RTC-62421 / 72421 / 7301DG+260 C或低于最大值 10 s請勿加熱封裝材料超過+150 C DIP TCO-6831 / TCO-

3、676 / TCO-679 TCO-6920A / OX-6601DL+370 C或低于最大值 5 s (每1個終端)請勿加熱封裝材料超過+150 C （2）SMD產(chǎn)品流配置條件（實(shí)例）用于JEDEC-std-020C回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。(324KB) 盡可能使溫度變率曲線保持平滑。同時，如果采用蜂窩式包裝，則不可避免會出現(xiàn)開裂；因此，僅可短期儲藏，而且如果在高濕環(huán)境下儲藏，請采取保護(hù)措施以免產(chǎn)品受潮。3. 安裝時的注意事項(xiàng)自動安裝時的沖擊自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低，并確保在安裝前未對產(chǎn)品

4、特性產(chǎn)生影響。條件改變時，請重新檢查安裝條件。同時，在安裝前后，請確保晶體產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電板等。 （1）a）陶瓷包裝產(chǎn)品與SON產(chǎn)品 在焊接陶瓷包裝產(chǎn)品和SON產(chǎn)品（MC-146,RTC-*NB,RX-*NB）之后，彎曲電板會因機(jī)械張力而導(dǎo)致焊接部分剝落或包裝分裂。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電板切割時，務(wù)必確保在張力較小的位置布局晶體并采用張力更小的切割方法。b）陶瓷包裝產(chǎn)品在一個不同的擴(kuò)張系數(shù)電板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷包裝產(chǎn)品時，底部模式的焊接分裂需要在長期重復(fù)溫度改變的情況下進(jìn)行。在這些情況下，確保已事先檢查焊接。 （2）柱面式產(chǎn)品 在玻璃上彎曲鉛或用力拉伸鉛會導(dǎo)致在鉛底部發(fā)生密封玻

5、璃分裂，也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)晶體產(chǎn)品的鉛需彎曲成下圖所示形狀時，應(yīng)留出0.5m的鉛并將其握住，以免發(fā)生分裂。當(dāng)該鉛需修復(fù)時，請勿拉伸，握住彎曲部分進(jìn)行修正。如果該密封部分上施加壓力，會導(dǎo)致氣密性受到損壞，因此禁止施加任何壓力。建議在電板上的產(chǎn)品進(jìn)行膠合，以防止氣密性受到損壞。 安裝示例（3）DIP 產(chǎn)品 已變形的鉛不能插入板孔中。請勿施加過大壓力，以免鉛變形。 （4）SOJ 產(chǎn)品和SOP 產(chǎn)品 請勿施加過大壓力，以免鉛變形。已變形的鉛會導(dǎo)致不正確的焊接。尤其是SOP產(chǎn)品需要更加小心處理。 4. 超聲波清洗 使用AT-切割晶體和表面聲波（SAW）諧振器/濾波器的產(chǎn)品，可以通過超

6、聲波進(jìn)行清洗。但是，在某些條件下， 晶體特性可能會受到影響，而且內(nèi)部線路可能受到損壞。請事先檢查并確保系統(tǒng)的適用性。 使用交鑰匙晶體和角速度傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗，因?yàn)榫w可能受到破壞。 請勿清洗開放式產(chǎn)品 對于可清洗產(chǎn)品，應(yīng)避免使用可能對產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗器或溶劑等。 5. 機(jī)械振動的影響當(dāng)晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時，比如：一個壓電揚(yáng)聲器、一個壓電蜂鳴器、以及喇叭等，輸出頻率和幅度會受到影響。盡管Epson Toyocom公司的晶體產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響，但仍建議需事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。 安裝指南（1）理想情況下，機(jī)

7、械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨(dú)立于晶體器件的PCB板上。（2）如果您安裝在同一個PCB板上，最好使用余量或切割PCB。（3）與只作用于PCB板時相比，當(dāng)作用于PCB板體內(nèi)部時，移動機(jī)械振動有所不同。最后，應(yīng)符合內(nèi)部板體特性。 6. 儲藏（1）在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲藏。正常溫度和濕度：溫度： +15 C 至 +35 C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點(diǎn)JIS Z-8703的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。（2）請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷筒。外部壓力會導(dǎo)致卷筒和磁帶

8、受到損壞。 7.輻射暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。 8.化學(xué)品 / pH請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。 9. 粘合劑請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的包裝材料、終端、組件、玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬零件蓋子，從而破壞密封質(zhì)量、降低性能。） 10. 鹵化合物請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中氯氣內(nèi)或包裝所用金屬零件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。晶體單元/諧振器1. 驅(qū)動能力在晶體單元上施加過多驅(qū)動能力，會導(dǎo)致產(chǎn)品特

9、性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)尿?qū)動能力 （請參閱第146頁的“驅(qū)動能力”章節(jié)內(nèi)容）。 2. 負(fù)極電阻除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱第146頁的“振蕩的考慮”章節(jié)內(nèi)容）。 3. 負(fù)載電容振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負(fù)載電容（請參閱第146頁的“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。 晶體振蕩器和實(shí)時時鐘模塊所有晶體振蕩器和實(shí)時時鐘模塊都以CMOS IC形式提供。請注意下列一些要點(diǎn)。1. 靜電盡管電路中提供了一個抗靜電保護(hù)電路，執(zhí)行級別的靜電仍

10、可能損壞該IC電路。請為容器和包裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用一支電焊槍和一個無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。 2. 噪聲在電源或輸入終端上施加執(zhí)行級別的不相干噪聲，可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。為了維持穩(wěn)定運(yùn)行，在接近晶體產(chǎn)品的電源終端處（在VCC - GND之間）提供一個具有高于0.1 F 。請勿將任何會產(chǎn)生高級別噪聲的設(shè)備置于晶體振蕩器周圍。3. 電源線路電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。 4. 輸出負(fù)載建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。 5. 未用輸入終端的處理未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng)，從而導(dǎo)致不能正常工作。同時，當(dāng)P通道和N通道都處于打開時，電源功率消耗也會增加；因此，請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。 6. 熱影響重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的晶體單元的產(chǎn)品特性